专利名称：带导电体的粘接板、半导体装置的制造方法及半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及采用所谓倒装芯片安装方式而粘结的半导体装置，其制造方法，以及有关的为了制造半导体装置而使用于半导体芯片或半导体晶片与基板的粘接的粘接板。
背景技术：
近年来，从半导体集成电路(IC)的高集成化和半导体装置(IC封装体)的小型化等的观点出发，正在采用倒装芯片安装方式。该倒装芯片安装方式是无线粘结方式的一种，在半导体芯片表面电极上形成由焊锡等构成的凸点，将该半导体芯片表里相反地载置在印刷基板和陶瓷基板等的基板上，凸点与基板的电极位置重合之后，加热凸点使其熔融，将半导体芯片的电极与基板的电极进行接合。
利用这样的倒装芯片安装技术的半导体装置中，为防止因半导体芯片和凸点及基板的线膨胀系数的差异而引起裂纹等，一般的，将称为下填材料的树脂介于半导体芯片和基板之间。
其下填材料通常使用掺合了环氧树脂和固化剂及无机填料的液态的环氧树脂组合物，该液态的环氧树脂组合物注入半导体芯片和基板的间隙中之后，使其固化。
但是，伴随着近年来的半导体集成电路的高集成化，向半导体芯片的多电极化和电极的窄间距化及半导体装置的薄型化急速发展，因而，上述凸点的相互间隔变得非常窄小，并且半导体芯片和基板之间的距离越来越小。这样，由于凸点的相互间隔变得非常窄小，半导体芯片和基板之间的距离变得极小，受其流动性的影响，下填材料就难以渗入半导体芯片和基板之间的间隙(凸点相互间的间隙)。另外，在下填材料未充分地渗入到半导体芯片和基板之间的间隙的情况下进行固化，下填材料上就产生缺陷，则得到的半导体装置的可靠性下降。
发明内容
鉴于这种实际情况，本发明的目的是提供一种不会因下填材料的流动性而产生缺陷的半导体装置，其制造方法，以及为了制造有关的半导体装置而使用的粘接板。
为了达到上述目的，与本发明有关的带导电体的粘接板，具有基体材料和形成在上述基体材料上的粘接剂层，及以对应于半导体集成电路的电极及基板的电极的排列埋设在上述粘接剂层中的导电体，构成上述粘接剂层的粘接剂示出分级的粘接性(方案1)。
粘接剂层最好具有所谓下填材料的功能，即，最好是能示出在最终固化时，与半导体晶片或半导体芯片、基板和导电体的线膨胀系数接近的线膨胀系数。
示出分级粘接性的粘接剂，可以是具有示出附着性(可剥离的粘接性)的分级和示出粘接性的分级(所谓附着粘接剂)的粘接剂，也可以是即使不示出常态下的附着性和粘接性，但示出根据例如热度、压力等诱发因素而分级地示出附着性和粘接性的粘接剂。通过象这样，粘接剂层的粘接剂示出分级粘接性，从而在制造半导体装置时，可以高效率地进行向半导体晶片、芯片或基板粘贴，基体材料的剥离，及半导体晶片、芯片与基板的伪粘接和真粘接的工序。
上述粘接剂层示出绝缘性的情况下，最好上述导电体的上端与/或下端实质上位于上述粘接剂层的表面和/或背面(方案2)。这是为了将半导体集成电路的电极和基板的电极通过导电体准确地连接。但是，上述粘接剂层示出各向异性导电性的情况下，不限于此。再有，即使是上述粘接剂层示出绝缘性，上述导电体完全埋在粘接剂层中的情况下，由于施加厚度方向上的压力，通过上述导电体能够连接半导体集成电路的电极和基板的电极。
上述带导电体的粘接板的大小对应于半导体晶片，上述导电体与形成在上述半导体晶片上的多个半导体集成电路的电极相对应地排列(方案3)。按照这样的带导电体的粘接板，可以按晶片水平制造半导体装置，因而，能够谋求到半导体装置的制造的高速化和低成本化。
与本发明有关的第一种半导体装置的制造方法包括以下工序将上述半导体芯片或半导体晶片与上述带导电体的粘接板粘贴，以实现电连接半导体芯片或半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极和带导电体的粘接板(方案1～3)的导电体(该工序也可以不连接。以下相同。)；从上述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料(当然也包括从基体材料剥离粘接剂层的意思。以下相同)；为实现电连接埋设在上述粘接剂层中的导电体和基板的电极，将上述粘接剂层与上述基板位置重合，将上述半导体芯片或半导体晶片与上述基板粘接(方案4)。
与本发明有关的第二种半导体装置的制造方法，包括以下工序为实现电连接基板的电极和带导电体的粘接板(方案1～3)的导电体，将上述基板和上述带导电体的粘接板粘贴；从上述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料；为实现电连接半导体芯片或半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极与埋设在上述粘接剂层中的导电体，将上述半导体芯片或半导体晶片与上述粘接剂层位置重合，把上述基板与上述半导体芯片或半导体晶片粘接(方案5)。
与本发明有关的第三种半导体装置的制造方法，包括以下工序为实现电连接半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极与带导电体的粘接板(方案3)的导电体，将上述半导体晶片与上述带导电体的粘接板粘贴；从上述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料；为实现电连接埋设在上述粘接剂层的导电体与基板的电极，将上述粘接剂层与上述基板位置重合，把上述半导体晶片与上述基板粘接；切断上述半导体晶片与基板粘接的部分，生成半导体装置(方案6)。
与本发明有关的第四种半导体装置的制造方法，包括以下工序为实现电连接基板的电极与带导电体的粘接板(方案3)的导电体，将上述基板与上述带导电体的粘接板粘贴；从上述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料；为实现电连接半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极与埋设在上述粘接剂层中的导电体，将上述半导体晶片与上述粘接剂层位置重合，把上述基板与上述半导体晶片粘接；切断上述基板与半导体晶片粘接的部分，生成半导体装置(方案7)。
与本发明有关的第五种半导体装置的制造方法，包括以下工序为实现电连接半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极与带导电体的粘接板(方案3)的导电体，将上述半导体晶片与上述带导电体的粘接板粘贴；与上述带导电体的粘接板的粘接剂层一起切断上述半导体晶片，生成半导体芯片；按需要来扩展上述半导体芯片相互间的间隔；从上述带导电体的粘接板的基体材料剥离带有粘接剂层的半导体芯片；为实现电连接埋设在上述粘接剂层中的导电体与基板的电极，将上述粘接剂层与上述基板位置重合，把上述半导体芯片与上述基板粘接(方案8)。扩展上述半导体芯片相互的间隔的工序也可以由扩展基体材料进行，还可以由扩展粘贴在基体材料上的其他基板(晶片切割用粘接板)进行。
上述半导体装置的制造方法(方案4～8)中，还包括下述工序在从上述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料的工序之前，将对上述粘接剂层的上述半导体芯片、半导体晶片或基板的粘接力提高到相对于对上述粘接剂层的上述基体材料的粘接力高(方案9)。由于执行这样的工序，将粘接剂层就那样留在半导体芯片和半导体晶片或基板上，能够可靠地从粘接剂层剥离基体材料。
与本发明有关的第一种半导体装置是利用上述半导体装置的制造方法(方案4～9)制造的(方案10)。但是，只要得到的半导体装置与利用上述半导体装置的制造方法(方案4～9)制造的相同、实质上相同或等同，则利用其他方法制造的半导体装置也属于本发明的技术范围之内。
与本发明有关的第二种半导体装置，包括半导体芯片；通过粘接层粘接到上述半导体芯片的基板；上述粘接层中电连接形成在上述半导体芯片上的半导体集成电路的电极和上述基板的电极的导电体；上述粘接层是将埋设了上述导电体的粘接剂的那层进行固化所得到的(方案11)。
本发明中，导电体由于预先埋设在粘接剂层中，粘接剂层起到作为下填材料的功能，因此不需要向半导体芯片和基板的间隙注入下填材料的操作，因而，得到的半导体装置中，能防止因下填材料的流动性而引起缺陷的发生。
图1是与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板的剖面简图。
图2是与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板的平面简图。
图3是示出与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板和半导体晶片相粘贴状态的斜视简图。
图4是示出与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板与半导体晶片相粘贴的状态的剖面简图。
图5是示出与本发明的第1实施例有关的将带导电体的粘接板的粘接剂层与基板位置重合的状态(再通过粘接剂层将半导体晶片和基板粘接的状态)的剖面简图。
图6是示出与本发明的其他实施例有关的将带导电体的粘接板与半导体芯片粘贴的状态的斜视简图。
图7是与本发明的其他实施例有关的带导电体的粘接板的剖面简图。
图8是示出与本发明的其他实施例有关的通过带导电体的粘接板的粘接剂层将半导体晶片与基板粘接的状态的剖面简图。
具体实施例方式
以下说明本发明的实施例。
(第1实施例)图1是与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板的剖面简图，图2是与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板的平面简图，图3是示出与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板与半导体晶片相粘接的状态的斜视简图，图4是示出与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板与半导体晶片相粘接的状态的剖面简图，图5是示出与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板的粘接剂层与基板相位置重合的状态(并且是通过粘接剂层将半导体晶片与基板相粘接的状态)的剖面简图。
带导电体的粘接板1的构成如图1和图2所示，与本发明的第1实施例有关的带导电体的粘接板1由基体材料2，形成在基体材料2上的粘接剂层3，以及埋设在粘接剂层3中的多个导电体4构成。粘接剂层3具有与图3所示的半导体晶片5的形状相同的形状，是形成有切槽部分(定位水平层)的圆盘状。再有，该切槽部分也可以不是定位水平层而是凹槽。
如图1所示，各导电体4的上端位于粘接剂层3的表面，各导电体4的下端位于粘接剂层3的里面侧。如此埋设在粘接剂层3中的导电体4以与半导体晶片5中形成的多个半导体集成电路的电极的排列所对应的图形而排列。(图2)粘接剂层3粘接剂层3由示出分级的粘接性的粘接剂构成。在示出该分级粘接性的粘接剂中，包括具有示出附着性(可剥离的粘接性)的分级和示出粘接性的分级的粘接剂(所谓附着粘接剂)，也包括即使不示出常态下的附着性、粘接性，也通过例如热度、压力等诱发因素而分级地示出附着性、粘接性的粘接剂。
粘接剂层3最好具有所谓下填材料的功能，即最好是在最后固化时，能示出与半导体晶片5(或半导体芯片)和基板6及导电体4的线膨胀系数接近的线膨胀系数。
作为前一类型的粘接剂(附着粘接剂)，例如，列举包括热固性树脂和粘结成分的组合物(a)等，作为后一类型的粘接剂，例如，列举聚酰亚胺系树脂(b)、环氧树脂(c)等。这些树脂或树脂组合物既能单独使用，也可以使用由这些树脂或树脂组合物作为基质的材料。再有，粘接剂层3的厚度通常对应于导电体4的高度而决定。
a.包括热固性树脂和粘结成分的组合物包括热固性树脂和粘结成分的组合物中，主要是热固性树脂示出粘接性，附着成分示出附着性。作为该组合物中的热固性树脂可以是如环氧树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰酰胺树脂、不饱和聚酯树脂、间苯二酚树脂、呋喃树脂、聚氨基甲酸脂树脂、硅酮树脂等，其中，环氧树脂较为理想。另一方面，作为附着成分，可以是如丙烯酸系附着剂、橡胶系附着剂、聚酯系附着剂、或聚烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、热塑性聚酰胺、聚酯等的热塑性树脂，其中也可以包括光聚合性化合物。有关的附着成分最好为(异)丙烯酸酯共聚物。
作为包括热固性树脂和附着成分的组合物，最好是包括有重均分子量为30000以上的(异)丙烯酸酯共聚物，重均分子量为100～10000的环氧树脂，光聚合性低分子化合物，及热活性型潜在性环氧树脂固化剂的组合物(以下称作“组合物a”)。
重均分子量为30000以上的(异)丙烯酸酯共聚物可列举由(异)丙烯酸，如(异)丙烯酸与碳原子数为1～14的乙醇类反应生成的(异)丙烯酸烷基酯，(异)丙烯酸羟基乙酯，(异)丙烯酸缩水甘油等单体进行共聚反应而生成的共聚物，其中，较好的是(异)丙烯酸及/或(异)丙烯酸缩水甘油与至少一种的(异)丙烯酸烷基酯的共聚物。
作为由(异)丙烯酸和碳原子数为1～14的乙醇类反应生成的(异)丙烯酸烷基酯的具体例子，可列举(异)丙烯酸甲酯、(异)丙烯酸乙酯、(异)丙烯酸丁酯等。
作为(异)丙烯酸酯共聚物，在使用由(异)丙烯酸及/或(异)丙烯酸缩水甘油反应生成的共聚物的情况下，该共聚物中的由丙烯酸缩水甘油反应生成的成分单位含有率通常为0～80摩尔％，最好是5～50摩尔％，由(异)丙烯酸反应生成的成分单位含有率通常为0～40摩尔％，最好是5～20摩尔％。该情况下，作为形成(异)丙烯酸酯共聚物的(异)丙烯酸及(异)丙烯酸缩水甘油以外的单体成分，最好使用(异)丙烯酸甲酯、(异)丙烯酸乙酯、(异)丙烯酸丁酯等的(异)丙烯酸烷基酯。
重均分子量为100～10000的环氧树脂可以由如下生成双酚A、双酚F、间苯二酚、苯酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等的酚类的缩水甘油乙醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等的乙醇类的缩水甘油乙醚；苯二甲酸、间苯二甲酸、四氢化邻苯二甲酸等的羧酸的缩水甘油乙醚；用缩水甘油基将结合了苯胺异氰酸脂等的氮原子的活性氢置换成缩水甘油型或烷基缩水甘油型环氧树脂；例如利用将乙烯基环已烯环氧化物、3，4-环氧环己甲基-3，4-二环己烷羧酸酯、2-(3，4-环氧)环己基-5，5-螺环(3，4-环氧)环己烷-m-二氧杂环己烷等这样的分子内的碳-碳结合的物质酸化来导入环氧基，生成所谓脂环型环氧化物等。
上述环氧树脂的环氧当量最好为50-5000g/eq。上述环氧树脂可以单独使用或将不同种类的组合使用。这些环氧树脂中，最好使用双酚系缩水甘油型环氧树脂、o-甲酚酚醛清漆型环氧树脂及苯酚酚醛清漆型环氧树脂。
上述环氧树脂相对于(异)丙烯酸酯共聚物的100重量份的重量比例，通常为5～2000重量份，最好使用100～1000重量份的范围内的量。
光聚合性低分子化合物是利用紫外线和电子射线等能量线照射进行交联所得的化合物。该化合物可以使用在分子内具有一个以上的光聚合性双键的、重均分子量(Mw)的范围在100～30000的、最好在300～10000范围内的低聚物。
作为光聚合性低分子化合物的具体例子，可列举氨基甲酸酯变性丙烯酸酯、环氧变性丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯；可以是如具有(异)丙烯酸低聚物及衣康酸低聚物这样的羟基或羧基等官能团的低聚物等，其中，最好使用环氧变性丙烯酸酯及氨基甲酸酯变性丙烯酸酯。
再有，这样的光聚合性低分子化合物与上述(异)丙烯酸酯共聚物或环氧树脂的不同点是，一是光聚合性低分子化合物的重均分子量的上限为30000，而上述的(异)丙烯酸酯共聚物的重均分子量在30000以上，二是光聚合性低分子化合物在分子内必须具有一个以上的光聚合性双键，而上述的(异)丙烯酸酯共聚物及环氧树脂通常不具有光聚合性双键。
上述光聚合性低分子化合物相对于(异)丙烯酸酯共聚物的100重量份的重量比例，通常为10～1000重量份，最好使用50～600重量份的范围内的量。
在使用紫外线交联上述光聚合性低分子化合物时，最好在组合物a里掺合光聚合引发剂。光聚合引发剂可列举如下苯酰苯、乙酰苯、苯偶姻、苯偶姻烷基乙醚、苯甲基、苄二甲酮等。这些光聚合引发剂可以单独使用，或者不同种类的组合使用，其中最好使用α-取代乙酰苯。
上述光聚合引发剂相对于光聚合性低分子化合物的100重量份的重量比例，通常为0.1～10重量份，最好使用1～5重量份的范围内的量。
热活性型潜在性环氧树脂固化剂是在室温下不与环氧树脂反应，加热到一定温度以上被活化后与环氧树脂反应的这样类型的固化剂。热活性型潜在性环氧树脂固化剂的种类(根据活化方法不同)存在以下几种由加热进行化学反应生成活性类型(阴离子、阳离子)的固化剂；在室温附近稳定地分散在环氧树脂中，在高温下与环氧树脂相溶、溶解后开始固化反应的固化剂；分子筛封入型的固化剂，其在高温下溶解析出后开始固化反应；封入微胶囊的固化剂等。这些热活性型潜在性环氧树脂固化剂可以单独使用，或者不同种类的组合使用，其中使用双氰胺、咪唑化合物、或双氰胺和咪唑化合物的混合物为最好。
上述热活性型潜在性环氧树脂固化剂相对于环氧树脂100重量份的重量比例，通常为0.1～40重量份，最好使用1～30重量份的范围内的量。
再有，为了改变组合物a的粘接性能，除上述热活性型潜在性环氧树脂固化剂外，也可以掺入多异氰酸脂化合物等的热固化剂。该热固化剂相对于(异)丙烯酸酯共聚物100重量份的重量比例，通常为0.1～30重量份，最好使用5～20重量份的范围内的量。
b.聚酰亚胺系树脂作为聚酰亚胺系树脂的具体例子列举如下聚酰亚胺树脂、聚异酸亚胺树脂、马来酰亚胺树脂、粘胶丝马来酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酸亚胺-异吲哚并喹唑啉二酮酰亚胺树脂等。这些聚酰亚胺系树脂可以单独使用，或者将不同种类组合起来使用，其中使用聚酰亚胺树脂最好。此外，聚酰亚胺树脂中有不具有反应性官能团的热塑性聚酰亚胺树脂和由加热进行亚胺反应的热固性聚酰亚胺树脂，使用任何一种都可以，且也可以两者混合使用。
聚酰亚胺系树脂的重均分子量优选约为10,000～1,000,000，特别是最好约为50,000～100,000。
c.环氧系树脂环氧系树脂可以使用与上述组合物a的环氧树脂相同的物质，其重均分子量最好约为100～100,000。
上述树脂或树脂组合物中可以掺合无色染料、防静电剂、偶合剂、离子补充剂、防铜剂等的添加剂和其他聚合物、低聚物、低分子化合物等。
无色染料可以使用3-[N-(P-对甲苯基氨基)-7-苯胺基荧烃、4，4’，4″-三二甲氨基三苯甲烷等，防静电剂可以使用炭黑、阴离子系、阳离子系的表面活性剂等。
此外，其他聚合物、低聚物、低分子化合物可列举下列含氮有机化合物环氧树脂、酰胺树脂、氨基甲酸脂树脂、酰胺酸树脂、硅酮树脂、丙烯酸树脂、丙烯酸橡胶等的各种聚合物和低聚物；三乙醇胺α，ω-(双3-氨丙基)聚乙二醇乙醚等。
在此，为使粘接剂层3具有作为下填材料的功能，构成粘接剂层3的粘接剂可以选择示出最终固化时上述线膨胀系数的材料，且可以在作为基质的粘接剂中添加无机填料，在最终固化时示出上述线膨胀系数。
作为无机填料可以例举如熔融硅石、结晶硅石、氧化铝、硼氮化物、氮化铝、氮化硅、氧化镁、硅化镁等，最好是球状的。对于无机填料的基质的掺合量及粒径，可以进行适当调整选择以便示出粘接剂层3所希望的线膨胀系数，而不要被过去的象下填材料的流动性这样的观点所束缚。
再有，在上述组合物a中添加二氧化硅粉末、氧化铝粉末等的光散射性的无机填料的情况下，组合物a中的光聚合性低分子化合物利用光照射能够高效率地聚合。
基体材料2本实施例中的基体材料2，最基本的是若能在支持粘接剂层3的同时能从粘接剂层3剥离为好，也可以具有刚性。
这样的基体材料2例如是由如下的树脂或这些树脂进行交联所得的薄膜聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚氯乙烯、离子键聚合物、乙烯甲基丙烯酸共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸1，4-丁二醇酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、芳香族聚酰胺、聚酮醚、聚醚·酮醚、对聚苯硫、聚(4-甲基戊烯-1)、聚四氟乙烯等。这些薄膜可以单独使用，也可以不同种类的进行层叠使用。薄膜的厚度通常约为10～300μm、最好为20～150μm。
此外，除上述薄膜之外，也可以用如玻璃纸、粘土涂层纸、树脂涂层纸、层压纸(聚乙烯层压纸、聚丙烯层压纸等)的这样的纸，或非织造织物、金属箔等。
基体材料2上的形成粘接剂层3的那面的表面张力最好在40dyn/cm以下。为将表面张力调节到最佳值，可以对基体材料2上的形成粘接剂层3的那面施行分型处理。该分型处理可以用醇酸树脂系、硅酮树脂系、氟化乙烯树脂系、不饱和聚酯树脂系、聚烯树脂系、蜡系等的分型剂。再有，在基体材料2本身具有上述表面张力的情况下，可以不进行分型处理而就那样使用基体材料2。
在粘接剂层3中使用上述组合物a的情况下，基体材料2由能透过能量线而使其照射在组合物a上的材料构成为好，特别是为利用能量线照射来提高组合物a的粘接性，由粘接性低的材料构成为好。
另一方面，在粘接剂层3使用聚酰亚胺系树脂或环氧树脂的情况下，基体材料2最好使用由耐热树脂构成的薄膜。耐热树脂的熔点最好在230℃以上，250°～300℃更好，特别是260°～280℃为最好。
可以在使用该带导电体的粘接板1制造半导体装置时，进行半导体晶片的切割。该情况下，也可以在进行切割之后，扩展基体材料2，使半导体芯片相互间的间隔扩大。如此扩展所得的基体材料2具有长度方向和宽度方向上的延长性，最好选择杨氏模量为1.0×104kg/cm2以下的树脂薄膜。
导电体4导电体4在半导体装置中只要能作为一般凸点(电极)使用即可，不作特殊限制。半导体4的材料通常选择焊锡、Au、Cu、Ni、Ag、Pt等的金属或合金；镀这些金属或合金的树脂；分散有导电粉末的树脂；导电树脂等。本实施例中，导电体4的形状为球状，不局限于此，也可以是圆柱状、棱柱状、圆锥状等。导电体4可以由最初作成这样的形状，也可以由印刷导电糊剂构成球状等形状。
导电体4的高度通常为50～300μm，不足50μm，甚至30μm以下也可以。本实施例中，导电体4的高度与粘接剂层3的厚度相同。
再有，本实施例中导电体4的图形作成与整个芯片上形成电极的所谓分区型的半导体芯片相对应的图形，本发明不局限于此，也可以是与在芯片周围形成电极的所谓外围类型的半导体芯片相对应的图形。
带导电体的粘接板1的制造制造上述带导电体的粘接板1的方法不受特殊的限制，一般地，在基体材料2上，按所定的图形印刷导电体4后，涂敷粘接剂，形成粘接剂层3。导电体4的印刷方法可以用丝网印刷、或由墨水喷射方式喷涂导电体4的方法。另一方面，粘接剂的涂敷方法可以用丝网印刷、滚筒印刷、刮刀涂布机、精密模的方法。
再有，调制和涂敷上述粘接剂的时候，可以使用能够将粘接剂的各种成分均匀溶解和分散的溶剂。该溶剂只要能将各种成分均匀地溶解和分散即可，不作特殊限制，例如，可列举二甲替甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二甘醇二甲醚、甲苯、苯、二甲苯、丁酮、四氢呋喃、乙基溶纤剂、二氧杂环乙烷、环戊酮、环己酮、モノグラィム等。这些溶剂可以单独使用，或将不同种类混合起来使用。
另一方面，在基体材料2上涂敷粘接剂，形成粘接剂层3后，在该粘接剂层3中，按预定的图形埋入导电体4，制造上述的带导电体的粘接板1。埋入导电体4的方法可以用以下方法按所定的图形将导电体4在基板上形成或吸着在模具中压接；将粘接剂层压接在基板上；将导电体4埋入粘接剂层3的方法；利用墨水喷射方式将导电体4喷涂在粘接剂层3上的方法等。
上述任何一种方法中，导电体4即使埋在粘接剂中也可以。该情况下，根据粘合保护薄膜时的压床，使导电体4的上端和下端位于粘接剂层3的表面和里面。
再有，在一个基体材料2上可以并列形成多个粘接剂层3。
半导体装置的制造对使用上述带导电体的粘接板1制造半导体装置的方法进行说明。
首先，如图3所示，将半导体晶片5载置在带导电体的粘接板1的粘接剂层3上，将两者粘贴。此时，如图4所示，为了得到形成在半导体晶片5上的半导体集成电路的电极51与导电体4的导电性连接，将半导体晶片5的位置重合，半导体晶片5与带导电体的粘接板1的粘接剂层3进行粘贴。
再有，有关本实施例的带导电体的粘接板1中，由于导电体4的上端位于粘接剂层3的表面，因此若将位置重合了的半导体晶片5粘贴在粘接剂层3上，半导体晶片5的电极51与导电体4就得到导电性的连接。在此，半导体晶片5的电极51可以是被称作焊接点和导电体垫片的东西，也可以是形成在它们中的覆面金属箔，更可以是支柱。
带导电体的粘接板1的粘接剂层3上有胶粘性的情况下，可以利用其胶粘性的粘接力进行上述的粘贴。带导电体的粘接板1的粘接剂层3上没有定位钉的情况下，将粘接剂层3与半导体晶片5进行热压接粘贴为好。热压接的加热温度最好为30～300℃，特别是最好约为50～200℃，加热时间最好为1秒～10分钟，特别是约1～30秒为好，压力为1～10kg/cm2，特别是约1～5kg/cm2为好。
半导体晶片5与带导电体的粘接板1粘贴后，按所希望的进行半导体晶片5的切割。此时，可以另外准备晶片切割用粘接板，在从带导电体的粘接板1剥离基体材料2之后，在带导电体的粘接板1的粘接剂层3上粘接晶片切割用粘接板，再进行切割，也可以不使用这样的晶片切割用粘接板而进行切割。
进行上述切割后，可以根据需要通过扩展来扩大半导体芯片相互间的间隔。在使用晶片切割用粘接板的情况时，可以扩展该晶片切割用粘接板，在不使用晶片切割用粘接板，使用能扩展的基体材料的情况下，也可扩展该基体材料2。
在此，在带导电体的粘接板1的粘接剂层3上使用了上述组合物a的情况时，最好从带导电体的粘接板1的基体材料2一侧对粘接剂层3照射能量线。其能量线可使用中心波长约为365nm的紫外线和电子射线等。
作为能量线而使用紫外线时，通常设定照度为20～500mW/cm2，照射时间在0.1～150秒的范围内。此外，例如使用电子射线时，可以按照紫外线来设定各条件。再有，照射上述的能量线时，也可辅助地进行加热。
进行这种能量线照射时，半导体晶片5(或半导体芯片)与粘接剂层3的粘接力通常为50～4000g/25mm，最好提高到100～3000g/25mm。另一方面，粘接剂层3与基体材料2的粘接力较低，通常达到1～500g/25mm，最好达到100g/25mm以下。
接着，将基体材料2从上述带导电体的粘接板1的粘接剂层3剥离。在此，在带导电体的粘接板1的粘接剂层3中使用上述组合物a的情况下，如上所述进行能量线照射时，将粘接剂层3粘合留在半导体晶片5(或半导体芯片)的那一侧的情况下，能够可靠地剥离基体材料2。再有，照射能量线也可以在切割工序之前进行。
然后，如图5所示，为得到形成在基板6上的电极61与导电体4的导电性的连接，将半导体晶片5(或半导体芯片)与基板6的位置进行重合(叠加)。
再有，有关本实施例的带导电体的粘接板1中，由于导电体4的下端位于粘接剂层3的里面，与半导体晶片5(或半导体芯片)的位置重合，因此导电体4与基板61能导电性地连接。
通过该粘接剂层3将半导体晶片5(或半导体芯片)与基板6进行粘接。该粘接操作一般可以通过加热进行。加热与基板6和半导体晶片5(或半导体芯片)叠加同步进行，最好在叠加之后马上进行。此时，粘接剂层3上没有定位钉的情况下，最好在真粘接之前进行伪粘接。
伪粘接的加热温度通常在100～300℃，最好为150～250℃，其加热时间通常为1秒～10分钟、最好为1～30秒，真粘接的加热温度通常为100～300℃，最好为150～250℃，其加热时间通常为1～120分钟，最好为1～60分钟。如此进行加热，粘接剂层3的粘接剂熔融或固化，半导体晶片5(或半导体芯片)与基板6就坚固地粘接。
进行上述加热时，可以对半导体晶片5(或半导体芯片)和粘接剂层3及基板6的叠层体的厚度方向施加适当的压力，压接半导体晶片5(或半导体芯片)和基板6。如此进行压接，半导体晶片5(或半导体芯片)的电极51与导电体4，和导电体4与基板6的电极61能够可靠地连接。其压接工序特别是对带导电体的粘接板1中导电体4的上端及(或)下端不从绝缘性的粘接剂层3露出的情况有效。
在此，导电体4的熔点比上述加热温度低的情况下，例如导电体4由焊锡球和树脂构成的情况下，导电体4有时也熔融或软化变形。
在半导体晶片5还未切断的情况下，切断半导体晶片5与基板6粘接的部分，可以将芯片化部分作为半导体装置7，也可不切断而就将晶片水平部分作为半导体装置7。切断可以利用切割锯等常用的切断手段进行。如此切断得到的就成为所谓实际的芯片尺寸封装型的半导体装置。
上述说明的半导体装置的制造方法中，首先将带导电体的粘接板1粘贴在半导体晶片5上，然后粘接板6，本发明不局限于此，也可以首先将带导电体的粘接板1粘贴在基板6上，然后粘接半导体晶片5。
如上所述那样得到的半导体装置7中，由于导电体4预先埋设在粘接剂层3中，粘接剂层3能起到作为下填材料的功能，因此不需要向半导体晶片5(或半导体芯片)和基板6的间隙注入下填材料的操作，因而得到的半导体装置7中不发生因下填材料的流动性而引起缺陷的情况。
(第2实施例)对与本发明的第2实施例有关的带导电体的粘接板进行说明。图6是示出与本发明的第2实施例有关的带导电体的粘接板与半导体芯片粘贴的状态的斜视简图。
如图6所示，与第2实施例有关的带导电体的粘接板1A和与第1实施例有关的带导电体的粘接板1相同，由基体材料2A、在基体材料2A上形成的粘接剂层3A、以及埋设在粘接剂层3A中的多个导电体4A构成，但是，粘接剂层3A按与半导体芯片52相同的形状来形成，这一点和与第1实施例有关的带导电体的粘接板1不同。再有，埋设在粘接剂层3A的导电体4A按照对应于半导体芯片52上形成的半导体集成电路的电极的排列的图形而排列。
与第2实施例有关的带导电体的粘接板1A可以利用和与第1实施例有关的带导电体的粘接板1相同的方法制造，也可以在一个基体材料2A上并列多个粘接剂层3A而形成。
此外，在使用与第2实施例有关的带导电体的粘接板1A制造半导体装置的情况下，除不一定需要进行切割工序和切断半导体晶片与基板粘接的部分的工序外，可以利用与第1实施例有关的带导电体的粘接板1相同的方法来制造半导体装置。
(第3实施例)对与本发明的第3实施例有关的带导电体的粘接板进行说明。图7是与本发明的第3实施例有关的带导电体的粘接板的剖面简图，图8是示出与本实施例有关的通过带导电体的粘接板的粘接剂层粘接半导体晶片和基板的状态的剖面简图。
如图7所示，与本发明的第3实施例有关的带导电体的粘接板1B由基体材料2B、基体材料2B上形成的粘接剂层3B、埋设在粘接剂层3B中的多个导电体4B构成。本实施例中各导电体4B的上端置于比粘接剂层3B的表面更向下的位置(埋在粘接剂层3B中)，各导电体4B的下端位于粘接剂层3B的里面，本发明不局限于此，导电体4B的下端置于比粘接剂层3B的里面更向上的位置，导电体4B的上端位于粘接剂层3B的表面也可以，此外，导电体4B也可以完全埋在粘接剂层3B中。
本实施例中的粘接剂层3B具有各向导性导电性，即，具有在厚度方向上施加压力时在厚度方向显示导电性，而在平面方向上显示绝缘性的性质。因而，粘接剂层3B成为在绝缘性的基板中分散导电粒子31B。
这样的导电粒子31B可以使用由Ni、Ag、Au、Cu、焊锡等的导电性良好的金属构成的粒子；被覆有这些金属的聚合物粒子；或为了提高面方向上的绝缘性，在那些金属粒子或被覆金属的粒子上形成极薄的有机绝缘膜的物质等。
为确保各向异性导电性，导电粒子31B的平均粒径最好为1～100μm，导电粒子31B的分散量相对于基板最好为1～30vol％。
与第3实施例有关的带导电体的粘接板1B可以利用与第1实施例有关的带导电体的粘接板1相同的方法制造。此外，使用与第3实施例有关的带导电体的粘接板1B制造半导体装置的情况下，可以在半导体晶片5(或半导体芯片)及粘接剂层3B的厚度方向施加适当的压力，除在粘接剂层3B的厚度方向上发现导电性以外，可以利用与第1实施例有关的带导电体的粘接板1相同的方法制造半导体装置。
使用与第3实施例有关的带导电体的粘接板1B制造的半导体装置7B中，如图8所示，半导体晶片5(或半导体芯片)的电极51和基板6的电极61通过导电体4B及导电粒子31B的导电性的连接。
(其它实施例)上述说明的实施例是为了能简单明了地理解本发明而进行解释的，不是为了限制本发明而进行解释的。因而，上述实施例所公开的各要素包括属于本发明的技术范围之内的所有设计变更和等同物。
例如，基体材料2和2A及2B也可以具有与粘接剂层3和3A及3B相同的形状。
(实施例子)以下，利用实施例子等更具体地解释本发明，本发明的范围不受这些实施例子等所限制。
(实施例子1)带有焊锡球的粘接板的制造(粘接剂为组合物a)按重量比例计算，将丙烯酸丁酯55重量份、甲基丙烯酸甲酯10重量份、甲基丙烯酸缩水甘油20重量份及丙烯酸2-羟乙基15重量份进行聚合，调制重均分子量为90万的共聚物。
组合物a由混合按重量比例计算的以下物质得到上述共聚物10重量份；液态双酚A型环氧树脂(油化Shell环氧株式会社制 埃皮科特828)24重量份；o-甲酚酚醛清漆型环氧树脂(日本化药株式会社制EOCN-104S)10重量份；作为偶合剂的γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷0.05重量份；作为热活性型潜在性固化剂的双氰胺1.5重量份；2-苯基-4，5-羟甲基咪唑1.5重量份；作为光聚性低分子化合物的尿烷丙烯酸酯系低聚物(大日精化工业株式会社制塞卡比姆(セィカビ-ム)14-29B)5重量份；光聚合引发剂的1-环乙醇二苯甲酮0.2重量份；作为交联剂的芳香族多聚氰酸酯(日本聚亚胺酯株式会社制 可罗尼特(コロネ-ト)L)1重量份。
将用硅酮树脂进行了分型处理的单面的厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜作为剥离薄膜，在该剥离薄膜的分型处理的面上，通过丝网印刷导电糊剂(东洋纺织株式会社制DW-250H-5)，将直径为200μm的球状的导电体按与半导体集成电路的电极相同的排列而形成。接着，通过丝网印刷涂敷上述组合物a，在100℃下干燥5分钟后得到粘接剂层，在其粘接剂层的表面粘接作为基体材料的聚乙烯薄膜(其厚度为100μm，表面张力为36dyn/cm)，就得到了粘接剂层的厚度为200μm的带导电体的粘接板。将该带导电体的粘接板冲压成晶片的形状。此外，另外同样也生成了芯片尺寸的带导电体的粘接板。
(实施例子2)带导电体的粘接板的制造(粘接剂为聚酰亚胺系树脂)将用硅酮树脂进行了分型处理的单面的聚萘甲酸乙二醇脂(PEN)薄膜(厚度为25μm，表面张力为34dyn/cm)作为基体材料，在该基体材料的分型处理面上，通过丝网印刷导电糊剂(东洋纺织株式会社制DW-250H-5)，将直径为200μm的球状的导电体和半导体集成电路的电极按相同的排列形成。接着，通过丝网印刷涂敷热塑性聚酰亚胺(宇部兴产株式会社制尤匹嗒特(ユピタィト)UPA-N221)的四氢呋喃溶液(固态成分为重量的20％)，涂敷成晶片形状，在90℃下干燥5分钟，形成厚度为200μm的粘接剂层，其成为了带导电体的粘接板。
(实施例子3)带导电体的粘接板的制造(粘接剂为环氧系树脂组合物)环氧系树脂粘接剂由以下成分混合组成按重量比例计算，高分子量双酚型环氧树脂(油化Shell环氧株式会社制 埃皮科特1010)40重量份；多官能甲酚酚醛清漆型环氧树脂(日本化药株式会社制EOCN-4600)20重量份；作为热活性型潜在性固化剂的2-苯基-4，5-羟甲基咪唑1.5重量份及γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷0.1重量份。
将用硅酮树脂进行了分型处理的单面的PET薄膜(厚度为38μm，表面张力为34dyn/cm)作为基体材料，对其基体材料的分型处理面进行丝网印刷，按晶片形状涂敷上述环氧系树脂粘接剂，形成粘接剂层。另一方面，从具有与半导体集成电路的电极相同排列的孔的模具的背面进行吸引，在各孔中吸附作为直径200μm的导电体的焊锡球(Pb-635n)，并进行排列。将该模具挤压在上述粘接剂层上之后，停止吸引，在粘接剂层中埋入导电体。其后，将粘接剂层在100℃下干燥5分钟，生成粘接剂层的厚度为200μm的带导电体的粘接板。
(实施例子4)带导电体的粘接板的制造(粘接剂为各向异性导电粘接剂)将双酚A型环氧树脂(日本化药株式会社制RE-310S)100重量份、是咪唑系加合物型潜在性固化剂的第1固化剂(四国化成工业株式会社制 求搭可特(キユアダクト)P-0505)20重量份及第2固化剂(四国化成工业株式会社制求搭可特(キユアダクト)L-01B)10重量份混合，在其所得的热固性树脂100重量份中混合导电粒子(银粉末，其平均粒径为3μm)10重量份，将其分散，生成各向异性导电粘接剂。
粘接剂除使用上述各向异性导电粘接剂外，也可用与实施例子3相同的方式生成带导电体的粘接板。
(实施例子5)半导体装置的制造(粘接板实施例子1)为了将由实施例子1生成的晶片形状的带导电体的粘接板(剥下作为剥离薄膜的PET薄膜，露出粘接剂层的部分。以下相同)的导电体与形成在半导体晶片上的半导体集成电路的电极进行导电性的连接，而把带导电体的粘接板与半导体晶片位置重合，把带导电体的粘接板粘贴在半导体晶片上的同时将其固定在环状框架上。
对上述粘接剂层使用紫外线进行照射，(使用林特可(リンテック)株式会社制ADWILL RAD-2000m/8，照射条件照度为340mW/cm2，照射时间为6秒。以下相同)之后，使用切割锯(东京精密株式会社制AWD-4000B)完全切割到粘接剂层，对所得到的带有粘接剂层的芯片进行了挑选。接着，将粘接剂层的导电体和基板上的电极进行位置重合，在150℃、5kg/cm2的状态下对芯片和基板加热5秒钟，进行伪粘接，之后再在160℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将芯片和基板坚固地粘接，就生成了半导体装置。
(实施例子6)半导体装置的制造(粘接板实施例子2)为了将由实施例2生成的带导电体的粘接板的导电体与形成在半导体晶片上的半导体集成电路的电极进行导电性的连接，而将带导电体的粘接板和半导体晶片的位置进行合并，在180℃、5kg/cm2的状态下，将两者热压接30秒钟后，将上述带导电体的粘接板沿半导体晶片的形状切割。
将上述带导电体的粘接板的基体材料PEN薄膜从粘接剂层剥离，在其粘接剂层上粘贴另外准备的晶片切割用粘接板(林特可(リンテツク)株式会社制ADWILL G-11)，从而将带有其粘接剂层的半导体晶片固定在环形框架上。
使用切割锯(东京精密株式会社制AWD-4000B)完全切割到粘接剂层，对所得到的带有粘接剂层的芯片进行挑选，之后将粘接剂层的导电体与基板上的电极的位置重合。将芯片和基板在180℃、5kg/cm2的状态下加热10秒钟，进行伪粘接，之后再在200℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将芯片和基板坚固地粘接，就生成了半导体装置。
(实施例子7)半导体装置的制造(粘接板实施例子3)为了将由实施例子3生成的带导电体的粘接板的导电体与形成在半导体晶片上的半导体集成电路的电极进行导电性的连接，而将带导电体的粘接板和半导体晶片的位置进行合并，在140℃、5kg/cm2的状态下，将两者热压接30秒钟后，将上述带导电体的粘接板沿半导体晶片的形状切割。
将上述带导电体的粘接板的基体材料PET薄膜从粘接剂层剥离，在其粘接剂层上粘贴另外准备的晶片切割用粘接板(林特可(リンテツク)株式会社制ADWILL G-11)，从而将带有其粘接剂层的半导体晶片固定在环形框架上。
与实施例子6一样，进行完全切割，对所得到的带有粘接剂层的芯片进行挑选。接着，将粘接剂层的导电体和基板上的电极进行位置重合，在180℃、5kg/cm2的状态下加热5秒钟，将芯片和基板伪粘接，之后再在180℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将芯片与基板坚固地粘接，就生成了半导体装置。
(实施例子8)
半导体装置的制造(粘接板实施例子4)为了将由实施例子4生成的带导电体的粘接板的导电体与形成在半导体晶片上的半导体集成电路的电极进行导电性的连接，而将带导电体的粘接板与半导体晶片的位置合并，在150℃、5kg/cm2的状态下，将两者热压接30秒钟后，将上述带导电体的粘接板沿半导体晶片的形状切割。
其后，与实施例子7一样得到带有粘接剂层的芯片。接着，将粘接剂层的导电体与基板上的电极位置重合，在150℃、5kg/cm2的状态下加热5秒钟，将芯片和基板伪粘接，之后再在180℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将芯片与基板坚固地粘接，就生成了半导体装置。
(实施例子9)半导体装置的制造(粘接板实施例子1)为了将由实施例子1生成的晶片形状的带导电体的粘接板的导电体与形成在半导体晶片上的半导体集成电路的电极进行导电性的连接，而将带导电体的粘接板与半导体晶片位置重合，将带导电体的粘接板粘贴在半导体晶片上。
对上述带导电体的粘接板的粘接剂层照射紫外线之后，从粘接剂层剥离作为基体材料的聚乙烯薄膜，将粘接剂层的导电体与基板上的电极位置重合。将半导体晶片和基板在150℃、5kg/cm2的状态下加热5秒钟，进行伪粘接之后，再在160℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将半导体晶片与基板坚固地粘接。
接着，将另外准备的紫外线固化型晶片切割用粘接板(林特可(リンテツク)株式会社制ADWILLD-510T)粘贴在上述基板上，将带有基板的半导体晶片固定在环状框架上。然后，与实施例子6一样，进行完全切割，向上述紫外线固化型晶片切割用粘接板照射紫外线，之后对所得到的带有基板的芯片进行挑选，就生成了半导体装置。
(实施例子10)半导体装置的制造(粘接板实施例子1)为了将由实施例子1生成的晶片形状的带导电体的粘接板的导电体与基板上的电极进行导电性的连接，而将带导电体的粘接板与基板位置重合，将带导电体的粘接板粘贴在基板上。
对上述带导电体的粘接板的粘接剂层照射紫外线之后，从粘接剂层剥离作为基体材料的聚乙烯薄膜，将粘接剂层的导电体与形成在半导体晶片上的半导体集成电路的电极位置重合。将基板和半导体晶片在150℃、5kg/cm2的状态下加热5秒钟进行伪粘接之后，再在160℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将基板与半导体晶片坚固地粘接。
接着，将另外准备的紫外线固化型晶片切割用粘接板(林特可(リンテック)株式会社制ADWILL D-510T)粘贴在上述基板上，将带有基板的半导体晶片固定在环状框架上。然后，与实施例子6一样，进行完全切割，向上述紫外线固化型晶片切割用粘接板照射紫外线，之后对所得到的带有基板的芯片进行挑选，就生成了半导体装置。
(实施例子11)半导体装置的制造(粘接板实施例子1)为了将由实施例子1生成的晶片形状的带导电体的粘接板的导电体与基板上的电极进行导电性的连接，而将带导电体的粘接板和基板位置重合，将带导电体的粘接板粘贴在基板上的同时，将其固定在环状框架上。
与实施例子5一样，将带有粘接剂层的基板进行完全切割，对其粘接剂层照射紫外线之后，扩展作为带导电体的粘接板的基体材料的聚乙烯薄膜，对所其得到的带有粘接剂层的基板进行挑选。接着，将粘接剂层的导电体与另外的切割了的半导体晶片的电极位置重合，将基板和半导体芯片在150℃、5kg/cm2的状态下加热5秒钟进行伪粘接之后，再在160℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将基板与半导体芯片坚固地粘接。
(实施例子12)半导体装置的制造(粘接板实施例子1)为了将由实施例子1生成的芯片尺寸的带导电体的粘接板的导电体与另外的切割了的半导体芯片的电极进行导电性的连接，而将带导电体的粘接板与半导体芯片位置重合，将带导电体的粘接板粘贴在半导体芯片上。
对上述带导电体的粘接板的粘接剂层照射紫外线之后，从粘接剂层剥离作为基体材料的聚乙烯薄膜，将粘接剂层的导电体与基板上的电极位置重合。将半导体芯片和基板在150℃、5kg/cm2的状态下加热5秒钟，进行伪粘接之后，再在160℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将半导体芯片与基板坚固地粘接。
(实施例子13)半导体装置的制造(粘接板实施例子1)为了将由实施例子1生成的芯片尺寸的带导电体的粘接板的导电体与基板上的电极进行导电性的连接，将带导电体的粘接板与基板位置重合，将带导电体的粘接板粘贴在基板上。
对上述带导电体的粘接板的粘接剂层照射紫外线之后，从粘接剂层剥离作为基体材料的聚乙烯薄膜，将粘接剂层的导电体和另外的切割了的半导体芯片的电极位置重合。将基板和半导体芯片在150℃、5kg/cm2的状态下加热5秒钟进行伪粘接，之后，再在160℃下加热60分钟，通过上述粘接剂层将基板与半导体芯片坚固地粘接。
(试验例)对于实施例子5～13所得到的半导体装置，在121℃、100％RH、2个大气压力及168小时的条件下进行了蒸气加压试验(Pressure Cooker Test)时，任何一种半导体装置都不发生裂纹等。
如上说明所述，按照本发明，能得到不因下填材料的流动性而产生缺陷的半导体装置。
权利要求
1.一种带导电体的粘接板，其特征在于具有基体材料，在所述基体材料上形成的粘接剂层，及对应于半导体集成电路的电极和基板的电极而排列并埋设在所述粘接剂层的导电体，构成所述粘接剂层的粘接剂示出分级的粘接性。
2.如权利要求1中所述的带导电体的粘接板，其特征在于所述导电体的上端和/或下端实质上位于所述粘接剂层的表面和/或里面。
3.如权利要求1或2所述的带导电体的粘接板，其特征在于所述带导电体的粘接板的大小对应于半导体晶片，所述导电体与形成在所述半导体晶片上的多个半导体集成电路的电极相对应地排列。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括以下工序将所述半导体芯片或半导体晶片与所述带导电体的粘接板粘贴，以便电连接在半导体芯片或半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极和如权利要求1～3的任一项所述的带导电体的粘接板的导电体；从所述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料；为了电连接埋设在所述粘接剂层中的导电体和基板的电极，将所述粘接剂层与所述基板位置重合，并将所述半导体芯片或半导体晶片与所述基板粘接。
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括以下工序为了电连接基板的电极和如权利要求1～3的任一项所述的带导电体的粘接板的导电体，将所述基板和所述带导电体的粘接板粘贴；从所述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料；为了电连接在半导体芯片或半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极与埋设在所述粘接剂层中的导电体，将所述半导体芯片或半导体晶片与所述粘接剂层位置重合，并把所述基板与所述半导体芯片或半导体晶片粘接。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括以下工序为了电连接在半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极与如权利要求3所述的带导电体的粘接板的导电体，将所述半导体晶片与所述带导电体的粘接板粘贴；从所述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料；为了电连接埋设在所述粘接剂层的导电体与基板的电极，将所述粘接剂层与所述基板位置重合，并把所述半导体晶片与所述基板粘接；切断所述半导体晶片与基板粘接的部分，生成半导体装置。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括以下工序为了电连接基板的电极与如权利要求3所述的带导电体的粘接板的导电体，将所述基板与所述带导电体的粘接板粘贴；从所述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料；为了电连接在半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极与埋设在所述粘接剂层中的导电体，将所述半导体晶片与所述粘接剂层位置重合，并把所述基板与所述半导体晶片粘接；切断所述基板与半导体晶片粘接的部分，生成半导体装置。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括以下工序为了电连接在半导体晶片上形成的半导体集成电路的电极与如权利要求3所述的带导电体的粘接板的导电体，将所述半导体晶片与所述带导电体的粘接板粘贴；与所述带导电体的粘接板的粘接剂层一起切断所述半导体晶片，生成半导体芯片；按需要来扩展所述半导体芯片相互间的间隔；从所述带导电体的粘接板的基体材料剥离带有粘接剂层的半导体芯片；为了电连接埋设在所述粘接剂层中的导电体与基板的电极，将所述粘接剂层与所述基板位置重合，并把所述半导体芯片与所述基板粘接。
9.如权利要求4～8的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于还包括下述工序在从所述带导电体的粘接板的粘接剂层剥离基体材料的工序之前，将对所述粘接剂层的所述半导体芯片、半导体晶片或基板的粘接力提高到相对于对所述粘接剂层的所述基体材料的粘接力高。
10.一种利用如权利要求4～9的任一项所述的制造方法制造的半导体装置。
11.一种半导体装置，包括半导体芯片；通过粘接层粘接到所述半导体芯片的基板；所述粘接层中电连接形成在所述半导体芯片上的半导体集成电路的电极和所述基板的电极的导电体；其特征在于所述粘接层是对埋设了所述导电体的粘接剂层进行固化所得到的。
全文摘要
提供一种不因下填材料的流动性而产生缺陷的半导体装置、其制造方法、以及有关的为制造该半导体装置而使用的粘接板。将具有基体材料(2)、在基体材料(2)上形成的粘接剂层(3)、埋设在粘接剂层(3)中的导电体(4)的带导电体的粘接板(1)粘贴在半导体晶片上之后,从该带导电体的粘接板(1)的粘接剂层(3)剥离基体材料(2),接着,将粘接剂层(3)与基板位置重合,通过粘接剂层(3)粘接半导体晶片和基板,生成半导体装置。
文档编号H01L21/68GK1387244SQ0212467
公开日2002年12月25日 申请日期2002年3月29日 优先权日2001年3月30日
发明者山崎修, 江部和义 申请人:琳得科株式会社