专利名称：导热性能提高的组件及其制造方法
技术领域：
本发明通常涉及这样的组件，其用于在半导体工艺处理室中调节基 板的温度，用于调节金属模件或陶瓷模件包括玻璃模压的温度，用于除 气、合金化或者需要温度调节的其它工业处理工艺。
背景技术：
由于高能效以及易于测量和控制，电阻加热器作为加热对象的器件 广受欢迎。在那些电阻加热器中，当需要的温度比传统的金属加热器能 够承受的温度高时，通常选择陶瓷加热器。陶瓷加热器还用于对于金属 污染敏感的工艺中。半导体工艺、金属或者陶瓷模压、除气和合金化是 通常使用陶瓷加热器的领域实例。在这些领域中应用通常需要对象达到60crc或者更高的温度。加热对象例如半导体晶片或者模件的温度控制对于满足需要的工艺性能是关键的。热调节装置包括电阻加热器，还可以包括在对象和电阻加热器之间的目标支撑元件的分离部件。例如当电阻加热器需要免受苛刻的工艺环境、机械负载或者污染影响时，就需要这种结构。当加热对象的温度均匀性需要提高时，还需要这种目标支撑元件。通常，在这种结构中，具 有与加热对象的温度控制相关的两个关心区域。第一关心的是在加热对象和对象支撑体的表面之间的热传导，第二关心的是在组件结3勾中目标 支撑体的热调节。组装热装置通常具有热接触电阻的问题。在真空或者低气压(20Pa或更低)气氛中，通过气体传递对流热的效率更低，上述 问题变得非常重要。通常，背景气体例如氩气或者氦气用作在基底和对
象支撑体之间的热传导介质以补偿这种热传导困难。对象支撑元件可以具有的例如真空或者静电夹头功能以将加热对象 保持在其位置上。功能的另一实例，目标支撑提可以作为等离子工艺中 的RF电极工作。第二关心的是对象支撑体的热调节。在组件中对象支撑体的热调节 通常由位于组件之中的金属冷却板来提供。通过具有固相接触的材料提 高导热传导促进更高的热传导率，与通过气隙或者空隙包括在接触面上 表面不规则(平坦性、粗糙度等)引起的缝隙的热传导不同，通过固体 材料的导热以更高的速率发生。希望提高能量效率、更快的加热/冷却以 及在组件例如弹性O环中保护非热阻部件。热界面材料(TIM)层已经用于最大化在陶资支撑体和冷却板之间 的固固相接触。美国专利No.6,292,346中公开使用了厚度小于500)um 的金属箔或者碳片。美国专利No.6,563,686中公开使用共形石墨空隙层以提高热导率。然而，为了获得来自石墨或者碳层的最佳性能，需要充 分压缩加热元件和目标支撑元件以最小化接触表面中的气隙或孔隙。然而，使用由上述引证的专利公开的单TIM层的方法不容易应用 于陶t;加热器。尽管陶资加热器与传统金属加热器相比具有很多优点， 陶瓷部件通常具有固有的脆性缺点。对加热器难于获得充分的压缩以最 大化TIM层的性能而不破坏加热元件。由不充分的压缩引起的低效热传 导是陶瓷加热器的共有问题。此外，现有技术中的TM压缩方法难于在 加热对象上提供半导体工艺和透镜模压工艺必须的均匀温度分布。重复 性和可复制性是与不充分接触TIM相关的另一问题。这种性能对于实际 的接触区域是敏感的，该接触区域取决于各部分之间的变化和组件操作 变化。因此，需要热传导性能提高并且对加热元件影响最小的加热组件。
发明内容
-一方面，本发明涉及用于在工艺处理室例如晶片处理室或者高温模压室中调节对象温度和支撑对象的组件，该组件包括用于支撑晶片基板 或者模件的对象支撑体；用于将对象加热至至少30(TC温度的陶资加热
元件；设置在该对象支撑体和陶资加热层之间的第一导热层；设置在该 陶瓷加热层下面的第二层。第一层和第二层都包含弹性模量小于5GPa 的材料，用于偏置陶瓷加热层而不会引起对于陶瓷层的破坏，同时还能 提供均匀和优良的加热基板。
在一个实施例中，笫一层和第二层都包含相同的材料例如石墨。在 第二实施例中，第一层包含石墨片，第二层包含陶瓷毡材料。在第三实 施例中，第二层具有至少500Mm的厚度。
图1是陶瓷加热器的一个实施例的透^L图。
图2A、 2B和2C是具有不同层结构的图1的陶瓷加热器的各种实 施例的横截面图。
图3是本发明的加热器组件的实施例中的一个实施例的分解图。 图4是本发明的加热器组件的另一实施例的横截面图。 图5是本发明的加热器组件的第三实施例的横截面图。
具体实施例方式
如在此使用的，近似的语言可能用于修正任何可以改变的定量表 示，而不会导致与之相关的基本功能的改变。因此，在一些情况中通过 术语例如"大约"和"实质上"修正的值不是要限制于特定精确值。
如在此使用的，术语"对象"或"基板"表示由本发明的加热组件 支撑或者加热的半导体晶片或者模件。而且如在此使用的，"处理装置" 可以和"加热器"、"加热组件"、"加热装置，，或"工艺装置"互换地使
用，表示包含至少一个加热元件和/或冷却设备以调节在其之上支撑的基 板温度的组件。
如在此使用的，术语"电路"可以和"电极"互换地使用，术语 "加热元件"可以和"电阻"、"加热电阻"或"加热器"互换地使用。 术语"电路"可以以单数或复数形式使用，表示存在至少一个单元。 如在此使用的，术语"片"可以和"层"互换地使用。 组件例如加热装置在加热元件和对象例如加热晶片基板、加热模件
或者加热其它各种样品容器之间提供有效导热，期中加热对象加热至至
少300。C的温度。该装置在对象甚至有缺陷的加热元件例如不均匀的接
触表面上提供相对均匀的温度分布。组件的实施例如下所述，通过描述 使用的材料、元件的组装、其制造工艺并且参考附图来介绍。
陶瓷加热元件的一般实施例在一个实施例中，该组件包括如图1 所示的陶资加热器33。陶资加热器33包含具有埋在其中的加热电阻16 (未示出)的盘形致密陶瓷基板12,其顶部表面13充当加热对象即晶 片、模件或其它样品容器S的支撑表面。用于为加热电阻供电的电端子 15可以附着在陶资基板12的底部表面中心，或者在一个实施例中，在 陶瓷基板的侧面上。
在如图2A所示的一个实施中，陶乾底部基板包含盘或基板18,该 盘或基板18包含导电材料、具有电绝缘的外套层19并且优选复合薄膜 粘结层(未示出)以提高在层19和基底基板18之间的粘性。导电材料 的实例包括石墨；难熔金属例如W和Mo、过渡金属、稀土金属和合金； Hf、 Zr和Ce的氧化物和碳化物及其混合物。关于外套层19,该层包含 选自由B、 Al、 Si、 Ga、 Y、难熔硬金属、过渡金属组成的组的元素的 氧化物、氮化物、碳化物、氮碳化物或者氮氧化物中的至少一种；铝的 氧化物、氮氧化物；以及它们的组合物。关于选择的复合薄膜粘结层， 该层包含选自Al、 Si、包括Ta、 W、 Mo的难熔金属、包括Ti、 Cr、 Fe 的过渡金属中的至少一种的氮化物、碳化物、氮碳化物、硼化物、氧化 物、氮氧化物；以及它们的混合物。实例包括TiC、 TaC、 SiC、 MoC及 其混合物。
在如图2B所示的一个实施例中，基底基板18包含电绝缘材料，该 电绝缘材料包括烧结陶瓷例如选自B、 Al、 Si、 Ga、 Y、高温稳定磷酸 锆、具有NaZr2 (P04) 3的NZP结构、难熔硬金属、过渡金属组成的 组的元素的氧化物、氮化物、碳化物、氮碳化物或者氮氧化物；Al的氯 化一物、氮氧化物以及它们的组合物，具有高的耐磨性和高的热阻性。在 一个实施例中，基底基板18包含纯度>99.7 %的A1N和选自Y203、 Er203 及其组合物的烧结试剂。
在如图2C所示的一个实施例中，具有优化电路"^殳计的电极16 "埋
在"陶瓷基板12中。加热元件16包含选自热解石墨、鴒、钼、铼和柏 或其合金；属于元素周期表中的IVa、 Va和Via族的金属的碳化物和碳 化物；Hf、 Zr和Ce及其组合物的碳化物和氧化物的材料。在一个实施 例中，加热元件16包含热胀系数(CTE)与基板(或其涂层)的CTE 严格匹配的材料。
在如图2A-2B所示的另一实施例中，加热元件33包含厚度为5-1000 pm的膜电极16,其通过本领域公知的工艺包括丝网印刷、旋涂、等离 子喷涂、喷涂分解、反应喷涂沉积、溶胶-凝胶、燃烧焰、电弧、离子电 镀、离子注入、溅射沉积、激光消融、蒸发、电镀和激光表面合金化形 成在电绝缘基底基板18 (图2B)或涂层19 (图2A)上。在一个实施 例中，模电极16包含高熔点金属例如鴒、钼、铼和铂或其合金。在另 一实施例中，模电极16包含Hf、 Zr、 Ce的碳化物或氧化物及其混合物 的至少一种。
在本发明的加热器组件中，可以至少使用至少一个电极。才艮据应用， 电极可以用作电阻加热元件、等离子发生电极、电弹性夹头电极或者电 子束电极。
在如图2A和2B所示的本发明的一个实施例中，陶资加热器33还 涂覆蚀刻电阻保护涂层25,包含选自B、 Al、 Si、 Ga、 Y、难熔硬金属、 过渡金属的氮化物、碳化物、氮碳化物或者氮氧化物及其组合物；具有 NaZr2 ( P04) 3的NZP结构的磷酸锆；包含2a族、3a族和4a族的至少 一种元素的玻璃陶瓷组合物；BaO-Al203-B203-Si02玻璃；以及Si02和 包含Y、 Sc、 La、 Ce、 Gd、 Eu、 Dy和钇铝石榴石(YAG)的氧化物或 氟化物的抗等离子材料的混合物。在一个实施例中，涂层包含在25至1000 。C的温度范围内CTE在2.0x 10-6/K至10x 10-6/K的材料。在另一实施 例中，层25包含高热稳定磷酸锆、具有NaZr2 ( P04 ) 3的NZP结构以 及具有相似晶体结构的有关同构磷酸盐和磷硅酸盐。在第三实施例中， 层25包含玻璃陶瓷组合物包含选自元素周期表2a族、3a族和族4a的 至少一种元素。适合的玻璃陶资组合物实例包括铝硅酸镧(LAS)、硅 铝酸镁(MAS)、硅铝酸钓(CAS)和硅铝酸钇(YAS)。保护涂层25 的厚度根据应用和使用的工艺例如CVD、离子电镀、ETP等从1 mm至
几百Mu m变化，取决于应用。
组件的共同实施例在一个实施例中，温度调节设备例如加热元件 33 被加热器盖全部或者部分地包围，在加热元件和加热器盖之间的热传 导模式通过传导控制。在另一个实施例中，加热器盖是透明的，允许除 了传导以外通过加热器盖直接辐射加热加热对象S。在再一实施例中， 加热器盖是不透明的。在一个实施例中，加热对象S的处理通常在部分 真空中进行，其中背景气体用于提高在基板S和陶资加热器10之间的 热传导。
图3描述了加热器组件的实施例的分解图。从顶部至底部，具有加 热器盖37的组件包含对象支撑元件31、第一导热片32、加热元件33、 第二片34、选择的热绝缘层35和平台36。提供支撑元件31以支撑加 热对象S。在一个实施例中，支撑元件31和平台36通过机械固定或者 其它固定器件38结合在一起，因此，形成完全包围这些零件的剩余部 分的加热器盖37。机械固定的实例包括杆、螺丝钉、销等。在一个实施 例中，支撑元件31与平台36通过使用陶瓷粘结剂、粘结剂等结合。在 一个实施例中，弹簧或其它弹性器件用作固定器件38。
在一个实施例中，操作时第一和第二片偏压(加压)靠在加热元件 33和支撑元件31上，用于在这些片和加热元件之间在以在加热元件33 上的在0.05至30psi的偏置力下紧密接触。在一个实施例中，在加热元 件33 (或者温度调节设备例如冷却设备)上的偏压力在0.10至20psi的 范围内。
在如图5所示的其它实施例中，加热盖37部分覆盖内部组件。在 图中，通过加热元件33的供电部分39提供电源。在图4和5中，供电 器件从加热元件33成整体地(monol池ically )延伸。在另 一实施例中(未 示出)，供电器件39包含连接加热元件33的柔性电线。在一个实施例 中供电器件配置成它们不限制加热元件33的垂直位移，允许加热元件33 沿着加热器组件的碳片或者其它部分的热膨胀自由移动。在如图4和5 所示的一个实施例中，在加热对象側S的第一导热片32比第二片34薄， 由此通过改变热阻允许更有效的向加热对象S传导热。
在一个实施例中，该组件还包含设置在第二片34下面的可选的热
绝缘体35层，以便增加热阻。在一个实施例中(未示出)，热绝缘层设
置在第二片34和加热元件33之间。在另一实施例中，额外的热绝缘层 35设置在第二导热片34下面。
在图5的一个实施例中，供电器件包含从加热器33延伸具有螺纟丈 孔的石墨柱，其设计成允许接受导电螺杆。该导电螺杆还可以与柔性电 线连接(未示出)。在一个实施例中，嵌入的热解石墨(PG)电极用作 加热器33的加热元件。在另一实施例中，为了保护PBN陶资加热器免 受工艺负荷，支撑突起面向平台40并且从对象支撑元件31突出。
在操作时，基板S通过从加热元件33传递热量(即热能)给第一 导热片32、对象支撑元件31、传递给基板S进行热调节。对象支撑元 件31和平台36包含相同或不同的材料，选自铜、不锈钢、高速钢、鴒、 钼、Kovar⑧或它们的合金。如果两个元件包含不同的材料，它们优选具 有匹配的热胀系(CTE)，即一种材料的CTE是第二种材料的CTE的0.75 至1.25。可选择地，可以选择陶乾或者烧结硬合金。实例包括但不限于 氮化铝、氮化硅、碳化硅、碳化鴒、石墨等。
热绝缘层35通常由低导热材料制造。实例包括但不限于热解氮化 硼、氮化硅、氧化铝、氧化锆、石英玻璃等。该层的厚度为50(im至1 厘米。在一个实施例中，绝缘层35具有至少10()Mm的厚度。在第二实 施例中，厚度小于5mm。在第三实施例中，热绝缘层的厚度为100至2000 H m。
第一导热片32和第二片34特征在于都是柔性的，即包含弹性材料 /柔性材料以提供具有减震/弹性特征的片从而弹性变形以及将盖32压缩 温度调节设备例如加热元件33压在盖32上以最小限度破坏或者不破坏 加热元件。典型材料包括但不限于柔性优良的碳片、陶瓷纤维、陶覺毡、 陶瓷泡沫、石墨泡沫等。在一个实施例中，第一和第二片包含相同或者 不同的材料，构成的材料具有至少5%的延展性能。在第二实施例中， 材料具有小于10Gpa的弹性模量。在第三实施例中，这些片包含弹性模 量小于5GPa的材料。在第四实施例中，这些片弹性模量小于lGPa。在 第五实施例中，这些片包含压缩率至少为20%的材料。在第六实施例中， 片包含压缩率至少为40%的材料。
除了延展性以外，第一片32的另一特征在于具有优良的导热性能。 导热性能对于第二片不是必须的。然而，在一个实施例中，第二片34
包含导热性和延展性材冲十例如石墨。在一个实施例中，第二片34包含
热绝缘和延展性材料例如陶资毡或泡沫。
在一个实施例中，第一片32包含延展性材料例如碳，在平行于加 热元件的平面具有大约20W/mK的导热率。在第二实施例中，第一和第 二片的至少一个包含导热率为至少100W/mK的石墨泡沫层。在第三实 施例中，第一和第二片都包含多个不同材料层，例如碳片和石墨泡沫内 层。在一个实施例中，第一和第二片包含商业上如Grafoil⑧可获得的石 墨片，具有43%的压缩率(ASTM F-36)和1380MPa的弹性模量。在 另一实施例中，第一片是Grafoil⑧片，第二片包含弹性模量小于2GPa 和孔隙率小于20voP/。(体积％)的陶f;纤维。
在一个实施例中，第一导热片32和第二导热片34都具有50ym 至10mm的厚度。在第二实施例中，每一片都具有100 n m至5mm的 厚度。在第三实施例中，每一片具有100jam至2mm的厚度，同时第二 片34的厚度是第一导热片32的厚度的1.5至4倍。在第四实施例中， 第一片32具有2000ium的厚度，第二片32具有600 pm的厚度。
加热元件33夹在两片32和34之间，每一片具有优良的緩沖特性， 这些片填充陶瓷加热器33和加热器盖之间由在升高温度时的热膨胀引 起的空隙。此外，因为在加热元件33的两侧上的片在加热器33的两侧 的整个表面区域上提供均匀的支撑，所以校正在加热元件33上的任何 弯曲而没有在加热元件33的部分点上施加过多的，当加热元件33由易 碎陶瓷材料构成时这是特别重要的功能。此外，第一片32的各向异性 导热率包含材料例如碳、石墨等，第一片32将热量传播至平面方向， 同时允许热量传导到加热对象S。
由于六角碳和/或石墨的导热率在平行于层的方向是高的但是在厚 度方向是低的，这种各向异性还提高于在对象支撑元件31以及由此在 加热对象S上的温度均匀性。此外，由于加热元件产生的热量通过笫一 导热片32和第二导热片34传导，可以通过控制第一片和第二片之间的 热阻差向第一片32传导更多的热量，例如更厚的第二片34或者使用热
绝缘材料例如陶瓷毡用于第二片34 。
在本发明的一个实施例中，使用导热材津+作为片32和片34,加热
器的热性能可以以更大的准确性预测。由于产品间的不同、组装操作者 的变化、表面和平坦条件等引起的低重复性和可复制性，在加热器组件 中各零件之间的接触热阻通常难于预测。这种不可预测性当设计加热装 置时存在问题。实验经常需要确定接触热阻，这通常需要花费成本和时
间。然而，使用导热率和弹性相同的延展性材料用作片32和片34,加 热元件33在导热率相同的材料的片之间，在加热器的两侧上接触条件 总是均匀的。 一旦在加热元件中产生预定功率，就最终传导，因此允许 优良的热性能模型用于将基板加热至300-700。C范围内，同时最小化由 于接触热阻变化引起的性能变化。
在此解释的实施例作为具有用于加热加热对象的至少一个加热元件 的组件。然而，具有冷却设备的实施例在本发明的范围内，冷却设备组 装在组件中取代在此描述的加热元件。在一个实施例中，冷却板用于替 代加热元件，用于调节基板的问题至-80。C。在第二实施例中，除了加热 元件之外还使用冷却板以调节对象温度在-8(TC至600。C的范围内。在组 件例如半导体晶片夹持器中结合冷却设备使用第一导热片32和第二导 热片34能够均匀调节基板的温度。
在此记载的说明书使用实例公开了本发明，包括最佳方式，而且本 领域技术人员均可以实施和使用本发明。本发明的专利范围由权利要求
例旨在包括在权利要求的范围内，如果他们与权利要求的书面语言相同 的结构元件，或者它们包括权利要求的书面语言实质上相同的等价结构 元件。在此指出的所有引证文献以参考的方式全部引用。
权利要求
1、一种用于在处理工艺室中调节加热对象的温度和支撑加热对象的组件，该组件包括具有顶部表面和底部表面的对象支撑元件，顶部表面用于支撑加热对象；用于调节基板温度的温度调节设备，该温度调节设备具有顶部表面和底部表面；设置在基底支撑体和温度调节设备之间的第一层，该第一层偏压在该温度调节设备的顶部表面上，该第一层包含在平行于温度调节设备的平面上导热率至少为20W/mK并且弹性模量小于1GPa的材料；设置在该温度调节设备下面的第二层，该第二层偏压在该温度调节设备的底部表面上，并且该第二层包含弹性模量小于1GPa的材料。
2、 权利要求1的组件，其中该温度调节设备包含陶瓷加热器和冷 却板，用于在-80。C至600°C的温度范围内调节基板温度。
3、 权利要求1-2中任何一个的组件，其中该温度调节设备是陶瓷 加热器，用于将加热对象加热至至少30(TC的温度。
4、 权利要求1-3中任何一个的组件，其中第一层或者第二层包含 延展性至少为5%的材料。
5、 权利要求1-4中任何一个的组件，其中第一层或者第二层包含 压缩率至少为20%的材料。
6、 权利要求1-5中任何一个的组件，其中该第一层和第二层都具 有50 jLim-10mm的厚度。
7、 权利要求1-6中任何一个的组件，其中该第二层的厚度至少为500 Mm,第一层的厚度至少为100Mm。
8、 权利要求1-7中任何一个的组件，其中该第二片的厚度是第一 片厚度的1.5至4倍。
9、 权利要求1-8中任何一个的组件，其中该第一层和第二层以小 于30psi的力偏压在陶资加热元件上。
10、 权利要求1-9中任何一个的组件，其中该第一层至少包含石墨 层，并且其中该第二层包含选自石墨片、陶瓷毡、陶瓷泡沫、碳片、陶 瓷纤維和石墨泡沫中的材料。
11、 权利要求1-10中任何一个的组件，其中该温度调节设备是陶 瓷加热器，用于将加热对象加热至至少30Crc的温度，该组件还包括设置在该第二层下面的热绝缘层；以及与对象支撑元件密封连接的平台，形成容纳第一层和第二层、陶瓷 加热器和热绝缘层的盖。
12、 权利要求1-11中任何一个的组件，其中第一层和第二层各都包含多个石墨片。
13、 权利要求1-12中任何一个的组件，其中第一片是石墨片，并 且其中该组件用于在晶片处理室和玻璃模件中调节至少一个半导体晶片 的温度并支撑该至少一个半导体晶片。
14、 一种用于在处理工艺室中加热和支撑加热对象的加热组件，该 组件包括具有顶部表面和底部表面的对象支撑元件，顶部表面用于支撑加热 对象；用于将加热对象加热至至少30(TC的温度的陶瓷加热元件，该陶瓷 加热元件具有顶部表面和底部表面；设置在对象支撑元件和陶瓷加热元件之间的第一层，该第一层偏压 在该陶资加热元件的顶部表面上，该第一层包含在平行于陶瓷加热元件 的平面上导热率至少为20W/mK并且弹性模量小于lGPa的材料；设置在该陶瓷加热元件下面的第二层，该第二层偏压在该陶瓷加热 元件的底部表面上，并且该第二层包含弹性模量小于lGPa的材料；其中，该陶瓷加热元件包含全涂覆层，包含以下材料之一，选自B、 Al、 Si、 Ga、 Y、难熔硬金属、过渡金属元素的氮化物、碳化物、氮碳 化物或者氮氧化物及其组合物；具有NaZr2 ( P04) 3的NZP结构的磷酸 锆；包含选自2a族、3a族和4a族元素的至少一种元素的玻璃陶瓷组合 物；830-八1203-8203-3102玻璃；Si02与包含Y、 Sc、 La、 Ce、 Gd、 Eu、 Dy和钇铝石榴石(YAG )的氧化物或氟化物的抗等离子材料的混合物。
15、 一种加热组件，用于在处理工艺室中加热和支撑加热对象，该组件包含具有顶部表面和底部表面的对象支撑元件，顶部表面用于支撑加热对象，该对象支撑元件包含透明或者不透明石英玻璃；用于将加热对象加热至至少30(TC的温度的陶资加热元件，该陶乾加热元件具有顶部表面和底部表面；设置在对象支撑元件和陶瓷加热元件之间的第一层，该第 一层偏压 在该陶瓷加热元件的顶部表面上，该第一层包含在平行于陶资加热元件 的平面上导热率至少为20W/mK并且弹性模量小于lGPa的材料；-没置在该陶资加热元件下面的第二层，该第二层偏压在该陶资加热 元件的底部表面上，并且该第二层包含延展性至少为5%的材料。
全文摘要
一种用于调节加热对象温度并支撑加热对象的组件，加热对象例如是半导体基板或者金属/陶瓷模件或者需要温度调节例如排气或者退火的其它工艺。在一个实施例中，该组件包含用于支撑加热对象的加热对象支撑体；用于将对象加热至至少300℃温度的陶瓷加热元件；设置在该基板支撑体和陶瓷加热层之间的第一导热层；设置在该陶瓷加热层下面的第二层。加热组件中的第一层和第二层具有小于5GPa的弹性模量，用于偏压陶瓷加热层而不会引起对于陶瓷层的破坏，同时还能给基板提供均匀和优良的加热。
文档编号H01L21/00GK101150038SQ20061006472
公开日2008年3月26日 申请日期2006年11月30日 优先权日2006年9月19日
发明者A·米雅哈拉, K·富杰穆拉, T·希古奇 申请人:通用电气公司