用于存储器系统的电力调节的制作方法

用于存储器系统的电力调节
1.交叉参考
2.本专利申请主张蔡(choi)等人于2020年1月10日递交的名称为“用于存储器系统的电力调节(power regulation for memory systems)”的第16/740,275号美国专利申请的权益，所述专利申请让与给本受让人，且以引用的方式明确地并入本文中。


背景技术：

3.下文通常涉及一或多个存储器系统，且更确切地说，涉及用于存储器系统的电力调节。
4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两种支持状态中的一种，通常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储所述两种状态中的任一种。为存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可长时间维持其所存储的逻辑状态。例如dram的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。
附图说明
6.图1示出根据本文公开的实例支持存储器系统的电力调节的系统的实例。
7.图2示出根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器系统的实例。
8.图3a至3d示出根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器装置的实例。
9.图4展示根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器装置的框图。
10.图5展示根据如本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
11.存储器系统可包含与电力管理组件，例如电力管理集成电路(pmic)耦合的一或多个存储器装置，以将不同电压供应到一或多个存储器装置。电力管理组件可提供一或多个存储器装置用以存取一或多个存储器装置的存储器单元的供电电压。举例来说，电力管理
组件可调节到双列直插式存储器模块(dimm)上的每一存储器装置的电压。在一些情况下，dimm可包含电力管理组件和一或多个封装，其中每一封装可含有至少一个存储器装置。电力管理组件可经由信道连接到每一封装。
12.当在存储器模块上集中提供供电电压且使用信道将供电电压分布到每一存储器装置时，来自每一存储器装置处的电力管理组件的电压可与预期不同(例如，由于与电力管理组件的距离不同以及其它原因)。在一些情况下，存储器装置可在低电压(例如，1.1v到0.9v)和高频率下操作。因而，可有利的是减轻电力管理组件与封装的存储器装置之间的噪声且减少其间电力、电压或电流或其组合的损耗。
13.为减少与由存储器系统的一或多个存储器装置使用的供电电压相关联的噪声和电力损耗，可将多于一个电力管理组件并入存储器系统上。在一些情况下，至少一个电力管理组件可并入每一存储器装置中。举例来说，在动态随机存取存储器(dram)dimm中，每一dram可具有与存储器裸片封装或以其它方式并入dram中的pmic，使得dimm包含比率为一比一的dram芯片与pmic。因为至少一个管理组件为每一存储器装置的部分，所以每一存储器装置经历的供电电压可具有减小的噪声和电力损耗。在一些情况下，反馈组件可在具有电力管理组件的每一存储器装置中实施以允许存储器装置经历的供电电压的更严格公差。
14.如参考图1和2所描述，首先在存储器系统和存储器裸片的上下文中描述本公开的特征。在具有如参考图2至3d所描述的电力管理组件的各种配置的系统的上下文中描述本公开的特征。通过如参考图4和5所描述的涉及用于存储器系统的电力调节的设备图和流程图进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。
15.图1示出根据本文所公开的实例的利用一或多个存储器装置的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110和将主机装置105与存储器装置110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但一或多个存储器装置110的各方面可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中进行描述。
16.系统100可包含例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统的电子装置的部分。举例来说，系统100可说明计算机、笔记本计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置、车辆控制器等方面。存储器装置110可以是可用于存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。
17.系统100的至少部分可以是主机装置105的实例。主机装置105可为使用存储器执行过程的装置内的处理器或其它电路系统的实例，所述装置例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、手提式计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置，或一些其它静止或便携式电子装置，以及其它实例。在一些实例中，主机装置105可指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可被称为主机或主机装置105。在一些情况下，主机装置105可指例如dimm等存储器系统。
18.存储器装置110可以是可用于提供可供系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可指封装或dram装置。在一些实例中，存储器装置110可配置成与一或多个不同类型的主机装置一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可用于支持以下各项中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置110的物理封装的各种外观尺寸、
主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令和同步、定时惯例或其它因数。
19.存储器装置110可用于存储用于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从机型装置(例如，响应且执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。
20.主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出(i/o)控制器等其它组件中的一或多个。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。
21.处理器125可用于针对系统100的至少部分或主机装置105的至少部分提供控制或其它功能。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或这些组件的组合。在此类实例中，处理器125可以是中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、通用gpu(gpgpu)或芯片上系统(soc)的实例以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或为所述处理器的一部分。
22.bios组件130可以是包含操作为固件的bios的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各个组件之间的数据流。bios组件130可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。
23.在一些情况下，系统100可指单列直插式存储器模块(simm)、dimm或其它类型的模块或组合件。在一些实例中，系统100或主机装置105可以包含各种外围组件。外围组件可以是任何输入装置或输出装置，或用于此类装置的接口，其可以集成到系统100或主机装置105中或与之集成。实例可以包含以下中的一或多个：磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(usb)控制器、串行或并行端口，或外围卡槽，例如外围组件互连(pci)或专门的图形端口。外围组件可以是本领域普通技术人员理解为外围设备的其它组件。
24.在一些实例中，系统100或主机装置105可以包含i/o控制器。i/o控制器可以管理处理器125与外围组件、输入装置或输出装置之间的数据通信。i/o控制器可以管理未集成到系统100或主机装置105中或与之集成的外围设备。在一些实例中，i/o控制器可以表示到外部外围组件的物理连接或端口。
25.在一些实例中，系统100或主机装置105可以包含输入组件、输出组件或两者。输入组件可以表示系统100外部的装置或信号，其将信息、信号或数据提供到系统100或其组件。在一些实例中，输入组件可以包含用户接口或与其它装置的接口或在其它装置之间的接口。在一些实例中，输入组件可以是经由一或多个外围组件与系统100介接的外围设备，或者可以由i/o控制器管理。输出组件可以表示系统100外部的装置或信号，其可用于接收来自系统100或其任何组件的输出。输出组件的实例可以包含显示器、音频扬声器、打印装置、印刷电路板上的另一处理器等。在一些实例中，输出可以是经由一或多个外围组件与系统100介接的外围设备，或者可以由i/o控制器管理。
26.存储器装置110可包含装置存储器控制器155和一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持数据存储的所要容量或指定容量。每一存储器裸片160可包含本地存储器
控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-n)，和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-n)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储体、一个或多个平铺块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可用于存储至少一位数据。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可称为多裸片存储器或多裸片封装，或多芯片存储器或多芯片封装。
27.存储器裸片160可为二维(2d)存储器单元阵列的实例，或可为三维(3d)存储器单元阵列的实例。2d存储器裸片160可包含单个存储器阵列170。3d存储器裸片160可包含两个或更多个存储器阵列170，所述存储器阵列可彼此上下堆叠或紧邻彼此定位(例如相对于衬底)。在一些实例中，3d存储器裸片160中的存储器阵列170可称为叠组、层级、层或裸片。3d存储器裸片160可包含任何数量的堆叠式存储器阵列170(例如，两个高的堆叠式存储器阵列、三个高的堆叠式存储器阵列、四个高的堆叠式存储器阵列、五个高的堆叠式存储器阵列、六个高的堆叠式存储器阵列、七个高的堆叠式存储器阵列、八个高的堆叠式存储器阵列)。在一些3d存储器裸片160中，不同叠组可共享至少一个共同存取线，使得一些叠组可共享字线、数字线或板线中的至少一个。
28.装置存储器控制器155可包含可用于控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使存储器装置110能够执行各种操作且可用于接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息的硬件、固件或指令。装置存储器控制器155可用于与外部存储器控制器120、所述一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165来控制本文中所描述的存储器装置110的操作。
29.(例如，存储器裸片160本地的)本地存储器控制器165可用于控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含可执行本文中所描述的各种功能的装置存储器控制器155和本地存储器控制器165，或外部存储器控制器120。因此，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中可包含的组件的实例可包含用于(例如，从外部存储器控制器120)接收信号的接收器、用于传输信号(例如，到外部存储器控制器120)的传输器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制待传输信号的编码器，或可操作用于支持所描述的装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的操作的各种其它电路或控制器。
30.外部存储器控制器120可用于在系统100或主机装置105(例如，处理器125)的组件与存储器装置110之间实现信息、数据或命令中的一或多个的传送。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间进行的通信。在一些实例中，本文所描述的外部存储器控制器120或系统100或主机装置105的其它组件或其功能可由处理器125实施。举例来说，外部存储器控制器120可以是由处理器125或系统100或主机装置105的其它组件实施的硬件、固件或软件或其一些组合。虽然将外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的其功能可
由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，或反之亦然。
31.主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可用于支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一信道115可以是在主机装置105与存储器装置之间载送信息的传输媒体的实例。每一信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可以是用于载送信号的导电路径的实例。举例来说，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含在主机装置105处的一或多个引脚或衬垫和在存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可用于充当信道的部分。
32.信道115(和相关联的信号路径和端子)可专用于传送一或多种类型的信息。举例来说，信道115可包含一或多个命令和地址(ca)信道186、一或多个时钟信号(ck)信道188、一或多个数据(dq)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，可使用单倍数据速率(sdr)信令或双倍数据速率(ddr)信令经由信道115传送。在sdr信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升或下降沿上的)每一时钟周期登记信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在ddr信令中，可针对(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿上的)每一时钟周期登记信号的两个调制符号(例如，信号电平)。
33.在一些实例中，信道115可包含一或多个ca信道186。ca信道186可用于在主机装置105与存储器装置110之间传送命令，所述命令包含与所述命令相关联的控制信息(例如，地址信息)。举例来说，ca信道186可包含具有所要数据的地址的读取命令。在一些实例中，ca信道186可包含用以解码地址或命令数据中的一或多个的任何数量的信号路径(例如八个或九个信号路径)。
34.在一些例子中，信道115可包含一或多个时钟信号信道188(例如，ck信道)。时钟信号信道188可用于在主机装置105与存储器装置110之间传送一或多个时钟信号。每一时钟信号可用于在高状态与低状态之间振荡，且可支持主机装置105与存储器装置110的动作之间的协调(例如，在时间上)。在一些实例中，时钟信号可以是单端的。在一些实例中，时钟信号可提供存储器装置110的命令和定址操作或存储器装置110的其它系统级操作的时序参考。时钟信号因此可称为控制时钟信号、命令时钟信号或系统时钟信号。系统时钟信号可由系统时钟产生，所述系统时钟可包含一或多个硬件组件(例如，振荡器、晶体、逻辑门、晶体管)。
35.在一些实例中，信道115可包含一或多个数据(dq)信道190。数据信道190可用于在主机装置105与存储器装置110之间传送数据或控制信息中的一或多个。举例来说，数据信道190可(例如，双向)传送待写入到存储器装置110的信息或从存储器装置110读取的信息。
36.信道115可包含任何数量的信号路径(包含单个信号路径)。在一些实例中，信道115可包含多个个别信号路径。举例来说，信道可为x4(例如，包含四个信号路径)、x8(例如，包含八个信号路径)、x16(包含十六个信号路径)等。
37.在一些实例中，一或多个其它信道192可包含一或多个错误检测码(edc)信道。edc信道可用于传送错误检测信号，例如校验和，以提高系统可靠性。edc信道可包含任何数量的信号路径。
38.在信道115上传送的信号可使用一或多个不同调制方案来调制。在一些实例中，可
使用二进制符号(或二进制电平)调制方案来调制在主机装置105与存储器装置110之间传送的信号。二进制符号调制方案可以是m等于二的m进制调制方案的实例。二进制符号调制方案的每个符号可用于表示一位数字数据(例如，符号可表示逻辑1或逻辑0)。二进制符号调制方案的实例包含但不限于不归零(nrz)、单极编码、双极编码、曼彻斯特编码、具有两个符号的脉冲幅度调制(pam)(例如，pam2)和/或其它。
39.一些系统可包含与一或多个存储器装置耦合以调节存储器装置处的电压的电力管理组件。在一些传统系统中，每个存储器系统(例如，dimm)可存在一个电力管理组件，所述电力管理组件可产生存储器系统的一或多个存储器装置经历的供电电压的变化。可有利的是每个存储器系统并入多于一个电力管理组件。在一些情况下，含有一或多个存储器裸片的每一存储器装置(例如，dram装置或封装)可包含电力管理组件。
40.在一些实施方案中，电力管理组件可并入存储器装置的封装中，所述存储器装置包含一或多个存储器裸片，且可支持向与封装相关联的衬底上的多个存储器裸片提供电力。举例来说，电力管理组件(例如，pmic)可控制存储器系统(例如，dimm)上的电力流向和导向一或多个存储器装置。在一些情况下，存储器装置(例如，dram，例如双倍数据速率5(ddr5)ram)可与pmic中的电压调节器耦合且可在低电压和高频率下操作。在此类操作条件下操作的存储器装置可经历来自pmic的噪声和电力、电压或电流损耗。
41.可存在将电力管理组件并入封装中的不同变化形式。在一些情况下，封装可包含一或多个存储器裸片和一个电力管理组件。在一些情况下，封装可包含一或多个存储器裸片和多于一个电力管理组件。电力管理组件可在存储器裸片上紧邻衬底放置，或可定位在存储器裸片的顶部上，或其组合。
42.图2示出根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器系统200的实例。存储器系统200和可包含一或多个存储器裸片215、一或多个电力管理组件220和一或多个反馈组件225的一或多个存储器装置210。存储器装置210的存储器裸片215、电力管理组件220和反馈组件225可经由信道连接。存储器系统200可与如参考图1所描述的存储器装置110相关联。
43.存储器系统200可包含dimm、simm或其它类型的组合件的模块。举例来说，存储器系统200可为dimm的实例。在一些实例中，存储器系统200可包含支持电连接的引脚、插座、连接器或其它端子，其中此类端子可支持物理上可分离的连接、组合件或设施。在一些实例中，存储器系统200可包含电触点，所述电触点支持分开制造的存储器系统200，且接着永久地、半永久地或暂时地安装。可根据各种外观尺寸制造存储器系统200，且一个存储器系统的外观尺寸可不同于另一存储器系统。
44.存储器系统200可以是衬底，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等类型的衬底，所述衬底上安置有其它组件(例如，存储器装置)。在一些情况下，衬底为半导体晶片。在其它情况下，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sos)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。衬底或衬底的子区域的导电性可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质掺杂来控制。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来进行。在一些情况下，衬底可包含与存储器装置210耦合的一或多个位置(例如，插座或连接器)。
45.存储器系统200可包含i/o组件205。i/o组件205可管理处理器与外围组件、输入装
置或输出装置之间的数据通信。i/o组件205可管理未集成到存储器系统200或主机装置中或与所述存储器系统或主机装置集成的外围设备。在一些实例中，i/o组件205表示到外部外围组件的物理连接或端口。在一些情况下，i/o组件205可与球栅阵列(bga)耦合，且i/o组件可经由bga与主机装置传送信号。bga，即一种类型的表面安装封装(例如芯片载体)用于集成电路，且可用于安装装置。bga可使集成电路更容易实现高密度连接，因为bga可提供可置于双列直插式或扁平封装上的更多互连引脚。
46.存储器系统200可包含一或多个存储器装置210(例如，dram装置或封装)，所述一或多个存储器装置可包含一或多个存储器裸片215、一或多个电力管理组件220、一或多个反馈组件225或衬底或其组合。存储器裸片215可包含一或多个存储器单元，所述一或多个存储器单元可各自编程成存储不同逻辑状态(例如，一组两个或更多个可能状态中经编程一个)。举例来说，存储器单元可用于每次存储一位信息(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元(例如，多层级存储器单元)可用于每次存储多于一位的信息(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。存储器裸片215可包含以例如网格状图案的图案布置的一或多个存取线(例如，一或多个字线和一或多个数字线)。存取线可为与存储器单元耦合的导电线，并且可用于对存储器单元执行存取操作。
47.存储器装置210的存储器裸片215的存储器单元可为dram存储器单元。在dram架构中，每一存储器单元可包含电容器，所述电容器包含介电材料(例如，绝缘体)以存储表示可编程状态的电荷。在一些情况下，dram存储器单元可为在与外部电源断开时可能失去其所存储状态的易失性存储器单元。
48.存储器装置210可包含衬底，其中衬底可为用于耦合存储器裸片215与主机装置(例如，gpu)以使得可在存储器裸片215与主机装置之间交换信号的结构或媒体。衬底可为用以耦合存储器裸片215与主机装置的有机衬底、高密度插入件、硅插入件，或其组合。衬底可定位在存储器阵列的上方、下方或定位到存储器阵列的侧边。衬底可能并不限于在其它组件下方，而是可相对于存储器阵列和/或其它组件呈任何配置。
49.衬底可由不同类型的材料形成。在一些情况下，衬底可为一或多个有机衬底的实例。衬底可为以机械方式支撑和/或以电气方式连接组件的印刷电路板的实例。衬底可使用层压至非导电材料层上和/或层压在非导电材料层之间的导电轨道、衬垫和从导电材料(例如，铜)的一或多个层蚀刻的其它特征。组件可紧固(例如，焊接)到衬底上以同时以电气方式连接并且以机械方式紧固所述组件。在一些情况下，衬底的非导电材料可由多种不同材料形成，包含浸渍有树脂的酚醛纸或酚醛棉纸、浸渍有树脂的玻璃纤维、金属芯板、聚酰亚胺箔、kapton、upilex、聚酰亚胺-含氟聚合物复合箔、ajinomoto堆积膜(abf)或其它材料，或其组合。
50.在一些系统中，每一存储器系统200包含单个电力管理组件220(例如，pmic)。在此类系统中，电力管理组件经由信道连接到存储器系统200上的每一存储器装置210。电力管理组件220可调节供应到每一存储器裸片215的电力。在一些情况下，电力管理组件220可为可产生电磁辐射的大组件，其可影响存储器系统200上的较小组件，例如存储器裸片215。为减小电磁辐射对较小组件的影响，可将电力管理组件220放置到存储器系统200的侧边。将电力管理组件220放置到存储器系统200的侧边可使到每一存储器裸片215的信道的长度变化。因而，归因于距离的变化、电压反射的变化、干扰的变化或其它变化，一或多个存储器裸
片215可从电力管理组件220接收小于或大于既定电压的电压。举例来说，由于存储器裸片215与电力管理组件220之间的长距离导致的电力损耗，距电力管理组件220最远的存储器裸片215可接收的电压小于由电力管理组件220发送的电压。在一些情况下，存储器裸片215与电力管理组件220之间的大距离可对一或多个存储器裸片215造成噪声。在一些情况下，供电电压的频率较高，这可使供电电压更容易受到电磁辐射或其它噪声影响。
51.为了更好地调节供应到存储器装置210的供电电压，可将多于一个电力管理组件220并入存储器系统200。在一些情况下，存储器系统200包含多于一个电力管理组件220。在一些情况下，至少一个电力管理组件220并入每一存储器装置210中。因而，存储器装置210的每一存储器裸片215可更接近电力管理组件220，这可减少噪声和电力损耗。举例来说，存储器系统200的存储器装置210可包含一或多个存储器裸片215、一或多个电力管理组件220和一或多个反馈组件225。
52.存储器装置210的电力管理组件220可用于管理包含存储器装置(例如，存储器裸片215)的存储器装置210的各种组件的电力约束。电力管理组件220可执行以下功能中的一或多个：电流转换、电源选择、电压缩放、供电时序或去激活状态电力控制，或其任何组合。电力管理组件220可进入去激活状态，其中电力管理组件220的一或多个组件被去激活，使得存储器装置210或较大主机装置可节省电力。
53.电力管理组件220可包含供电接口、互连集成电路、逻辑、低压降调节器电力供应器，且在一些情况下包含多次可编程存储器。供电接口可被配置成接收待运行电力管理组件220且被分布到存储器装置210的其它组件(例如，存储器裸片)的电力。在一些情况下，集成电路包含配置成用于从另一组件接收信息(例如，串行时钟)的引脚。逻辑可包含模/数转换器、数/模转换器、振荡器或其它组件，或其组合。逻辑可用于将信息(例如，反馈)提供到存储器系统中的其它组件。
54.低压降调节器可用于将dc电力输出到存储器系统的存储器装置，包含存储器裸片215。在一些情况下，当输出电压接近输入到电力管理组件220的供电电压时，低压降调节器用于调节输出电压。电力供应器可用于将电力输出到存储器装置210的存储器裸片215或存储器装置210的其它组件。电力供应器可为开关调节器的实例。电力管理组件220可包含任何量的低压降调节器(例如，一个、二个、三个、四个、五个、六个、七个、八个)，或可包含任何量的电力供应器(例如，一个、二个、三个、四个、五个、六个、七个、八个)，或任何量的这两者。
55.包含一或多个电力管理组件220的存储器装置210的衬底可大于并不包含电力管理组件220的存储器装置210的衬底。另外或替代地，存储器装置210的衬底可保持相同大小。在一些情况下，存储器装置210包含多个存储器裸片215，且每一者可与电力管理组件220耦合。多个存储器裸片215可共享来自一个电力管理组件的输出。举例来说，两个存储器裸片215可共享来自一个电力管理组件的峰间电压(例如，v
pp
电压)，且共享来自另一电力管理组件的输出状态漏极供电电压(例如，v
ddq
电压)。
56.在一些情况下，对由存储器装置使用的供电电压的电压电平的严格公差是有益的。反馈组件225可用于识别关于存储器裸片215或其它组件的一或多个电压条件，且使电力管理组件220基于反馈修改供电电压的电压电平。反馈组件225可与电力管理组件220和存储器裸片215的一或多个传感器耦合。在一些情况下，反馈组件225可为与电力管理组件
220和存储器裸片215的一或多个传感器耦合的单独组件。在其它情况下，反馈组件225可为电力管理组件220的部分。反馈组件225可使得电力管理组件220能够在目标范围内输出供电电压的预期电压电平。举例来说，电力管理组件220可将电压供应到存储器裸片215。存储器裸片215可与可测量由存储器裸片215所接收的电压的一或多个传感器耦合。反馈组件225可从传感器读取测量结果且将关于所测量条件的反馈传输到电力管理组件220。举例来说，反馈组件225传输的反馈可包含由一或多个传感器识别的测量值、测量值的指示符、供电电压的电压电平是高于还是低于目标范围的指示符，或供电电压的电压电平超出目标范围的指示符，或其组合。
57.电力管理组件220可基于来自传感器和反馈组件225的测量结果而调整存储器裸片215的供电电压。反馈组件225、电力管理组件220和存储器裸片215可经由信道或电路连接。每个存储器系统200或存储器装置210包含多于一个电力管理组件220可允许电力管理组件220更紧密地控制每一存储器裸片215上的电压。在一些实施方案中，可移除当电力管理组件220与存储器系统200的衬底耦合时在存储器系统200上使用的信道。
58.图3a示出根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器装置300的俯视图的实例。存储器装置300可包含衬底305。衬底305可包含一或多个存储器裸片310和一或多个电力管理组件315。存储器装置300可为如参考图1和2所描述的存储器装置110和存储器装置210的实例。在一些情况下，存储器装置300可被称为封装。
59.电力管理组件315可为pmic的实例，且可调节到一或多个存储器裸片310的电压。存储器装置的封装可包含多个电力管理组件315以实施电力管理组件315与存储器裸片310之间的较紧密反馈回路，且减少噪声和电力损耗。举例来说，衬底305上可存在与每一存储器裸片310相关联的一个电力管理组件315。在其它实例中，可存在由一个电力管理组件315管理的多个存储器裸片310。另外或替代地，多个电力管理组件315可与一个存储器裸片310相关联。在一些实施方案中，一个电力管理组件315被拆分成一或多个电力管理组件315。举例来说，电力管理组件315可包含存储器装置的第一位置处的第一部分，且可用于提供一或多个供电电压的第一子集，且第二部分可位于存储器装置的第二位置处，且可用于提供不同于第一子集的一或多个供电电压的第二子集。
60.一或多个电力管理组件315可放置于封装内的任何地方。举例来说，两个存储器裸片310和两个电力管理组件315可与衬底305耦合。两个电力管理组件315可为拆分成两件的一个电力管理组件315。两个电力管理组件315可放置于两个存储器裸片310之间。在一些情况下，可将一个电力管理组件315放置到一个存储器裸片310的侧边(例如，左或右)，且可将另一电力管理组件315放置到另一存储器裸片310的侧边。在一些情况下，一个电力管理组件315放置在衬底305的顶部处(例如，在存储器裸片310上方)，且另一电力管理组件315在衬底上放置在存储器裸片310下方。在一些实施方案中，每一电力管理组件315可放置在衬底305的拐角上、衬底305的侧边上、衬底305的中心等。
61.在一些实施方案中，电力管理组件315与存储器裸片310放置在相同或不同水平面(例如，相同衬底)上。在一些情况下，电力管理组件315在不同水平面上。
62.电力管理组件315的组件可发射电磁(em)辐射。em辐射可干扰电力管理组件315附近的敏感组件，例如存储器裸片310。为了减少em辐射，可使用em屏蔽将屏蔽施加到电力管理组件315或电力管理组件315的组件。可使用若干材料和技术来采用em屏蔽。举例来说，金
属网、金属箔、导电涂料、空气间隙、磁性材料或过滤器(例如，电容器、套管和接地导线)或其组合可用于采用em屏蔽。
63.图3b示出根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器装置301的俯视图的实例。存储器装置300可包含衬底305。衬底305可包含一或多个存储器裸片310和一或多个电力管理组件315。存储器装置300可为如参考图1和2所描述的存储器装置110和存储器装置210的实例。在一些情况下，存储器装置300可被称为封装。
64.存储器装置的电力管理组件315可为存储器装置中的单个集成电路。举例来说，一个电力管理组件315可调节多于一个存储器裸片310的电压，而非将电力管理组件315拆分成多于一个组件，其中可存在与每一存储器裸片310相关联的一个电力管理组件315，如参考图3a所描述。如参考图2所描述，电力管理组件可经由信道调节到一或多个存储器裸片310的电压，且可基于来自一或多个反馈组件和存储器传感器的反馈信息调节电压。
65.举例来说，两个存储器裸片310和一个电力管理组件315可与衬底305耦合。电力管理组件315可放置在衬底305上的任何地方。举例来说，电力管理组件315可放置于两个存储器裸片310之间，使得电力管理组件315到每一存储器裸片310的距离相等。作为另一实例，电力管理组件315可放置在衬底305的拐角上、衬底305的中心中的封装的侧边上等。存储器裸片310和电力管理组件315可放置在同一水平面或同一衬底上，或可放置在不同水平面或不同衬底上。
66.电力管理组件315的组件可发射em辐射。em辐射可干扰电力管理组件315附近的敏感组件，例如存储器裸片310。为了减少em辐射，可使用em屏蔽将屏蔽施加到电力管理组件315或电力管理组件315的组件。可使用若干材料和技术来采用em屏蔽。举例来说，金属网、金属箔、导电涂料、空气间隙、磁性材料或过滤器(例如，电容器、套管和接地导线)或其组合可用于采用em屏蔽。
67.图3c示出根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器装置302的侧视图的实例。存储器装置300可包含衬底305。衬底305可包含一或多个存储器裸片310和一或多个电力管理组件315。存储器装置300可为如参考图1到3b分别描述的存储器装置110、存储器装置210和存储器装置300和301的实例。在一些情况下，存储器装置300可被称为封装。
68.一或多个存储器裸片310、一或多个电力管理组件315或一或多个反馈组件或其组合可与衬底305耦合。衬底305(例如，dram装置)可不同于存储器系统的衬底(例如，dimm的衬底)，如参考图2所描述。在一些情况下，衬底305与存储器系统的衬底耦合。在一些情况下，存储器裸片310与衬底305耦合，且存储器装置的电力管理组件315与衬底305耦合。电力管理组件315可邻近或紧邻存储器裸片310与衬底305耦合。
69.电力管理组件315可拆分成多于一个部分，如关于图3a所描述，且所述部分中的每一者可邻近于一或多个存储器裸片310与衬底305耦合。在一些实施方案中，一个电力管理组件315在单个集成电路上，如参考图3b所描述，且电力管理组件315邻近于一或多个存储器裸片310与衬底305耦合。举例来说，衬底305可包含两个存储器裸片310和一个电力管理组件315。第一存储器裸片310可与衬底305耦合，且第二存储器裸片310可放置在第一存储器裸片310的顶部上(例如，与其耦合)。电力管理组件315可邻近于第一存储器裸片310与衬底305耦合。
70.在一些实施方案中，衬底305包含反馈组件，如关于图2所描述。反馈组件可并入电力管理组件315的一或多个部分中。在一些情况下，反馈组件为与电力管理组件315的一或多个部分分离的组件。单独的反馈组件可邻近于第一存储器裸片310和电力管理组件315与衬底305耦合。
71.电力管理组件315的组件可发射em辐射。em辐射可干扰电力管理组件315附近的敏感组件，例如存储器裸片310或反馈组件。为了减少em辐射，可使用em屏蔽将屏蔽施加到电力管理组件315或电力管理组件315的组件。可使用若干材料和技术来采用em屏蔽。举例来说，金属网、金属箔、导电涂料、空气间隙、磁性材料或过滤器(例如，电容器、套管和接地导线)或其组合可用于采用em屏蔽。
72.图3d示出根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器装置303的侧视图的实例。存储器装置300可包含衬底305。衬底305可包含一或多个存储器裸片310和一或多个电力管理组件315。存储器装置300可为如参考图1到3b分别描述的存储器装置110、存储器装置210和存储器装置300和301的实例。在一些情况下，存储器装置300可被称为封装。
73.衬底305可不同于存储器系统的衬底(例如，dimm的衬底)，如参考图2所描述。在一些情况下，衬底305与存储器系统的衬底耦合。在一些情况下，一或多个存储器裸片310与衬底305耦合，且存储器装置的电力管理组件315与衬底305耦合。电力管理组件315可与存储器裸片310耦合，其中电力管理组件315可在一或多个存储器裸片310的顶部或上方。
74.电力管理组件315可拆分成多于一个部分，如关于图3a所描述，且部分中的至少一者或所有部分可与存储器裸片310耦合。在一些情况下，电力管理组件的多于一个部分可耦合到一个存储器裸片310。在一些情况下，一或多个部分与不同存储器裸片310耦合。在一些情况下，电力管理组件315的一个部分与衬底305耦合，且电力管理组件315的另一部分与存储器裸片310耦合。
75.在一些实施方案中，一个电力管理组件315在单个集成电路上，如参考图3b所描述，且电力管理组件315可与存储器裸片310耦合。举例来说，衬底305可包含两个存储器裸片310和一个电力管理组件315。第一存储器裸片310可与衬底305耦合，且第二存储器裸片310可与第一存储器裸片310耦合。电力管理组件可与第二存储器裸片310耦合。在一些实施方案中，电力管理组件315可与第一和第二存储器裸片310耦合，其中电力管理组件可放置于第一和第二存储器裸片310之间。
76.在一些实施方案中，衬底305包含反馈组件，如关于图2所描述。反馈组件可并入电力管理组件315中。在一些情况下，反馈组件可为与电力管理组件315分离的组件。单独的反馈组件可邻近于第一存储器裸片310与衬底305耦合。反馈组件可与第一和第二存储器裸片310耦合且放置在存储器裸片310之间。另外或替代地，反馈组件可与电力管理组件315耦合。
77.电力管理组件315的组件可发射em辐射。em辐射可干扰电力管理组件315附近的敏感组件，例如存储器裸片310。为了减少em辐射，可使用em屏蔽将屏蔽施加到电力管理组件315或电力管理组件315的组件。可使用若干材料和技术来采用em屏蔽。举例来说，金属网、金属箔、导电涂料、空气间隙、磁性材料或过滤器(例如，电容器、套管和接地导线)或其组合可用于采用em屏蔽。
78.图4展示根据本文所公开的实例支持用于存储器系统的电力调节的存储器装置405的框图400。存储器装置405可以是参考图2到3d描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置405的功能可由一或多个电路或一或多个控制器实施。存储器装置405可包含电压接收器410、电压输出组件415、电压测量组件420、电压确定组件425和电压调节器430。这些模块中的每一个可直接或间接地(例如，经由一或多个总线)彼此通信。
79.电压接收器410可通过存储器装置的电力管理组件从存储器系统接收具有第一电压电平的第一供电电压。在一些情况下，电力管理组件与存储器装置的衬底耦合且包含存储器装置的封装的至少一部分。
80.电压输出组件415可基于接收到第一供电电压而将第二供电电压输出到存储器装置的存储器裸片，所述第二供电电压具有不同于第一供电电压的第一电压电平的第二电压电平。在一些实例中，电压输出组件415可基于测量存储器裸片上的位置处的第三电压电平而输出具有不同于第二电压电平的第四电压电平的第二供电电压。在一些实例中，基于接收到第一供电电压而将第二供电电压的集合输出到存储器装置的存储器裸片，所述第二供电电压的集合具有不同于第一供电电压的第一电压电平的一或多个第二电压电平，其中第二供电电压的集合包含第二供电电压。
81.电压测量组件420可基于输出第二供电电压而测量存储器裸片上一位置处的第二供电电压的第三电压电平。在一些实例中，电压测量组件420可通过存储器装置的存储器裸片上的一或多个传感器测量第三电压电平。
82.电压确定组件425可基于第三电压电平而确定第二供电电压的第四电压电平，其中输出具有第四电压电平的第二供电电压基于确定第四电压电平。电压调节器430可基于测量第三电压电平而将第二供电电压的第二电压电平调整到第四电压电平，其中输出具有第四电压电平的第二供电电压基于调整第二电压电平。
83.图5展示根据本公开的方面支持用于存储器系统的电力调节的一或多种方法500的流程图。方法500的操作可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施。例如，方法500的操作可由如参考图4所描述的存储器装置执行。存储器装置的功能可由一或多个电路或一或多个控制器实施。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件执行所描述的功能。在一些情况下，存储器装置的逻辑电路或控制器可实施图5的所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。
84.在505处，存储器装置可通过存储器装置的电力管理组件从存储器系统接收具有第一电压电平的第一供电电压。505的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，可由如参考图4所描述的电压接收器执行505的操作的方面。
85.在510处，存储器装置可基于接收到第一供电电压而将第二供电电压输出到存储器装置的存储器裸片，所述第二供电电压具有不同于第一供电电压的第一电压电平的第二电压电平。510的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，可由如参考图4所描述的电压输出组件执行510的操作的方面。
86.在515处，存储器装置可基于输出第二供电电压而测量存储器裸片上一位置处的第二供电电压的第三电压电平。515的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，可由如参考图4所描述的电压测量组件执行515的操作的方面。
87.在520处，存储器装置可基于测量存储器裸片上所述位置处的第三电压电平而输
出具有不同于第二电压电平的第四电压电平的第二供电电压。520的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，可由如参考图4所描述的电压输出组件执行520的操作的方面。
88.在一些实例中，如本文所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法500。所述设备可包含用于执行以下操作的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：通过存储器装置的电力管理组件从存储器系统接收具有第一电压电平的第一供电电压；基于接收到第一供电电压而将第二供电电压输出到存储器装置的存储器裸片，第二供电电压具有不同于第一供电电压的第一电压电平的第二电压电平；基于输出第二供电电压而测量存储器裸片上一位置处的第二供电电压的第三电压电平；以及基于测量存储器裸片上所述位置处的第三电压电平而输出具有不同于第二电压电平的第四电压电平的第二供电电压。
89.本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含用于执行以下操作的操作、特征、构件或指令：基于第三电压电平而确定第二供电电压的第四电压电平，其中输出具有第四电压电平的第二供电电压可基于确定第四电压电平。
90.本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含用于执行以下操作的操作、特征、构件或指令：基于测量第三电压电平而将第二供电电压的第二电压电平调整到第四电压电平，其中输出具有第四电压电平的第二供电电压可基于调整第二电压电平。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，输出第二供电电压可包含用于执行以下操作的操作、特征、构件或指令：基于接收到第一供电电压而将第二供电电压的集合输出到存储器装置的存储器裸片，第二供电电压的集合具有不同于第一供电电压的第一电压电平的一或多个第二电压电平，其中第二供电电压的集合包含第二供电电压。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，电力管理组件可与存储器装置的衬底耦合且包含存储器装置的封装的至少一部分。本文中所描述的方法500和设备的一些实例可进一步包含用于执行以下操作的操作、特征、构件或指令：测量第三电压电平可由存储器装置的存储器裸片上的一或多个传感器执行。
91.应注意，上述方法描述可能的实施方案，且操作和步骤可重新排列或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自方法中的两个或更多个部分。
92.描述一种设备。所述设备可包含：衬底；i/o组件，其经由衬底与bga耦合，且可用于在安装于存储器模块上时经由bga与主机系统传送信号；以及一或多个存储器装置，其与衬底和输入/输出组件耦合且可用于存储用于主机系统的数据，一或多个存储器装置中的存储器装置包含电力管理组件以基于来自主机系统的电力供应器而为存储器装置提供一或多个供电电压。
93.设备的一些实例可包含与一或多个存储器装置耦合且可用于将第一电压提供到一或多个存储器装置的电源平面，其中存储器装置的电力管理组件可用于使用从电源平面接收到的第一电压来提供一或多个供电电压。在一些实例中，一或多个存储器装置的存储器装置可包含用于以下的操作、特征、构件或指令：反馈组件，其可用于测量存储器装置的至少一个存储器裸片上的一或多个供电电压的一或多个电压电平，且基于测量一或多个电压电平而调整一或多个供电电压的至少一个电压电平。
94.在一些实例中，一或多个存储器装置的存储器装置包含导电路径以将由电力管理
组件提供的一或多个供电电压路由传送到存储器装置的至少一个存储器裸片。在一些实例中，存储器装置的电力管理组件可包含用于以下的操作、特征、构件或指令：第一部分，其在存储器装置的第一位置处且可用于提供一或多个供电电压的第一子集；以及第二部分，其在存储器装置的第二位置处且可用于提供不同于第一子集的一或多个供电电压的第二子集。在一些实例中，存储器装置的电力管理组件包含存储器装置中的单个集成电路。
95.在一些实例中，存储器装置可包含用于以下的操作、特征、构件或指令：第二衬底，其具有衬底；以及存储器裸片，其与第二衬底耦合，其中存储器装置的电力管理组件可邻近于存储器裸片与第二衬底耦合。在一些实例中，存储器装置可包含用于以下的操作、特征、构件或指令：第二衬底，其与衬底耦合；以及存储器裸片，其与第二衬底耦合，其中存储器装置的电力管理组件可与存储器裸片耦合，其中存储器裸片可定位在电力管理组件与第二衬底之间。在一些实例中，设备不包含独立于一或多个存储器装置上的电力管理组件的第二电力管理组件。
96.在一些实例中，设备包含dimm或simm。在一些实例中，电力管理组件包含pmic。一些实例可进一步包含一或多个存储器装置中的至少一个存储器装置，所述至少一个存储器装置包含存储器单元的两个或更多个裸片。
97.描述一种设备。所述设备可包含：第一衬底，其与存储器系统的第二衬底耦合；一或多个存储器裸片，其与第一衬底耦合且可用于经由第一衬底上的bga和第一衬底上的对应bga以及第二衬底的对应bga垫传送数据；以及电力管理组件，其附连到与一或多个存储器裸片耦合的第一衬底，且可用于基于经由第二衬底的电力递送网络提供的与存储器系统相关联的一或多个电压而为一或多个存储器裸片提供一或多个供电电压。
98.设备的一些实例可包含反馈组件，其可用于测量一或多个存储器裸片上的一或多个供电电压的一或多个电压电平，且基于测量一或多个电压电平而调整一或多个供电电压的至少一个电压电平。设备的一些实例可包含一或多个导电路径以将由电力管理组件提供的一或多个供电电压路由传送到一或多个存储器裸片。
99.在一些实例中，电力管理组件可包含用于以下的操作、特征、构件或指令：第一部分，其在第一位置处，且可用于提供一或多个供电电压的第一子集；以及第二部分，其在第二位置处且可用于提供不同于第一子集的一或多个供电电压的第二子集。在一些实例中，电力管理组件包含单个集成电路。在一些实例中，电力管理组件可与第一衬底耦合。在一些实例中，电力管理组件可定位在一或多个存储器裸片的至少一个存储器裸片上方。在一些实例中，电力管理组件从存储器系统接收第一电压且基于第一电压提供一或多个供电电压。在一些实例中，电力管理组件包含pmic。
100.描述一种设备。所述设备可包含：存储器裸片，其用于存储数据；电力管理组件，其与存储器裸片耦合；以及控制器，其与存储器裸片耦合且可用于使设备执行以下操作：从存储器系统接收具有第一电压电平的第一供电电压；基于接收到第一供电电压而将第二供电电压输出到存储器裸片，第二供电电压具有不同于第一供电电压的第一电压电平的第二电压电平；基于输出第二供电电压而测量存储器裸片上一位置处的第二供电电压的第三电压电平；以及基于测量存储器裸片上所述位置处的第三电压电平而输出具有不同于第二电压电平的第四电压电平的第二供电电压。
101.一些实例可进一步包含基于第三电压电平而确定第二供电电压的第四电压电平，
其中输出具有第四电压电平的第二供电电压可基于确定第四电压电平。一些实例可进一步包含基于测量第三电压电平而将第二供电电压的第二电压电平调整到第四电压电平，其中输出具有第四电压电平的第二供电电压可基于调整第二电压电平。在一些实例中，电力管理组件包含设备的封装的至少一部分。
102.描述一种设备。所述设备可包含：衬底；i/o组件，其经由衬底与bga耦合，且可用于在安装于存储器模块上时经由bga与主机系统传送信号；以及一组存储器装置，其与衬底和i/o组件耦合且可用于存储用于主机系统的数据，所述一组存储器装置中的存储器装置包含一或多个存储器裸片，所述一或多个存储器裸片包含存储器单元；以及电力管理组件，其用以基于来自主机系统的电力供应器而为一或多个存储器裸片提供一或多个供电电压。在一些实例中，电力管理组件可用于基于在一或多个存储器裸片上测得的电压电平而调整一或多个存储器裸片的一或多个供电电压的一或多个电压电平。在一些实例中，存储器系统包含dimm或simm。
103.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号示出为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有多种位宽度。
104.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可以在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么认为组件彼此电子通信(或彼此导电接触、或彼此连接、或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或彼此导电接触、或彼此连接、或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。
105.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在所述开路关系中，信号当前无法通过导电路径在所述组件之间传送，在所述闭路关系中，信号能够通过所述导电路径在所述组件之间传送。当例如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，所述组件引发以下改变：允许信号通过先前不准许信号流动的导电路径在所述其它组件之间流动。
106.术语“分隔”是指其中信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此分隔。举例来说，当开关断开时，由定位在两个组件之间的开关分隔开的组件彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，所述控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
107.本文中论述的装置(包含存储器阵列)可形成于例如硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可为soi衬底，例如sog或sop，或另一衬底上的半导体材料的外延层。衬底或衬底的子区域的导电性可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质掺杂来控制。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来进行。
108.本文所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。端子可通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，并且可包括经重掺杂半导体区，例如简并半导体区。源极和漏极可由轻掺杂半导体区域或信道分隔开。如果信道为n型(即，大部分载流子为信号)，那么fet可被称作n型fet。如果信道为p型(即，大部分载流子为空穴)，那么fet可被称为p型fet。信道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制信道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可使得信道具有导电性。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可被“启用”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可被“停用”或“去激活”。
109.本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或图示”，且不“优选于”或“优于”其它实例。具体实施方式包含具体细节以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节之情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述实例的概念。
110.在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标记。此外，可通过在参考标记后加上破折号和在类似组件中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述内容适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任何一个，而与第二参考标记无关。
111.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。
112.结合本文的公开内容所描述的各种说明性块和模块可使用设计成执行本文所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器；但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器结合dsp核心或任何其它此类配置)的组合。
113.本文所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果在由处理器执行的软件中实施，那么功能可作为一个或多个指令或代码而存储在计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体传输。其它实例和实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的性质，上述功能可以使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任何一个的组合执行来实施。实施功能的特征还可在物理上位于各个位置处，包含分布成使得功能的各部分在不同物理位置处实施。并且，如本文(包含在权利要求书中)所使用，如在项目列表(例如，以例如“...中的至少一个”或“...中的一或多个”的短语开头的项目列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一个的列表指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。另外，如本文所用，短语“基于”不应被理解为指代一组封闭条件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所使用，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式解释。
114.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和包含有助于将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可以包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用以携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码装置且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电及微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、dsl或例如红外线、无线电及微波等无线技术包含于媒体的定义中。如本文所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软磁盘和蓝光光盘，其中所述磁盘通常以磁性方式再现数据，而所述光盘用激光以光学方式再现数据。以上组合还包含在计算机可读媒体的范围内。
115.提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。所属领域的技术人员将清楚对本公开的各种修改，且可在不脱离本公开的范围的情况下将本文所定义的一般原理应用于其它变化形式。因此，本公开不限于本文所描述的实例和设计，而是被赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最广范围。