专利名称：化学机械平坦化终点检测方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种化学机械平坦化终点检 测方法。
技术背景化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization, CMP)是一种 全局表面平坦化技术，在半导体制造过程中用以减小晶片厚度的变化和表面 形貌的影响。由于CMP可精确并均匀地把晶片平坦化为需要的厚度和平坦度， 已经成为半导体制造过程中应用最广泛的一种表面平坦化技术。实际生产过程中，采用终点检测来衡量CMP是否已将材料研磨至所需厚 度。有些CMP应用对终点检测来说是简单的，如平坦化鴒覆盖层时由于金属鴒 和下面介质层材料间具有不同的平坦化速率，平坦化过程会在介质层材料处 停下来，此时，介质层作为金属鵠层平坦化的终止层存在。但对于无终止层 的平坦化过程而言，通常利用原位终点检测弥补平坦化速率的变化并提供平 坦化均匀性的检测。现行的两种最常用的原位终点4企测方法为电机电流终点 检测法和光学终点检测法。电机电流终点检测法通过检测磨头或转盘电机中的电流量监控平坦化速 率。平坦化量的变化(即电机负载)会导致电机电流量的变化，由于磨头是 匀速旋转的，为补偿电机负载的变化，电机电流量会有相应变化，即电机电 流对晶片表面粗糙程度的变化是敏感的。由此，通过电机电流量的变化可提 供平坦化均匀性的检测；光学终点检测法是一种基于光反射原理的终点检测 方法，光从膜层上反射的不同角度与膜层材料和膜层厚度相关，若膜层材料 厚度变化，光学终点;险测可测量到从平坦化膜层反射的紫外光或可见光之间 的干涉。利用干涉信号处理算法连续地测量平坦化中膜层厚度的变化，可测 定平坦化速率。图l为为应用现有方法获得的终点检测图像示意图，如图l所示，所述终 点检测参数包括电机电流量及光学信号处理参数。将终点检测曲线60划分为 a、 b及c段。相应地，将平坦化材料层10表面分为微起伏层30、起伏增长层40 及均匀层50。图2平坦化材料结构剖视图，如图1和图2所示，终点检测曲线中 a段为多峰曲线，分别对应微起伏层表面各微小起伏的平坦化过程；终点检测
曲线中b段为单峰曲线，对应起伏增长层平坦化的全过程，曲线峰值处对应平坦化材料表面达到平坦化初期对应的终点检测参数值；终点检测曲线中c段描 述已平坦化的平坦化材料被处理至所需厚度的过程。显然，平坦化材料CMP终 点检测的主体为终点检测曲线中的b段，只有检测出终点检测曲线中的b段内 单峰，才能说明CMP终点检测已基本完成。但是，利用现有方法进行终点检观'J， 实际获得的终点检测曲线至少包含a及b段，由于对应微起伏层平坦化检测曲 线的a段中存在多处峰值，而在终点检测过程中，检测到的终点检测曲线显示 为适时曲线，无法确认获得的检测峰值究竟为a段曲线内的多峰值之一还是b 段内单峰值，易造成终点峰值判断不准确，即在未达到检测终点时已结束终 点4佥测。申请号为"200310108838.4"的中国专利申请中提供了 一种应用双终点 检测的浅沟槽隔离(Sha 11 ow Tr ench I s o 1 a t i on, ST I ) 工艺CMP终点检测方 法。该方法为避免误检的发生，采用两次终点检测过程进行终点检测。具体 为利用第一终点检测结果确定第一检测时间，即平坦化材料微起伏层终点 检测所需时间；进而进行第二终点检测，第二检测时间长于第一检测时间时， 测得的检测图像即可准确体现终点检测结果。但是，应用该方法进行终点检化时间中占有较大比例，使得CMP过程耗时较长，不利于生产效率的提高。由 此，提供一种既可保证终点检测可靠性，又能缩短终点检测耗用时间的终点 检测方法称为本领域技术人员亟待解决的问题。 发明内容本发明提供了一种CMP终点检测方法，可在进行终点检测时，既能保证终点检测可靠性，又能缩短终点检测耗用时间。本发明提供的一种化学机械平坦化终点检测方法，包括 利用样片，以单一平坦化速率进行基础终点检测； 根据基础终点检测结果将实际终点检测过程分为第一步骤及第二步骤； 在实际终点检测过程中设定第一平坦化速率及第二平坦化速率； 以所述第一平坦化速率进行第一步骤；以所述第二平坦化速率进行第二步骤；顺序进行第一步骤及第二步骤，，完成实际终点检测。所述平坦化材料包括微起伏层、起伏增长层及均勻层；所述第一步骤包 括对微起伏层进行终点检测；所述第二步骤包括第一步骤后的终点检测。 所述将终点检测过程分为第 一步骤及第二步骤的方法包括 确定平坦化材料表面起伏高度和单一平坦化速率，并计算基础终点检测 总时间；根据基础终点检测总时间，获取对应微起伏层基础终点检测时间； 利用微起伏层基础终点检测时间，计算微起伏层厚度； 根据微起伏层厚度及第一平坦化速率，计算《效起伏层实际终点检测时间； 以第一平坦化速率持续所述微起伏层的实际终点检测时间，进行所述第 一步骤；所述第一步骤完成后，进行所述第二步骤。所述计算微起伏层厚度的方法包括计算微起伏层基础终点检测时间和 单一平坦化速率的乘积；所述计算微起伏层厚度的方法包括计算微起伏层 实际终点检测时间与终点检测总时间的比值后，再计算所述比值与平坦化材 料表面起伏高度的乘积。所述第一平坦化速率大于所述第二平坦化速率。所述终点;险测过程包括以第一平坦化速率持续微起伏层实际终点检测时间，实施第一步骤；以 第二平坦化速率，完成第二步骤。本发明提供的一种化学机械平坦化方法，包括利用样片，以单一平坦化速率进行基础平坦化操作，并进行基础终点检测；根据基础终点检测结果将实际平坦化操作过程分为第一步骤及第二步骤；在实际平坦化操作过程中设定第 一平坦化速率及第二平坦化速率； 以所述第一平坦化速率进行第一步骤；以所述第二平坦化速率进行第二 步骤；顺序进行第一步骤及第二步骤，完成实际平坦化操作。 所述平坦化材料包括微起伏层、起伏增长层及均匀层；所述第一步骤包 括对微起伏层进行平坦化操作；所述第二步骤包括第 一步骤后的平坦化操作。
所述将平坦化过程分为第 一步骤及第二步骤的方法包括 确定平坦化材料表面起伏高度和单一平坦化速率，并计算基础平坦化总 时间；根据基础平坦化总时间，获取对应微起伏层基础平坦化时间； 利用微起伏层基础平坦化时间，计算微起伏层厚度； 根据微起伏层厚度及第一平坦化速率，计算微起伏层实际平坦化时间； 以第一平坦化速率持续所述微起伏层实际平坦化时间，进行所述第一步骤；所述第一步骤完成后，进行所述第二步骤。所述计算微起伏层厚度的方法包括计算微起伏层基础平坦化时间和单 一平坦化速率的乘积；所述计算微起伏层厚度的方法包括计算微起伏层基 础平坦化时间与基础平坦化总时间的比值后，再计算所述比值与平坦化材料 表面起伏高度的乘积。所述第 一平坦化速率大于所述第二平坦化速率。所述平坦化过程包括以第一平坦化速率持续微起伏层实际平坦化时间，实施第一步骤；以第 二平坦化速率，完成第二步骤。与现有技术相比，本发明具有以下优点1. 通过将原有CMP终点检测分为第一步骤及第二步骤，且使得终点检测 主体仅涉及第二步骤，易于判断终点检测完成时间，避免了误检的发生，提 高了终点检测的可靠性；2. 通过对第一步骤及第二步骤分别设定第一平坦化速率及第二平坦化速 率，以对第一步骤施行快速终点检测，而对第二步骤可采用正常工艺进行终 点检测，减少了CMP过程耗用时间，提高了生产效率；3. 本发明不仅适用于STI工艺中CMP终点检测，还适用于包括各介质层及 金属层在内的半导体各部分结构的平坦化工艺，具有广泛的适用范围。
图1为应用现有方法获得的终点检测图像示意图；图2为平坦化材料结构剖视图；图3为说明本发明方法第一实施例的平坦化材料结构剖视图；图4为说明本发明方法第一实施例的终点检测图像示意图； 图5为说明本发明方法第二实施例的平坦化材料结构剖视图; 图6为说明本发明方法第二实施例的终点检测图像示意图； 图7为说明本发明方法第三实施例的平坦化材料结构剖视图; 图8为说明本发明方法第三实施例的终点检测图像示意图； 其中同一结构用同一标号标示；10平坦化材料层；20介质层；21通孔；30微起伏层；40起伏增长层；41表面起伏最低点；50均匀层；60基础终点一企测曲线;61终点4全测曲线；70金属层；71金属层缝隙；80浅沟槽；90基底。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图 对本发明的具体实施方式
做详细的说明。为避免引起不必要的难于理解，本 文的实施例说明中省略了公知的工艺操作描述。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。应用本发明方法进行CMP终点检测的实施步骤为首先，利用样片，以 单一平坦化速率进行基础终点检测；然后，根据基础终点检测结果将实际终 点检测过程分为第一步骤及第二步骤；随后，在实际终点检测过程中设定第 一平坦化速率及第二平坦化速率；以所述第一平坦化速率进行第一步骤；以 所述第二平坦化速率进行第二步骤；最后，顺序进行第一步骤及第二步骤，完成实际终点4企测。作为本发明的第 一实施例，应用本发明方法进行介质层CMP终点检测的具 体实施步骤为首先，利用样片，以单一平坦化速率进行基础终点检测。
所述基础终点检测为利用现有技术对样片进行的终点检测。获得的终点 际乡t点4企测。图3为说明本发明方法第一实施例的平坦化材料结构剖视图，如图3所示， 所述介质层20填充金属层内缝隙71并覆盖金属层70上表面区域。所述覆盖金 属层上表面区域的介质层20包括微起伏层30、起伏增长层40及均匀层50，作 为本发明的实施例，所述微起伏层定义为对应基础终点检测曲线中a段的平坦 化材料层。所述起伏增长层位于表面起伏最低点41处平面上方及微起伏层底 面下方；所述均匀层为将已平坦化的介质层研磨至要求厚度所需研磨的部分 介质层；所述均匀层厚度对应已平坦化的介质层表面厚度与所需厚度介质层 表面的差值。所述差值可为生产过程中出现的各介质层厚度范围内的任意合 理值，如20纳米、80纳米或500纳米等。然后，根据基础终点检测结果将实际终点检测过程分为第一步骤及第二 步骤。所述将终点检测过程分为第一步骤及第二步骤的方法为确定平坦化材 料表面起伏高度和单一平坦化速率，并计算基础终点检测总时间；根据基础 终点检测总时间，获取对应微起伏层基础终点检测时间；利用微起伏层基础 终点检测时间，计算微起伏层厚度；根据微起伏层厚度及第一平坦化速率， 计算微起伏层实际终点检测时间；以第 一平坦化速率持续所述微起伏层的实 际终点检测时间，进行所述第一步骤；所述第一步骤完成后，进行所述第二 步骤。所述计算微起伏层厚度的方法包括计算微起伏层基础终点检测时间和 单一平坦化速率的乘积，或者，计算微起伏层基础终点检测时间与基础终点 检测总时间的比值后，再计算所述比值与介质层表面起伏高度的乘积。随后，在实际终点;险测过程中设定第 一平坦化速率及第二平坦化速率； 以所述第一平坦化速率进行第一步骤；以所述第二平坦化速率进行第二步骤。为减少终点检测所需时间，以提高生产效率，需对微起伏层进行快速平 坦化，而对起伏增长层及均匀层可采用常规工艺进行平坦化，即所述第一平 坦化速率大于所述第二平坦化速率；所述第一平坦化速率大于上述单一平坦
化速率；所述第 一平坦化速率及第二平坦化速率的具体数值根据工艺条件及 生产要求确定。最后，顺序进行第一步骤及第二步骤，完成实际终点才全测。 所述完成实际终点检测的具体过程为以第一平坦化速率持续微起伏层 实际终点检测时间，进行第一步骤；以第二平坦化速率，完成第二步骤。图4为说明本发明方法第一实施例的终点检测图像示意图，如图4所示， 所述基础终点检测曲线分为a^ b,及d段。终点检测曲线61中a,段对应微起伏层表面各微起伏的平坦化过程；终点检 测曲线中b,段为单峰曲线，对应起伏增长层平坦化的全过程，曲线峰值处对应 介质层表面达到平坦化初期对应的终点检测参数值；终点检测曲线中d描述已 平坦化的介质层被处理至所需厚度的过程。作为本发明的第二实施例，应用本发明方法进行浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI )区填充材料的CMP终点检测具体实施步骤为 首先，利用样片，以单一平坦化速率进行基础终点检测。 图5为说明本发明方法第二实施例的平坦化材料结构剖视图，如图5所示， 所述浅沟槽80内部及基底90内非沟槽区表面覆盖介质层20材料；所述基 底90包含半导体衬底及其上隔离层和阻挡层；所述覆盖基底90内非沟槽区表 面的介质层20包括微起伏层30、起伏增长层40及均匀层50，作为本发明的实 施例，所述微起伏层定义为对应基础终点检测曲线中a段的平坦化材料层。所 述起伏增长层位于表面起伏最低点处41平面上方及微起伏层底面下方；所述 均匀层为将已平坦化的介质层研磨至要求厚度所需研磨的部分介质层；所述 均匀层厚度对应已平坦化的介质层表面厚度与所需厚度介质层表面的差值。 所述差值可为生产过程中出现的各介质层厚度范围内的任意合理值，如20 纳米、80纳米或200纳米等。然后，根据基础终点检测结果将实际终点检测过程分为第一步骤及第二 步骤。所述将终点;险测过程分为第 一步骤及第二步骤的方法为确定平坦化材 料表面起伏高度和单一平坦化速率，并计算基础终点检测总时间；根据基础 终点检测总时间，获取对应微起伏层基础终点检测时间；利用微起伏层基础 终点检测时间，计算微起伏层厚度；根据微起伏层厚度及第一平坦化速率，
计算微起伏层实际终点检测时间；以第 一平坦化速率持续所述微起伏层的实 际终点检测时间，进行所述第一步骤；所述第一步骤完成后，进行所述第二 步骤。所述计算微起伏层厚度的方法包括计算微起伏层基础平坦化时间和单 一平坦化速率的乘积，或者，计算微起伏层基础终点检测时间与基础终点检 测总时间的比值后，再计算所述比值与金属层表面起伏高度的乘积。随后，在实际终点检测过程中设定第 一平坦化速率及第二平坦化速率； 以所述第一平坦化速率进行第一步骤；以所述第二平坦化速率进行第二 步骤。为减少终点检测所需时间，以提高生产效率，需对微起伏层进行快速平坦化速率大于所述第二平坦化速率。所述第 一平坦化速率及第二平坦化速率 的具体数值根据工艺条件及生产要求确定。最后，顺序进行第一步骤及第二步骤，完成实际终点检测。所述完成实际终点检测的具体过程为以第一平坦化速率持续微起伏层 实际平坦化时间，进行第一步骤；以第二平坦化速率，完成第二步骤。图6为说明本发明方法第二实施例的终点检测图像示意图，如图6所示， 所述基础终点;险测曲线分为a2、 b2及C2段。终点检测曲线61中&2段对应微起伏层表面各微起伏的平坦化过程；终点检 测曲线中b2段为单峰曲线，对应起伏增长层平坦化的全过程，曲线峰值处对应 介质层表面达到平坦化初期对应的终点检测参数值；终点检测曲线中C2段描述 已平坦化的介质层^C处理至所需厚度的过程。作为本发明的第三实施例，应用本发明方法金属层CMP终点检测的具体实 施步骤为首先，利用样片，以单一平坦化速率进行基础终点检测。 图7为说明本发明方法第三实施例的平坦化材料结构剖视图，如图7所示， 所述金属层70覆盖介质层20及其内通孔21表面；所述覆盖介质层20及其内通 孔21表面的金属层70包括微起伏层30、起伏增长层40及均匀层50。所述起伏 增长层位于表面起伏最低点处41平面上方及微起伏层底面下方；所述均匀层 为将已平坦化的金属层研磨至要求厚度所需研磨的部分金属层；所述均匀层
厚度对应已平坦化的金属层表面厚度与所需厚度金属层表面的差值。所述差值可为生产过程中出现的各金属层厚度范围内的任意合理值，如2纳米、5 納米或1Q納米等。然后，根据基础终点检测结果将实际终点检测过程分为第一步骤及第二 步骤。所述将终点检测过程分为第一步骤及第二步骤的方法为确定平坦化材 料表面起伏高度和单一平坦化速率，并计算基础终点检测总时间；根据基础 终点检测总时间，获取对应微起伏层基础终点;险测时间；利用微起伏层基础 终点检测时间，计算微起伏层厚度；根据微起伏层厚度及第一平坦化速率， 计算微起伏层实际终点检测时间；以第 一平坦化速率持续所述微起伏层的实 际终点检测时间，进行所述第一步骤；所述第一步骤完成后，进行所述第二 步骤。所述计算微起伏层厚度的方法包括计算微起伏层基础平坦化时间和单 一平坦化速率的乘积，或者，计算微起伏层基础终点检测时间与基础终点检 测总时间的比值后，再计算所述比值与金属层表面起伏高度的乘积。随后，在实际终点检测过程中设定第一平坦化速率及第二平坦化速率； 以所述第一平坦化速率进行第一步骤；以所述第二平坦化速率进行第二 步骤。为减少终点检测所需时间，以提高生产效率，需对微起伏层进行快速平 坦化，而对起伏增长层及均匀层可采用常规工艺进行平坦化，即所述第一平 坦化速率大于所述第二平坦化速率。所述第一平坦化速率及第二平坦化速率 的具体数值根据工艺条件及生产要求确定。最后，顺序进行第一步骤及第二步骤，完成实际终点检测。所述完成实际终点检测的具体过程为以第一平坦化速率持续微起伏层 实际平坦化时间，进行第一步骤；以第二平坦化速率，完成第二步骤。图8为说明本发明方法第三实施例的终点检测图像示意图，如图8所示，所述基础终点检测曲线分为a3、 t)3及C3段。终点检测曲线61中a3段对应微起伏层表面各微起伏的平坦化过程；终点检 测曲线中b3段为单峰曲线，对应起伏增长层平坦化的全过程，曲线峰值处对应金属层表面达到平坦化初期对应的终点检测参数值；终点检测曲线中"段描述 已平坦化的金属层被处理至所需厚度的过程。上迷实施例只是为说明本发明方法而逸取的特殊实施方式，其涉及的平 坦化材料可为半导体结构中涵盖的任意层材料，显然，包括各介质层及金属 层在内的半导体平坦化工艺均适用本发明方法，均应落入本发明方法的保护 范围之内。采用本发明方法，通过将原有CMP终点检测分为第一步骤及第二步骤，且使得终点检测主体仅涉及第二步骤，易于判断终点检测完成时间，避免了误检的发生，提高了终点检测的可靠性；通过对第一步骤及第二步骤分别设定 第一平坦化速率及第二平坦化速率，以对第一步骤施行快速终点检测，而对 第二步骤可采用正常工艺进行终点检测，减少了CMP过程耗用时间，提高了生 产效率；本发明不仅适用于STI工艺中CMP终点检测，还适用于包括各介质层 及金属层在内的半导体平坦化工艺，具有广泛的适用范围。显然，CMP终点终点检测必然伴随着CMP过程的进行。本发明提供的CMP终 点检测方法同样适用于CMP过程的改进。将上述实施例中术语"终点检测"更 换为"平坦化过程，，即可构成本发明方法的各具体实施例，在此不再赘述。本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何 本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和 修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1. 一种化学机械平坦化终点检测方法，包括 利用样片，以单一平坦化速率进行基础终点检测； 根据基础终点检测结果将实际终点检测过程分为第一步骤及第二步骤； 在实际终点检测过程中设定第 一平坦化速率及第二平坦化速率；以所述第一平坦化速率进行第 一步骤；以所述第二平坦化速率进行第二 步骤；顺序进行第一步骤及第二步骤，完成实际终点检测。
2. 根据权利要求1所述的终点检测方法，其特征在于所述平坦化材料 包括微起伏层、起伏增长层及均匀层。
3. 根据权利要求2所述的终点检测方法，其特征在于所述第一步骤包 括对微起伏层进行终点检测。
4. 根据权利要求2所述的终点检测方法，其特征在于所述第二步骤包 括第一步骤后的终点检测。
5. 根据权利要求1所述的终点检测方法，其特征在于所述将终点检测 过程分为第 一步骤及第二步骤的方法包括确定平坦化材料表面起伏高度和单一平坦化速率，并计算基础终点检测 总时间；根据基础终点检测总时间，获取对应微起伏层基础终点检测时间； 利用微起伏层基础终点检测时间，计算微起伏层厚度； 根据微起伏层厚度及第 一平坦化速率，计算微起伏层实际终点检测时间； 以第一平坦化速率持续所述微起伏层的实际终点检测时间，进行所述第 一步骤；所述第一步骤完成后，进行所述第二步骤。
6. 根据权利要求5所述的终点检测方法，其特征在于所述计算微起伏 层厚度的方法包括计算微起伏层基础终点检测时间和单一平坦化速率的乘积。
7. 根据权利要求5所述的终点检测方法，其特征在于所述计算微起伏 层厚度的方法包括计算微起伏层实际终点检测时间与终点检测总时间的比 值后，再计算所述比值与平坦化材料表面起伏高度的乘积。
8. 根据权利要求1所述的终点检测方法，其特征在于所述第一平坦化速率大于所述第二平坦化速率。
9. 根据权利要求3所述的终点检测方法，其特征在于所述终点检测过 程包括以第一平坦化速率持续微起伏层实际终点检测时间，实施第一步骤； 以第二平坦化速率，完成第二步骤。
10. —种化学机械平坦化方法，包括利用样片，以单一平坦化速率进行基础平坦化操作，并进行基础终点检测；根据基础终点检测结果将实际平坦化操作过程分为第 一 步骤及第二步骤；在实际平坦化操作过程中设定第一平坦化速率及第二平坦化速率； 以所述第一平坦化速率进行第一步骤；以所述第二平坦化速率进行第二 步骤；顺序进行第一步骤及第二步骤，完成实际平坦化操作。
11. 根据权利要求IO所述的终点检测方法，其特征在于所述平坦化材 料包括微起伏层、起伏增长层及均匀层。
12. 根据权利要求11所述的终点检测方法，其特征在于所述第一步骤 包括对微起伏层进行平坦化操作。
13. 根据权利要求11所述的终点检测方法，其特征在于所述第二步骤 包括第 一 步骤后的平坦化操作。
14. 根据权利要求10所述的终点检测方法，其特征在于所述将平坦化 过程分为第 一步骤及第二步骤的方法包括确定平坦化材料表面起伏高度和单一平坦化速率，并计算基础平坦化总 时间；根据基础平坦化总时间，获取对应微起伏层基础平坦化时间； 利用微起伏层基础平坦化时间，计算微起伏层厚度； 根据微起伏层厚度及第一平坦化速率，计算微起伏层实际平坦化时间； 以第一平坦化速率持续所述微起伏层实际平坦化时间，进行所述第一步骤；所述第一步骤完成后，进行所述第二步骤。
15. 根据权利要求l4所述的终点检测方法，其特征在于所述计算微起 伏层厚度的方法包括计算微起伏层基础平坦化时间和单一平坦化速率的乘积。
16. 根据权利要求14所述的终点检测方法，其特征在于所述计算微起 伏层厚度的方法包括计算微起伏层基础平坦化时间与基础平坦化总时间的 比值后，再计算所述比值与平坦化材料表面起伏高度的乘积。
17. 根据权利要求IO所述的终点检测方法，其特征在于所述第一平坦 化速率大于所述第二平坦化速率。
18. 根据权利要求12所述的终点检测方法，其特征在于所述平坦化过 程包括以第 一平坦化速率持续微起伏层实际平坦化时间，实施第 一步骤； 以第二平坦化速率，完成第二步骤。
全文摘要
一种化学机械平坦化终点检测方法，包括利用样片，以单一平坦化速率进行基础终点检测；根据基础终点检测结果将实际终点检测过程分为第一步骤及第二步骤；在实际终点检测过程中设定第一平坦化速率及第二平坦化速率；以所述第一平坦化速率进行第一步骤；以所述第二平坦化速率进行第二步骤；顺序进行第一步骤及第二步骤，完成实际终点检测。应用此终点检测方法，既可保证终点检测的可靠性，又能缩短终点检测耗用时间，同时具有广泛的适用范围。
文档编号H01L21/02GK101121242SQ200610029920
公开日2008年2月13日 申请日期2006年8月10日 优先权日2006年8月10日
发明者邓永平 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司