1.一种运用于非易失性存储器的感测元件，该非易失性存储器包括存储单元，在感测周期时，该存储单元连接至数据线，该感测元件包括：
2.如权利要求1所述的感测元件，其中该第一电流镜包括：
3.如权利要求1所述的感测元件，其中该第二电流镜包括：
4.如权利要求1所述的感测元件，其中该第三电流镜包括：
5.如权利要求1所述的感测元件，其中该判断元件包括：
6.如权利要求1所述的感测元件，还包括电压箝位电路，包括：
7.如权利要求1所述的感测元件，还包括电压箝位电路，包括：
8.如权利要求1所述的感测元件，还包括重置脉冲产生器，且该重置脉冲产生器包括：
9.如权利要求1所述的感测元件，其中当该存储单元的存储单元电流小于该参考电流时，该第一晶体管开启，并使得该判断节点的判断电压被下拉，该判断元件产生第一逻辑电平的该输出数据，代表该存储单元为关闭状态。
10.如权利要求9所述的感测元件，其中当该存储单元的该存储单元电流大于该参考电流时，该第一晶体管关闭，使得该判断节点的该判断电压被上拉，该判断元件产生第二逻辑电平的该输出数据，代表该存储单元为开启状态。
11.一种运用于非易失性存储器的感测元件，该非易失性存储器包括存储单元，在感测周期时，该存储单元连接至数据线并产生存储单元电流至第一节点，该感测元件包括：
12.如权利要求11所述的感测元件，其中于该感测周期的重置阶段，该第一开关为打开状态，该第二开关为闭合状态，该第一节点的电压被设定为等于该接地电压。
13.如权利要求11所述的感测元件，其中于该感测电路包括箝位晶体管连接至该第一开关的该第二端，且该箝位晶体管的栅极接收箝位电压；其中，在该感测周期的预充电阶段，该第一开关为闭合状态，该第二开关为打开状态，该第一节点被预充电至初始电压，且该初始电压小于该箝位电压。
14.如权利要求13所述的感测元件，其中于该感测周期中该预充电阶段之后的感测阶段，当该存储单元电流大于该参考电流时，该箝位晶体管关闭，该第一节点的电压大于该初始电压，且该输出数据指示该存储单元为开启状态。
15.如权利要求13所述的感测元件，其中于该感测周期中该预充电阶段之后的感测阶段，当该存储单元电流小于该参考电流时，该箝位晶体管开启，且该输出数据指示该存储单元为关闭状态。
16.如权利要求11所述的感测元件，其中于该感测周期的感测阶段，当该存储单元电流小于该参考电流时，该输出数据指示该存储单元为关闭状态。
17.如权利要求16所述的感测元件，其中在该感测周期的该感测阶段，当该存储单元电流大于该参考电流时，该输出数据指示该存储单元为开启状态。
18.如权利要求11所述的感测元件，其中该判断电路接收判断电流，且该判断电路根据该第一感测电流产生第二感测电流；其中，当该第二感测电流大于该判断电流时，该输出数据为该第二逻辑电平；且当该第二感测电流小于该判断电流时，该输出数据为该第一逻辑电平。