银锡复合led引线框架的制作方法

文档序号:7235805阅读:231来源:国知局
专利名称:银锡复合led引线框架的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种LED引线框架的结构,特别是一种采用银锡复合的LED引线框架。
LED引线框架是制造LED发光元件的中间产品,先制成框架后再在框架上部装上发光部件即可制成单个的LED发光元件,根据不同的用途将LED发光元件用于不同的场所。常用的LED引线框架是在整个框架镀铜的基础上再镀一层银,由于银是贵金属,生产的成本较高,银的焊接性能较差。
本实用新型的目的是提供一种生产成本低,焊接性能好,采用银锡复合结构的LED引线框架。
本实用新型的目的是这样实现的一种银锡复合LED引线框架,包括工艺边1,工艺边1上均匀分布着LED引线2,在LED引线2上固定有框架中筋3,在整个框架体8外镀有铜膜4,在框架中筋3上部的铜膜4外镀有镍膜5,镍膜5外为银膜6,在框架中筋3下中的铜膜4外镀有锡膜7。铜膜4的厚度为0.5-1.5微米,镍膜5的厚度为1.5-2.5微米,银膜6的厚度为2.5-3.5微米,锡膜7厚度为3.5-4.5微米。本实用新型的镀膜最佳厚度为铜膜4的厚度为1微米,镍膜5的厚度为2微米,银膜6的厚度为5微米,锡膜7的厚度为4微米。
本实用新型所提供的银锡复合LED引线框架,由于在框架中筋下部采用了镀锡的结构,降低了生产成本,且锡的焊接性能强于银,更便于焊接。
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。


图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1的局部A的放大图。
本实用新型采用以下结构一种银锡复合LED引线框架,包括工艺边1,工艺边1上均匀分布着LED引线2,在LED引线2上固定有框架中筋3,在整个框架体8外镀有铜膜4,在框架中筋3上部的铜膜4外镀有镍膜5,镍膜5外为银膜6,在框架中筋3下中的铜膜4外镀有锡膜7。铜膜4的厚度为0.5-1.5微米,镍膜5的厚度为1.5-2.5微米,银膜6的厚度为2.5-3.5微米,锡膜7的厚度为3.5-4.5微米。
本实用新型制造时,整个框架体3采用冲压制成,框架3上整体镀铜膜4,厚度为0.5-1.5微米,铜膜镀好后在框架中筋3上部镀镍膜5,镍膜5的厚度为1.5-2.5微米,然后在镍膜5外镀银膜6,银膜6的厚度为2.5-3.5微米;在框架中筋3下部的铜膜4外镀锡膜7,锡膜7的厚度为3.5-4.5微米。
本实用新型的镀膜最佳厚度为铜膜4的厚度为1微米,镍膜5的厚度为2微米,银膜6的厚度为5微米,锡膜7的厚度为4微米。
权利要求1.一种银锡复合LED引线框架,包括工艺边(1),工艺边(1)上均匀分布着LED引线(2),在LED引线(2)上固定有框架中筋(3),在整个框架体(8)外镀有铜膜(4),其特征在于在框架中筋(3)上部的铜膜(4)外镀有镍膜(5),镍膜(5)外为银膜(6),在框架中筋(3)下中的铜膜(4)外镀有锡膜(7)。
2.根据权利要求1所述的银锡复合LED引线框架,其特征在于铜膜(4)的厚度为0.5-15微米,镍膜(5)的厚度为1.5-2.5微米,银膜(6)的厚度为2.5-3.5微米,锡膜(7)的厚度为3.5-4.5微米。
3.根据权利要求1或2所述的银锡复合LED引线框架,其特征在于铜膜(4)的厚度为1微米,镍膜(5)的厚度为2微米,银膜(6)的厚度为3微米,锡膜(7)的厚度为4微米。
专利摘要本实用新型公开了一种LED引线框架的结构,特别是一种采用银锡复合的LED引线框架。其主要结构特点是在框架中筋下部采用锡膜代替了原来的框架所用的银膜,降低了生产成本,增强了LED引线的焊接性能。
文档编号H01L33/00GK2473747SQ0123975
公开日2002年1月23日 申请日期2001年4月11日 优先权日2001年4月11日
发明者彭会银 申请人:彭会银
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