1.一种用于写入热辅助磁记录(hamr)介质的hamr头，包括：
近场换能器(nft)，所述近场换能器包括靠近空气轴承表面(abs)的端部并被构造成将来自激光器的光导向到所述hamr介质上的区域；和
写入极，所述写入极被构造成写入所述hamr介质上的所述区域并包括靠近所述abs的底表面、靠近所述nft的第一侧面、和与所述第一侧面相对的第二侧面；
其中所述写入极包括凹部，所述凹部从所述底表面的一部分沿着所述第一侧面的一部分延伸；
其中所述底表面的所述部分包括小于所述底表面的长度，并且所述第一侧面的所述部分包括小于所述第一侧面的长度。
2.根据权利要求1所述的hamr头，还包括：
极基座，所述极基座位于所述凹部内。
3.根据权利要求2所述的hamr头，其中所述极基座包括选自由贵金属或者rh、ru、ir、ni、v、au、pt、ti、cr或ta的合金构成的组的材料。
4.根据权利要求2所述的hamr头，其中所述极基座包括选自由ta2o3、y2o3、cr2o3、zro2、hfo2、tio2、sio2、铁氧体、ba-铁氧体、zn-铁氧体或sr-铁氧体构成的组的材料。
5.根据权利要求2所述的hamr头，其中所述极基座包括选自由si、ta、zr、ti、hf或y构成的组的材料。
6.根据权利要求2所述的hamr头，其中所述极基座包括磁性材料，所述磁性材料包括比所述写入极低的磁矩或者比所述写入极高的镍原子百分比。
7.根据权利要求2所述的hamr头，其中所述极基座的横截面包括矩形形状。
8.根据权利要求7所述的hamr头，其中所述矩形形状包括沿着所述底表面延伸的长度和沿着所述第一侧面延伸的宽度，其中所述长度大于所述宽度。
9.根据权利要求2所述的hamr头，其中：
所述极基座包括第一段和第二段，所述第一段沿着所述写入极的所述底表面延伸，所述第二段从所述底表面沿着所述写入极的所述第一侧面延伸；并且
所述第一段和所述第二段形成l形块。
10.根据权利要求2所述的hamr头，其中所述极基座包括倒角形状，以使得所述nft和所述写入极之间的相对距离从所述abs沿着所述第一侧面减小。
11.根据权利要求1所述的hamr头，其中所述凹部被引入在所述写入极的所述底表面上。
12.根据权利要求11所述的hamr头，其中所述凹部包括倒角形状，以使得所述nft和所述写入极之间的相对距离从所述abs沿着所述第一侧面减小。
13.根据权利要求12所述的hamr头，还包括：
保护性层，所述保护性层在所述写入极的倒角边缘上与所述凹部相邻，其中所述保护性层还沿着所述底表面的至少附加部分延伸，其中所述保护性层包括选自由贵金属或者rh、ru、ir、au或pt的合金构成的组的材料。
14.根据权利要求11所述的hamr头，其中所述凹部包括圆柱形状。
15.根据权利要求1所述的hamr头，还包括：
散热器，所述散热器热耦合到所述凹部。
16.根据权利要求1所述的hamr头，其中所述侧面的所述部分包括小于或等于10nm的长度。
17.根据权利要求1所述的hamr头，其中所述底表面的所述部分包括小于或等于20nm的长度，并且所述侧面的所述部分包括小于或等于50nm的长度。
18.一种数据存储设备，所述数据存储设备包括根据权利要求1所述的hamr头。
19.一种用于制造用于写入热辅助磁记录(hamr)介质的hamr头的方法，所述方法包括：
提供波导，所述波导任选地耦合到激光器并被构造成将来自所述激光器的光朝所述hamr头的空气轴承表面(abs)导向；
提供近场换能器(nft)，所述近场换能器包括靠近所述abs的端部并任选地耦合到所述波导，以将所述光聚焦到所述hamr磁记录介质上的区域上；以及
提供写入极，所述写入极被构造成写入所述hamr磁记录介质上的所述区域并包括靠近所述abs的底表面、靠近所述nft的第一侧面、和与所述第一侧面相对的第二侧面，其中提供所述写入极还包括：
形成从所述底表面的一部分沿着所述第一侧面的一部分延伸的凹部，其中所述底表面的所述部分包括小于所述底表面的长度，并且所述第一侧面的所述部分包括小于所述第一侧面的长度。
20.根据权利要求19所述的方法，其中提供所述写入极还包括：
用形成极基座的材料填充所述凹部。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述材料选自由贵金属或者rh、ru、ir、ni、v、au、pt、ti、cr或ta构成的组。
22.根据权利要求20所述的方法，其中所述极基座的横截面包括矩形形状。
23.根据权利要求20所述的方法，其中用形成所述极基座的所述材料填充所述凹部还包括：
形成所述极基座的沿着所述写入极的所述底表面延伸的第一段；以及
形成所述极基座的从所述底表面沿着所述写入极的所述第一侧面延伸的第二段，其中所述第一段和所述第二段形成l形块。
24.根据权利要求20所述的方法，其中用形成所述极基座的所述材料填充所述凹部还包括：
形成所述极基座，所述极基座包括倒角形状，以使得所述nft和所述写入极之间的相对距离从所述abs沿着所述第一侧面减小。
25.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述凹部还包括：
引入所述凹部，所述凹部包括沿着所述底表面的所述部分和所述第一侧面的所述部分的倒角形状，以使得所述nft和所述写入极之间的相对距离从所述abs沿着所述第一侧面减小。
26.根据权利要求25所述的方法，还包括：
用选自由贵金属或者rh、ru、ir、au或pt的合金构成的组的材料，沿着所述底表面的至少附加部分涂覆所述写入极的与所述凹部相邻的倒角边缘。
27.根据权利要求19所述的方法，还包括：
提供散热器，所述散热器热耦合到所述凹部；以及
提供至少一个线圈，所述至少一个线圈被构造成生成传递到所述写入极的磁场，以将记录磁场施加到所述hamr介质上的所述区域。
28.根据权利要求19所述的方法，其中所述侧面的所述部分包括小于或等于10nm的长度。
29.一种用于写入热辅助磁记录(hamr)介质的hamr头，包括：
用于通过所述hamr头的空气轴承表面(abs)将来自激光器的光导向到所述hamr介质上的区域的装置；和
用于写入所述hamr介质上的所述区域的装置，所述装置包括靠近所述abs的底表面和靠近用于将光导向的所述装置的侧面，其中用于写入的所述装置还包括用于保护用于写入的所述装置免受腐蚀的装置；
其中用于保护的所述装置从所述底表面的一部分沿着所述侧面的一部分延伸；
其中所述底表面的所述部分包括小于所述底表面的长度，并且所述侧面的所述部分包括小于所述侧面的长度。
30.根据权利要求29所述的hamr头，其中用于保护的所述装置包括极基座。
31.根据权利要求30所述的hamr头，其中所述极基座包括选自由贵金属或者rh、ru、ir、ni、v、au、pt、ti、cr或ta的合金构成的组的材料。
32.根据权利要求30所述的hamr头，其中所述极基座的横截面包括矩形形状。
33.根据权利要求30所述的hamr头，其中所述极基座还包括第一段和第二段，所述第一段沿着所述底表面延伸，所述第二段从所述底表面沿着所述侧面延伸，其中所述第一段和所述第二段形成l形块。
34.根据权利要求30所述的hamr头，其中所述极基座还包括倒角形状，以使得用于将光导向的所述装置和用于写入的所述装置之间的相对距离从所述abs沿着所述侧面减小。
35.根据权利要求29所述的hamr头，其中用于保护的所述装置包括在用于写入的所述装置的所述底表面上引入的凹部。