专利名称：移动便携式静电基片夹的制作方法
背景技术：
多年来，固定的静电夹持器就在片状的导体和半导体材料的应用处理中被使用了，特别是在半导体工业的生产设备中作为所谓晶片的夹持设备而使用。它的有效成份在以下出版物中有详细描述Shermann et.al.Semiconductor International V 20 Jul.1997，319-21；Olson et.al.Rev.Sci.Instrum.66(2)Feb.1995，1108-14；Watanabe et.al.Jpn.J.Appl.Phys.Vol(32)1993，864-71；HartsoughSolid State Technology，Jan.1993，87-90。
将该原理转化应用于所谓的移动便携式静电夹持系统的方法在EP 1 217 655 A1，US2002/0110449 A1和WO/02 11184 A1中有描述，这代表了技术水平。
实用的向移动式静电夹持器发展的方法转化导致了第一个移动静电夹持器的开发(被称为Tansfer-ESC’s，缩写T-ESC’s)，作为片状工件(例如硅晶片)的静电夹持器，特别是在半导体技术中，参见EP 1 217 655 A1。
发明内容
但是首次提出的解决方案没有令人满意的满足，对于这种可移动的静电夹持器(基片夹持器)的许多技术和经济的要求。
详情在于在加工和处理晶片时，主要是在半导体工业领域，这种可运输的静电基片夹仅仅在很少的情况下，在适用于不同的使用领域和过程阶段。但是同样的情况也适用于其它的重要的工业领域，比如使用薄基片的太阳能、医学以及音频技术领域，其中有太阳能电池、过滤器和存储媒体。其中存在许多和半导体技术中类似的问题。
因此提出移动便携式静电基片夹(T-ESC’s)有如下的各种设计方式，尤其适用于半导体工业领域，也可以无需改变地多次用于其他的工业分支领域。
由此，极大地减少在半导体领域中由结构部件的破碎或机械损坏引起的损耗的危险。
除了移动静电基片夹的厚度以外(见EP 1 217 655 A1)，还有一个重要的指标，即直径。通常在半导体技术中有规定的直径，这样可以最大限度地降低相对比较脆的晶片的边缘破裂风险。这些晶片是由硅或者其它的半导体材料，比如砷化镓制成的。同时还可以使基片夹的直径同标准化的晶片(见Semi-Standard，如M1.9-0699)一样大小，并同已有的晶片几何何尺寸适合，比如是圆的还是有斜角(又叫平面，见相关半导体标准)。
对一些过程，比如等离子蚀刻，将移动静电夹持器的直径(圆的基片，有时有斜角)或外部尺寸(比如多边形基片的边缘长度)相对于晶片减小0.1至30mm还是合理的。这样一方面可以在蚀刻量较小时使边缘圆滑，以降低晶片的破裂危险，另一方面使用同便携式晶片相比小的多的移动静电基片夹可以减小移动静电夹持器的电学击穿危险，而且防止了在等离子体中Transfer-ESC’s被过快腐蚀。
如果固定移动静电夹持器需要附加使用固定的内置固定静电夹持器，为了使移动静电夹持器的粘合强度提高，可以将固定静电夹持器所靠的一面用金属(比如铝，镍)和/或半导体(如硅)和/或合金(如镍铬合金)定点的，部分的或全部的覆盖。如果必要还可以给一个附加的电位。这样就可以出现单极和/或多极的背电极。
另外一种可能性是在移动静电基片夹中大量加入磁性材料(比如铁酸盐)或者将夹持器定点的，部分的或完全用这种材料包覆。这样夹持器就可以借助于一个相应的磁铁做成的夹座(设备)固定。
在其它情况下，若要求装有基片(例如晶片)的移动静电夹持器被以机械的方式操作或/和固定，例如使用一个夹子或一个箝位装置来操作和固定，那么就可以将移动静电基片夹外围几何尺寸定点的，部分的或全部地设计得比便携式基片(比如晶片)大一些。对基片的直径或外部尺寸(比如300mm直径的晶片)，移动静电夹持器可以再大150mm。多出来的150mm的边缘可以用于夹持或以机械的方式使用这种加载了基片(例如晶片)的便携式静电夹持器。通过一个其边缘被定点的，部分的或完全的被某种材料覆盖(比如使用某种合成材料，如聚酰亚胺或一种陶瓷，如氧化铝)的夹圈和保护环，移动静电夹持器的多出来的边缘可以有效地抗等离子体的侵蚀(图1a，1b)。
另外，同固定的安装在使用机器里的静电夹持器相比，移动静电夹持器的机械夹持可显著提高制造机的效率(生产效率提高)。在当今的半导体工业中，许多制造机，例如等离子蚀刻机，通常情况下都是使用固定安装在内的固定静电夹持系统。
为了给基片(晶片)充电和放电而进行的对静电夹持系统的充电和放电，根据静电夹持器的绝缘使用的材料(有时是基于所谓的记忆效应)，晶片的大小和尺寸，根据技术状况，固定静电夹持设备每次需要大概20秒左右来完成。如果这种密集(zeitintensive)的充放电过程通过使用本文描述的制造机(比如等离子仪)外部的移动静电夹持器来完成，并且在机器中安装了移动的加载有晶片的夹持器，同时是通过夹具机械地夹持和固定的，那么这种极其昂贵的加工机器的加工能力可以提高大概5％-25％(按加工时间而定)。这样，夹圈或夹持装置就可以在长久以熟悉的方法中，例如借助电机，气动给进，很快地被提高并推进。这种机械夹持装置在固定静电夹持器还没有为人所知或没有广泛了解时就已经被使用了。不过这个夹持装置夹的是基片(比如晶片)，而不是在这里描述的移动静电夹持器。
因为根据本发明，所涉及到的晶片没有被夹圈所覆盖，所以其大小是同使用固定静电夹持器的可加工晶片表面相对应的，也就是说，没有如同旧的夹持装置那样由于夹圈对晶片表面的覆盖而产生的损失。而且颗粒的生成也不会增多，不像旧的制造方法中使用纯粹的机械夹持系统那样。这样不希望有的颗粒主要是在晶片/夹圈的切口处或接触处由于把夹圈打开或锁紧以及比如由于腐蚀层的断裂(例如由等离子聚合体构成)而产生的。
同时，根据本发明，使用移动静电夹持器后，每个加工基片(晶片)所消耗的驱动原料(汽油等)大大减少。因为移动静电夹持器的使用寿命同昂贵的，生产技术复杂的固定静电夹持器的使用寿命相近，并且其生产从根本上来说有优势，所以还可以大大降低维护保养的成本。
移动静电夹持器的超出基片(例如晶片)尺寸的边缘可以定点，部分或完全的比被基片覆盖的范围厚30mm或薄10mm。这种结构特征使得在例如加厚的情况下，如在EP 1 217 655A1中描述的那样，将蓄电池、电池和复杂的大尺寸电子设备装入移动静电夹持器中成为可能。另外，薄边使得在制造机中移动静电夹持系统的机械夹持和中心定位更简单。
当然，如EP 1 217 655 A1中叙述的，例如蓄电池、电子设备也可以置于位置固定的或不固定的可使用的不同结构的壳体中。例如，可以把一个可灵活使用的，完全或非完全自动或手动操纵的，充放电的移动静电夹持器放于所谓的晶片载体中。
在半导体工业领域，特别是在磨削和在抛光晶片时，会有非常大的剪切力。
在切磨率很高时，静电结合力通常已经不足以将晶片好好地固定在前述的机械加工处了。
现今在大多数情况下，在磨削机和抛光机里以及经常在其它的气氛加工设备里使用所谓的真空固定器(真空夹持器)来固定和夹持晶片。它时使用一个真空泵在晶片的背面产生真空而实现的。相应于两边的压力差，夹持力可以达到大概0.1N/mm2。
为了产生一个均匀的压力分布(夹持力分布)，真空固定器(真空夹持器，晶片夹持器)常常由(同样的)软质纤维板材料或者由有孔的，并且有环状打孔的片构成(图2a，2b)如果移动静电夹持器被以相同的方法打孔，如在每个磨削，抛光或气氛加工机器(例如，在旋转刻蚀设备或平板印刷设备中)中使用的真空固定器(真空夹持器)那样(图2a，2b)，那么在静电结合力外还有一个由真空固定器(由于压力差)而产生的固定力部分，可以用于将晶片固定在静电夹持器上。
固定晶片时为了使真空固定器的作用是均匀的，并防止液体渗入，例如磨削乳液，旋转刻蚀所用的酸溶液，在移动静电夹持器靠近晶片和/或背对着晶片的面(见图2a，2b)用密封面(封接面)包覆。其可以由例如聚合物(Polymeren)如硅树脂(Silikone)，氟性塑料和/或基于合适的金属，例如由电解出来的镍和/或合金(主要用于高温下)组成。
该密封面主要在移动静电夹持器的外表面覆盖(图1a，1b)。同样的，为了密封移动静电夹持器和真空夹持器相对面间的空间(未在图2a，2b中示出)，也可以在真空夹持器的外表面加一由聚合物和/或金属和/或合金构成的覆盖层。
主要用以磨削，抛光，光学平版印刷和湿化学清洁基片(晶片)的移动静电夹持器应该主要是由玻璃，玻璃陶瓷，陶瓷材料或半导体材料构成。这样一方面有同半导体工业中加工的材料(如硅)类似的机械和物理特性，例如可以很容易的在磨削机里按照需要的平面度进行晶片磨削(预先)和平面平行度校准，另一方面这些都是很好的绝缘材料或者容易加工的材料，所以在湿介质中的电流损失也很小。
首先，所谓的陶瓷或玻璃多层技术及对(光)可成型的玻璃的使用，被称为Foturan，对于生产静电夹持器的磨削和抛光是非常有帮助的。通过使用玻璃也可以生产透明的移动静电夹持器，它可以应用在例如保护装置(包装)的光学校准中，例如用于微机械元件，被称为MEMS。
此外，如同在制造印刷电路中一样，塑料的多层技术还有更多的应用。例如通过使用化学性能非常稳定的聚酰亚胺来制造移动静电夹持器，用于等离子刻蚀，旋转刻蚀及运输。
如上面描述，移动静电夹持器也可以类似的方法用于等离子刻蚀，玻璃态等离子体沉淀(PECVD)，穿孔等离子体物理沉淀(PVD)，表面覆盖，各表面的覆盖成份和结构化。
在EP 1 217 655 A1中所说，一个移动静电夹持器可以用于固定加工中的工件，例如用在等离子刻蚀中。然而在目前所知的设计中还没有提到通过一个冷却装置防止经常出现的对工件或晶片有害的发热。
所以根据本发明，在基片固定器的移动静电夹持器的另一设计中有打眼或穿孔，借助这些孔，在加工晶片时释放的热量可以通过气体冷却，例如借助氦气(Helium)，来降低。在这种情况下气流流过孔洞直吹晶片，这样在前述的工件和移动静电夹持器间就有了一个充满气流的空间(注在上文以及在下文中出现的孔洞不局限于圆形孔洞，还包括其它几何形状的孔洞，如多边形，椭圆形等等)。
当冷却气体从一个或多个主要分布在静电夹持器中心的孔洞流经冷却气体管道，分布在晶片背面所向的移动静电夹持器表面时，可以达到特别好的冷却效果。这个晶片背面所向的冷却气体管道可以输出，如EP 0 948 042 A1及US 6 215 641 B1所描述。
移动静电夹持器的孔洞不仅可以用于必要的气体冷却，而且还可以为晶片附加提升棒，传感器和接触针。
提升棒是用于把加载有基片(晶片)的移动静电夹持器从固定夹持设备上取走或放置上去，或者用于将该提升棒或另外的提升棒通过孔穿过移动静电夹持器，也可以用于将晶片放置在固定在夹持(装置)上的(移动)静电夹持器上或从其上取走(图1a，1b)。为了能借助于一个机械手将加载了基片(晶片)的静电夹持器或仅仅是基片(晶片)抓取和移动，就出现提升过程了。有可能以同样的方式或类似的方式将传感器(例如温度感应器)装在基片(晶片)背面或移动静电夹持器背面。此外还可以将接触针装在移动静电夹持器背面，这样如果必要时就可以在制造机中对夹持器充电。如已经证明的那样，只有在加工时间很长或者温度很高(＞约150℃)，会很严重导致在制造机中不期望的移动静电夹持器放电时，才需要在制造机中进行充电。
如果移动静电夹持器是装在半导体基上，并且运用所谓的Johnson-Rahbek效应(或规则)，那么通常损失电流会很高，以至需要充电，如上面在制造机中进行的一样。通过这种方法通常只能保证所要求的功能。
为了能在制造机或生产环境中充电，由移动静电基片夹和固定的夹持(装置)中演化出现了一种合成的静电夹持系统。如果必要时，它可以像传统的由一个或多个固定部分组成的静电夹持系统一样长时间和以类似方式驱动。
按照本发明的由两部分或更多部分组成的夹持系统与旧的传统机构相比优势在于，在维护保养时，例如在等离子刻蚀真空设备中，其维护保养可以借助为晶片使用的维护机器人自动通过更换通常首先磨损的(移动)静电基片夹而完成，而不需要打开真空腔，使真空腔中充斥着环境气体。移动静电夹持器的几何外观和尺寸应同使用的晶片相似，这样机器系统就不需要特别的调整。(见EP 1 217 655 A1)在迄今结构制成的传统系统中，维护保养都需要装卸固定的静电夹持系统，并且调整到一个稳定的工作状态(特别是一个稳定的真空)通常需要好几个小时。如已提到的一样，移动静电夹持系统就可以比已知的固定静电夹持系统成本低廉得多。
当接触针在晶片背面时(由于孔穿过移动静电基片夹)，它就可以用于对晶片或基片放电(图1b)。上述的棒(针)只可以表明上述的一个、所有或几个上述功能，例如不仅能使用提升棒和接触针而且也能使用传感器的载体(Trger)。
穿过移动静电基片夹的孔洞通常使用另外的层包覆的(图1b)，以防止更多的冷却气体流进工作腔。
例如为了改进对晶片的冷却效果，在一个最佳的设计中，移动静电基片夹有一个附加的由聚合物(如硅晶，氟化塑料如氟化人造橡胶)和/或金属(如镍)和/或合金(如镍铬合金)构成的覆盖层。该覆盖层可以加在移动静电基片夹的靠近晶片的一面或背离晶片的一面(图3a-3c)。
如果在移动静电基片夹的夹持(装置)上已经有一个或多个覆盖层(图3c)，那么在移动静电基片夹背离晶片的一面的覆盖层会脱落。
通过对移动静电基片夹和/或夹持设备的变厚的表面进行抛光，研磨，磨削，精细旋转或碾磨，气密性可以进一步改善。
有时也可以根据压力情况和环境情况定点的，部分的或完全不要覆盖层。
图4给出了另一个改进的设计方式。在这里，冷却气体(主要是氦)流进通常使用去离子化后的水或乙二醇混合物冷却的静电基片夹夹持设备，流入一个由上述的基片夹构成的空间，气体是由例如一个或多个环状气孔导入的(图4)。氦气首先冷却背对晶片的移动静电基片夹背面，然后冷却气体经过例如一个主要位于中心的孔或多个孔流入晶片和移动静电基片夹之间的空间。
这样，晶片的背面会有效地被冷却。
通过导向移动静电基片夹表面或/和夹持(装置)表面的气管(图3a)，冷却效果可以进一步提高。
在晶片外缘如果需要的话可以使用一个抽吸设备让冷却气体回流(图4)。这样气体就可以回收，有时在前一次冷却后还可以继续使用。由于附加使用了覆盖层，所以冷却气体不可以注入加工腔，否则会对例如等离子刻蚀，阴极沉淀(PVD，物理气相沉淀)，沉淀)中必要的过程参数产生相应的影响。
为了能主要使用气体而达到对晶片有效的冷却，需要一个尽可能大的冷却表面。这里给出了一个晶片正对着和背对着移动静电基片夹表面的结构以及固定的夹持(装置)表面的相应结构。该结构可以通过例如磨削，锯，化学刻蚀，激光切割而实现(均匀结构的表面，即所谓的确定的结构)，或者结合前述的方法通过喷砂处理来实现(不均匀结构的表面，即所谓的不确定的结构)。
最佳的结构类型是一种均匀的栅状结构(图5a-5c)。通过附加的抛光和/或研磨方法，机械加工可以适应这种产生的表面。由此可以使结构化的表面有很好的平面度和平行度。
图1a描述了根据本发明的一个完全穿过用于例如等离子刻蚀的静电夹持设备的切面。其中(1)是基片(晶片)，(2)是移动静电基片夹，(3)是夹圈，借助于该夹圈移动静电基片夹(2)被固定。
(4)是在移动静电基片夹(2)上完全覆盖周围的覆盖层，为了防止基片(晶片)(1)的冷却气体从边缘泄漏。
在为移动静电基片夹(2)的提升棒或接触针而设计的孔洞周围的覆盖层(4)进一步减少了冷却气体的泄漏电流。(5)是为气冷而设计的孔(这里例如设计在中心)。固定夹持装置(6)有时有冷却或加热设备，冷却气体导管，提升棒和合适的用于充电和/或放电的接触针(7)，传感器。固定夹持(装置)(6)包含了有基片(晶片)(1)的移动静电基片夹(2)。通过提升棒和接触针(7)以及固定基片(晶片)(1)的移动静电基片夹可以从固定夹持(装置)(6)上提升或放置上去，还可以充电或放电。
图1b同图1a一样，也是描述了根据本发明的一个完全穿过用于例如等离子刻蚀的静电夹持设备的切面，只是该切面相对于图1a中的切面转了90°。这里的描述同图1a中的是基本完全一样的，只是这里画出的提升棒和接触针(7)仅仅用于提升(放下)基片(晶片)(1)和用于基片(晶片)(1)的电接触(主要是放电)。
图2a用俯视图的方法给出了根据本发明对移动静电基片夹(2)的建议，其适用于例如磨削和抛光。为了展现得更清楚，这里没有画出基片(晶片)。在提升棒和接触针(8)的孔边上，移动静电基片夹(2)有一个环状的孔(9)和另外一排的孔(10)，使得除静电结合力外还可以用借助于真空设备(11)(见图2b)产生的真空来固定和夹持基片(晶片)(1)。此外图2a还画出了环状的覆盖层(4)。
图2b给出了穿过图2a的一个切面。为了更清楚，这里图中没有画出提升棒和接触针。由多孔材料如陶瓷做成的真空设备(11)借助于真空固定了移动静电基片夹(2)，而该静电夹持器又利用静电力和产生的真空固定了基片(晶片)(1)。图2b画出了周围的覆盖层(4)。该覆盖层一方面可以使得对真空有害的泄漏电流尽可能小，另一发明可以防止磨削和抛光物质以及有时有的液体(如磨削乳液)渗入。此外图2b还画出了移动静电夹持器(2)上的环状孔(9)和附加真空固定所必须的孔(10)。
图3a-3c各画出了在俯视图(3a)和切面图(3b，3c)中不同的移动静电夹持器(2)，例如为等离子刻蚀而密封，以达到尽可能小的泄漏电流。
图3a以俯视图的方法给出了移动静电夹持器(2)的借助于气管的使气体分布的结构化表面。为了清楚起见，这里没有画出基片(晶片)(1)。
移动静电夹持器(2)使通过夹圈(3)被固定的。图中画出了用于冷却气体分布(12)的一个中心孔和发射状的孔以及覆盖层(4)和提升棒及接触针(8)的孔。
图3b画出了穿过图3a的切面。这里在移动静电夹持器(2)上加入了覆盖面(4)。这样基片(晶片)(1)的背面以及移动静电夹持器(2)的背对着基片(晶片)(1)的表面和为提升棒及接触针(7)，(8)留的孔可以被覆盖。夹圈(3)固定了移动静电夹持器(2)。在固定夹持(装置)(6)中也有气冷孔(5)。由于使用的覆盖面(4)，在基片(晶片)(1)和移动静电夹持器(2)之间以及在固定夹持(装置)(6)间有一个密封的有效的空间(14)，可以用于冷却基片(晶片)(1)。
图3c是穿过图3a的另一个切面，给出了根据本发明的另一个建议。这里的描述同图3b中的描述基本上完全一致，只是覆盖层(4)不同，在这里覆盖层(4)在移动静电夹持器(2)的固定夹持装置(6)也被画出了。
图4以切面图的形式给出了该发明的另一部分。移动静电夹持器(2)通过一个夹圈(3)固定在夹持(装置)(6)上。移动静电夹持器(2)固定基片(晶片)(1)。由于在移动静电夹持器(2)和在固定夹持(装置)(6)上有覆盖层(4)或覆盖面，出现了气冷必须的中间空间(14)。通过已知的在中间空间流动的冷却气流(15)和在固定夹持(装置)(6)中的液体冷却(16)可以达到对基片(晶片)(1)的一个非常有效的冷却。对应于示出的冷却气流(15)通过冷却气体的闭环流动，冷却气体可以重新被利用，必要时还可以控温(冷却或加热)。
图5a-5c给出了根据本发明的一部分提出的建议，通过在移动静电夹持器(2)或/和固定夹持(装置)(6)的一面或两面(对着和背对着基片(晶片)(1)的面)产生一个尽可能大的冷却表面来改进冷却效果。
图5a给出了一个通过喷砂而产生的不均匀(未定义的)的结构化表面(17)。同图5b的均匀结构化(定义的)表面(18)相比，其优点是有一个更大的明确的表面，并且在制造中成本更低廉。
在图5b中的均匀(定义的)的结构化表面(18)可以例如借助可重复的机械过程(如压磨，锯，磨削)以及借助于激光，电子辐射的射线方法或者借助于化学方法(如湿刻蚀或干刻蚀(等离子刻蚀))生成。这种表面使图5a所示的背对着加工面的表面具有根本上一致的冷却特性。
图5c以俯视图的形式给出了期望的栅状结构(19)，它是按照图5a和5b产生的表面结构。通过在结构化之后对该表面(17)(18)进行后磨削，研磨，抛光，碾磨或精细旋转，按照图5c，栅状结构就会出现被加工后的表面，并且移动静电夹持器(2)和移动静电夹持器(2)的固定夹持(装置)(6)具有一个好的平面性和面平行性，附图标号说明1.基片(晶片)2.移动静电夹持器3.夹圈4.密封面5.气冷孔6.移动静电夹持器的固定夹持(—装置)7.提升棒或接触针8.提升棒或接触针孔9.环状孔10.孔(以便借助真空而形成附加的固定力)11.真空保持材料12.为分布冷却气体的中心和放射型孔13.为分布气体的结构化的表面(气体管道)14.气冷空间15.冷却气流16.液体冷却17.非均匀结构表面18.均匀结构表面19.栅状结构(俯视图)
权利要求
1.移动便携式静电基片夹，其特征在于，直径和/或边缘长度与需移动的基片(例如晶片)的直径和/或边缘长度的某点，某部分或全部的尺寸以小于0.1mm的误差相符。
2.移动便携式静电基片夹，其特征在于，其直径和/或边缘长度的某点，某部分或全部的尺寸比需移动的基片(例如晶片)小0.1至30mm。
3.移动便携式静电基片夹，其特征在于，其直径和/或边缘长度的某点，某部分或全部的尺寸比需移动的基片(例如晶片)大0.1至150mm。
4.根据权利要求1至3中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，未被移动基片(例如晶片)覆盖的部分，其某点，某部分或全部的尺寸可比被覆盖的部分厚30mm或薄10mm。
5.根据权利要求1至4中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，其被穿孔一次或多次，以便同时利用真空夹持器来加强作用于基片上的移动静电基片夹间的夹持力。
6.根据权利要求1至5中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，在夹持器和/或夹持器的夹持(—装置)中有一个或多个孔和/或眼，用于流入气体以冷却基片和/或用于安装提升棒和/或接触针和/或传感器。
7.根据权利要求1至6中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，在加工机器里或在加工机器外的有接触针的夹持器和/或基片(例如晶片)可以充电和/或放电。
8.根据权利要求1至7中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，该有提升棒和/或基片(如晶片)的夹持器可移动。
9.根据权利要求1至8中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，在夹持器的面对着基片(如晶片)的一面和/或双面和/或在夹持(—装置)的表面有一个或多个通道，它们同一个或多个孔(眼)相连成为气体通道，通过该通道冷却气流可被导入。
10.根据权利要求1至9中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，夹持器的朝着基片(如晶片)的面和/或背面有一个或多个密封面和/或密封垫圈(密封元件)。
11.根据权利要求1至10中的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征是，夹持器上的密封垫圈是由聚合物，如硅化物、氟化塑料，金属(如镍)和/或合金(如镍铬合金)构成，它们实心的或以表面覆盖形式存在夹持器的某处或许多处。
12.根据权利要求1至11中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，在基片(如晶片)和夹持器以及/或在静电夹持器的夹持(—装置)和静电夹持器之间由一个或多个可以用冷却气体进行冷却的空间。
13.根据权利要求1至12中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，冷却气体是循环的，可以被再利用。
14.根据权利要求1至13中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，夹持器的夹持(—装置)上有一个或多个密封面和/或密封垫圈(密封组分)。
15.根据权利要求1至14中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，对着基片(如晶片)的夹持器正面或背面和/或其夹持(—装置)通过锯、碾磨、旋转、磨削和/或切割，如通过激光和/或电子射线、湿化学刻蚀、等离子刻蚀、喷砂或通过类似的方法形成，特别是栅状结构，以产生尽可能大的气冷表面。
16.根据权利要求1至15中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，正对着基片(如晶片)的夹持器的正面或背面和/或夹持(—装置)通过磨削和/或研磨和/或抛光或碾磨或旋转进行加工，以产生尽可能好的平面度和平行度。
17.根据权利要求1至16中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，夹持器的对着基片(如晶片)的面或背对着的面定点的，部分的或完全的嵌入了一个或多个磁性和/或非磁性金属、合金和/或半金属的块，并且/或者上述的夹持器的面定点的，部分的或完全的被这些材料覆盖。
18.根据权利要求1至17中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，在夹持器靠近基片(如晶片)的面和/或背离它的面有一个或多个单极或/和多极的电极。
19.根据权利要求1至18中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，在夹持器的夹持(—装置)中嵌入了一个或多个磁铁。
20.根据权利要求1至19中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，静电夹持器是借助与玻璃多层技术和/或陶瓷多层技术和/或人造材料多层技术制造的。
21.根据权利要求1至20中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，静电夹持器可由陶瓷、玻璃、光成型的玻璃、玻璃陶瓷，半导体材料和/或塑料结合金属和合金构成。
22.根据权利要求1至21中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，通过精细加工，如磨削、抛光、研磨、碾磨、旋转、夹持器和/或静电夹持器的夹持(—装置)的对着或背对着基片(如晶片)的面上的密封面被加工用以达到高度的气密性。
23.根据权利要求1至22中所述的一项或多项的移动便携式静电基片夹，其特征在于，该夹持器可以持续或非持续被供电，可以充电或/和放电。
全文摘要
本文描述了用于不同应用领域的，特别是用于半导体工业中应用基片的所谓的移动便携式基片夹(Transfer－ESC’s)的不同设计方法。这里主要对现有的生产流程已达到良好的效果，并且制造结构件时大大地降低了损耗的风险。
文档编号H01L21/683GK1531054SQ20041003995
公开日2004年9月22日 申请日期2004年3月12日 优先权日2003年3月13日
发明者卡尔·黑尔曼·布什, 斯坦芬·科尔巴赫, 科尔巴赫, 卡尔 黑尔曼 布什 申请人:文泰克风险投资与企业咨询有限公司