专利名称：氮化镓基化合物半导体发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种氮化镓基化合物半导体发光器件，更具体地，涉及一 种其特性和生产率特别优良的具有正电极的氮化镓基化合物半导体发光器件。
背景技术：
近年来，作为用于发射紫外至蓝色或者绿色范围的光的发光二极管 (LED)的材料，具有由AlxInyGa卜x.yN (0《x<l, 0《y<l， x + y<l) 表示的化合物的氮化镓基化合物半导体已经引起了注意。采用以上材料的 化合物半导体可以发射紫外光或者蓝光和绿光，同时保持高的光发射强度， 这是以前所不能实现的。与GaAs发光器件不同，氮化镓基化合物半导体 通常生长在作为绝缘衬底的蓝宝石村底上，这使得在衬底的背面上很难设 置电极。因此，负电极和正电极都必须形成在生长的晶体半导体层侧。此外，在使用氮化镓基化合物半导体的半导体器件的情况下，蓝宝石 村底允许发射的光波透过。因此，注意力被吸引至以电极表面在下面的方 式安装以允许光从蓝宝石衬底侧离开的倒装芯片型半导体器件。图1是示意性示出了该类型的一般发光器件的图。发光器件具有在衬 底1上生长的緩沖层2、 n型半导体层3、发光层4以及p型半导体层5，其中通过蚀刻部分去除发光层4和p型半导体层5,从而使n型半导体层 3暴露。此外，在p型半导体层5上形成正电极10，并在n型半导体层上 形成负电极20。以其电极形成表面朝向例如引线框架的方式安装上^JL光 器件，随后将发光器件接合到引线框架。从衬底1的一侧提M发光层4 发射的光。为了从这种类型的发光器件有效地提取光，正电极IO由反射性 金属形成，并且其被设置为覆盖p型半导体层5的大部分，从而使来自发 光层的朝向正电极侧的光被正电极10反射，并且从衬底1的一侧离开。因此，正电极材料必须具有小接触电阻和高反射率。普遍认为Ag和 Al是高反射性金属，已提出通过在p型半导体层上直接设置厚度不小于 20nm的Ag层形成的具有高反射系数的反射性正电极(参见例如日#审 的专利公开No. 11-186599)。作为使用Ag的方式，日^#审的专利公开 No. 11-186599讲述了通过在p型氮化物半导体层上形成银层并且用稳定剂 层覆盖银层而获得的正电极。当用稳定剂层覆盖银层时，必然通过使用其反射系数低于Ag或Al的 反射系数的材料来形成稳定剂层。为了实现正电极的高反射系数，银层被 设计为尽可能宽，而稳定剂层与p型半导体层形成接触的区域减小为尽可 能小。为此，稳定剂层必须接着到p型半导体层，同时保持大的接着强度。作为用于形成较少从P型半导体层剥落的正电极金属膜的技术，已制 造了具有大于晶格常数的深度的凹部的氮化镓半导体器件(参见例如曰本 待审的专利公开No.2002-155507)。然而，根据该方法，必须在生长半导 体的步骤中形成凹部，这降低了生产率。发明内容本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓基化合物半导体发 光器件，所述正电极包括设置在p型半导体层上的第一电极和覆盖所述第 一正电极的侧面和上面的覆盖层(over-coating layer),所述覆盖层不会 从所述p型半导体层剥落。一般地说，半导体发光器件具有正方形的形状，且正电极具有拐角部分。通过集中的研究，本发明人发现，覆盖层易于在正电极的拐角部分处 剥落，从而创造出本发明。也就是说，本发明提供以下发明。(1 ) 一种氮化镓基化合物半导体发光器件，包括在村底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层，负电极 和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触，其中 所述正电极包括至少第一电极以^盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖 层，并且沿所述第一电极的外边缘的每单位长度，在所述正电极的拐角部 分处所i^霞盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所 ii^盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。(2 )冲艮据上述(1)的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中，当由 A表示在边部分上在所述第一电极的侧面与所述覆盖层的侧面之间的间隔 时，在拐角部分处在所述第 一 电极的侧面与所述覆盖层的侧面之间的间隔 不小于2^xA。(3 )才艮据上述(1)或(2 )的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中 将所述第一电极的或所述覆盖层的平面投影形状的拐角部分的角度选择为 钝角，以^^在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形 成接触的面积变为大于在其边部分处所i^葭盖层与所述p型半导体层形成 接触的面积。(4 )才艮据上述(1)或(2 )的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中 将所述笫一电极的或所ii^盖层的平面投影形状的拐角部分形成为弓状， 以便在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触 的面积变为大于在其边部分处所^盖层与所述p型半导体层形成接触的 面积。(5 )根据上述(1)至(4 )中任何一项的氮化镓基化合物半导体发光 器件，其中所述第一电极的侧面与所M盖层的侧面之间的间隔为0.1至 50阿。(6 )根据上述(1)至(5 )中任何一项的氮化镓基化合物半导体发光 器件，其中所述第一电极^^射性电极。(7) 根数上述(6)的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述第 一电极是包含Ag或Al的>^射性电极。(8) 根据上述(6)或(7 )的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中 所it^盖层是选自Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Zr、 Nb、 Mo、 Tc、 Ru、 Rh、 Pd、 Hf、 Ta、 W、 Re、 Os、 Ir、 Pt和Au的至少一种金属或者 包含这些金属中的至少一种的合金。(9) 一种灯，包括上述(1)至(8 )中任何一项的氮化镓基化合物半 导体发光器件。在本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件中，正电极祐 没置在p型 半导体层上，该正电极包括第一电极以l葭盖第一电极的侧面和上面的覆 盖层。正电极具有这样的图形，以使在正电极的拐角部分处覆盖层与p型 半导体层形成接触的面积大于在其边部分处覆盖层与p型半导体层形成接 触的面积，从而覆盖层较少可能剥落。因此，本发明的氮化镓基化合物半 导体发光器件的特征在于在确保生产率和改善的成品率的同时有较少的缺 陷。由于覆盖层较少可能剥落，可以减小正电极的除了拐角部分以外的部 分(即边部分)处在覆盖层与p型半导体层之间的接触面积。因此，可以 增大第一电极的面积，从而获得高的光发射输出和低的驱动电压。
图l是示意图，示出了常规倒装芯片型化合物半导体发光器件的一般 结构；图2是示意图，示出了在实例l和2中制造的氮化镓基化合物半导体 发光器件的截面图；图3是示意图，示出了在实例1中制造的氮化镓基化合物半导体发光 器件的平面图；图4是示意图，示出了在实例2中制造的氮化镓基化合物半导体发光 器件的平面图；图5是示意图，示出了本发明的正电极结构的截面图； 图6是示意图，示出了根据本发明的另一个实施例的正电极结构的截 面图；图7示出了图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；图8示出了另一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；图9示出了又一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半 导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；图10示出了再一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半 导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；图11示出了另一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半 导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；图12示出了又一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半 导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；图13示出了再一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半 导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；图14示出了另一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半 导体层的面积增大为大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；图15示出了又一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半 导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积；以及图16示出了再一图形，其中在正电极的拐角部分处覆盖层接触p型半 导体层的面积大于在其边部分处覆盖层接触p型半导体层的面积。
具体实施方式
作为在本发明的村底上层叠的氮化镓基化合物半导体，可以没有任何 限制地使用广泛已知的一种，其通过在衬底1上生长緩冲层2、 n型半导体 层3、发光层4和p型半导体层5而获得，如图1所示。作为衬底，可以没有任何限制地使用任何已知的一种，例如蓝宝石或SiC。已知许多氮化 镓基化合物半导体，其中化合物由化学式AlxIiiyGa^yN (0￡x<l， 0Sy<l， x + y〈l)表示。在本发明中，也可以没有任何限制地使用由通用化学式 AlxIiiyGaLx-yN (0^s<l， 0￡y<l， x + y<l)表示的氮化镓基化合物。还已知 许多具有各种组分和结构的n型半导体层、发光层和p型半导体层。在本 发明中，也可以没有任何限制地使用以上已知的层。例如，可以使用图2所示的层叠结构，其是通过在蓝宝石衬底1上依 次层叠A1N层的緩冲层2、 n型GaN层的n接触层3a、 n型GaN层的n 覆层(clad layer) 3b、 InGaN层的发光层4、 p型AlGaN层的p覆层5b 以及p型GaN层的p接触层5a而获得的。通过蚀刻部分去除氮化镓基化合物半导体的p接触层5a、 p覆层5b、 发光层4和n覆层3b，并且在n接触层3a上形成例如Ti/Au的负电极20， 在p接触层5a上形成正电极10。在本发明中，正电极10包括第一电极以;s^盖第一电极的侧面和上面的覆盖层。此外，在覆盖层上设置接合衬垫层，用于电连接到电路板或引线框。图5是本发明的正电极(10)的截面图。当覆盖层(12)导电时，在 覆盖层上设置接合衬垫层(13 )。电流从接合衬垫层(13 )经过覆盖层(12 ) 流到第一电极(11)。图6是截面图，示出了本发明的另一正电极(10)。当覆盖层(12) 不导电时，在部分第一电极(11)上不存在覆盖层，在该位置处直接在第 一电极(11)上设置接合衬垫层(13)。电流从接合衬垫(13)直接流到 第一电极(11)中。第一电极设置为与p接触层接触。作为氮化镓基化合物半导体发光器 件的正电极，已知各种组分和结构的透光电极和反射性电极。作为本发明 的第一电极，可以使用包括以上已知的透光电极和反射性电极的各种组分 和结构的透光电极和反射性电极。透光正电极材料包括Pt、 Pd、 Au、 Cr、 Ni、 Cu或Co。还已知通过氧化这些材料的部分来改善透光特性。作为反射性正电极材料，除了以上材料外，还可以使用Rh、 Ag或Al。已知反射性电极使用具有高反射系数的Ag或Al作为反射层。发生所 谓的电迁移现象，其中Ag和Al在7jC^在时被电离且扩散。因此，当电流 在周围存在水的氛围中流动时，使用Ag或Al的电极形成主要包括Ag或 Al的沉淀物。当在正电极处产生的沉淀物到达负电极时，流入器件中的电 流不再流经发光层，从而没有光从器件发射出来。此外，如果沉淀物将p 型半导体层连接到n型半导体层，则不发射光。为防止该情况，希望覆盖层被设置为覆盖反射层的侧面和上面。覆盖 层起着防止反射层中的Ag或Al与空气中的水汽形成接触的作用。如上所 述，本发明在第一电极为使用Ag或Al的反射性电极时变得尤其有效。覆盖层被设置为覆盖第一电极，并且必然引起在减小的接触面积内与 p型半导体层接触。因此，覆盖层整体以降低的接着强度接着到p型半导体层。此外，当正电极具有其中覆盖层覆盖第一电极的结构的拐角部分时， 在覆盖拐角的部分处易于发生剥落。在本发明中，正电极的"拐角部分"代表这样的部分，其中在正电极 的外边缘处不同方向的两条直线会合，而除了拐角部分以外的直线部分称 为"边部分"。图3是示意图，示出了在实例1中制造的氮化镓基化合物 半导体发光器件的平面图，其中A直E表示拐角部分。图4是示意图，示 出了在实例2中制造的氮化镓基化合物半导体发光器件的平面图，其中A 直H表示拐角部分。在正电极的拐角部分处覆盖层与p型半导体层形成接触的面积增大为 大于在其边部分处覆盖层与p型半导体层形成接触的面积，从而覆盖层变 得较少可能剥落。基于每单位长度的平均值来比较在拐角部分处和在边部 分处的接触面积。例如，通过形成如图7至16中所示的图形的正电极的拐角部分，可以 增大覆盖层与p型半导体层形成接触的面积。图7至10示出了其中在拐角 处第一电极所占据的角度不大于180。的情况(图3中的A至E，以及图4中的A至E和H)。在这种情况下，如图7所示，第一电极的拐角部分可 以形成为弓状。此外，如图8所示，第一电极在拐角部分处的角度可以为 钝角，该钝角大于覆盖层的角度。此外，在拐角部分第一电极可以形成为 图9和10所示的形状。图11至图16示出了其中在拐角处第一电极所占据的角度不小于180° 的情况(图4中的F和G)。在这种情况下，如图14所示，覆盖层的拐 角部分可以形成为弓状。此外，如图13所示，从第一电极的边测量的在拐 角部分处覆盖层的角度可以为钝角，该钝角大于第一电极所具有的角度。 此外，在拐角部分处覆盖层或第一电极可以形成为图11、 12、 15和16所 示的形状。如果第一电极的拐角部分或覆盖层的拐角部分具有如上所述的形状， 当在边部分中第一电极的侧面与覆盖层的侧面之间的间隔由A表示时，从 防止覆盖层剥落的角度，希望在拐角部分中第一电极的侧面与覆盖层的侧 面之间的间隔不小于21/2 x A。对于覆盖层的材料没有特定的限制，只要其能够形成薄层以覆盖第一 电极的侧面和上面，可以使用金属、无机氧化物、无机氮化物或者树脂。 这里，当第一电极透光时，当然，覆盖层也透光。当使用不导电材料时， 必须在覆盖层中形成窗口部分，并且必须在其中形成*衬垫层。因此， 优选导电材料。当正电极具有带有反射特性的第一电极时，希望覆盖层的材料是选自 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Zr、 Nb、 Mo、 Tc、 Ru、 Rh、 Pd、 Hf、 Ta、 W、 Re、 Os、 Ir、 Pt和Au的至少一种金属或者包含这些金属中的至 少一种的合金。即使从防止Ag或Al的电迁移的角度，也希望这些金属和 合金导电。不希望使用易发生腐蚀的金属(碱金属、碱土金属)或者低熔 点(400。C或更低)金属。适合作为^^村垫层材料的Au可以被用作覆盖 层，以便覆盖层也作为接合衬垫层工作。希望覆盖层覆盖第一电极，并且沿着其外周部分与p型半导体欧姆接 触。在形成欧姆接触时，即使在覆盖层正下方，发光层也发射光。此外，对于器件整体，可以降低正向电压。作为容易实现欧姆接触的金属，希望使用铂族金属例如Ru、 Rh、 Pd、 Os、 Ir或Pt，或者包含铂族金属中的至 少一种的合金。希望接触电阻不大于lxi(r3Q.cm2。通过TLM方法测量 接触电阻。当第一电极是具有Ag或Al反射层的反射性正电极时，第一电极的侧 面与覆盖层的侧面之间的间隔必须为这样的，以便第一电极与外部水汽隔 离开，并且希望其不小于O.lnm。更希望间隔不小于lpin，以在高温度和 高湿度条件下与外部水汽充分隔离。间隔的增大导致第一电极面积的减小。 因此，希望间隔不大于5(Him。更希望间隔不大于20nm。此外，覆盖层必 须不具有这样的结构，该结构包含允许水渗入其中的微细管状孔。关于接合衬垫层13，已知多种使用例如Au、 Al、 Ni和Cu的材料的 结构。在本发明中可以没有任何限制地使用这些已知材料和结构的接合衬 垫层。希望厚度为100至1000nm。由于接合能力随着厚度的增加而增加， 从接合衬垫的特性的观点，希望厚度不小于300nm。此外，从生产成本的 观点，希望厚度不大于500nm。可以通过广泛已知的薄膜形成技术例如溅射、真空蒸发或溶液涂敷方 法，形成第一电极、覆盖层和接合衬垫层。当使用上述金属时，特别地， 希望采用溅射或真空蒸发。关于负电极20，已知各种组分和结构的负电极，可以没有任何限制地 使用这些已知的负电极。作为用于与n接触层形成接触的负电极的接触材 料，可以4吏用Al、 Ti、 Ni、 Au以及Cr、 W和V。不需指出，负电极整体 可以形成为多层结构，以赋予接合特性以及类似的特性。实例将参考实例和比较实例更详细说明本发明，但本发明决不限于这些实 例和比较实例。 (实例1)图2是在该实例中制造的氮化镓基化合物半导体发光器件的截面示意 图。图3是其平面图。通过在蓝宝石衬底1上依次层叠A1N层的緩冲层2、 n型GaN层的n 接触层3a、 n型GaN层的n覆层3b、 InGaN层的发光层4、 p型AlGaN 层的p覆层5b以及p型GaN层的p接触层5a，获得氮化镓基化合物半导 体。n接触层3a是掺杂有7 x 1018/cm3的Si的n型GaN层，n覆层3b是 掺杂有5 x 1018/^113的Si的n型GaN层，以瓦良光层4是组分为InQ.95Gao.05N 的InGaN的单量子阱结构。p覆层5b是掺杂有1 x 1018/cm3的Mg的p型 AlGaN，且具有Al。.25Ga。.75N组分。p接触层5a是掺杂有5 x 1019/cm3的 Mg的p型GaN层。通过在该技术领域中z〉知的普通条件下的MOCVD 方法层叠这些层。根据下述工序，通过在氮化镓基化合物半导体层叠结构上设置正电极 10和负电极20，制造倒装芯片型氮化镓基化合物半导体发光器件。(1) 首先，在氮化镓基化合物半导体层叠结构的负电极形成区域上暴 露n接触层3a。借助于已知的光刻技术和剥离技术，在p接触层5a上的 除了负电极形成区域以外的区域上形成蚀刻掩膜。接下来，通过反应离子干法蚀刻进行蚀刻，直到暴露n接触层3a。此 后，从干法蚀刻装置中取出层叠结构，通过用丙酮清洗，去除蚀刻掩膜。(2) 接下来，通过以下工序形成正电极IO。第一电极ll是由厚度为 4nm的Pt的接触金属层和厚度为200nm的Ag的反射层构成的反射性电 极。为了去除p接触层5a表面上的氧化物膜，在煮沸的浓HC1中处理层 叠结构10分钟，此后，在p接触层5a上形成正电极。首先，形成包括接 触金属层和反射层的第一电极。形成工序如下所述。均匀地施加抗蚀剂。借助于已知的光刻技术，从将要形成第一电极的 区域去除抗蚀剂。将第一电极的拐角部分形成为弓形形状(图3)。拐角 部分的R为3(Hmi。在室温下在緩冲的氢氟酸中浸渍一分钟后，通过^f吏用 真空溅射装置形成第一电极。通过'减射方法用于形成的操作条件如下所述。室内部被抽真空至小于等于10—4Pa的真空度，将氮化镓基化合物半导 体层叠结构容纳在该室中，向室中引入Ar气作为'减射气体，以便达到3Pa 的压力。此后，通过RF放电进行濺射以形成接触金属层。供给的电功率为0.5kW，并且沉积厚度为4.0nm的Pt以形成接触金属层。接下来，在上述压力和电功率的条件下通过DC放电賊射，形成厚度 保持为200nm的Ag反射层。在从賊射装置中取出后，借助于剥离技术， 从除了第一电极的区域以外的区域中去除金属膜以及抗蚀剂。接下来，形成覆盖层12。在均匀地施加抗蚀剂之后，借助于已知的光 刻技术，将比第一电极的区域宽的覆盖层区域打开，作为窗口。窗口的尺 寸为，使得第一电极的侧面与覆盖层的侧面之间的间隔为10nm。通过DC 放电溅射，将Au形成为400nm的厚度。在从濺射装置中取出后，通过剥 离技术从除了覆盖层的区域以外的区域去除金属膜以及抗蚀剂。覆盖层也 用作接合衬垫层。(3) 在n接触层3a上形成负电极20。形成工序如下所述。在整个表 面上均匀地施加抗蚀剂之后，在通过已知的光刻技术暴露的直至n接触层 3a的区域上打开用于负电极区域的窗口，并且通过真空蒸发方法形成厚度 分别为100nm和300nm的Ti和Au。从除了负电极部分以外的区域去除 金属膜以及抗蚀剂。(4) 形成保护膜。形成工序如下所述。在整个表面上均匀地施加抗蚀 剂之后，通过已知的光刻技术在正电极与负电极之间的部分中打开窗口， 并且通过RF放电溅射方法形成厚度为200nm的Si02。从除了保护膜的部 分以外的区域去除Si02膜以及抗蚀剂。(5) 将晶片分开，以获得本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件。 目测所获得的发光器件。结果，在包括覆盖层的拐角部分在内的部分处没有观测到覆盖层的剥落。评价所获得的发光器件的驱动电压和输出， 发现在20mA的电流下驱动电压为3.3V，并且输出为8.5mW。 (实例2)通过与实例l相同的方法制造氮化镓基化合物半导体发光器件，但是 将电极形成为如图4所示的平面形状。与实例l中的一样，将第一电极ll 的侧面与覆盖层12的侧面之间的间隔选择为10nm。在正电极的拐角部分 A至E和H处将第一电极形成为弓状，同时在拐角部分F和G处将覆盖层形成为弓状。与实例l中一样，R为30nm。目测所获得的发光器件。结果，在包括覆盖层的拐角部分在内的部分 处，没有观测到覆盖层的剥落。评价所获得的发光器件的驱动电压和输出， 发现在20mA的电流下驱动电压为3.4V,并且输出为8mW。(比较实例)通过与实例l相同的方法制造氮化镓基化合物半导体发光器件，但是 不形成弓状的第一电极的拐角部分，而是允许边延伸，从而以直角会合。 目测所获得的发光器件。结果，在包括覆盖层的拐角部分在内的部分处观 测到覆盖层的剥落。缺陷百分比为10至80%。工业适用性以高成品率获得了本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件，其以低 驱动电压和高发光输出为特征，并且作为用于制造灯等的材料，提供了非 常高的工业价值。
权利要求
1.一种氮化镓基化合物半导体发光器件，包括在衬底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层，负电极和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触，其中所述正电极包括至少第一电极以及覆盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖层，并且沿所述第一电极外边缘的每单位长度，在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
2. 根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中当由A 表示在边部分上在所述第一电极的侧面与所述覆盖层的侧面之间的间隔 时，在拐角部分处在所述第一电极的侧面与所l霞盖层的侧面之间的间隔 不小于2^xA。
3. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中将所述第 一电极的或所述覆盖层的平面投影形状的拐角部分的角度选择为钝角，以 便在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的 面积变为大于在其边部分处所i^盖层与所述p型半导体层形成接触的面 积。
4. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中将所述第 一电极的或所述覆盖层的平面投影形状的拐角部分形成为弓状，以便在所 述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积变 为大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
5. 根据权利要求l的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述第一 电极的側面与所ii^盖层的侧面之间的间隔为0.1至50jrni。
6. 根据权利要求1的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述第一 电极A^射性电极。
7. 根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述第一 电极是包含Ag或Al的反射性电极。
8. 根据权利要求6的氮化镓基化合物半导体发光器件，其中所述覆盖 层是选自Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 M、 Zr、 Nb、 Mo、 Tc、 Ru、 Rh、 Pd、 Hf、 Ta、 W、 Re、 Os、 Ir、 Pt和Au的至少一种金属或者包含这些金 属中的至少一种的合金。
9. 一种灯，包括根据权利要求1至8中任何一项的氮化镓基化合物半 导体发光器件。
全文摘要
本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓基化合物半导体发光器件，所述正电极包括设置在p型半导体层上的第一电极以及覆盖所述第一正电极的侧面和上面的覆盖层，所述覆盖层不会从所述p型半导体层剥落。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上依次形成的氮化镓基化合物半导体的n型半导体层、发光层和p型半导体层，负电极和正电极设置为分别与所述n型半导体层和所述p型半导体层接触，其中所述正电极包括至少第一电极以及覆盖所述第一电极的侧面和上面的覆盖层，并且沿所述第一电极的外边缘的每单位长度，在所述正电极的拐角部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积大于在其边部分处所述覆盖层与所述p型半导体层形成接触的面积。
文档编号H01L33/62GK101238594SQ20068002877
公开日2008年8月6日 申请日期2006年7月27日 优先权日2005年8月4日
发明者龟井宏二 申请人:昭和电工株式会社