1.一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于，包括：字线地址译码控制电路和字线冗余替换修复电路；字线地址译码控制电路对有缺陷存储单元的标准字线进行屏蔽，同时字线冗余替换修复电路利用冗余字线对被屏蔽的标准字线进行替换修复，完成对有缺陷存储单元的存储器的修复。
2.根据权利要求1所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：所述字线地址译码控制电路包含一个使能寄存器reg_en、若干个地址寄存器reg_addr[0:i]、若干个pmos晶体管p_0和p[0:i]、若干个锁存器latch_0和latch[0:i]、若干个反相器inv[0:i]、若干个传输门tg[0:i]和tg_n[0:i]；
3.根据权利要求2所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：所述字线地址译码控制电路还包含一个nor门和一个or门；所述nor门输入forcedisable信号、out_0信号和a[0:i]信号，输出out信号；
4.根据权利要求3所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：使能寄存器reg_en中存储信号enable为所述字线地址译码控制电路的使能信号，地址寄存器reg_addr[0:i]中存储信号address[0:i]为一个有缺陷存储单元的标准字线的地址。
5.根据权利要求3所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：上电时，初始reset信号置为低，pmos晶体管p_0和p[0:i]开启，复位锁存器latch_0和latch[0:i]；
6.根据权利要求5所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：out[0:i]信号控制传输门tg[0:i]和tg_n[0:i]开关，将输入字线地址信号wl addr[0:i]通过tg[0:i]输出为a[0:i]信号，或将wl addr[0:i]经过反相器inv[0:i]的反相信号通过tg_n[0:i]输出为a[0:i]信号；
7.根据权利要求5所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：out_0信号、a[0:i]信号和forcedisable信号共同输入nor门，当全部信号都为低时nor门输出的out信号为高，否则out信号为低；out信号和forcematch信号共同输入or门，当两个信号都为低时or门输出的match信号为低，否则match信号为高；当forcedisable信号为高且forcematch信号为低时match信号被强制置为低，当forcematch信号为高时match信号被强制置为高。
8.根据权利要求1所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：所述字线冗余替换修复电路包括一个nor门、一个字线地址译码器wl dec、若干个字线驱动wldr、若干个冗余字线rwl[0:m]以及若干个标准字线wl[0:n]；
9.根据权利要求8所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：所有字线地址译码控制电路输出的match[0:m]信号一起输入nor门，nor门输出标准字线屏蔽信号disable；输入字线地址wl addr[0:i]和标准字线屏蔽信号disable被传送至字线地址译码器wl dec；
10.根据权利要求9所述的一种用于flash冗余修复的地址译码控制电路，其特征在于：每一个字线地址译码控制电路连接一个冗余字线，控制是否用其替换修复标准字线；