专利名称：具有防护环控制电路的硅控整流器的制作方法
技术领域：
本发明有关一种在互补式金氧半导体晶体管元件中的硅控整流器，特别是有关一种连结修正横向硅控整流器(PMSCR，bridging modified lateral siliconcontrolled rectifier having first conductivity type)。
(2)背景技术硅控整流器(SCR，silicon controlled rectifier)为一种已知的半导体闸流管(thyristors)。由于具有将高阻抗状态切换至低阻抗状态能力，因此广泛地应用于电源装置上。基于同样的理由，可将硅控整流器适当地设计成一种非常有效的静电放电保护电路。
参考图1，具有保护环的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器(PMSCRwith guard ring structure，bridging modified lateral silicon controlledrectifier having first conductivity type with guard ring structure)110形成于底材100内。具有第一导电性连结修正横向硅控整流器110包括具有第二导电性如N型的第一轻掺杂井区112及具有第一导电性如P型的第二轻掺杂井区114。一N+区域118形成于第一轻掺杂井区112内并且电性耦接阳极150，及一P+区域124形成于第二轻掺杂井区114，且电性耦接于阴极160。一P+区域120形成于第一轻掺杂井区112内，并电性耦接于阳极150。接着，一N+区域122形成在第二轻掺杂井区114内，并电性耦接于阴极160。然后，一N+区域126形成于第一轻掺杂井区112内并且电性耦接于阳极150。一P+区域128形成于第一轻掺杂井区112与第二轻掺杂井区114之间，使得P+区域128位于N+区域126与N+区域122之间，并且使得P+区域128与位于第一轻掺杂井区112及第二轻掺杂井区114的接合面116重叠。
接着，一场隔离区130形成于第一轻掺杂井区112内并位于N+区域118及P+区域120之间。然后，另一场隔离区132形成于第一轻掺杂井区112内并位于P+区域120及N+区域126之间。然后，一场隔离区134形成于第一轻掺杂井区112内，并位于N+区域126与P+区域128之间。接着，一场隔离区136形成于第二轻掺杂井区114内，并位于P+区域128及N+区域122之间。然后，再一场隔离区138形成于第二轻掺杂井区，并位于N+区域122及P+区域124之间。
在具有保护环的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器110中，额外加入的N+区域126用来做为保护环并收集由阴极160流到阳极150的电子，其保护环可以防止由过量电压或是未过量电压所产生的损害。因此，可以改善具有第一导电性连结修正横向硅控整流器110的功率摧毁免疫能力。但是，很不幸的是，修正横向硅控整流器或具有第一导电性连结修正横向硅控整流器110中，当硅控整流器引发的时候，保护环就会收集电子而导致其静电放电的效能不佳。
参考图2，是表示具有外加N井保护环214的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器210。具有外加N+井保护环214的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器210形成在一底材200内。具有外加N+井保护环214的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器210包括具有第二导电性的第一轻掺杂井区212、具有第二导电性的第二轻掺杂井区214及具有第一导电性的第三轻掺杂井区216。第二轻掺杂井区214做为保护环以收集由阴极280传送至阳极260的电子。接着，N+区域224位于第一轻掺杂井区212并且电性耦接于阳极260。然后，P+区226形成于第一轻掺杂井区212内并电性耦接于阳极260。一N+区域228形成于第三轻掺杂井区216，并电性耦接于阴极280。接下来，一P+区域230形成于第三轻掺杂井区216内，且电性耦接于阴极280。然后，N+区域232取代具有N型保护环的具有第一导电性的连结修正横向硅控整流器(在图1中表示)110中的P+区域128，并形成于第二轻掺杂井区214内且电性耦接于一高电位270。接着，一P+区域234取代在具有N型保护环的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器中的N+区域126，并形成于底材200与第一井区之间的第一接合面218重叠处。
然后，一场隔离区250形成于第一轻掺杂井区212内，并位于N+区域224及P+区域226之间。一场隔离区252位于第一轻掺杂井区212内，并位于P+区域226及P+区域234之间。一场隔离区254与部份底材200与第二轻掺杂区214的接合面220重叠。接着，一场隔离区256形成于第二轻掺杂井区214与第三轻掺杂井区216之间，且与部份的第二轻掺杂井区214与第三轻掺杂井区216的接合面222重叠。然后，一场隔离区258形成于第三轻掺杂井区216内。如同具有N保护环的具有第一导电性的连结修正横向硅控整流器110中的N保护环126的功能，N井保护环214是用来收集由阴极传送至阳极的电子。即当硅控整流器引发时，功率损耗免疫能力可以改善，但是一相同或是不同的高电压施于N井保护环214以收集电子时，其静电放电效能会被降低。
在具有保护环的具有第一导电性连接修正横向硅控整流器110(如图1)或210(如图2)中，当阳极(150或260)电位上升到N-井(112或212)与P+(128或234)接合面的崩溃电压(Breakdown volrage)时，此接合面会产生大量的电子空穴对(Electron-hole pairs)，其中电子会受到高电位吸引而进入阳极(150或260)，空穴受低电位吸引而进入阴极(160或280)；当电子进入阳极(150或260)时，会启动寄生的PNP双载子晶体管，因而对P-井(114或216)注入空穴；当空穴进入阴极(160或280)时，会启动寄生的NPN双载子晶体管，因而对N-井(112或212)注入电子；因此，这两个双载子晶体管会互相启动对方而产生正回馈，最后就发生突然回返(Snapback)而进入低阻抗的维持(Holding)区间。若在静电放电情形(ESD Event)中，此维持区间可有效地排掉(bypass)静电放电电流(ESD current)。而N+126或N-井214保护环可以用来收集电子，以防止电子流入阳极(150或260)而造成PNP双载子晶体管启动，进而避免进入维持区而造成功率摧毁的问题；但是在静电放电情形下，却因不易进入维持区间而造成其静电放电防护效果变差。
(3)发明内容本发明的主要目的在于提供一种具有控制保护环的硅控整流器，利用控制电路控制的N型保护环，使得高阻抗/低阻抗是由静电放电情形(ESD event，electrostatic discharge event)来决定。
本发明的另一目的是提供一种具有控制保护环的硅控整流器，由控制电路所控制的N型保护环，使得高阻抗/低阻抗由正常操作来决定，并使得功率摧毁免疫能力可以改善。
本发明的又一目的是提供一种具有控制保护环的硅控整流器，利用控制电路控制N型保护环，使得当硅控整流器引发时，控制N型保护环不会发生作用并且不会收集电子。
根据本发明一方面的一种具有控制保护环的硅控整流器，其特点是，包括一具有第一导电性连结修正横向硅控整流器，包括具有一第二导电性的一第一轻掺杂井区及具有该第一导电性的一第二轻掺杂井区位于具有该第一导电性的一底材内，其中该第二轻掺杂井区邻近于该第一轻掺杂井区，且该第二导电性与该第一导电性相反；一第一节点，电性耦接于具有该第二导电性的一第一重掺杂区及具有该第一导电性的该第二重掺杂区，其中每一该重掺杂区的浓度高于每一该轻掺杂井区；一第二节点，电性耦接于该具有该第一导电性的一第四重掺杂区及具有该第二导电性的该第三重掺杂区，其中该第二节点与该第一节点的电性相反；一控制保护环，位于该第一轻掺杂井区；一开关，具有一第一端点及一第二端点，其中该第一端点电性耦接于该第一重掺杂区及该第二端点电性耦接于该控制保护环；以及一控制电路，电性耦接于该开关。
根据本发明另一方面的一种具有控制保护环的硅控整流器，其特点是，包括一具有第一导电性连结修正横向硅控整流器，包括具有一第二导电性的一第一轻掺杂井区、具有该第二导电性的一第二轻掺杂井区及具有该第一导电性的一第三轻掺杂井区位于具有该第一导电性的一底材内，其中，该第三轻掺杂井区邻近于该第二轻掺杂井区，且该第二导电性与该第一导电性相反；一第一节点，电性耦接于具有一第二导电性的一第一重掺杂区及电性耦接于具有该第一导电性的该第二重掺杂区，其中，每一该重掺杂区的浓度高于每一该轻掺杂井区；一开关，具有一端点，其中该端点电性耦接于该第五重掺杂区；一第二节点，电性耦接于该开关，其中，该第二节点与该第一节点的电性相同；一第三节点，电性耦接于具有该第一导电性的一第四重掺杂区及电性耦接于具有该第二导电性的该第三重掺杂区，其中，该第三节点与该第一节点及该第二节点的该电性相反；以及一控制电路，电性耦接于该开关。
根据本发明又一方面的具有控制保护井环的硅控整流器，其特点是，包括一底材具有一第一导电性，具有一第二导电性的一第一轻掺杂井区、具有该第二导电性的一第二轻掺杂井区及具有该第一导电性的一第三轻掺杂井区位于该底材内并邻近于该第二轻掺杂井区，其中，该第二导电性与该第一导电性相反；具有该第二导电性的一第一重掺杂区位于该第一轻掺杂井区内；具有该第一导电性的一第二重掺杂区位于该第一轻掺杂井区内；具有该第二导电性的一第三重掺杂区位于该第三轻掺杂井区内；具有该第一导电性的一第四重掺杂区位于该第三轻掺杂井区内；具有该第二导电性的一第五重掺杂区位于该第二轻掺杂井区内；具有该第一导电性的一第六重掺杂区位于该底材与该第一轻掺杂井区之间，使得具有该第六重掺杂区与部份该第一轻掺杂井区及该底材重叠；一第一节点，电性耦接于该第一重掺杂区及电性耦接于该第二重掺杂区；一开关，具有一端点，其中，该端点电性耦接于该第五重掺杂区；一第二节点，电性耦接于该开关；一控制电路，电性耦接于该开关；以及一第三节点，电性耦接于该第三重掺杂区及电性耦接于该第四重掺杂区。
本发明提供了一种具有控制保护环的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器(PMSCR with controlled guard ring，bridging modified lateral siliconcontrolled rectifier of first conductivity type with controlled guard ring)，其保护环由开关(switch)，如金氧半导体晶体管(MOS transistor，metal oxidesemiconductor transistor)控制以收集电子或者是使保护环没有任何作用。在正常操作时，开关为低阻抗(即表示金氧半导体晶体管为开启状态)，其保护环呈现短路至阳极或高电位，使得保护环可以收集电子并且可以增加功率摧毁免疫能力。此外，在静电放电情形过程中，其开关呈现高阻抗(其金氧半导体晶体管为关闭状态)，此时保护环没有任何作用。因此，静电放电效能不会被降低。
为进一步说明本发明的目的、结构特点和效果，以下将结合附图对本发明进行详细的描述。
(4)
图1是表示传统具有N保护环(N ring)的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器的截面示意图；图2是表示传统具有N井保护环(N well ring)的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器的截面示意图；图3是根据本发明的具有控制N保护环(controlled N ring)的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器的截面示意图；图4是根据本发明的表示图3结构的电路布局的示意图；图5是根据本发明的表示具有控制N井保护环(controlled N well ring)的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器的截面示意图；以及图6是根据本发明的表示图7的电路布局的示意图。
(5)具体实施方式
参考图3及图4，图3是表示具有控制N型保护环的第一导电性连结修正横向硅控整流器(PMSCR of first conductivity type with controlled N guardring structure)310，它形成在底材300内，其中底材300具有第一导电性如P型，并包括第一轻掺杂井区312形成于底材300内，且此第一轻掺杂井区312具有第二导电性，如N型。此外，第二轻掺杂井区314形成于底材300内并邻近于第一轻掺杂井区312，其中第二轻掺杂井区314具有第一导电性，如P型，且第一导电性与第二导电性的电性相反。
接着，具有第二导电性的第一重掺杂区318形成在第一轻掺杂井区312，并且电性耦接于阳极350。在本发明中，位于底材300内的每一个重掺杂区的浓度都高于每一轻掺杂井区的浓度。具有第一导电性的第二重掺杂区320形成于第一轻掺杂井区312内，并且电性耦接至阳极350及开关(switch)370的第一端点(terminal)372。其中，开关370可以是金氧半导体晶体管(MOStransistor，metal oxide semiconductor transistor)，并且由一电阻电容电路(RC circuit，resistor-capacitor circuit)380(在图4中表示)来控制开关370的功能。接着，具有第二导电性的第三重掺杂区322形成在第二轻掺杂井区314内，且电性耦接于阴极360。
然后，具有第一导电性的第四重掺杂区324形成在第二轻掺杂井区314内，并且电性耦接于阴极360。接下来，作为保护环的具有第二导电性的第五重掺杂区326形成于第一轻掺杂井区312，并电性耦接于开关370的第二端点374。然后，具有第一导电性的第六重掺杂区328形成在第一轻掺杂井区312与第二轻掺杂井区314之间，使得第六重掺杂区328重叠于第一轻掺杂井区312及第二轻掺杂井区314的接合面(junction)316。然后，第一场隔离区330可以是沟渠隔离结构(trench或isolation structure)或是场氧化区(fieldoxide region)形成在第一轻掺杂井区312内，并位于第一重掺杂区318与第二重掺杂区320之间。接着，第二场隔离区332形成在第一轻掺杂井区312内，并位于第二重掺杂区320与第五重掺杂区326之间。然后，第三场隔离区334形成于第一轻掺杂井区312内，且位于第五重掺杂区326及第六重掺杂区328之间。接下来，第四场隔离区336形成于第二轻掺杂井区314内，并位于第六重掺杂区328及第三重掺杂区322之间。然后，第五场隔离区338形成于第二轻掺杂井区314内，并位于第三重掺杂区322及第四重掺杂区324之间。
参考图4，图4是图3的电路布局示意图。图中参考标号380为电阻电容电路(resistor-capacitor circuit)、参考标号382为电阻器及参考标号384为电容器，其中该电阻电容电路380是作为控制电路。电阻电容电路380分别电性耦接于阳极350、开关370及阴极360。此外，开关370的第一端点372电性耦接于第二重掺杂区320，第二端点374则电性耦接于至控制N保护环(第三重掺杂区326)，其中电阻电容电路380是用来控制开关370。且此电阻、电容经适当的选择，以使其启动速度介于正常操作的启动速度及静电放电的启动速度之间。在正常操作时，当施予一电压于具有控制保护环的具有第一导电性修正横向硅控整流器310时，若有过高的电位，使得具有控制保护环的具有第一导电性修正横向硅控整流器310产生引发，由于电阻电容电路380的反应速度可以跟得上正常操作的电压上升速度，使得开关370的状态呈现为开启(on)且为低阻抗，使得电压可经由高压焊垫(未在图中表示)通过金氧半导体晶体管370至控制N保护环326，保护环可以收集由阴极360传送至阳极350的电子以增加功率摧毁免疫能力。
此外，在静电放电情形中，由于电容电阻电路380的反应速度无法跟上静电放电的电流速度，使得开关370为高阻抗(即表示开关370为关闭的状态)，使得控制保护环没有任何的作用。因此，静电放电防护的效能不会被降低。
参考图5及图6，图5表示具有控制N井保护环结构的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器410形成于底材400内。具有第二导电性的第一轻掺杂井区412及具有第二导电性的第二轻掺杂井区414同时形成于底材400内。此外，具有第一导电性的第三轻掺杂井区416形成在底材400内，并邻近于第二轻掺杂井区414。接着，具有第二导电性的第一重掺杂区430形成于第一轻掺杂井区412，且与第一节点460电性耦接，其中第一节点460为阳极。然后，具有第一导电性的第二重掺杂区432形成于第一轻掺杂井区412内，并与第一节点460电性耦接。接下来，具有第二导电性的第三重掺杂区434形成于第三轻掺杂井区416，并且与第三节点490电性耦接，其中第三节点490可以是阴极。然后，具有第一导电性的第四重掺杂区436形成于第三轻掺杂井区416，并且与第三节点490电性耦接。
接着，具有第二导电性的第五重掺杂区438形成于第二轻掺杂井区414内，并且电性耦接于第一端点480，且第一端点480电性耦接于开关470，其中开关470是电性耦接于第二节点482，此第二节点482可为阳极或其他高电位。然后，具有第一导电性的第六重掺杂区440形成在底材400及第一轻掺杂井区412之间，使得第六重掺杂区440重叠于位于第一轻掺杂井区412与底材400之间的接合面418。接着，第一场隔离区442形成在第一轻掺杂井区412内，并位于第一重掺杂区430及第二重掺杂区432之间。然后，第二场隔离区444形成于第一轻掺杂井区412内，并位于第二重掺杂区432及第六重掺杂区440之间。接下来，第三场隔离区446形成于底材400与第二轻掺杂井区414的第二接合面420之间，并且位于第六重掺杂区440与第五重掺杂区438之间。接着，第四场隔离区448形成于第二轻掺杂井区414及第三轻掺杂井区416之间的第三接合面422上，并位于第五重掺杂区438与第三重掺杂区434之间。然后，第五场隔离区450形成于第三轻掺杂井区416内，并位于第三重掺杂区434及第四重掺杂区436之间。
接着，参考图6，图6是表示图5中具有控制N井保护环结构414的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器410的电路布局示意图。参考标号502为电阻电容电路500中的电阻器，参考标号504为电阻电容电路500中的电容器。在本发明的实施例中，电阻电容电路500可以控制开关470的状态(开或是关)并进一步控制N井保护环414的作用。在本发明的实施例中，开关470可以是金氧半导体晶体管。其开关470与电阻电容电路500之间电性耦接并且开关470的一端点480与位于底材内的第五重掺杂区438电性耦接。此外，电阻电容电路500分别与第一节点460及第三节点490之间电性耦接。
如同具有控制N保护环结构的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器310一样，在正常操作时，若有一过大电压施于具有控制N井保护环的具有第一导电性连结横向修正硅控整流器410而使其被引发，由于电阻电容电路500的反应速度跟得上正常操作的电压上升速度，其开关470的状态则会开启而成为低阻抗，使得高电位可以经由高压焊垫传送至金氧半导体晶体管470，再传送至N井保护环414，并使得N井保护环414可以收集由第三节点490传送至第一节点460的电子而抑制正回馈的发生，避免此硅控整流器进入维持区间，进而改善功率摧毁免疫能力；若在静电放电情形时，由于电阻电容电路500的启动速度跟不上静电放电的速度，因此，开关470来不及开启而呈现高阻抗状态，换言之，N井保护环就呈现浮动状态而不会收集任何电子，因而正回馈就不会被抑制，此硅控整流器就可以顺利进入维持区间，因此不会降低静电放电的防护能力。
此外，在本发明的一实施例中，第一节点460与第二节点482可以分别电性耦接于不同的电压。因此，具有N井保护环的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器410，可以藉由不同的应用电压来控制。另外，在本发明的另一个实施例中，第二节点482可以与第一节点460电性耦接，使得第一节点460与第二节点482电性耦接于一个应用电压。因此，具有N井保护环的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器410可以由单一一个应用电压来控制。
当然，本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明权利要求书的范围内。
权利要求
1.一种具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，包括一具有第一导电性连结修正横向硅控整流器，包括具有一第二导电性的一第一轻掺杂井区及具有该第一导电性的一第二轻掺杂井区位于具有该第一导电性的一底材内，其中该第二轻掺杂井区邻近于该第一轻掺杂井区，且该第二导电性与该第一导电性相反；一第一节点，电性耦接于具有该第二导电性的一第一重掺杂区及具有该第一导电性的该第二重掺杂区，其中每一该重掺杂区的浓度高于每一该轻掺杂井区；一第二节点，电性耦接于该具有该第一导电性的一第四重掺杂区及具有该第二导电性的该第三重掺杂区，其中该第二节点与该第一节点的电性相反；一控制保护环，位于该第一轻掺杂井区；一开关，具有一第一端点及一第二端点，其中该第一端点电性耦接于该第一重掺杂区及该第二端点电性耦接于该控制保护环；以及一控制电路，电性耦接于该开关。
2.如权利要求1所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，该第一节点为一阳极。
3.如权利要求1所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，该第二节点为一阴极。
4.一种具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，包括一具有第一导电性连结修正横向硅控整流器，包括具有一第二导电性的一第一轻掺杂井区、具有该第二导电性的一第二轻掺杂井区及具有该第一导电性的一第三轻掺杂井区位于具有该第一导电性的一底材内，其中，该第三轻掺杂井区邻近于该第二轻掺杂井区，且该第二导电性与该第一导电性相反；一第一节点，电性耦接于具有一第二导电性的一第一重掺杂区及电性耦接于具有该第一导电性的该第二重掺杂区，其中，每一该重掺杂区的浓度高于每一该轻掺杂井区；一开关，具有一端点，其中该端点电性耦接于该第五重掺杂区；一第二节点，电性耦接于该开关，其中，该第二节点与该第一节点的电性相同；一第三节点，电性耦接于具有该第一导电性的一第四重掺杂区及电性耦接于具有该第二导电性的该第三重掺杂区，其中，该第三节点与该第一节点及该第二节点的该电性相反；以及一控制电路，电性耦接于该开关。
5.如权利要求4所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，所述的第一节点与该第二节点为一阳极。
6.如权利要求5所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，所述的第一节点与该第二节点分别电性耦接于不同的应用电压。
7.如权利要求5所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，所述的第二节点电性耦接于该第一节点，使得该第一节点与该第二节点电性耦接于一个应用电压。
8.如权利要求4所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，所述的第三节点为一阴极。
9.一种具有控制保护井环的硅控整流器，其特征在于，包括一底材具有一第一导电性，具有一第二导电性的一第一轻掺杂井区、具有该第二导电性的一第二轻掺杂井区及具有该第一导电性的一第三轻掺杂井区位于该底材内并邻近于该第二轻掺杂井区，其中，该第二导电性与该第一导电性相反；具有该第二导电性的一第一重掺杂区位于该第一轻掺杂井区内；具有该第一导电性的一第二重掺杂区位于该第一轻掺杂井区内；具有该第二导电性的一第三重掺杂区位于该第三轻掺杂井区内；具有该第一导电性的一第四重掺杂区位于该第三轻掺杂井区内；具有该第二导电性的一第五重掺杂区位于该第二轻掺杂井区内；具有该第一导电性的一第六重掺杂区位于该底材与该第一轻掺杂井区之间，使得具有该第六重掺杂区与部份该第一轻掺杂井区及该底材重叠；一第一节点，电性耦接于该第一重掺杂区及电性耦接于该第二重掺杂区；一开关，具有一端点，其中，该端点电性耦接于该第五重掺杂区；一第二节点，电性耦接于该开关；一控制电路，电性耦接于该开关；以及一第三节点，电性耦接于该第三重掺杂区及电性耦接于该第四重掺杂区。
10.如权利要求9所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，所述的第二轻掺杂井区为一控制保护井环。
11.如权利要求9所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，所述的控制电路为一电阻电容电路。
12.如权利要求11所述的具有控制保护环的硅控整流器，其特征在于，所述的控制电路控制该开关。
全文摘要
本发明提供一种具有防护环控制电路的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器，它利用控制电路，如开关控制具有第一导电性连结修正横向硅控整流器。在正常操作时，开关为低阻抗以使保护环呈现短路于高电位并且收集电子以增加功率摧毁免疫能力。此外，在静电放电的情形时，开关为高阻抗使得保护环没有任何作用。因此，具有保护控制电路的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器可以同时增加静电放电效能以及在高压焊垫的应用中增加功率摧毁免疫能力。
文档编号H01L29/74GK1464565SQ0212469
公开日2003年12月31日 申请日期2002年6月21日 优先权日2002年6月21日
发明者赖纯祥, 刘孟煌, 苏醒, 卢道政 申请人:旺宏电子股份有限公司