用于eeprom的温度补偿延迟电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种延迟电路，特别是涉及一种用于EEPROM的温度补偿延迟电路。
【背景技术】
[0002] EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦洗可 编程只读存储器）中需要延迟链（delay chain)作为时序控制，对控制EEPROM的读操作开 启的脉冲信号进行延迟，该延迟时间使EEPROM的读电路(包括比较器、敏感放大器等）能够 正常进行充放电，从而开启读操作。
[0003] 常用的延迟链是由简单的延迟元件链接而成，如图1所示，延迟链为由若干个 三态门1'链接后连接两个反相器2'而成的，然而，在不同的PVT (Process、Voltage、 Temperature，工艺、电压、温度）条件下，延迟链的延迟时间会有较大的变化，尤其是在快速 的EEPROM中，不同的Process Corner (工艺角）中，延迟链的延迟时间变化率就更大了，例 如，在最差的工艺角（工艺最慢、电压最低、温度最高，或者工艺最快、电压最高、温度最低） 中，延迟时间会在最大程度上缩短或延长。
[0004] 表 1
[0006] 如表1所示，以一种EEPROM为例，其读电路操作正常工作大约需要将脉冲信号延 迟50ns，在常温（25°C )下需要用到20个延迟元件的延迟时间，单个延迟元件的延迟时间为 2. 5ns。在延迟链处于低温环境（_40°C)时，单个延迟元件的延迟时间缩短为2. 17ns，20个 延迟元件的延迟时间仅为43. 4ns，脉冲信号会过快地到达EEPR0M，导致EEPROM的读电路操 作时间不足(其需要大约50ns充放电才能正常工作)，从而影响到读出数据的对错。而在延 迟链处于高温环境（85°C )时，单个延迟元件的延迟时间延长为2. 88ns，20个延迟元件的延 迟时间达到了 57. 6ns，脉冲信号会过慢地到达EEPR0M，导致了 EEPROM的读电路操作时间的 浪费，从而延长了读取数据的时间，降低了 EEPROM的数据读取效率。
【发明内容】
[0007] 鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种用于EEPROM的温度 补偿延迟电路，用于解决现有技术中由于延迟链在外界温度变化时产生的延迟时间缩短或 延长，导致EEPROM的读电路操作时间不足或浪费，从而影响EEPROM正确读出数据或者影响 EEPROM数据读取效率的问题。
[0008] 为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种用于EEPROM的温度补偿延迟 电路，其中，所述用于EEPROM的温度补偿延迟电路至少包括：
[0009] 延迟链，用于接收并延迟脉冲信号；
[0010] 多路选择单元，多路连接于所述延迟链不同的链路长度处，用于选通所述延迟链 不同的链路长度；
[0011] 温度信号产生电路，连接于所述多路选择单元，用于接收外界温度检测信号，并根 据所述外界温度检测信号产生温度控制信号，以使得所述多路选择单元中选通一相应的链 路长度。
[0012] 优选地，所述外界温度检测信号包括第一高温信号和第一低温信号；所述温度信 号产生电路至少包括：
[0013] 第一反相器，用于接收第一高温信号，并输出第二高温信号；
[0014] 第二反相器，用于接收第一低温信号，并输出第二低温信号；
[0015] 或非门，用于接收第一高温信号和第一低温信号，并输出第一常温信号；
[0016] 第三反相器，其输入端连接于所述或非门的输出端，用于接收所述第一常温信号， 并输出第二常温信号。
[0017] 优选地，所述多路选择单元至少包括：第一路传输门、第二路传输门和第三路传输 门，所述第一路传输门、第二路传输门和第三路传输门均分别包括第一信号端、第二信号端 和输出端；
[0018] 所述第一路传输门的第一信号输入端接收所述第二高温信号，所述第一路传输门 的第二信号输入端接收所述第一高温信号，所述第一路传输门的输入端与所述延迟链的第 一链路长度处连接，用于在外界温度为高温时选通所述延迟链的第一链路长度；
[0019] 所述第二路传输门的第一信号输入端接收所述第二常温信号，所述第二路传输门 的第二信号输入端接收所述第一常温信号，所述第二路传输门的输入端与所述延迟链的第 二链路长度处连接，用于在外界温度为常温时选通所述延迟链的第二链路长度；
[0020] 所述第三路传输门的第一信号输入端接收所述第二低温信号，所述第三路传输门 的第二信号输入端接收所述第一低温信号，所述第三路传输门的输入端与所述延迟链的第 三链路长度处连接，用于在外界温度为低温时选通所述延迟链的第三链路长度；
[0021] 其中，所述第一链路长度短于所述第二链路长度，所述第二链路长度短于所述第 三链路长度。
[0022] 优选地，所述第一路传输门、所述第二路传输门和所述第三路传输门均为由P型 晶体管和N型晶体管组成的CMOS传输门。
[0023] 优选地，所述延迟链包括多个链接的延迟元件，所述延迟链的链路长度的长短取 决于所述延迟元件的个数，所述第一链路长度中的延迟元件的个数少于所述第二链路长度 中的延迟元件的个数，所述第二链路长度中的延迟元件的个数少于所述第三链路长度中的 延迟元件的个数。
[0024] 优选地，所述延迟元件为三态缓冲器，所述三态缓冲器包括使能控制端，所述使能 控制端连接使能控制信号，多个三态缓冲器串联连接形成所述延迟链。
[0025] 优选地，所述外界温度检测信号由温度检测器对外界温度进行检测、判断并输 出；
[0026] 在外界温度为高温时，所述温度检测器输出高电平的第一高温信号和低电平的第 一低温信号；
[0027] 在外界温度为常温时，所述温度检测器输出低电平的第一高温信号和低电平的第 一低温信号；
[0028] 在外界温度为低温时，所述温度检测器输出低电平的第一高温信号和高电平的第 一低温信号。
[0029] 优选地，所述温度检测器检测外界温度在50°C -KKTC区间时，判断外界温度为高 温；所述温度检测器检测外界温度在rc -49°c区间时，判断外界温度为常温；所述温度检 测器检测外界温度在-50°c -0°c区间时，判断外界温度为低温。
[0030] 优选地，所述用于EEPR0M的温度补偿延迟电路还包括：串联连接的第四反相器和 第五反相器，连接于所述多路选择单元，用于延迟经过所述延迟链和所述多路选择单元的 脉冲信号，并输出所述脉冲信号。
[0031] 如上所述，本发明的用于EEPR0M的温度补偿延迟电路，具有以下有益效果：通过 采用多路选择单元和温度信号产生电路，能够根据外界温度实现对延迟链的温度补偿，在 外界温度为低温时，选择较长的延迟链的链路长度，即选择较多的延迟元件链接的延迟链， 可以达到使EEPR0M的读操作正常开启的延迟时间，保证了 EEPR0M正确读出数据；而在外界 温度为高温时，选择较短的延迟链的链路长度，即选择较少的延迟元件链接的延迟链，就可 以达到使EEPR0M的读操作正常开启的延迟时间，避免了由于延迟时间过长导致的EEPR0M 的读电路操作时间的浪费，提高了 EEPR0M的数据读取效率。
【附图说明】
[0032] 图1显示为本发明现有技术中的延迟链的电路图。
[0033] 图2显示为本发明实施例的用于EEPR0M的温度补偿延迟电路的示意图。
[0034] 图3显示为本发明实施例的用于EEPR0M的温度补偿延迟电路的电路图。
[0035] 元件标号说明
[0036] 1' 三态门
[0037] 2' 反相器
[0038] 1 延迟链
[0039] 2 多路选择单元
[0040] 3 温度信号产生电路
[0041] 11 延迟元件
[0042] 21 第一路传输门
[0043] 22 第二路传输门
[0044] 23 第三路传输门
[0045] 31 第一反相器
[0046] 32 第二反相器
[0047] 33 或非门
[0048] 34 第三反相器
[0049] 4 第四反相器
[0050] 5 第五反相器
【具体实施方式】
[0051] 以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书 所揭露的内容轻易地了解本