专利名称：双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电阻装置，特别是一种双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置。可供应用于高频电路的低电感电阻，并可平面化或积层化，以供各种高频电路选择应用。
背景技术：
传统制作低电感电阻装置的方法，是以绝缘材料构成圆筒型核心或其他筒形核心，并在其上将电阻材料作双向逆绕构成，其缺点为(1)占用空间大；(2)无法薄膜化以供制成积层电路。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，针对现有技术的上述不足，而提供一种占用空间小，可薄膜化以供制成积层电路的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置。
本发明所提供的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置是由如下技术方案来实现的。
一种双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是为单层或多层呈互逆螺旋布设的电阻体，包括由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属材料卷绕式的电阻材料，呈双向阿基米德螺旋布设或逆向弯折布设，并可依需要制成单层或多层结构，使其磁力线互相抵消，降低电阻器的电感提供高频电路需求，其电阻为藉由涂布层或薄膜状或陶瓷式或金属材料卷绕式的电阻材料，包括一般电阻性材料或正温度系数电阻材料，或负温度系数电阻材料，而呈双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置弯折布设，并可依需要制成单层或多层的结构，以使其磁力线互相抵消，大幅降低电阻器的电感；其主要包含绝缘载体[101]为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成的绝缘膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]；呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]为由具电阻性质材料构成的涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷绕式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径设置于绝缘载体[101]的表面，电阻体路径中具有中间反向折返点[103]，而电阻体路径起点[104]与电阻体路径终点[105]，作为此项双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置的对外连接介面；藉着上述呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体，使其磁力线互相抵消，以降低电阻器的电感值。
除上述必要技术特征外，在具体实施过程中，还可补充如下技术内容进一步为多层化全结构，包括两层或三层或三层以上的多层结构所构成，其两层积层结构的主要构成如下绝缘载体[101]、[201]为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成的绝缘膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]、[202]；呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]、[202]为由具电阻性质材料构成全涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷线式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径布设于绝缘载体[101]、[201]的表面，其中呈双向阿基米德螺旋状布设的第一层电阻体[102]的电阻体路径起点[104]，与呈双向阿基米德螺旋状布设的第二层电阻体[202]的电阻体路径起点[204]相连接导通，电阻体路径中第一层电阻体具有中间反向折返点[103]、第二层电阻体具有中间反向折返点[203]，而由第一层电阻体路径终点[105]及第二层电阻体路径终点[205]构成对外的连接介面。
其三层(奇数)积层结构的主要构成如下绝缘载体[101]、[201]、[301]为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成的绝缘膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[103]、[202]、[302]；呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]、[202]、[302]为由具电阻性质材料构成的涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷绕式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径布设于绝缘载体[101]、[201]、[301]的表面，其中第一层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]，其电阻体路径起点[104]与第二层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[202]的电阻体路径起点[204]相连接导通，而第二层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[202]，其电阻体路径终点[205]与第三层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[302]的电阻体路径终点[305]连接导通；电阻体路径中第一层电阻体具有中间反向折返点[103]、第二层电阻体具有中间反向折返点[203]、第三层电阻体具有中间反向折返点[303]，而以第一层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]的电阻体路径终点[105]及第三层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[302]的电阻体路径起点[304]对外的连接介面。
其多层式结构中，多层的双向阿基米德螺旋状的路径布设的电阻间的关系包括各层双向阿基米德螺旋状的路径布设的电阻的叠积位置为呈同形状或不同形状，或呈同尺寸或不同尺寸，或呈同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的同相位布设关系，或呈同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的逆相位布设关系，或呈同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的不同相位布设关系。
其多层式结构中，各层的双向阿基米德螺旋状的路径布设的电阻间的关系包括多层积层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体为设置于绝缘载体的两面，或由多层绝缘载体各别布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体再叠积为积层结构，各积层与积层间为预留间隙以供作通风冷却的考虑，或为无间隙的密接或封装结构，以供作结构的选择。
其结构进一步为单面单弯折单层布设，除含有绝缘载体[101]、及由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料构成的电阻体及连接介面所构成，其中电阻体[102]，为呈U形布设于绝缘载体的单边，两呈条形电阻体为以U型的弯折为折返点[103]，而两条状电阻体并呈紧密靠近，使其磁力线互相抵消以减少电感；而两条状电阻体的接脚 、 则供作对外连接介面。
其结构进一步为单层单弯折双面布设，除含有绝缘载体[101]、及由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料构成的电阻体及连接介面所构成，其中电阻体[102]，为呈U形布设于单层绝缘载体[101]的双面，而其折返点[103]为位于绝缘载体两面电阻体同侧端的串联连接点；而两电阻体的接脚 、 则供作对外连接介面。
其结构进一步为多层结构多弯折叠设，除含有多层绝缘载体及由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料所构成的电阻体及连接介面所构成，其中第一层电阻体[102]为呈U型布设于绝缘载体[101]的两边，而其折返点[103]为位于绝缘载体[101]两面所设电阻体[102]同侧端的串联连接点；其第二层电阻体[202]为呈U型布设于绝缘载体[201]的两边，而其折返点[203]为位于绝载体[201]两面所设电阻体[202]同侧端的串联连接点；其多层结构中各层相叠的电阻体间设有绝缘体[106]，而叠合时相邻电阻体的接脚 、 为呈串接而外侧的电阻体接脚 及 则供作对外连接介面。
其结构进一步为电阻体两面具挠性绝缘载体而呈卷绕式结构，为呈薄片或薄膜状的挠性电阻体[102]两边设有挠性的绝缘载体[101]，而电阻体[102]于绝缘载体[101]上呈双向阿基米德螺旋状的布设，而以其核心为折返点[103]，其两外侧接脚 、 则供作对外连接的介面。
本发明的优点在于本发明藉由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属材料卷绕式的电阻材料，包括一般电阻性材料或正温度系数(PTC)电阻材料，或负温度孙数(NTC)电阻材料，而呈双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置弯折布设，并可依需要制成单层或多层的结构，以使其磁力线互相抵消，大幅降低电阻器的电感。
以下配合附图详细说明本发明的特征及优点
图1为本发明具方形分布电阻体路径单层实施例示意图。
图2为本发明具圆型分布电阻体路径单层实施例示意图。
图3为本发明的三角型路径单层实施例示意图。
图4为以图1实施例为基础的两层积层结构实施例示意图。
图5为以图1实施例为基础的三层积层结构实施例示意图。
图6为本发明电阻体呈同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠全同相位布设关系结构示意图。
图7为本发明电阻体呈同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的逆相位布设关系结构示意图。
图8为本发明电阻体呈90°电机角差布设例结构示意图。
图9为本发明单面单弯折单层布设实施例示意图。
图10为本发明单层单弯折双面布设实施例。
图11为本发明多层结构多弯折叠布设实施例。
图12为本发明电阻体两面具挠性绝缘载体而呈卷绕式结构实施例示意图。
具体实施例方式
此项双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其双向阿基米德螺旋的布设路径，可为方形、或圆形、或三角形、或其他几何形状。
如图1、图2及图3所示实施例，其主要构成含绝缘载体101为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成的绝缘膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体102
呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体102为由具电阻性质材料构成的涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷绕式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径设置于绝缘载体101的表面，电阻体路径中具有中间反向折返点103，而电阻体路径起点104与电阻体路径终点105，作为此项双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置的对外连接介面藉着上述呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体，使其磁力线互相抵消，以降低电阻器的电感值。
此项双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置进一步可为多层化的结构，包括两层、或三层、或三层以上全多层结构所构成，以两层代表双数层，三层代表奇数多数层为例，说明如下图4为以图1实施例为基础的两层积层结构实施例示意图。
图4的实施例的主要构成如下一一绝缘载体101、201；为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成全绝缘膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体102、202一一呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体102、202为由具电阻性质材料构成的涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷饶式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径布设于绝缘载体101、201的表面，其中呈双向阿基米德螺旋状布设的第一层电阻体102的电阻体路径起点104，与呈双向阿基米德螺旋状布设的第二层电阻体202的电阻体路径起点204相连接导通，电阻体路径中第一层电阻体具有中间反向折返点103、第二层电阻体具有中间反向折返点203，而由第一层电阻体路径终点105及第二层电阻体路径终点205构成对外的连接介面。
如图5实施例，其主要构成如下
一一绝缘载体101、201、301为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成的膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体102、202、302；一一呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体102、202、302为由具电阻性质材料构成的涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷绕式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径布设于绝缘载体101、201、301的表面，其中第一层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体102，其电阻体路径起点104与第二层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体202的电阻体路径起点204相连接导通，而第二层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体202，其电阻体路径终点205与第三层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体302的电阻体路径终点305连接导通；电阻体路径中第一层电阻体具有中间反向折返点103、第二层电阻体具有中间反向折返点203、第三层电阻体具有中间反向折返点303，而以第一层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体102的电阻体路径终点105及第三层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体302的电阻体路径起点304为对外的连接介面。
图4及图5所述的多层式结构中，多层的双向阿基米德螺旋状的路径布设的电阻间的关系包括(1)同形状或不同形状；(2)同尺寸或不同尺寸(3)同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的同相位布设关系，如图6所示；(4)同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的逆相位布设关系，如图7所示；(5)同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的不同相位布设关系，如图8所示为其呈90°电机角差布设例结构示意图，其他电机角差关系可依此类推；(6)多层积层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体可为设置于绝缘载体的两面，或由多层绝缘载体各别布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体再叠积为积层结构，各积层与积层间可预留间隙以作通风冷却的考虑，或为无间隙的密接或封装结构，以作结构的选择。
图9所示为本发明单面单弯折单层布设实施例示意图，除含有绝缘载体101、及由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料构成的电阻体及连接介面所构成，其特征为电阻体102，为呈U形布设于绝缘载体的单边，两呈条形电阻体为以U型的弯折为折返点103，而两条状电阻体并呈紧密靠近，使其磁力线互相抵消以减少电感。而两条状电阻体的接脚1040、1050则供作对外连接介面。
图10所示为本发明单层单弯折双面布设实施例，除含有绝缘载体101、及由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料构成的电阻体及连接介面所构成，其特征为电阻体102，为呈U形布设于单层绝缘载体101的双面，而其折返点103为位于绝缘载体两面电阻体同侧端的串联连接点；而两电阻体的接脚1040、1050则供作对外连接介面。
图11所示为本发明多层结构多弯折叠布设实施例，除含有多层绝缘载体及由涂饰层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料所构成的电阻体及连接介面所构成，其特征为第一层电阻体102为呈U型布设于绝缘载体101的两边，而其折返点103为位于绝缘载体101两面所设电阻体102同侧端的串联连接点；其第二层电阻体202为呈U型布设于绝缘载体201的两边，而其折返点203为位于绝缘载体201两面所设电阻体202同侧端的串联连接点；其多层结构中各层相叠的电阻体间设有绝缘体106，而叠合时相邻电阻体的接脚1050、2040为呈串接；而外侧的电阻体接脚1040及2050则供作对外连接介面。
图12所示为本发明电阻体两面具挠性绝缘载体而呈卷绕式结构实施例示意图；为呈薄片或薄膜状的挠性电阻体102两边设有挠性的绝缘载体101，而电阻体102于绝缘载体101上呈双向阿基米德螺旋状的布设，而以其核心为折返点103，其两外侧接脚1040、1050则供作对外连接的介面。
综合上述，此项双向阿基米德螺旋状布设的低感电阻装置，首创以双向阿基米德螺旋的路径布设电阻材料，使高频低电感电阻平面化及可积层化为其进步性所在，创意新颖，功能确切，爰提专利申请，请依法核审为祈。
权利要求
1.一种双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是为单层或多层呈互逆螺旋布设的电阻体，包括由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属材料卷绕式的电阻材料，呈双向阿基米德螺旋布设或逆向弯折布设，并可依需要制成单层或多层结构，使其磁力线互相抵消，降低电阻器的电感提供高频电路需求，其电阻为藉由涂布层或薄膜状或陶瓷式或金属材料卷绕式的电阻材料，包括一般电阻性材料或正温度系数电阻材料，或负温度系数电阻材料，而呈双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置弯折布设，并可依需要制成单层或多层的结构，以使其磁力线互相抵消，大幅降低电阻器的电感；其主要包含绝缘载体[101]为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成的绝缘膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]；呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]为由具电阻性质材料构成的涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷绕式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径设置于绝缘载体[101]的表面，电阻体路径中具有中间反向折返点[103]，而电阻体路径起点[104]与电阻体路径终点[105]，作为此项双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置的对外连接介面；藉着上述呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体，使其磁力线互相抵消，以降低电阻器的电感值。
2.根据权利要求1所述的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是进一步为多层化全结构，包括两层或三层或三层以上的多层结构所构成，其两层积层结构的主要构成如下绝缘载体[101]、[201]为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成的绝缘膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]、[202]；呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]、[202]为由具电阻性质材料构成全涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷线式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径布设于绝缘载体[101]、[201]的表面，其中呈双向阿基米德螺旋状布设的第一层电阻体[102]的电阻体路径起点[104]，与呈双向阿基米德螺旋状布设的第二层电阻体[202]的电阻体路径起点[204]相连接导通，电阻体路径中第一层电阻体具有中间反向折返点[103]、第二层电阻体具有中间反向折返点[203]，而由第一层电阻体路径终点[105]及第二层电阻体路径终点[205]构成对外的连接介面。
3.根据权利要求1所述的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是其三层积层结构的主要构成如下绝缘载体[101]、[201]、[301]为由软性、或挠性、或硬性绝缘材料构成的绝缘膜或基板状，或其他结构形态以供布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[103]、[202]、[302]；呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]、[202]、[302]为由具电阻性质材料构成的涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属卷绕式电阻，而呈方型、或圆型、或三角形、或其他几何形状的双向阿基米德螺旋状的路径布设于绝缘载体[101]、[201]、[301]的表面，其中第一层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]，其电阻体路径起点[104]与第二层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[202]的电阻体路径起点[204]相连接导通，而第二层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[202]，其电阻体路径终点[205]与第三层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[302]的电阻体路径终点[305]连接导通；电阻体路径中第一层电阻体具有中间反向折返点[103]、第二层电阻体具有中间反向折返点[203]、第三层电阻体具有中间反向折返点[303]，而以第一层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[102]的电阻体路径终点[105]及第三层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体[302]的电阻体路径起点[304]对外的连接介面。
4.根据权利要求1所述的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是其多层式结构中，多层的双向阿基米德螺旋状的路径布设的电阻间的关系包括各层双向阿基米德螺旋状的路径布设的电阻的叠积位置为呈同形状或不同形状，或呈同尺寸或不同尺寸，或呈同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的同相位布设关系，或呈同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的逆相位布设关系，或呈同形状、同尺寸，呈完全同位置重叠的不同相位布设关系。
5.根据权利要求1所述的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是其多层式结构中，各层的双向阿基米德螺旋状的路径布设的电阻间的关系包括多层积层呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体为设置于绝缘载体的两面，或由多层绝缘载体各别布设呈双向阿基米德螺旋状布设的电阻体再叠积为积层结构，各积层与积层间为预留间隙以供作通风冷却的考虑，或为无间隙的密接或封装结构，以供作结构的选择。
6.根据权利要求1所述的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是其结构进一步为单面单弯折单层布设，除含有绝缘载体[101]、及由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料构成的电阻体及连接介面所构成，其中电阻体[102]，为呈U形布设于绝缘载体的单边，两呈条形电阻体为以U型的弯折为折返点[103]，而两条状电阻体并呈紧密靠近，使其磁力线互相抵消以减少电感；而两条状电阻体的接脚[1040]、[1050]则供作对外连接介面。
7.根据权利要求1所述的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是其结构进一步为单层单弯折双面布设，除含有绝缘载体[101]、及由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料构成的电阻体及连接介面所构成，其中电阻体[102]，为呈U形布设于单层绝缘载体[101]的双面，而其折返点[103]为位于绝缘载体两面电阻体同侧端的串联连接点；而两电阻体的接脚[1040]、[1050]则供作对外连接介面。
8.根据权利要求1所述的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是其结构进一步为多层结构多弯折叠设，除含有多层绝缘载体及由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属电阻材料所构成的电阻体及连接介面所构成，其中第一层电阻体[102]为呈U型布设于绝缘载体[101]的两边，而其折返点[103]为位于绝缘载体[101]两面所设电阻体[102]同侧端的串联连接点；其第二层电阻体[202]为呈U型布设于绝缘载体[201]的两边，而其折返点[203]为位于绝载体[201]两面所设电阻体[202]同侧端的串联连接点；其多层结构中各层相叠的电阻体间设有绝缘体[106]，而叠合时相邻电阻体的接脚[1050]、[2040]为呈串接而外侧的电阻体接脚[1040]及[2050]则供作对外连接介面。
9.根据权利要求1所述的双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，其特征是其结构进一步为电阻体两面具挠性绝缘载体而呈卷绕式结构，为呈薄片或薄膜状的挠性电阻体[102]两边设有挠性的绝缘载体[101]，而电阻体[102]于绝缘载体[101]上呈双向阿基米德螺旋状的布设，而以其核心为折返点[103]，其两外侧接脚[1040]、[1050]则供作对外连接的介面。
全文摘要
一种双向阿基米德螺旋布设的低感电阻装置，为揭示一种以单层或多层呈互逆螺旋布设的电阻体，包括由涂布层、或薄膜状、或陶瓷式、或金属材料卷绕式的电阻材料，呈双向阿基米德螺旋布设或逆向弯折布设，并可依需要制成单层或多层结构，使其磁力线互相抵消，降低电阻器的电感提供高频电路需求。
文档编号H01C7/00GK1538466SQ0312197
公开日2004年10月20日 申请日期2003年4月18日 优先权日2003年4月18日
发明者杨泰和 申请人:杨泰和