测试NANDFLASHECC纠错功能的方法与流程

测试nand flash ecc纠错功能的方法
技术领域
1.本发明属于电子设备测试技术领域，具有是nand flash设备测试领域，涉及一种测试nand flash ecc纠错功能的方法，适用于验证自带ecc功能的nand flash设备。


背景技术：

2.随着科技产业发展，嵌入式设备越来越多地使用nand flash芯片设计以应对大容量存储需求，各种不同工艺的nand flash也被设计出来。在实际应用中，还需要嵌入式系统主控芯片在读取nand flash数据时，使用ecc(错误检查和纠正，error correcting code)纠错功能发现和纠正数据位翻转。不同型号nand flash发生位翻转几率不同，所要求的ecc纠错能力也会不一样，ecc纠错能力越强大，ecc码占用存储空间也越大。对于适配一款nand flash时，需要采样一种方法验证其ecc的纠错能力是否满足设计需求。
3.现有的测试nand flash ecc纠错功能方法是采样循环擦写方式，让flash发生自然位翻转，来验证ecc纠错功能。该方法需要擦写上万次才会有可能产生bit位翻转，因此测试时间周期非常长，且可靠性不高，无法知道具体的bit位翻转数。


技术实现要素：

4.本发明的目的就是针对现有测试方法测试周期长、可靠性不高的问题，提供一种测试nand flash ecc纠错功能的方法。
5.本发明方法具体是：
6.步骤(1)nand flash包括多个block块，每个block块包括多个大小相同的页；在nand flash上随机选取一个可读写的block块作为选取块，开启nand ecc功能，进行擦除操作，擦除选取块中所有数据后，然后检查选取块是否全为0xff数据；如果不全为0xff数据，表示擦除不成功，重新选择block块，重复操作，直至选取到能够擦除成功的选取块a。
7.步骤(2)在内存中定义一个与页大小相同的缓存区b，将缓存区b中内容填满0xff数据，对缓存区b中的数据进行循环检查：根据需要测试翻转的bit位数n，从第一个字节开始，对字节内8个bit位进行逐位检查是否为1，如果为1则修改为0，如果是0则跳过，伪造n个bit位翻转现象；初始测试时n值设为1。
8.步骤(3)关闭nand ecc功能，进行写操作，将缓存区b中数据写入到选取块a的每一页中，写入大小为页大小，伪造擦除操作时发生n个bit位翻转现象。
9.步骤(4)开启nand ecc功能，进行读操作，ecc功能对选取块a中翻转的数据进行纠错，读取选取块a中所有数据，如果读取的数据全为0xff数据，说明擦除操作时n个bit位翻转能够纠错成功，ecc功能的纠错能力大于等于n；如果读取的数据不全是0xff数据，说明擦除操作时n个bit位翻转纠错失败，ecc功能的纠错能力小于n，即ecc功能的纠错能力为n-1，退出测试。
10.步骤(5)开启nand ecc功能，进行擦除操作，擦除选取块a中所有数据，然后检查选取块是否全为0xff数据，确保选取块a数据擦除成功；如不成功，返回步骤(1)。
11.步骤(6)在内存中定义两个与页大小相同的缓存区c和缓存区d，将缓存区c和缓存区d中填满相同的随机数据，保持缓存区c和缓存区d一致；
12.步骤(7)开启nand ecc功能，进行写操作，将缓存区c中的数据写入到选取块a的每一页中，写入大小为页大小，使选取块a中数据具有随机性；
13.步骤(8)对缓存区c中的数据进行循环检查：根据需要测试翻转的bit位数n，从第一个字节开始，对字节内8个bit位进行逐位检查是否为1，如果为1则修改为0，如果是0则跳过，伪造n个bit位翻转现象。
14.步骤(9)关闭nand ecc功能，进行写操作，将缓存区c中数据写入到选取块a的每一页中，写入大小为页大小，覆盖选取块a的原有数据，伪造写操作时发生n个bit位翻转现象。
15.步骤(10)开启nand ecc功能，进行读操作，ecc功能对选取块a中翻转的数据进行纠错，读取选取块a中所有数据，将读取的每页数据与缓存区d中的随机数据进行比较，如果每页都与缓存区d相同，说明写操作时n个bit位翻转能够纠错成功，ecc功能的纠错能力大于等于n，否则说明写操作时n个bit位翻转纠错失败，ecc功能的纠错能力小于n，即ecc功能的纠错能力为n-1，退出测试。
16.步骤(11)循环操作步骤(1)-(10)，每轮n值加1，依次增加bit位翻转数据进行测试，即可得到此款nand flash真实的ecc纠错能力大小。
17.本发明方法首先进行擦除操作测试，然后进行写操作测试，经过两轮测试，更加精准、高效、快速的验证nand flash的ecc纠错特性，并得到nand flash真实的ecc纠错bit位数，为项目nand的选型测试提供一种有效的手段。相比现有技术，大大缩短了nand flash测试周期。
附图说明
18.图1为本发明方法的测试流程图。
具体实施方式
19.以下结合实施例对本发明技术方案做进一步的说明。
20.如图1所示，一种测试nand flash ecc纠错功能的方法，具体如下：
21.步骤(1)选取nand上可读写的block 5作为选取块，开启nand ecc功能，对block5做擦除操作后，读取block5中所有数据进行检查是否全为0xff，确保a块数据擦除成功；
22.步骤(2)定义一个数组buff1[2048]，设置buff1[2048]内容全为0xff，设置buff1[0]＝0xfe,伪造一个bit翻转；
[0023]
步骤(3)关闭nand ecc功能，将buff1[2048]数据写入到block5的每一页中，伪造block5中在擦除操作时发生位翻转现象；
[0024]
步骤(4)开启nand ecc功能，定义一个数组buff2[2048],循环读取block5的每页数据到数组buff2[2048]中，如果buff2中数据全为0xff，说明擦除操作时1个bit位翻转能够纠错成功，ecc功能的纠错能力大于等于1；如果读取的数据不全是0xff数据，说明擦除操作时1个bit位翻转纠错失败，ecc功能的纠错能力小于1，即ecc功能的纠错能力为0，退出测试。
[0025]
步骤(5)选取nand上可读写的block 5作为测试block，开启nand ecc功能，对
block5做擦除操作后，读取block5中所有数据进行检查是否全为0xff，确保a块数据擦除成功；
[0026]
步骤(6)定义数组buff3[2048]和数组buff4[2048]，将buff3[2048]和buff4[2048]中填满相同的随机数，保持buff3[2048]和buff4[2048]中数据一致；
[0027]
步骤(7)开启nand ecc功能，将buff3[2048]中数据写入到block5的每一页中；
[0028]
步骤(8)对buff3[2048]中数据进行循环检查，从buff1[0]开始，对字节内8个bit位逐位检查是否为1，如果为1则修改为0，伪造一个bit位翻转现象；
[0029]
步骤(9)关闭nand ecc功能，将buff3[2048]中数据写入到block5中的每一页中，伪造写入操作时发生1个bit位翻转现象；
[0030]
步骤(10)开启nand ecc功能，循环读取block5每页数据到buff3[2048]，将buff3[2048]与buff4[2048]进行比较，如果两者数据相同，说明写操作时1个bit位翻转能够纠错成功，ecc功能的纠错能力大于等于1，否则说明写操作时1个bit位翻转纠错失败，ecc功能的纠错能力小于1，即ecc功能的纠错能力为0，退出测试。
[0031]
步骤(11)循环操作步骤(1)-(10)，依次增加bit位翻转数据进行测试，即可得到此款nand flash真实的ecc纠错能力大小。
[0032]
上述实施例仅为本发明较佳的实施方式，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。