专利名称：可提高发光作用区域的发光元件的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种发光元件，尤指一种可提高发光作用区域以有效提高发光亮度及使用寿命的发光元件。
背景技术：
发光二极管(LED；Light-Emitting Diode)由于具备有寿命长、体积小、发热量低、耗电量少、反应速度快、无幅射及单色性发光的特性及优点，因此被广泛应用于指示灯、广告看板、交通信号灯、汽车车灯、显示器面板、通讯器具、消费电子等各项产品中。
常用发光元件，例如平面型发光二极管，如图1A及图1(B)所示，其发光元件10主要是在一LED基板11上依序形成有由一第一材料层131及一第二材料层135所组合而成的磊晶层13，且在第一材料层131与第二材料层135之间以自然形成有一具有发光效果的PN界面133。为了让工作电源可顺利通过PN界面133，因此，必须移除部分第二材料层136及部分PN界面137，其部分截面积长度至少为H1(而剩下有效作用区域长度为H2)，致使部分第一材料层131上表面可予以裸露，而第一电极17即可固设于该裸露的第一材料层131部分表面。又，为了让工作电流可均匀分布，因此在剩余的第二材料层135表面设有一透明接触层(TCL)19，再于透明接触层19上表面 固设一第二电极15，第一电极17与第二电极15问形成一可通过PN界面133的导电电路，借此以产生正面投射光源L1。
虽然，常用平面型发光元件10可借由PN界面133以产生正面投射光源L1，但其还是存在有下列缺点1.PN界面133所产生的正面投射光源L1将有部分被第二电极15所阻隔且吸收，相对将降低发光元件10的输出光通量及亮度。
2.为了第一电极17的安置而必须移除部分PN界面137，相对将损失部分发光作用区域H1，因此也将降低发光亮度。
3.为了第一电极17的安置而必须移除部分第二材料层135，造成第一电极17与第二电极15不在同一水平位置，如此将提高后续制作上的困难。
4.由于部分PN界面137将被移除，相对其发光作用区域将受到挤压，不仅工作高温容易集中在某个区域范围内，因此而降低元件的使用寿命，且亦不适用于高功率发光元件。
为此，业界发展出另一种常用发光元件，如第2图所示，是为一覆晶发光二极管(Flip Chip LED)，覆晶发光二极管20主要是将先前的平面型发光元件(10)予以倒置，第一电极17及第二电极150再分别借由一第一导电凸块(例如锡球)279及第二导电凸块259而与一设于一基板29上的第一导电线路297及第二导电线路295电性连接。如此，第一导电线路297、第一导电凸块279、第一电极17及第二电极150、第二导电凸块259、第二导电线路295即可形成一导电通路，并提供PN界面133工作电流，而PN界面133所产生的背面投射光源L2即可经由LED基板11方向投射出去，完全不被第二电极150所阻隔且吸收，借此以提高输出光通量及亮度。
又，第二电极150可选用具有反光效果的导电材料所制成，或者在磊晶层13与第二电极150之间设有一反光层155，如此即可将PN界面133所产生的正面投射光源(L1)反射导引至正确出光位置，以成为一反射光L4。
虽然，常用覆晶发光二极管可以获得较佳的发光导出效率，但其还是有下列的构造缺憾1.为了第一电极17的安置还是必须移除部分PN界面(137)，相对将损失部分发光作用区域及降低发光亮度。
2.为了第一电极17的安置还是必须移除部分第二材料层(136)，造成第一电极17及第二电极150不在同一水平位置，相对将增加后续制作上的困难。
3.由于部分PN界面(137)将被移除，相对其发光作用区域将受到挤压，不仅工作高温容易集中在某个区域范围内，而降低发光元件的使用寿命，且亦不适用于高功率发光元件。
4.第一电极17及第二电极15不在同一水平位置，相对其第一导电凸块279与第二导电凸块259的体积大小也不相同，形成制作上的困难度。
5.覆晶发光元件需要植球机及锡球对准技术，不仅技术层次较高，且将大幅提高制作成本。
发明内容
为此，如何设计出一种新颖的发光元件，不仅可有效均匀分布工作电流密度，以提高发光导出效率及发光亮度，且，第一电极及第二电极又可自然位于同一水平高度，而有利于后续的制作，此即为本发明的发明重点。
本发明的主要目的，在于提供一种可提高发光作用区域的发光元件，可有效解决上述常用发光元件所面临的技术困难点。
本发明的次要目的，在于提供一种可提高发光作用区域的发光元件，可大幅降低第二材料层及PN界面的移除面积，借此以有效提高发光作用区域及发光导出效率。
本发明的又一目的，在于提供一种可提高发光作用区域的发光元件，第一电极与第二电极可位于同一水平位置，而有利于后续制作的进行。
本发明的又一目的，在于提供一种可提高发光作用区域的发光元件，借由较大面积的发光作用区域，不仅可有效提高发光元件的使用寿命，亦可适用于高功率发光元件。
为达上述目的，因此，在本发明的一较佳实施例中，其主要构造是包括有一种可提高发光作用区域的发光元件，其主要构造是包括有一LED基板；一磊晶层，包括有一第一材料层及一第二材料层，其中第一材料层是形成于LED基板上表面，第二材料层再形成于第一材料层上表面，第一材料层与第二材料层之间则自然形成有一PN界面；至少一第一延伸凹槽，可贯穿第二材料层，并延伸至第一材料层的部分体积，第一延伸凹槽内再依序设有一凹槽隔离层及一第一延伸电极，而第一延伸电极则可借由凹槽隔离层而与第二材料层电性隔离；一第一电极，隔着一表面隔离层而固设于第二材料层的部分上表面，且可与第一延伸电极电性连接；及一第二电极，固设于第二材料层的其他部分上表面。
图1(A)是常用平面型发光元件的构造截面图；图1(B)是常用平面型发光元件的构造俯视图；图2是常用覆晶发光元件的构造截面图；图3(A)是本发明发光元件一较佳实施例的构造截面图；图3(B)是本发明如图3(A)所示实施例的构造俯视图；图4(A)是本发明发光元件又一实施例的构造截面图；图4(B)是本发明如图4(A)所示实施例的构造俯视图；图5(A)是本发明发光元件又一实施例的构造截面图；图5(B)是本发明如图5(A)所示实施例的构造俯视图；图6是本发明应用于覆晶发光元件的构造截面图；图7(A)是本发明又一实施例的构造截面图；图7(B)是本发明如图7(A)所示实施例的构造俯视图；图8(A)是本发明又一实施例的构造截面图；图8(B)是本发明如图8(A)所示实施例的构造俯视图；图9(A)是本发明又一实施例的构造截面图；图9(B)是本发明如图9(A)所示实施例的构造俯视图；图10(A)是本发明又一实施例的构造截面图；图10(B)是本发明如图10(A)所示实施例的构造俯视图；及图11是本发明又一实施例的构造截面图。
具体实施例方式
首先，请参阅图3(A)及图3(B)，是分别为本发明发光元件一较佳实施例的构造截面图及俯视图；如图所示，本发明发光元件30主要是在一LED基板31上依序形成有一由一第一材料层331及一第二材料层335所组合而成的磊晶层33，第一材料层331形成于LED基板31上表面后，再于其上表面形成第二材料层335，且在第一材料层331与第二材料层335之间自然形成有一PN界面或发光区333，如此可成为一平面型发光二极管。于第二材料层335的适当位置上凿设有至少一可贯穿第二材料层335及部分第一材料层331的第一延伸凹槽371，并于第一延伸凹槽371内表面及第一电极37预设位置上个别设有一具绝缘特性的凹槽隔离层377及表面隔离层379，在凹槽隔离层377内再设有一具有导电特性的第一延伸电极375，第一延伸电极375可与一设于表面隔离层379上表面的第一电极37电性连接，而第一电极37的部分体积是位于表面隔离层379的垂直延伸位置。又，为了让工作电流可均匀分布，因此在剩余的第二材料层335表面设有一欧姆接触层或透明接触层(TCL)39，再于透明接触层39上表面设有一第二电极35。
由于，本发明可利用第一延伸凹槽371及第一延伸电极375而将第一电极37的导电线路延伸至第一材料层331，并不像常用构造般需要凿设或移除大面积的第二材料层(136)及PN界面(137)。所以，第一电极37是置设于第二材料层335部分上表面的垂直延伸位置，而与第二电极35具有近似或相同的水平位置，与常用第一电极(17)与第二电极(15)为凹凸不平的情况截然不同，因此可有利于后续制作的进行。
再者，请参阅图4(A)及图4(B)，是为本发明又一实施例的构造截面图及俯视图；如图所示，其主要是设计将上述实施例的正面光源导引至正确的出光位置，因此，其可将第一电极370、第二电极350以大面积方式整个覆盖于第二材料层335的上表面，且分别由一具有导电及反光功能的材质所制成。其中，第一电极370与第二材料层335之间设有一表面隔离层379，且第一电极370可借由第一延伸电极375而与第一材料层331形成一电性连接关系。又，第一延伸电极375、第一延伸凹槽371及凹槽隔离层377可以直线或圆形等各种几何图形态样分布于表面隔离层379各个位置，充分达到工作电流均匀分布以提高发光亮度、延长使用寿命、适用于高功率发光元件的目的。
又，由于第一电极370及第二电极350具有反光的功效，因此，PN界面所产生的正面光源将受到第一电极370或第二电极350的反射以成为一反射光源L4，而被导引至正确的出光方向。又，为了让PN界面的作用区域可更为扩大，因此在第二材料层335的上表面尚可设有一透明接触层(TCL)或欧姆接触层355，以利于作用电流可通过第一电极370垂直延伸位置的PN界面，且用以产生背面光L3。当然，该欧姆接触层355亦可为一具有反光功能的材质所制成，或者就直接为一反光层，同样可将PN界面所产生的正面光源反射，以成为一反射光源L4。
又，请参阅图5(A)及图5(B)，是为本发明又一实施例的构造截面图及俯视图；如图所示，其主要是将图3(A)所示实施例的第二电极352整个覆盖于第二材料层335的大部分上表面，而剩余部分位置则设有表面隔离层379，且在表面隔离层379的作用范围内同样设有第一延伸凹槽371、凹槽隔离层377及第一延伸电极375，如此，PN界面所产生的正面光源即可直接受到第二电极352的反射作用而导引至正确的出光方向，以成为一反射光源L4。
另外，请参阅图6，是为本发明又一实施例的构造截面图；如图所示，在此实施例中，其主要是将上述实施例的发光元件(40)予以倒置，致使第一电极370可借由第一导电凸块479而与一设于一基板49上的第一导电线路497电性连接，又，第二电极350则借由第二导电凸块459而与一设于该基板49上的第二导电线路495电性连接，如此，即可成为一覆晶发光二极管(FlipChipU0)。
当然，其第一导电凸块479及第二导电凸块459是可为一具有导电特性的焊料材质、锡球、含金属物质或任何导电物质所制成，而基板49则可选择为一陶瓷、玻璃、氮化铝、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、尿素树脂、塑胶、金刚石、氧化铍、氮化硼、电路板、印刷电路板、PC板或含金属化合物。
由于，本发明的发光元件50具有近似或相同水平位置的第一电极370及第二电极350，因此，其后续制作上所需要的第一导电凸块479及第二导电凸块459则可设为具有相同大小体积者，如此不仅可方便制作的进行，又可因为第一导电凸块479及第二导电凸块459两边作用力状况相同，而不致于发生发光元件50偏斜的状况，借此以相对提高元件的工作稳定度。
而且，由于发光元件50的发光区或PN界面333并未移除太大的作用区域，因此，除了与常用覆晶发光二极管构造一般可以产生背面投射光源L2及反射光源L4外，其亦可增加一背面投射光源L3，不仅相对增加其发光亮度，亦可因为发光作用区域范围的增加，而相对降低某一区域范围内工作电流的电流密度及工作高温，借此以有效提升发光元件的使用寿命。
接续，请参阅图7(A)及图7(B)，是分别为本发明又一实施例的构造截面图及俯视图；如图所示，在此实施例中，主要是在发光元件60的第二材料层335上紧邻第一电极57预设位置凿设有一可贯穿第二材料层335及部分第一材料层331的隔离凹槽576，隔离凹槽576内又可选择设有一可增加绝缘功效的隔离层577，以取代上述实施例的凹槽隔离层377或表面隔离层379。在隔离凹槽576的一侧边同样设有一第一延伸凹槽571及第一延伸电极575，而且第一延伸电极575可与设于第二材料层335部分表面的第一电极57电性连接。
在此实施例中，为了让工作电流可均匀分布，因此在第二材料层335部分表面可设有一透明接触层(TCL)或欧姆接触层39，再于透明接触层(TCL)或欧姆接触层39部分表面固设该第二电极35。又，隔离凹槽576可设于第二材料层335的适当位置，而沿着隔离凹槽576的侧边设有第一电极57，而第一电极57的部分位置可延伸设有至少一可贯穿第二材料层335及部分第一材料层331的第二延伸电极578或第三延伸电极579，借此可让工作电流分布更为均匀。由于在此实施例中，主要是利用隔离凹槽576以作为第一电极57与第二电极35隔离的目的，因此，第一电极57与第二电极35皆可设置于第二材料层335的部分上表面，具有同一水平高度，而有利于后续制作流程的进行。
当然，第二延伸电极578或第三延伸电极579是可选择为一点状、长条状、环状、圆形、矩形、直线、半环形或其组合式形状，例如在此实施例中，第二延伸电极578为一点状态样，而第三延伸电极579则为一包覆整个侧边的长条状态样。
另外，请参阅图8(A)及图8(B)，是分别为本发明又一实施例的构造截面图及构造俯视图；如图所示，其主要是将上述实施例的第一电极570、第二电极350以大面积方式覆盖于第二材料层335的上表面。其中，第一电极570可借由第一延伸电极575而与第一材料层331形成一电性连接关系。又，第一延伸电极575、第二延伸电极578及第三延伸电极579可以直线或圆形等各种几何图形态样分布于第二材料层335的一侧边，且与第一电极570电性连接。
当然，借由第一电极570、第二电极350的反光效果、或在第二材料层335与第二电极350之间所设置的反光层、欧姆接触层或透明接触层355，同样可将PN界面所产生的正面光源予以反射，以成为一反射光源L4，而有利于发光亮度的提升。
又，请参阅图9(A)及图9(B)，是分别为本发明又一实施例的构造截面图及构造俯视图；如图所示，在此实施例中，其主要是将本发明精神应用于三元(AlGaAs)或四元(AlGalnP)发光元件。一半导体基板89，例如砷化镓(GaAs)基板上成长有一磊晶层83。其中，磊晶层83可选择为一三元或四元化合物所制成。又，于第二材料层835的上表面形成有一透光基板81，例如GaP基板、玻璃(Glass)、蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、磷砷化镓(GaAsP)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、硒硫化锌(ZnSSe)或石英，并将不透光会吸收投射光源的GaAs基板89予以去除。
接续，于第一材料层831表面凿设有一可贯穿第一材料层831及部分第二材料层835的隔离凹槽576及第一隔离凹槽571，而隔离凹槽576内可选择是否需要设置有一隔离层577，但第一隔离凹槽571内则需要设有第一延伸电极575，并可与设于第一材料层831部分表面的第一电极570电性连接。第二电极350则隔着隔离槽576而设于第一材料层831的其它部分表面，并与第一电极570形成一导电通路。
接续，请参阅图10(A)及图10(B)，是分别为本发明又一实施例的构造截面图及构造俯视图；如图所示，在此实施例中，环绕发光元件90周边先凿设有一可贯穿第二材料层335及部分第一材料层331的第三延伸凹槽(或称第一延伸凹槽)671，且在第二材料层335的上表面先设有一具有导电或反光效果的透明接触层、欧姆接触层或反光层77，再于反光层77及第二材料层335周边设有一隔离层677，在隔离层677的适当位置凿设有一第二延伸凹槽651，致使第二电极65可直接或经由反光层77而电性连接于第二材料层335。环绕第二材料层335的周边且隔着隔离层677可设有一第一环侧电极674，第一环侧电极674可电性连接于第一电极67，如此亦可达到工作电流均匀分布、提高发光作用区域、及致使第一电极67与第二电极65位于同一水平位置的目的。
当然，第二材料层335周边亦可用至少一个点状态样的第四延伸电极678以取代环状的第一环侧电极674，各个第四延伸电极678则需借由一表面电极676而与第一电极67电性连接。
最后，请参阅图11，是为本发明又一实施例的构造截面图；如图所示，在此实施例中，主要是将前述发光元件40(如图4(A)所示)置放于一基板91所凿设的一置物凹槽917内，利用一透光层94或散热层99而予以固定。
发光元件40的第一电极370可借由一第一导电引线977而与一设于该基板91上的第一导电线路979电性连接。同理，第二电极350则借由一第二导电引线957而与设于基板91另一侧边的第二导电线路959电性连接。借由第一导电线路979、第一导电引线977、第一电极370及第二电极350、第二导电引线957、第二导电线路959而可使发光元件40的PN界面作用，以产生背面投射光源L2、L3，而正面投射光源则可经由第一电极370、第二电极350或反光层的作用而导引至正确出光方向，以成为一反射光源L4，如此在不使用植球机或锡球对准技术支援的情况下，即可运用传统的发光元件制作方法以取得如同覆晶发光二极管的发光导出效率，借此可简化制程及大幅降低生产成本。
又，可选择为一陶瓷、玻璃、氮化铝、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、尿素树脂、塑胶、金刚石、氧化铍、氮化硼、电路板、印刷电路板、PC板或含金属化合物的基板91，其置物凹槽917可设计为一环形、矩形或锥形态样。且，在其置物凹槽917周边可设有一反光层915，如此，除了正常投射的光源L2、L3、L4外，亦可获得反射光源L5，而有效增加其发光亮度。
又，透光层94内亦可设有一由萤光物质、磷光物质或其组合式组合而成的色转换层945，借此以改变投射色光的波长及颜色。
又，具有散热功能的散热层99则包覆于PN界面周围，如此可将发光元件40作用时所产生工作高温借由散热层99而传导于发光元件40外，借此以适用于高功率发光元件装置中。
权利要求
1.一种可提高发光作用区域的发光元件，其特征在于，其主要构造包括有一LED基板；一磊晶层，包括有一第一材料层及一第二材料层，其中第一材料层是形成于该LED基板上表面，第二材料层再形成于该第一材料层上表面，第一材料层与第二材料层之间则自然包括有一发光区；至少一第一延伸凹槽，可贯穿第二材料层，并延伸至第一材料层的部分体积，第一延伸凹槽内再依序设有一凹槽隔离层及一第一延伸电极，而第一延伸电极则可借由凹槽隔离层而与该第二材料层电性隔离；一第一电极，隔着一表面隔离层而固设于该第二材料层的部分上表面，且可与该第一延伸电极电性连接；及一第二电极，固设于该第二材料层的其他部分上表面。
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该第一电极是与第二电极有近似水平位置。
3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该第一延伸电极是位于第一电极的垂直延伸位置。
4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该第二电极与第二材料层之间尚可选择设有一透明接触层、欧姆接触层、反光层及其组合式的其中之一。
5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该表面隔离层与第二材料层之间尚可选择设有一透明接触层、欧姆接触层、反光层及其组合式的其中之一。
6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，尚可包括有一基板，其上表面分别设有一第一导电层及第二导电层，其中第一导电层是可借由一第一导电凸块而与该第一电极电性连接，第二导电层则可借由一第二导电凸块而与该第二电极电性连接。
7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，其中该发光元件是为一覆晶发光二极管。
8.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，其中该基板是可选择为一陶瓷、玻璃、氮化铝、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、尿素树脂、塑胶、金刚石、氧化铍、氮化硼、电路板、印刷电路板、PC板、含金属化合物及其组合式的其中之一。
9.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该发光元件是为一平面型发光二极管。
10.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该LED基板是可选择为一GaP基板、玻璃(Glass)、蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、磷砷化镓(GaAsP)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、硒硫化锌(ZnSSe)、石英及其组合式的其中之一。
11.如权利要求10所述的发光元件，其特征在于，其中该磊晶层是可选择为一三元、四元及其组合式的其中之一材料所制成。
12.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，尚包括有一基板，该基板内凿设有一可用以置放该发光元件的置物凹槽，其中该第一电极可借由一第一导电引线而电性连接于一设于基板上的第一导电线路，第二电极则借由第二导电引线而电性连接于另一设于基板上的第二导电线路。
13.如权利要求12所述的发光元件，其特征在于，其中该置物凹槽内尚可设有一环设于该发光元件周边的透光层。
14.如权利要求13所述的发光元件，其特征在于，其中该透光层内尚设有一可选择由一萤光物质、磷光物质及其组合式的其中之一所制成的色转换层。
15.如权利要求12所述的发光元件，其特征在于，其中该置物凹槽内尚可设有一可环设于该发光元件周边的散热层。
16.如权利要求12所述的发光元件，其特征在于，其中该基板是可选择为一陶瓷、玻璃、氮化铝、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、尿素树脂、塑胶、金刚石、氧化铍、氮化硼、电路板、印刷电路板、PC板、含金属化合物及其组合式的其中之一。
17.如权利要求12所述的发光元件，其特征在于，其中该置物凹槽是可选择为一锥形、圆形及环形的其中之一态样。
18.如权利要求12所述的发光元件，其特征在于，其中该置物凹槽的内表面尚设有一反光层。
19.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该第一延伸凹槽是可环设于第一电极的周边位置。
20.如权利要求19所述的发光元件，其特征在于，其中该第一延伸凹槽内设有至少一延伸电极，而每一个延伸电极可借由一设于其上表面的表面电极而与该第一电极电性连接。
21.如权利要求20所述的发光元件，其特征在于，其中该第一延伸电极是可选择为一点状、长条状、环状、圆形、矩形、直线、半环形及其组合式的其中之一。
22.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该第一电极及第二电极是可覆盖整个第二材料层上表面的垂直延伸位置，且分别由一具有导电及反光功能的材质所制成。
23.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，其中该第一延伸凹槽是环设于该第二材料层的周边，且可贯穿第一材料层的部分体积，第一延伸凹槽内再依序设有一凹槽隔离层及第一延伸电极。
24.如权利要求23所述的发光元件，其特征在于，其中该第一延伸电极是为一环侧电极。
25.如权利要求23所述的发光元件，其特征在于，其中该表面隔离层可凿设有一第二延伸凹槽，致使可裸露第二材料层部分上表面，而该第二电极则可固设于第二延伸凹槽内及第二材料层的其他部分上表面。
26.一种可提高发光作用区域的发光元件，其特征在于，其主要构造是包括有一LED基板；一磊晶层，包括有一第一材料层及一第二材料层，其中第一材料层是形成于该LED基板上表面，第二材料层再形成于该第一材料层上表面，第一材料层与第二材料层之间则自然包括有一发光区；一第二电极，固设于该第二材料层的部分上表面；一第一电极，固设于该第二材料层的其他部分上表面；至少一延伸凹槽，分设于该第一电极的适当位置，每一延伸凹槽可贯穿第二材料层及第一材料层部分体积，且在延伸凹槽内设有至少一可与该第一电极电性连接的延伸电极；及至少一隔离凹槽，设于该第一电极与第二电极之间，并可贯穿第二材料层及第一材料层部分体积。
27.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，其中该第一电极是与第二电极有近似水平位置。
28.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，其中该第一材料层与第一电极之间尚可选择设有一透明接触层、欧姆接触层、反光层及其组合式的其中之一。
29.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，尚可包括有一基板，其上表面分别设有一第一导电层及第二导电层，其中第一导电层可借由一第一导电凸块而与该第一电极电性连接，第二导电层则可借由一第二导电凸块而与该第二电极电性连接。
30.如权利要求29所述的发光元件，其特征在于，其中该基板是可选择为一陶瓷、玻璃、氮化铝、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、尿素树脂、塑胶、金刚石、氧化铍、氮化硼、电路板、印刷电路板、PC板、含金属化合物及其组合式的其中之一。
31.如权利要求29所述的发光元件，其特征在于，其中该发光元件是为一覆晶发光二极管。
32.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，尚包括有一基板，该基板内凿设有一可用以置放该发光元件的置物凹槽，其中该第一电极可借由一第一导电引线而电性连接于一设于基板上的第一导电线路，第二电极则借由第二导电引线而电性连接于另一设于基板上的第二导电线路。
33.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，其中该延伸凹槽是可选择为一点状、长条状、环状、圆形、矩形、直线、半环形及其组合式的其中之一。
34.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，其中该隔离凹槽内尚可设有一隔离层。
35.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，其中该第一电极及第二电极是可覆盖整个第二材料层上表面，且分别由一具有导电及反光功能的材质所制成。
36.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，其中该第一材料层与第二电极之间尚可选择设有一透明接触层、欧姆接触层、反光层及其组合式的其中之一。
37.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，其中该LED基板是可选择为一GaP基板、玻璃(Glass)、蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、磷砷化镓(GaAsP)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、硒硫化锌(ZnSSe)、石英及其组合式的其中之一。
38.如权利要求37所述的发光元件，其特征在于，其中该磊晶层是可选择为一三元、四元及其组合式的其中之一材料所制成。
39.如权利要求26所述的发光元件，其特征在于，其中该延伸凹槽是环设于该第二材料层的周边，且可贯穿第一材料层的部分体积，延伸凹槽内再设有该延伸电极。
40.如权利要求39所述的发光元件，其特征在于，其中该延伸电极是为一环侧电极。
41.如权利要求39所述的发光元件，其特征在于，其中该第二材料层表面尚可设有一表面隔离层，表面隔离层可凿设有一第二延伸凹槽，致使可裸露第二材料层部分上表面，而该第二电极则可固设于第二延伸凹槽内及第二材料层的其他部分上表面。
全文摘要
本发明是有关于一种发光元件，尤指一种可提高发光作用区域的发光元件，其主要是在一LED基板表面依序设有一第一材料层及第二材料层，而第一材料层与第二材料层之间自然形成一PN界面，另外，设有一可贯穿第二材料层及部分第一材料层的第一延伸凹槽，并在第一延伸凹槽内设有一第一延伸电极，第一延伸电极可与设于第二材料层部分上表面的第一电极电性连接，如此第一电极即可与一同样设于第二材料层其他部份上表面的第二电极具有近似相同的水平位置，不仅可方便后续的制程进行，又可因为不需如常用发光元件必须移除部分第二材料层体积以供第一电极的形成，因此可相对增加PN界面的发光作用区域，借此以有效提高发光亮度及使用寿命。
文档编号H01L33/00GK1529364SQ20031010105
公开日2004年9月15日 申请日期2003年10月13日 优先权日2003年10月13日
发明者林明德, 许荣贵, 林三宝 申请人:光磊科技股份有限公司