专利名称：多晶硅冶炼用调压变压器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电气机械及器材制造领域，涉及一种多晶硅冶炼用多档调压变压器。
背景技术：
目前，工业生产中传统的调压变压器的结构是，原边为三角形接法，或星形接法，副边为三角形接法，或星形接法，并在原边有抽头，调整电压波动或通过原边抽头改变副边输出电压；其接线可以是Dd接线、DY接线、Yd接线、Yy接线；传统的调压变压器为三相或单相。这种结构方式在实际生产中不适应冶炼多晶硅输出电压及漏抗的要求。
发明内容
实用新型克服了上述存在的问题，目的是为生产冶炼多晶硅提供一种多晶硅冶炼用调压变压器。
本实用新型多晶硅冶炼用调压变压器内容简述本实用新型多晶硅冶炼用调压变压器，其特征在于多晶硅冶炼用调压变压器为三相变压器，原边绕组为三角形联结，不抽头，副边绕组为三个单相相互绝缘，每个副边绕组5个抽头输出。
本实用新型多晶硅冶炼用调压变压器为多挡调压变压器，各档可以1.2倍额定电流过载长期工作，副边三个绕组满足20％电流非对称的要求，在设计中考虑了波形畸变引起的3、5、7、9、11、13等谐波的影响，其中3次谐波含量最大值40％；5次谐波含量最大值15％；7次谐波含量最大值12％；9次谐波含量最大值9％；11次谐波含量最大值7％；13次谐波含量最大值6％。还要考虑电流有效值一定，但是电流峰值最大的情况，电流波形占空比最坏情况为50％。变压器空载时，合闸涌流≤7倍额定电流。具有结构合理，技术性能先进，性能安全可靠的特点。
图1是多晶硅冶炼用调压变压器电气结构示意图图中1是原边绕组、2是副边绕组。
具体实施方式
本实用新型多晶硅冶炼用调压变压器为多档调压变压器是这样实现的，
以下结合附图做具体说明。见图1，多晶硅冶炼用调压变压器为三相变压器，原边绕组1为三角形联结，不抽头，副边绕组2为三个单相相互绝缘，每个副边绕组5个抽头输出。以满足20％电流非对称的要求。
为了满足实际生产的要求，在设计中考虑了波形畸变引起的3、5、7、9、11、13等谐波的影响，其中3次谐波含量最大值40％；5次谐波含量最大值15％；7次谐波含量最大值12％；9次谐波含量最大值9％；11次谐波含量最大值7％；13次谐波含量最大值6％。还要考虑电流有效值一定，但是电流峰值最大的情况，电流波形占空比最坏情况为50％。变压器空载时，合闸涌流≤7倍额定电流。铁芯采用0.3mm冷轧硅钢片，45°角全斜三级叠片，无纬绑扎，U型杆拉紧，降低了空载损耗及空载电流。线圈采用同心式结构，原边放置内侧，副边放置外侧，方便抽头，调换档位，同时满足在不同档位最小漏抗的要求。为了减小涡流损耗及杂散损耗，在线圈内部各段进行换位，铜排引出抽头，箱盖采用大面积隔磁，使其附加损耗降至最低。箱体为片式散热器结构，副边接线端子为双密封TED导杆式结构，过载能力强。
权利要求1.一种多晶硅冶炼用调压变压器，其特征在于多晶硅冶炼用调压变压器为三相变压器，原边绕组(1)为三角形联结，不抽头，副边绕组(2)为三个单相相互绝缘，每个副边绕组(2)5个抽头输出。
专利摘要本实用新型涉及一种多晶硅冶炼用多挡调压变压器，其特征在于多晶硅冶炼用调压变压器为三相变压器，原边绕组为三角形联结，不抽头，副边绕组为三个单相相互绝缘，每个副边绕组5个抽头输出。本实用新型多晶硅冶炼用调压变压器为多挡调压变压器，各挡可以1.2倍额定电流过载长期工作，副边三个绕组满足20％电流非对称的要求，在设计中考虑了波形畸变引起的3、5、7、9、11、13等谐波的影响，其中3次谐波含量最大值40％；5次谐波含量最大值15％；……；13次谐波含量最大值6％。在电流峰值最大时电流波形占空比最坏情况为50％。变压器空载时，合闸涌流≤7倍额定电流，具有结构合理，技术性能先进，性能安全可靠的特点。
文档编号H01F27/29GK2927284SQ20062009187
公开日2007年7月25日 申请日期2006年7月1日 优先权日2006年7月1日
发明者赵洲, 宋斌, 孙艳芳 申请人:鞍山特种变压器有限公司