写保护电路、写保护装置及电器设备的制作方法

本公开涉及控制领域，特别涉及一种写保护电路、写保护装置及电器设备。

背景技术：

通过控制芯片的写保护(Write Protect，简称：WP)端口的电平高低，能够对芯片的写保护功能进行控制。

技术实现要素：

发明人通过研究发现，目前对芯片的写保护端口不进行额外处理，通常是直接下拉至低电平，或者上拉至高电平。若直接下拉至低电平，则芯片内部数据容易被篡改，从而导致设备运行异常。若直接上拉为高电平，则在需要向芯片中写入数据时，需要去除所提供的高电平，这增加了操作的复杂度。

为此，本公开提供一种能够对芯片写保护状态进行快速切换的方案。

根据本公开的一个或多个实施例的一个方面，提供一种写保护电路，包括：切换子电路，被配置为根据第一驱动信号，将芯片的写保护端口与第一电压端电连接，以便将所述写保护端口的电平拉低至第一电平。

在一些实施例中，切换子电路还被配置为根据第二驱动信号，断开所述写保护端口与所述第一电压端的电连接。

在一些实施例中，写保护电路还包括上拉子电路，被配置为在所述写保护端口与所述第一电压端断开连接的情况下，将所述写保护端口的电平拉升至第二电平，其中所述第一电平小于所述第二电平。

在一些实施例中，所述上拉子电路包括上拉电阻和第二电压端，所述上拉电阻的第一端与所述第二电压端电连接，所述上拉电阻的第二端与所述写保护端口电连接。

在一些实施例中，所述切换子电路包括：第一开关器件，被配置为根据所述第一驱动信号进入导通状态，还被配置为根据所述第二驱动信号进入关断状态；第二开关器件，被配置为在所述第一开关器件处于导通状态的情况下，将所述写保护端口与所述第一电压端电连接，还被配置为在所述第一开关器件进入关断状态的情况下，断开所述写保护端口与所述第一电压端的电连接。

在一些实施例中，所述第一开关器件为开关晶体管；所述第二开关器件为继电器。

在一些实施例中，所述继电器被配置为在所述开关晶体管进入导通状态的情况下，继电器线圈得电，继电器常开开关闭合，使得所述写保护端口与所述第一电压端电连接；还被配置为在所述开关晶体管进入关断状态的情况下，继电器线圈失电，继电器常开开关断开，使得所述写保护端口与所述第一电压端断开连接。

在一些实施例中，所述开关晶体管包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极用于接收第一驱动信号或第二驱动信号，所述第二电极与所述继电器线圈的一端电连接，所述第三电极与所述第一电压端电连接；所述继电器线圈的另一端与第三电压端电连接；所述继电器常开开关的一端与所述第一电压端电连接，所述继电器常开开关的另一端与所述写保护端口电连接。

根据本公开的一个或多个实施例的另一个方面，提供一种写保护装置，包括上述任一实施例涉及的写保护电路。

在一些实施例中，写保护装置还包括控制器，被配置为在向芯片进行写入操作的情况下，向所述写保护电路发送第一驱动信号。

在一些实施例中，所述控制器还被配置为在所述写入操作结束后，向所述写保护电路发送第二驱动信号。

根据本公开的一个或多个实施例的另一个方面，提供一种电器设备，包括：如上述任一实施例涉及的写保护装置。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开一个实施例的写保护电路的示例性框图；

图2为本公开另一个实施例的写保护电路的示例性框图；

图3为本公开又一个实施例的写保护电路的示例性框图；

图4为本公开一个实施例的写保护装置的示例性框图；

图5为本公开另一个实施例的写保护装置的示例性框图；

图6为本公开又一个实施例的写保护电路的示例性框图。

具体实施方式

下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

图1为本公开一个实施例的写保护电路的示例性框图。如图1所示，写保护电路1包括切换子电路11。

切换子电路11被配置为根据第一驱动信号，将芯片的写保护端口与第一电压端电连接，以便将写保护端口的电平拉低至第一电平，使得芯片进入写入状态。

在一些实施例中，第一电压端为接地端。

在本公开上述实施例提供的写保护电路中，通过对芯片的写保护端口的电平进行相应控制，能够快速改变芯片的工作状态。

图2为本公开另一个实施例的写保护电路的示例性框图。图2与图1的不同之处在于，在图2所示实施例中，写保护电路1还包括上拉子电路12。

切换子电路11还被配置为根据第二驱动信号，断开写保护端口与第一电压端的电连接。

上拉子电路12被配置为在写保护端口与第一电压端断开连接的情况下，将写保护端口的电平拉升至第二电平，使得芯片进入写保护状态，其中第一电平小于第二电平。

图3为本公开又一个实施例的写保护电路的示例性框图。如图3所示，切换子电路11包括第一开关器件Q和第二开关器件K。

第一开关器件Q被配置为根据第一驱动信号进入导通状态，还被配置为根据第二驱动信号进入关断状态。

第二开关器件K被配置为在第一开关器件Q处于导通状态的情况下，将写保护端口WP与第一电压端电连接，还被配置为在第一开关器件Q进入关断状态的情况下，断开写保护端口WP与第一电压端的电连接。

在一些实施例中，第一开关器件为开关晶体管，或者其它能够根据驱动信号切换导通和关断状态的开关设备。例如，第一开关器件可为双极性晶体管或场效应晶体管。

在一些实施例中，第二开关器件为继电器、光耦或者其它切换写保护端口WP与第一电压端电连接状态的设备。

在一些实施例中，如图3所示，上拉子电路12包括上拉电阻R和第二电压端，上拉电阻R的第一端与第二电压端电连接，上拉电阻R的第二端与写保护端口WP电连接。由此，在写保护端口WP与第一电压端断开连接的情况下，可将写保护端口WP的电平拉升至第二电平，使得芯片进入写保护状态。

在一些实施例中，如图3所示，继电器K被配置为在开关晶体管Q进入导通状态的情况下，继电器线圈K1得电，继电器常开开关K2闭合，使得写保护端口WP与第一电压端电连接。继电器K还被配置为在开关晶体管Q进入关断状态的情况下，继电器线圈K1失电，继电器常开开关K2断开，使得写保护端口WP与第一电压端断开连接。

如图3所示，开关晶体管Q包括第一电极Q1、第二电极Q2和第三电极Q3。第一电极Q1用于接收第一驱动信号或第二驱动信号，第二电极Q2与继电器线圈K1的一端电连接，第三电极Q3与第一电压端电连接。继电器线圈K2的另一端与第三电压端电连接。继电器常开开关K2的一端与第一电压端电连接，继电器常开开关K2的另一端与写保护端口WP电连接。

图4为本公开一个实施例的写保护装置的示例性框图。如图4所示，写保护装置2包括写保护电路21。写保护电路21为图1至图3中任一实施例涉及的写保护电路。通过利用写保护电路过对芯片的写保护端口的电平进行相应控制，能够快速改变芯片的工作状态。

图5为本公开另一个实施例的写保护装置的示例性框图。与图4所示实施例相比，在图5所示实施例中，写保护装置还包括控制器22。

控制器22被配置为在向芯片进行写入操作的情况下，向写保护电路21发送第一驱动信号。

在一些实施例中，控制器22还被配置为在写入操作结束后，向写保护电路21发送第二驱动信号。

例如，控制器22在向芯片进行写入操作时，向写保护电路21发送第一驱动信号。写保护电路21将芯片的写保护端口WP与接地端电连接，此时芯片进入写入模式。控制器22在写入操作结束后，向写保护电路21发送第二驱动信号。写保护电路21将芯片的写保护端口WP与接地端断开连接，并将芯片的写保护端口WP的电平拉升至第二电平，从而使芯片进入写保护状态。

图6为本公开另一个实施例的写保护电路的示例性框图。如图6所示，控制器为DSP数字信号处理器，芯片为存储芯片。控制器通过数据线接口SDAA和芯片的数据线接口SDA连接，控制器通过时钟接口SCLA和芯片的时钟接口SCL连接。

在一些实施例中，控制器在向芯片进行写入操作时，向晶体管Q发送第一驱动信号。晶体管Q在接收到第一驱动信号后导通，继电器K的线圈有电流通过，导致继电器常开开关闭合，从而将芯片的写保护端口WP与第一电压端电连接。由于第一电压端为接地端，从而此时芯片的写保护端口WP为低电平，芯片进入写入模式。

在另一些实施例中，控制器在写入操作完成后，向晶体管Q发送第二驱动信号。晶体管Q在接收到第二驱动信号后关断，继电器K的线圈没有电流通过，导致继电器常开开关关断，从而断开芯片的写保护端口WP与第一电压端电的连接。此时第二电压端通过电阻R，将芯片的写保护端口WP的电平拉升至第二电平。由于第二电平为高电平，从而使芯片进入写保护状态。

本公开还提供一种电器设备，该电器设备中具有如图4至图6中任一实施例涉及的写保护电路。

本公开通过对芯片的写保护端口的电平进行相应控制，能够快速改变芯片的工作状态。

本公开的描述是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本公开限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显然的。选择和描述实施例是为了更好说明本公开的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本公开从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。