专利名称：具有玻璃横梁的中间－微机电系统及其制造方法
背景技术：
基于光-机电、电-光或液晶技术的光开关是商业上可购买的。商用光-机电开关通常使用硅处理技术用硅制造，并包括可电静态启动的微米尺寸镜。将它们分类为微机电系统(MEMS)。成本、操作可靠性和耗用功率是这些可商业购买的光开关的主要缺点。为了改善可靠性，使用精制处理气密封装MEMS结构-进一步增加了成本。
在另一种MEMS技术中，称作中间-MEMS(MESO-MEMS)技术，在具有机械悬臂构件的聚合物结构上制造低成本开关，所述机械悬臂构建至少部分由金属-通常是铜制造。这些已经表明提供有用的电开关功能，例如用于射频信号开关。
需要一种可用于光开关的更可靠和更低成本的开关技术。
通过例子说明本发明，但是并不限制于附图，其中类似的附图标记表示类似的元件，在附图中图1是示出根据本发明的实施例制造中间-微机电系统(中间-MEMS)的方法步骤的流程图；图2-9是示出根据本发明的实施例在各个制造阶段上中间-MEMS结构的透视图的机械视图；图10是示出根据本发明的实施例在制造的高级阶段上中间-MEMS结构的侧视图的机械视图；图11和图12是示出根据本发明实施例的中间-MEMS结构的透视图的机械视图；和图13是包括中间-MEMS的电装置的示意图。
技术人员将理解在附图中的元件为了简化和清楚原因示出，没有必要按比例绘制。例如，在附图中的一些元件的尺寸可以相对于其它元件放大以帮助改善本发明的实施例的理解。
具体实施例方式
在详细描述根据本发明的具体中间-微机电系统之前，应当看出本发明主要在于方法步骤的组合和与微机械开关相关的设备组件。因此，设备组件和方法步骤已经用附图中的常规符号在合适的地方表示，仅图示与理解本发明有关的那些具体细节，以便使具有对阅读本说明书的本领域普通技术人员容易明白的技术细节的公开是明显的。
参见图1，示出根据本发明实施例的用于制造中间-MEMS的方法的流程图。图2-9是根据本发明实施例的在制造的各个阶段内中间-MEMS的等比例视图。
在步骤105(图1)，根据本发明的实施例，从基片215上的内部金属层在基片215的设备区域210内形成第一静电图案205(参见图2)。在一些例子中，基片215可能大于设备210。在参考图2描述的例子中，以相同的尺寸示出设备区域210和基片215。基片215可由任一有机印刷线路板(PWB)材料制成，其中的一个例子是FR-4，或者可以由更昂贵(例如特氟隆)或者更便宜(例如没有玻璃填充的环氧树脂)的材料制成。基片可以是多层PWB。金属层可以是具有在2和70微米之间的，和更典型地在5微米和35微米之间厚度的铜，但是也可以是其它材料，例如镍、金或多层金属或者金属合金。金属仅需要能够保持和释放静电电荷。铜是有用的，因为它相对便宜且通用。第一静电图案205可以使用常规光平板印刷图案形成和蚀刻技术或者通过丝网印刷、衬垫印刷或者其它常规厚膜粘结应用方法施加导电膏来制造。
在步骤110(图1)，根据本发明的实施例，在设备区域210(图2)上设置牺牲光致电介质层305(参见图3)。牺牲光致电介质层305最好是光敏(正或负)环氧树脂，可以通过辊涂或屏蔽涂层将其设置到在50和200微米之间的厚度。可用于牺牲光致电介质层305的材料的例子是由瑞士巴赛尔的Huntsman制造的Probimer7081/82光聚合物树脂材料。例如，树脂材料可以在60-80摄氏度的温度内在30-60分钟内在空气辅助红外水平烘干炉内烘干。牺牲光致电介质层305可以具有在7微米和200微米之间的厚度，更典型地，在50微米和125微米之间。
在步骤115(图1)，根据本发明的实施例，暴露牺牲光致电介质层305以形成隐藏支架区域405(参见图4)。例如，一旦牺牲光致电介质层305干燥，则使用布线图(薄膜)以使用1500-1700毫焦耳的紫外线辐射将图案暴露在光聚合物上，建立一个或多个“隐藏”成像区域，它包括隐藏支架区域405。与牺牲光致电介质层305的周围主要材料相比，隐藏支架区域405由它的差别聚合状态定义。一旦其制造完成，则一个或多个隐藏成像区域将用作本发明的中间-MEMS的粘合点。在常规的PWB制造环境中，PWB将经历热“冲击”和随后在紫外线曝光之后立即进行溶剂显影。在本发明中，未成像区域不被热冲击或显影，直到随后的步骤。在这一点上，设备区域210基本上依然完全由牺牲光致电介质层305覆盖，露出基本上平坦的表面。
在步骤120(图1)，根据本发明的实施例，玻璃电介质505的第一侧(顶侧)(参见图5)覆盖有静电材料510，形成覆盖玻璃电介质500。注意到这一步可能出现在任一步骤105、110和115之前或之后。在需要光反射层(镜)(例如，对于用于光线波束开关的实施例)，和反射表面(镜)将在玻璃电介质505的表面上(例如与需要与玻璃电介质505的表面成某个角度的反射表面的实施例相对的)的实施例中，在这个涂覆步骤120中使用同时静态和光反射的材料。玻璃电介质505可以形成在设备区域210的形状内(或者更小)，并具有通常在30和50微米之间的厚度，但是可以小到10微米和大到75微米。玻璃电介质505顶侧的涂覆包括施加具有低于25微米总厚度的一个或多个金属层。玻璃电介质505的第二侧(底侧)也可以在第一侧的涂覆过程涂覆静电材料515，或者作为独立的步骤，或者完全不是独立步骤。静电和光放射涂覆的第一个例子是在玻璃电介质505的两侧上喷涂大约500埃钛/钨(Ti/W)，继之以在玻璃电介质505的两侧上喷涂大约1000埃的铜。喷涂的第二个例子是通过蒸发在玻璃电介质505的两个表面上沉积大约500埃的铬继之以5000埃的铜。这些静态材料510、515具有非常好的光反射特性，并与常规的PWB处理技术完全兼容。其它的金属层可以用于静态和光反射表面，例如铬、铬/金、钛/钨、和钛/钨与铜、钽，而更宽范围的材料可用于仅静电特性。仅静电特性对于电子开关是有用的，例如射频(RF)开关。可以使用的其它静电材料510是其它导电材料，例如纯铜、镍、银、金或者与其它材料组合的导电金属合金。易受常规PWB蚀刻技术影响的静态材料510可能更加有用，如果它兼容在下文中描述的附加制造步骤的话，但是依然是可以用于形成在此描述的独特设备，即使不与常规PWB技术兼容。
如上所述，可以在相同的一个或多个步骤内在顶面和底面上形成静态材料。因而，也可以在相同步骤内在顶面和底面上形成镜面。在一些实施例中，并不在玻璃顶面上形成静态材料，而是在底面上作为镜面材料形成静态材料。
应该理解，在本发明的其它实施例中，可以在除了第一静态图案205的位置上在涂覆的玻璃电介质的顶面上形成镜面，这可能需要与在下文中描述的玻璃横梁不同的玻璃横梁形状。
在步骤125(图1)，根据本发明的实施例，将涂覆的玻璃电介质500层压到牺牲光致电介质层305上(参见图6)，形成叠层的玻璃电介质600。牺牲光致电介质层305依然是“胶粘的”，尤其在热量和压力下，并用作金属化玻璃电介质的“胶水”。例如在常规PWB层合机(由印第安纳州瓦伯什的瓦伯什MPI制造的瓦伯什层压压力机)和常规的真空干燥薄膜层合机可以进行涂敷的玻璃电介质500层压到牺牲电介质层。特别需要注意的是在使用Probimer牺牲光致电介质层305的本发明的实施例中层压温度必需不超过80摄氏度。在使用Probimer牺牲光致电介质层305的实施例中的处理是在65-75摄氏度在真空层合机内将涂覆玻璃电介质500层压到牺牲光致电介质层305上大约10分钟。
在步骤130(图1)，根据本发明的实施例，在包括基本上与第一静态图案205共同延展的第二静态图案715的期望几何图形内在具有保护图案710(图7)的层压玻璃电介质600上形成图案保护层。该图案包括通过常规技术形成的标准临时抗蚀刻材料，常规技术中的一些例子是光成像和显影干膜或液体光抗蚀剂、丝网印刷和镂花印刷。
在步骤135(图1)，根据本发明的实施例消除在不位于第二静电图案715内的涂覆玻璃电介质500顶部上的一部分静态材料510。消除该部分静态材料510包括施加静态材料蚀刻剂。当静态材料510包括铜的顶层时，使用常规的铜蚀刻化学处理(过氧化物/硫磺、正铜氯化物、铵氯化物、等等)。当静态材料510包括多层时，这一步骤可以包括使用附加溶液的蚀刻。在铜之下的Ti/W层的例子中，利用温(50摄氏度)氢过氧化物溶液便利地蚀刻掉直接位于铜层之下的期望图案之外的Ti/W层。在替代实施例中，由马萨诸塞州马尔伯勒的Shipley公司L.L.C.制造的可商业购买的材料，标识为746W通常用于PWB铜蚀刻的蚀刻剂已经被证明能有效地消除Ti/W层。当使用铬作为一部分静态材料510时，则可以在高铈铵硝酸盐溶液内蚀刻掉铬(作为由马萨诸塞州丹弗斯的Transene公司制造的常规铬蚀刻剂“铬蚀刻剂1020”可购买到)，继之以如上所述的常规铜蚀刻。
在步骤140(图1)，消除不在玻璃横梁图案内的玻璃。已经施加以在金属/镜面蚀刻步骤135内保护的图案保护层710和剩余的图案静态材料510全部用作在玻璃消除处理过程中的固有抗蚀刻剂。在一种实施例中，玻璃在25％的氟化氢(HF)溶液内蚀刻大约25分钟。也可以在氟化氢铵溶液、缓冲氧化物蚀刻溶液(BOE)或氟硅酸溶液内蚀刻该玻璃。在另一个实施例中，可以利用机械方法即喷砂消除玻璃。例如，可以在距离基片215 2”(5.08厘米)的位置上以每分钟4”(10.16厘米)的运输器速度使用27微米铝氧化物颗粒在从具有0.035”(0.88mm)的喷嘴直径的喷嘴喷射每平方英寸80磅(552千帕)执行水平喷砂。当使用喷沙时，可以将图案保护层710施加到比常规更厚的厚度，例如50至100微米。
在步骤145(图1)，根据本发明的实施例，从牺牲光致电介质层305的表面消除在涂覆玻璃电介质505的底面上的一部分静态材料515。需要从牺牲光致电介质层305的显露表面消除位于已消除玻璃底面上的静态材料510(例如Ti/W-铜或铬/铜)。通过再次将中间-MEMS结构800放置在诸如温过氧化物(或铬蚀刻剂)和标准铜蚀刻溶液等合适的蚀刻溶液内，消除静态材料515(例如Ti/W-铜或铬/铜)。在玻璃消除过程中具有这个第二层Ti/W铜或铬-铜可能很重要，因为它保护环氧树脂免于玻璃消除剂，尤其在化学蚀刻过程中。树脂本身是抗氟化氢的，但是长时间的暴露可能削弱材料的光敏属性。当使用喷沙消除玻璃时，还可以使用它消除静态材料部分515以替代蚀刻静态材料。
在步骤150，在消除在涂覆玻璃电介质505底面上的静态材料部分515之后，从涂覆玻璃的顶面消除图案保护层710的剩余部分，留下在玻璃横梁顶面上具有静态材料510的玻璃横梁，并暴露第二静态图案815的反射表面(图8)。这一步骤可以在步骤155之前或之后执行。使用诸如氢氧化钠的水基溶液等溶液，它将基本上溶解保护层705，而不伤害中间-MEMS结构800(图8)的其它部分。
参见图8，根据本发明的实施例，图示在制造的这一时刻上中间-MEMS结构800的透视图。现在，剩余涂覆玻璃是具有由保护图案710确定的玻璃横梁形状的图案。该中间-MEMS结构800具有玻璃横梁810，它具有与第一静电图案205基本上共同延展的第二静电图案815，第一静电图案位于玻璃横梁810的悬臂部分上，也是该实施例内的镜面。当在玻璃材料505的顶部和底部形成静电材料时，则该静态图案815位于玻璃横梁810的顶部和底部上，根据用于静电图案815的材料，可能存在在两个侧面上的镜面。另一方面，可以仅在玻璃横梁810的顶部或仅在底部形成静电材料。
在步骤155(图1)，消除除了横向支架区域之外的牺牲光致电介质层305。在第一子步骤内，在步骤110和115，在批料空气对流炉或水平空气协助红外线炉内在摄氏110-130度上热冲击牺牲光致电介质层30560分钟以完成在中间-MEMS结构装配的第一阶段内开始的光反应。在热冲击之后，在第二子步骤内，溶剂显影牺牲光致电介质层，例如使用伽马丁内酯(GBL)20分钟和超声波激励。GBL将穿透玻璃横梁810，消除所有的非聚合材料。隐藏成像的材料-隐藏支架区域405-保留作为支架905，同时已经消除所有其它的牺牲电介质材料。一旦已经消除所有的牺牲电介质材料，则玻璃横梁810将具有在其下面的空气间隔，允许它自由地根据静电激励改变位置。应该理解在一些实施例中存在多个支架，玻璃横梁可能比图2至图10中所示的横梁更加复杂。还应该理解利用在此所述的方法可以在中间-MEMS结构内同时制造多个玻璃横梁。
参见图9和图10，根据本发明的实施例，示出中间-MEMS结构900的透视和侧视图。已经通过步骤105-155制造中间-MEMS结构900。玻璃横梁810具有附加到支架区域405的固定区域920，并具有在第一和第二静态图案205和815之间的宽松间距925，当在第一和第二静态图案之间不存在电势(即它们处于非激活状态)时宽松间距可能位于5和200微米之间。(宽松间距基本上由牺牲光致电介质层305的厚度确定。)当它们处于非激活状态时，第二静态图案815与第一态图案基本上平行。已经使用上述处理步骤制造的中间-MEMS结构的近似尺寸是3.5mm，静态图案宽度大约1.5mm。可以使用诸如中间-MEMS900的中间-MEMS结构作为光开关，并与诸如基于硅的电-光-机械开关相比，可以更加经济地制造。
在步骤160，在层压到支架区域405的玻璃横梁810的一部分上或附近形成到第二静态图案815电连接。这可以以任一可靠的方式进行，例如在玻璃横梁810的固定区域920的顶和/或底面(根据静态图案是否在顶部或底部上或同时在顶部和底部上)焊接或丝焊金属丝到静电材料510，或者通过在玻璃横梁810的固定区域920附近将导电材料压制到静态材料510。到第一静态图案205的电连接可以通过图案形成连接到第一静态图案205和在基片215上的连接衬垫的常规印刷线路来提供，所述基片上的连接衬垫用于电连接器或连接到电子组件，例如集成电路端子。应该理解通过将静态材料仅施加到玻璃材料505的一个表面上，和通过使用构成良好镜面的静态材料，所获得的镜面可以是用于入射到玻璃横梁810的顶面上的光线的前表面或后表面镜面，这提供可能有益的设计选择。而且，应该理解在本发明的实施例中，可以在玻璃横梁810的顶面、底面或两个表面上将静态力施加到静态图案815，提供可能有益的其它设计选择。
应该理解参考图1至图10所描述的例子涉及中间-MEMS结构，它具有包含允许从放松位置沿着基本上一个轴运动的可弯曲直臂的玻璃横梁，并具有通过该臂的运动移动的镜面。在这个例子中，第二静态图案205和镜面(反射表面)在玻璃横梁810的同一位置上，悬臂位置(即在距离玻璃横梁810的固定区域920最远的玻璃横梁810的一段较近的位置)。这是简单和非常有用的MEMS，可提供光开关或调制功能，但是存在可以提供其它有用功能的本发明的许多变型。例如，镜面可以位于第二静态图案205的悬臂位置附近，但是并不在其上。作为另一个例子，可以制造相对的一对电接点，一个在玻璃横梁810的一端1005，另一个在基片215的相对位置1010上，可能不存在镜面。这个电开关中间-MEMS的例子可能不必具有构成静电图案205和815的多个金属，并可以操作为射频开关。这样的电接点也可以更靠近支架区域405而不是第二静态图案205。作为另一个例子，可能存在在悬臂位置附近或其上贴附于玻璃横梁810的光引导设备，而不是(或者可能除了镜子之外)在玻璃横梁810的顶面或底面上的镜子。光引导设备可以是相对于玻璃横梁810的顶面以某个平面角度安装的平面镜或快门(非反射不透明平面)，或者某个其它形状的物体，例如安装在悬臂位置附近的玻璃横梁810上的在具有两个镜面表面的三角形横截面的横杆。
现在，参见图11和图12，根据本发明的实施例，示出光学的中间-MEMS结构1100的另一个例子的透视图。使用基本相同于上述用于中间-MEMS结构900的步骤的步骤制造中间-MEMS结构1100。图12示出在完成步骤105-155之后的中间-MEMS结构900，而图11示出中间-MEMS结构900的底部(和并不涉及具体的制造步骤)。在图11和图12中可以看出存在四对静电图案，包括静电图案1105、1205、静电图案1110、1210、静电图案1115、1215和静电图案1120、1220。静电图案1105、1110、1115和1120形成在基片1150上。静电图案1215和1220位于用于可弯曲横梁部分1240和1245的悬臂位置上，和静电图案1205和1210位于用于玻璃横梁的可弯曲横梁部分1250和1255的悬臂位置上，所述玻璃横梁包括可弯曲部分1205、1210、1240和1245和静电图案1205、1210、1215、1220。对于每个静电对(1105，1205)、(1110，1210)、(1115，1215)和(1120，1220)，当中间-MEMS未被激活时，静电图案基本上是共同延展的，并相互平行。静电图案1205和1210可导电地连接，还构成用于移动目标到镜面的光束的镜面，但是为了静电激励目的，可以将静电图案1205、1210视为用(虚)线1208划分的两个图案。静电图案1205和1210可导电地相互连接，并连接到静电图案1215和1220，但是为了静电激励目的，可以将其视为两个静电图案。可以将公共电势施加到四个静电图案1205、1210、1215和1220，和基本上通过可施加到静电图案1105、1110、1115和1120的独立电势来确定镜面的移动。可以看出两对静电图案(1105，1205)和(1110，1210)在沿着通过可弯曲玻璃横梁臂1240和1245给予的镜面运动自由的第一轴的悬臂位置上，另外两对静电图案(1105，1205)和(1110，1210)位于在垂直于第一轴通过可弯曲玻璃横梁臂1250和1255给予的镜面运动自由第二轴上的悬臂位置上。因而，通过适当地施加电势差，镜面可以在两个轴内在至少通过中间-MEMS1100的尺寸强加的角度偏移限制内运动。可以使用诸如中间-MEMS1100的设备扫描光束以建立图像。在相关的实施例中，仅使用在公共轴上的两对静电图案可以构建单轴中间-MEMS，例如在类似于图12所示的实施例中图12的静电图案(1115，1215)和(1120，1220)，但是具有包括静电图案1215，1220、横梁1250、1255的整个区域，静电图案1210和1205是单个实板。这种类型的设备可以用于诸如沿着轴移动光束，在该轴之下移动光敏纸，以记录电压，用于心电图。
参见图13，根据本发明的实施例，示出包括至少一个中间-MEMS结构的电子装置的例子的示意方框图。光开关网络包括一排光纤开关1305和1306，所述开关分别具有单个光纤输入1350和两个光纤输出1365和1367。单个光纤输入1350可以切换到由耦合到静电接口1310的控制器1320确定的两个光纤输出1365和1367之一。每个开关1305包括用于光纤输入1350的波导1353，将光输入信号引导到本发明玻璃横梁上的镜面1385。当控制器1320确定将不切换中间-MEMS设备时，如在光纤开关1305的情况下，静电接口1310基本上消除在静电图案1385和1383之间所有的静电电荷差值，该玻璃横梁构成宽松位置。因此，光输入信号反射1357镜面1385至第一光纤输出波导和放大器1359，并引导出耦合到开关1305的光纤1365，耦合到开关1305的光纤1367没有信号。当控制器1320确定将要切换中间-MEMS设备时，如在光纤开关1306的情况下，静电接口1310将静电电荷差值放置在静电图案1385和1383上。因此，玻璃横梁构成激活弯曲位置，光输入信号反射1393镜面1385至第二光纤输出波导和放大器1367，并引导出耦合至开关1306的光纤1367，耦合到开关1306的光纤1365没有信号。
根据本发明构成的中间-MEMS结构可以与使用PWB技术的硅设备和其它电子组件相互组合。如此构成的光电电路(即包括电路或光路或两者的通路)可能是复杂的系统，例如包括基本上完整的光接收机、发射机或收发信机，并可以包括在各种光电部件中的任一部件内(即包括电路或光路或两者的通路)，包括无源光网络和用户产品，例如投影显示器和光纤到户机顶盒。
在上文的描述中，已经参考具体的例子描述的本发明及其益处和优点。然而，本领域的普通技术人员将理解在不脱离在权利要求书中阐述的本发明的范围的情况下可以进行各种修改和改变。因此，说明书和附图将视为说明性的，而非限制性的，所有这些修改将包括在本发明的范围内。可能导致任一益处、优点或解决方案变得更为显著的益处、优点、解决方案和任意一个或多个元件将不解释为任一或所有权利要求的决定性的、必需的或必要的特征或元件。
如在此使用的，术语“包括”、“包含”或其任何其它变型将覆盖非排除的包含，以便包括元件列表的处理方法、物品或设备并不仅包括那些元件，而是可以包括未明确列出或这种处理、方法、物品或设备固有的其它元件。
在此使用的“另一个”定义为至少第二个或更多。结构“或者……或者”等价于布尔排除或陈述。在此使用的术语“包括”和/或“具有”定义为包含。参考电光技术，在此使用的术语“耦合”定义为连接，尽管没有必要直接地，也没有必要机械地。
权利要求
1.一种中间-机电系统，包括基片；至少一个设置在基片表面上的支架；设置在基片表面上的第一静电图案；和玻璃横梁，具有连接到至少一个支架的固定区域，所述支架具有在玻璃横梁的悬臂位置上的第二静电图案，其中第二静电图案与第一静电图案基本上共同延展和平行，并且其中当第一和第二静电图案处于非激励状态时，第二静电图案具有与第一静电图案的宽松间隔。
2.根据权利要求1的中间-机电系统，其中玻璃横梁的厚度在10和75微米之间。
3.根据权利要求1的中间-机电系统，其中第二静电图案是导电金属，该导电金属被形成图案以包括在玻璃横梁固定区域上的电终端区域。
4.根据权利要求1的中间-机电系统，其中玻璃横梁还包括临近悬臂位置的镜面。
5.根据权利要求4的中间-机电系统，其中光引导设备临近悬臂位置贴附于玻璃横梁。
6.根据权利要求1的中间-机电系统，其中第二静电图案形成镜面。
7.根据权利要求1的中间-机电系统，其中第一和第二静电图案包括第一对静电图案，还包括附加的至少一对静电图案，其中附加的至少一对静电图案的每个静电图案包括设置在基片表面上的第一静电图案；在玻璃横梁的悬臂位置上的第二静电图案，其中当该中间-机电系统非激励时，第二静电图案与第一静电图案基本上共同延展和平行。
8.一种用于制造中间-机电系统的方法，包括在基片上从金属层在基片的设备区域内形成第一静电图案；在设备区域上设置牺牲光致电介质层；暴露该牺牲光致电介质层以形成至少一个隐藏支架区域；使用静电材料涂覆玻璃电介质的顶部和底部表面；将涂覆电介质层压到牺牲光致电介质层；在具有玻璃横梁图案的涂覆玻璃电介质上形成图案保护层，所述玻璃横梁包括与第一静电图案基本上共同扩展的第二静电图案；消除不在玻璃横梁图案内的玻璃和静电材料；和消除牺牲光致电介质层的除了至少一个隐藏支架区域之外的部分，从而构成至少一个支架。
9.根据权利要求8的方法，其中形成图案保护层包括在玻璃电介质的顶面上施加至少50微米厚的光敏抗蚀刻剂；和使用图案暴露光敏抗蚀刻剂；并且其中消除不在玻璃横梁图案内的玻璃和静电材料包括喷沙。
10.一种电子装置，包括中间-机电系统，该系统包括基片；至少一个设置在基片表面上的支架；设置在基片表面上的第一静电图案；玻璃横梁，具有连接到至少一个支架的固定区域，所述支架具有在玻璃横梁的悬臂位置上的第二静电图案，其中第二静电图案与第一静电图案基本上共同延展和平行，并且其中当第一和第二静电图案处于非激励状态时，第二静电图案具有与第一静电图案的宽松间隔；和控制器，耦合到第一和第二静电图案，通过激励静电图案控制玻璃横梁的移动。
全文摘要
一种中间－机电系统(900，1100)，包括基片(215)，设置在基片表面上的支架(405，1160)，设置在基片表面上的第一静电图案(205，1105，1110，1115，1120)和玻璃横梁(810)。玻璃横梁(810)具有连接到支架的固定区域(820)，并具有在玻璃横梁的悬臂位置上的第二静电图案(815，1205，1210，1215，1220)。第二静电图案与第一静电图案基本上共同延展和平行。当第一和第二静电图案处于非激励状态时，第二静电图案具有与第一静电图案的宽松间隔(925)。在一些实施例中，由构成第二静电图案的静电材料形成镜面。可以使用喷沙(140)形成该玻璃横梁图案。
文档编号H01H57/00GK1898854SQ200480038857
公开日2007年1月17日 申请日期2004年12月22日 优先权日2003年12月23日
发明者约维察·萨维奇, 马内什·伊莱亚辛, 刘俊华, 阿龙·V·通加勒 申请人:摩托罗拉公司