有大约2. 5英寸 (6. 35cm)的直径，并且由非磁体制成。基板101的每个表面设置有：垂直记录层103,该垂 直记录层在盘表面的垂直方向上具有很强的各向异性；晶体取向层102,该晶体取向层被 设置在垂直记录层103的底部中，以便改善垂直记录层103的取向；散热层104,该散热层 被设置在晶体取向层102的底部中，以便限制加热区的扩展；以及保护膜105,其被设置在 垂直记录层103的上部之上。
[0034] 如图2和4所示，磁头33被形成为浮动型磁头，其具有基本以长方体形形成的滑 块42以及在滑块42位于流出（后）侧上的端部形成的头部44。滑块42例如由氧化铝和 碳化钛的烧结体（ALTIC)制成，头部44通过层压薄膜形成。
[0035] 滑块42具有面向盘表面的矩形浮动表面（空气轴承表面（ABS)) 43,以及与浮动 表面相对的矩形滑块支撑表面45。滑块42的滑块支撑表面45固定到常平架（gimbal)41。 进一步地，激光产生元件（激光二极管）40被安装在滑块支撑表面45或常平架41上作为 光源。
[0036] 滑块42由于根据磁盘16的旋转在盘表面与浮动表面43之间产生的气流B而浮 动。气流B的方向与磁盘16的旋转方向A-致。滑块42被设置为使得在盘表面上，浮动 表面43的纵向几乎与气流B的方向一致。
[0037] 滑块42具有位于气流B的流入侧的前端42a，以及位于气流B的流出侧的后端 42b。在滑块42的浮动表面43上，形成凹凸结构（前台阶、后台阶、侧台阶、负压腔等），该 结构未示出。
[0038] 如图4和5所示，头部44形成为分离型磁头，头部包括通过薄膜工艺，在滑块42 的后端42b形成的再现头54和记录头（磁记录头）58。
[0039] 再现头54由具有磁阻效应的磁性膜55、被分别设置在磁性膜55的前侧和后侧以 夹着该磁性膜的屏蔽膜56和57形成。磁性膜55和屏蔽膜56和57的下端在滑块42的浮 动表面43上暴露。
[0040] 记录头58被设直为比再现头54更接近滑块42的后纟而42b侧。记录头58包括： 主磁极60,其由具有高导磁率和高饱和磁通密度的软磁性材料制成，以在盘表面的垂直方 向上产生记录磁场（相对于记录层103);前导轭62,其由用于将磁通量传送到主磁极60的 软磁材料制成，并位于主磁极60的前侧；连接部63,用于将前导轭62的顶部（远离浮动表 面43的端部）物理连接到主磁极60 ;记录线圈66,其缠绕在包括前导轭62和主磁极60的 磁路周围，以便将磁通量传送到主磁极60 ;近场光产生元件（等离子体激元发生器、近场换 能器）65,其被设置在主磁极60的前侧以产生近场光来加热磁盘16的记录层103 ;以及波 导68,其将用于产生近场光的光导入近场光产生元件65。近场光产生元件65是发光元件， 其产生指向磁盘16的光并且由金属体（例如，金）制成。波导68将用于产生近场光的光 传播到近场光产生兀件65。主磁极60的远端表面60a、前导轭62的远端表面62a、以及近 场光产生元件65的等离子体激元天线65a在滑块42的浮动表面43上暴露。
[0041] 波导68包括从滑块42的滑块支撑表面45朝着浮动表面43延伸到近场光产生元 件65附近的第一波导68a，以及从该第一波导68a的下端延伸到浮动表面43附近的第二波 导68b。第一波导68a和第二波导68b沿着基本垂直于浮动表面43的方向延伸。
[0042] 第一波导68a包括位于滑块42的滑块支撑表面45上的第一入射面70a，和位于下 端的第一发射面70b。第一发射面70b被形成为基本平行于浮动表面43,面向激光产生元 件40。第二波导68b包括位于与滑块支撑表面45平行的上端的第二入射面72a，和垂直于 该第二入射面72a延伸的第二发射面72b。第二波导68b的第二入射面72a紧靠第一波导 68a的第一发射面70b，也就是说，接合在一起。据此，第一波导68a和第二波导68b连续地 以直线型延伸。第二波导68b的第二发射面72b基本垂直于浮动表面43延伸，并且面向近 场光产生兀件65。
[0043] 第一波导68a和第二波导68b由具有不同折射率的材料制成。在实施例中，第二 波导68b以低于第一波导68a的折射率的折射率制成。第一波导68a例如由折射率为2. 5 的氧化钛制成，第二波导68b由折射率为1. 8的氧化镁制成。
[0044] 近场光产生元件65基本以棱柱形状形成，其包括：从其下端突出并且在浮动表面 43上暴露的等尚子体激兀天线65a ;面向第二波导68b的第三入射面65b，以及与该第三入 射面65b相对的其它侧面。第三入射面65b从浮动表面43的附近开始，基本垂直于该浮动 表面延伸。第三入射面65b面向第二波导68b的第二发射面72b并且与该第二发射面平行， 第三入射面与第二发射面之间具有间隙。低折射率层76被设置在近场光产生元件65的第 三入射面65b与第二波导68b的第二发射面72b之间的该间隙中。低折射率层76由折射 率低于第二波导68b的折射率的材料制成，例如，二氧化硅。第二波导68b可由二氧化硅层 包围。
[0045] 进一步地，如图7和8所示，第二波导68b可被覆层80包围，除了第二发射面72b 之外。该覆层80由折射率低于低折射率层76的折射率的材料制成。
[0046] 如图4和5所示，再现头54和记录头58被非磁性保护绝缘膜74覆盖，除了滑块 42暴露给浮动表面43的部分之外。保护绝缘膜74形成滑块42的外形。
[0047] 被提供给记录头58的记录线圈66的电流和激光产生元件40的驱动电流由HDD 的控制电路板（控制单元）控制。当在磁盘16的记录层103中写入信号时，预定的电流被 从电源提供给记录线圈66,从而将磁通量传递到主磁极60并产生磁场。进一步地，从作为 光源的激光产生元件40产生的激光（激发光）进入波导68并通过波导68被提供给近场 光产生元件65。
[0048] 根据上述配置的HDD，通过驱动VCM 24,支架组件14旋转，并且磁头33被移动并 定位在磁盘16的预定磁道上方。进一步地，磁头33因为根据磁盘16的旋转在盘表面与浮 动表面43之间产生的气流B而浮动。在HDD操作期间，滑块42的浮动表面43保持面向盘 表面，并且二者之间具有间隙。在这种状况下，通过再现头54从磁盘16读取已记录的信息， 并且通过记录头58将信息（信号）写入磁盘16。
[0049] 在写入信息期间，记录线圈66激励主磁极60,并且通过沿着位于主磁极60下方 的磁盘16的记录层103的垂直方向施加记录磁场，按照所需的磁道宽度记录信息。进一步 地，通过波导68,将激光从激光产生元件40提供给近场光产生元件65,从而通过近场光产 生元件65产生近场光。通过使用近场光产生元件65的等离子体激元天线65a所产生的近 场光对磁盘16的记录层103进行局部加热，降低该记录层部中的抗磁力。来自主磁极60 的记录磁场被施加到该抗磁力降低的区域，从而在此处写入信号。这样，通过在记录层103 的局部加热区域（其中抗磁力降低）中写入信号，实现高密度磁记录。近场光产生元件65 的等离子体激元天线65a被设置在主磁极60的远端部60a的附近，因为应该在激光所加热 的磁盘16冷却下来并且抗磁力恢复之前，将来自磁头33的磁场施加到磁盘16。
[0050] 当近场光被从近场光产生元件65施加到磁盘16时，来自激光产生元件40的激光 通过第一波导68a传播，同时在第一波导68a的芯部的内壁表面（侧面或周面）上被重复 地反射，然后通过第一发射