1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
多个下部位线解码器；
多个字线解码器；
与所述多个字线解码器分别电连接的多个字线组，各个所述字线组包括多条在第一横向上延伸的字线，且所述多个字线解码器与所述多个字线组各一一配对成多个字线选址区块；
与所述多个下部位线解码器分别电连接的多个下部位线组，各个所述下部位线组包括多条在垂直于所述第一横向的第二横向上延伸的下部位线，且所述多个下部位线解码器与所述多个下部位线组各一一配对成多个下部位线选址区块；以及，
位于所述多个下部位线组和所述多个字线组之间的多个下部存储单元阵列；
其中，所述多个字线解码器和/或所述多个下部位线解码器沿所述第一横向和/或沿所述第二横向呈分布式模式排列。
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：
多个上部位线解码器；
与所述多个上部位线解码器分别电连接的多个上部位线组，各个所述上部位线组包括多条在所述第二横向上延伸的上部位线，且所述多个上部位线解码器与所述多个上部位线组各一一配对成多个上部位线选址区块；以及，
位于所述多个上部位线组和所述多个字线组之间的多个上部存储单元阵列；
其中，所述多个上部位线解码器沿所述第一横向和/或沿所述第二横向呈分布式模式排列，且所述多个上部位线解码器与所述多个下部位线解码器在所述第二横向上错开。
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，在纵向上位于相邻两个所述下部位线组上方的所述上部位线组沿所述第二横向偏移。
4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，在所述纵向上位于相邻两个所述下部位线组上方的所述上部位线组沿所述第二横向偏移半个所述下部位线组的长度。
5.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：
提供多个下部位线解码器和多个字线解码器；
形成多个下部位线组；
形成多个下部存储单元阵列；
形成多个字线组；
其中，所述多个字线组与所述多个字线解码器分别电连接，各个所述字线组包括多条在第一横向上延伸的字线，且所述多个字线解码器与所述多个字线组各一一配对成多个字线选址区块；所述多个下部位线组与所述多个下部位线解码器分别电连接，各个所述下部位线组包括多条在垂直于所述第一横向的第二横向上延伸的下部位线，且所述多个下部位线解码器与所述多个下部位线组各一一配对成多个下部位线选址区块；所述多个下部存储单元阵列位于所述多个下部位线组和所述多个字线组之间；
且其中，所述多个字线解码器和/或所述多个下部位线解码器沿所述第一横向和/或沿所述第二横向呈分布式模式排列。
6.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存储器的制作方法还包括：
提供多个上部位线解码器；
形成多个上部存储单元阵列；
形成多个上部位线组；
其中，所述多个上部位线组与所述多个上部位线解码器分别电连接，各个所述上部位线组包括多条在所述第二横向上延伸的上部位线，且所述多个上部位线解码器与所述多个上部位线组各一一配对成多个上部位线选址区块；所述多个上部存储单元阵列位于所述多个上部位线组和所述多个字线组之间；所述多个上部位线解码器沿所述第一横向和/或沿所述第二横向呈分布式模式排列，且所述多个上部位线解码器与所述多个下部位线解码器在所述第二横向上错开。
7.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在纵向上位于相邻两个所述下部位线组上方的所述上部位线组沿所述第二横向偏移。
8.根据权利要求7所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在所述纵向上位于相邻两个所述下部位线组上方的所述上部位线组沿所述第二横向偏移半个所述下部位线组的长度。
9.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述形成多个下部位线组，具体包括：
形成导线层，所述导线层包括多条沿所述第二横向延伸的导电走线；
对所述多条导电走线的预设区域进行去除，以得到多个下部位线组，其中，每一所述导电走线对应得到多条所述下部位线。
10.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述形成多个字线组，具体包括：
在所述多个下部存储单元阵列上形成多个第一字线组；
在所述多个第一字线组正上方形成多个第二字线组，以得到由所述多个第一字线组和所述多个第二字线组堆叠形成的多个字线组。