专利名称：可变电阻和发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及可变电阻以及包括该可变电阻的发光装置。
背景技术：
现有的可变电阻具有具有体现电流电压非线性(nonlinearcurrent-voltage characteristic)的可变电阻素体，和以夹住该可变电阻素体的一部分的方式配置的一对内部电极的素体；形成在该素体的外表面上并分别与相对应的内部电极连接的一对端子电极(例如，参照日本特开2002-246207号公报)。
发明内容
但是，可变电阻通过并联连接于半导体发光元件或FET(FieldEffect Transistor场效应晶体管)等的电子元件，能够保护电子元件免受ESD(Electrostatic Discharge静电放电)电涌的影响。该电子元件在工作中产生热。电子元件变成高温会造成元件自身的特性恶化，影响其工作。因此，需要有效地扩散所产生的热。
因此本发明的目的在于提供一种能够有效地扩散热的可变电阻以及发光装置。
本发明相关的可变电阻包括含有具有相互相对的第1面和第2面的部分的素体；配置在素体的第1面的2个外部电极；以及配置在第2面上的热传导率比素体高的金属导体，素体中的至少2个外部电极和金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性。
在本发明相关的可变电阻中，由于在与配置有2个外部电极的素体的第1面相对的第2面上配置有热传导率高的金属导体，因此能够有效地从金属导体扩散传导至可变电阻的热。此外，本发明相关的可变电阻，由于2个外部电极和金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性，因此发挥作为2个外部电极间的并联连接的2个可变电阻成分的功能。
优选金属导体具有连接于素体的第2面的第1面、相对于该第1面的第2面、以及以连接该第1面和第2面之间的方式延伸的第3面，素体还含有，连接于该素体的具有第1和第2面的部分并且以连接于金属导体的第3面的方式形成的部分。此时，由于能够通过素体保持金属导体，因此能够防止金属导体的第1面和素体的第2面之间的剥离。
优选素体还含有，连接于以连接于金属导体的第3面的方式形成的部分、并且以连接于金属导体的第2面的方式形成的部分。此时，由于通过素体能够更确实地保持金属导体，因此能够防止金属导体的第1面和素体的第2面之间的剥离。
本发明的可变电阻包括；素体；配置在素体的内部并且热传导率比素体的热传导率高的金属导体；以及，以与金属导体相对的方式配置在素体的外表面上的2个外部电极，在素体中至少金属导体和2个外部电极之间的区域表现电流电压非直线特性。
在本发明相关的可变电阻中，由于在素体的内部配置有与2个外部电极相对的热传导率高的金属导体，因此能够有效地从金属导体扩散传导至可变电阻中的热。此外，在本发明相关的可变电阻中，由于2个外部电极和金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性，因此作为2个外部电极间的并联连接的2个可变电阻成分发挥功能。
优选在通过金属导体并垂直于金属导体和2个外部电极相对的方向的截面上，在以金属导体和素体的合计面积作为100％的情况下，金属导体的面积比例为20％以上99.7％以下。由此，通过使上述面积比例成为20％以上，能够从金属导体更有效地扩散热。此外，通过使上述面积比例成为99.7％以下，由素体来确实地保持金属导体，能够防止金属导体的第1面和素体的第2面之间的剥离。
优选素体的2个外部电极和金属导体之间的厚度为10μm以上200μm以下。如此，通过使上述厚度成为10μm以上，能够确实地确保素体的强度。此外，通过使上述厚度成为200μm以下，缩短了2个外部电极和金属导体之间的距离，能够提高2个外部电极和金属导体之间的热传导速度。因此，能够更有效地扩散从金属导体的热。
优选金属导体中金属导体和2个外部电极相对的方向的厚度为，素体中的2个外部电极和金属导体之间的厚度以上。通过如此构成，能够更有效地从金属导体扩散热。
优选在将素体和金属导体的合计体积作为100％的情况下，金属导体的体积比例为10％以上99.7％以下。通过如此构成，能够更有效地从金属导体扩散热。
本发明的发光装置包括上述可变电阻和以并联连接于可变电阻的方式物理连接并且电连接于2个外部电极的半导体发光元件。
在本发明相关的发光装置中，由于可变电阻的2个外部电极物理连接于半导体发光元件，因此在本导体发光元件中产生的热通过2个外部电极传送至可变电阻。因此，由于在配置有2个外部电极的素体的与第1面相对的第2面上配置有热传导率高的金属导体，因此能够有效地从金属导体扩散传导至可变电阻的热。
根据本发明可以提供一种能够有效扩散热的可变电阻和发光装置。
图1是显示本实施方式相关的可变电阻的概略主视图。
图2是显示本实施方式相关的可变电阻的概略平面图。
图3是显示沿图2中III-III线的截面构成的模式图。
图4是显示沿图1中IV-IV线的截面构成的模式图。
图5是显示本实施方式相关的发光装置的截面构成的模式图。
图6是显示本实施方式的第1变形例相关的可变电阻的截面构成的模式图。
图7是显示本实施方式的第2变形例相关的可变电阻的截面构成的模式图。
图8是显示本实施方式的第3变形例相关的可变电阻的概略立体图。
具体实施例方式
以下，参照附图详细说明本发明的优选的实施方式。此外，在说明中对于相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，省略重复的说明。
参照图1～图4对本实施方式相关的可变电阻V1的构成进行说明。图1是显示本实施方式相关的可变电阻的概略主视图。图2是显示本实施方式相关的可变电阻的概略平面图。图3是显示沿图2中III-III线的截面构成的模式图。图4是显示沿图1中IV-IV线的截面构成的模式图。
可变电阻V1包括大致长方体形状的金属导体10、覆盖金属导体10的表面并且大致呈长方体形状的素体20、配置在素体20的外表面20a(素体的第1面)的第1外部电极30和第2外部电极40。可变电阻V1由素体20而形成其外形，外表面20a的长度和宽度设定为0.3mm～3.0mm左右，厚度设定为0.1～0.5mm左右。通过如此设定素体20的厚度，可以确保可变电阻V1的强度。
金属导体10配置在素体20的内部。并且，在金属导体10中由第1面10a和第2面10b以及第3面10c构成长方体形状的6面。第1面10a和第2面10b相互相对。第3面10c是以连结第1和第2面10a、10b之间的方式延伸的4个面。即，第3面10c是分别与第1面10a和第2面10b垂直并且相邻的4个面。金属导体10的第1～第3面10a～10c被素体20覆盖。金属导体10比素体20热传导率更高。金属导体10由例如Ag、Cu、Ni、Ag-Pd合金等形成。
素体20被构成为6面体，具有外表面20a；与外表面20a相互相对的外表面20b；与外表面20a以及外表面20b相互垂直并且相邻的外表面20c～20f。外表面20c与外表面20e相互相对，外表面20d与外表面20f相互相对。外表面20c、20e与外表面20d、20f相互垂直并且相邻。此外，素体20含有第1素体部分21和第2素体部分23以及第3素体部分25。
第1素体部分21是以连接于金属导体10的第1面10a的全体的方式形成的部分。第1素体部分21具有外表面20a、与外表面20a相互相对并且与金属导体10连接的内侧面21a(素体的第2面)。
第2素体部分23是以连接于第1素体部分21并且连接于金属导体10的第3面10c的全体的方式形成的部分。此外，第2素体部分23具有外表面20c～20f。由于第2素体部分23保持第1素体部分21和金属导体10，能够防止金属导体10的第1面10a与素体20的内侧面21a之间的剥离。
第3素体部分25是以连接于第2素体部分23并且连接于金属导体10的第2面10b的全体的方式形成的部分。第3素体部分25具有外表面20b。由于第3素体部分25保持第1素体部分21和第2素体部分23以及金属导体10，能够防止金属导体10的第1面10a与素体20的内侧面21a之间的剥离。
第1素体部分21、第2素体部分23以及第3素体部分25被构成为素体20，该素体20由多个可变电阻层层叠而成。在实际的可变电阻层V1中，其被一体化为多个可变电阻层之间的边界不可辨认的程度。
可变电阻层由表现电流电压非直线特性的材料构成。可变电阻层含有例如，作为主成分的ZnO和作为副成分的Pr或Bi等的金属单质或其氧化物。在可变电阻层中的ZnO的含量没有特定限制，在将构成可变电阻层的全体材料作为100质量％的情况下，其含量通常为99.8～69.0质量％左右。
在制造工序中，对应于金属导体10的部分，和以覆盖对应于金属导体10的部分的外表面的方式形成的对应于素体20的层叠体，被同时烧结。因此，由素体20能够确实保持金属导体10。
第1外部电极30和第2外部电极40在第1素体部分21(素体20)的外表面20a处以与金属导体10相对的方式形成。第1外部电极30和第2外部电极40从垂直于外表面20a的方向看呈长方形状，并且被配置为相互之间具有一定间隔。第1外部电极30以在素体20的外表面20f、20c、20d露出的方式延伸至外表面20a的边缘。第2外部电极40以在素体20的外表面20f、20e、20d露出的方式延伸至外表面20a的边缘。
此外，第1外部电极30和第2外部电极40发挥作为可变电阻V1的输入输出端子的功能。第1外部电极30和第2外部电极40可以通过例如印刷法或电镀法来形成。在使用印刷法的情况下以如下方式形成准备在以Au粒子或Pt粒子为主要成分的金属粉末中混合了有机粘结剂和有机溶剂的导电糊，在素体20上印刷该导电糊，进行烧接或烧结。在使用电镀法的情况下，通过真空电镀法(真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法等)将Au或者Pt蒸镀，从而形成第1外部电极30和第2外部电极40。
第1外部电极30从垂直于外表面20a的方向看，具有与金属导体10相互重叠的区域。即，第1素体部分21从垂直于外表面20a的方向看，具有与金属导体10和第1外部电极30相互重叠的区域27。第2外部电极40从垂直于外表面20a的方向看，具有与金属导体10相互重叠的区域。即，第1素体部分21从与外表面20a垂直的方向看，具有与金属导体10和第2外部电极40相互重叠的区域29。区域27和区域29被包括在第1素体部分21中。区域27和区域29发挥作为表现电流电压非直线特性的区域的功能。
在可变电阻V1中，区域27和区域29通过金属导体10串联连接。此外，即，在第1外部电极30和第2外部电极40之间作为串联连接的2个可变电阻成分发挥功能。因此，在区域27和区域29中的任意一个区域成为短路状态的情况下，另一个区域发挥电流电压非直线特性。结果，在可变电阻V1中可以防止作为可变电阻的功能受到损伤。
在本实施方式中，金属导体10比素体20热传导率更高，因此能够将传递到可变电阻V1的热从金属导体10更有效地进行扩散。此外，也可以将传递到可变电阻V1的热传递给其它部件。
此外，在本实施方式中，由于第2素体部分23以连接于第1素体部分21并且连接于金属导体10的第3面10c的方式形成，因此可以通过第1素体部分21以及第2素体部分23来保持金属导体10。因此，能够防止金属导体10的第1面10a与第1素体部分21的内侧面21a之间的剥离。
此外，在本实施方式中，由于第3素体部分25以连接于第2素体部分23并且连接于金属导体10的第2面10b的方式形成，因此可以通过第1素体部分21、第2素体部分23、以及第3素体部分25来保持金属导体10。因此，能够防止金属导体10的第1面10a与第1素体部分21的内侧面21a之间的剥离。
随后，对金属导体10和素体20之间的关系，说明更优选的例子。图3显示可变电阻V1中通过金属导体10的与外表面20d平行的截面。第1素体部分21的厚度A优选为10μm以上200μm以下。厚度A为第1素体部分21中第1外部电极30以及第2外部电极40与金属导体10之间的厚度。
通过使厚度A成为10μm以上能够确保第1素体部分21的强度。此外，通过使厚度A成为200μm以下，缩短第1和第2外部电极30、40和金属导体10之间的距离，从而能够提高第1和第2外部电极30、40和金属导体10之间的热传导速度。因此，能够更有效地从金属导体10扩散热，从可变电阻V1更有效地放热。
金属导体10的厚度B优选为第1素体部分21的厚度A以上。金属导体10的厚度B为金属导体10与第1外部电极30以及第2外部电极40相对的方向的厚度。即，金属导体10的厚度B是第1面10a与第2面10b之间的最短距离。厚度B在厚度A以上的情况下，能够进一步提高从金属导体10的放热效果。
图4显示通过可变电阻V1的金属导体10、并且垂直于金属导体10和第1外部电极30以及第2外部电极40相对的方向上的截面。在通过金属导体10、并且垂直于金属导体10和第1外部电极30以及第2外部电极40相对的方向上的截面内，在将金属导体10和素体20(第2素体部分23)的合计面积作为100％的情况下，金属导体10的面积比例S优选为20％以上99.7％以下。
通过使面积比例S成为20％以上，相对于素体20的隔热效果的从金属导体10的放热效果得到提高，能够更有效地从金属导体10进行放热。因此，能够提高可变电阻V1的放热效果。此外，通过使面积比例S成为99.7％，素体20保持金属导体10，能够防止金属导体10的第1面10a和第1素体部分21的内侧面21a之间的剥离。此外，优选第2素体部分23的厚度在5μm以上。
此外，在将金属导体10和素体20的合计体积作为100％的情况下的金属导体10的体积比例V优选在99.7％以下。通过使体积比例V成为10％以上，相对于素体20的隔热效果的从金属导体10的放热效果得到提高，能够更有效地从金属导体10进行放热。因此，能够提高可变电阻V1的放热效果。通过使体积比例V成为99.7％以下，素体20保持金属导体10，能够防止金属导体10的第1面10a和第1素体部分21的内侧面21a之间的剥离。
随后，参照图5对本实施方式相关的发光装置LE的构成进行说明。图5是用于说明本实施方式相关的发光装置的截面构成的模式图。图5显示在含有金属导体10的平面处切断发光装置LE时的截面构成。
发光装置LE包括具有上述构成的可变电阻V1，和与该可变电阻V1电连接的半导体发光元件51。
半导体发光元件51是GaN(氮化镓)类半导体的发光二极管(LEDLight-Emitting Diode)，包括基板52和在该基板52上形成的层构造体LS。GaN类的半导体LED是众所周知的因此简化其说明。基板52是由蓝宝石制成的光学透明且具有电绝缘性的基板。层构造体LS包含被层叠的n型(第1导电型)半导体区域53、发光层54、以及p型(第2导电型)的半导体区域55。半导体发光元件51根据施加在n型半导体区域53和p型半导体区域55之间的电压而发光。
n型半导体区域53包含n型的氮化物半导体而构成。在本实施方式中，n型半导体区域53是GaN在基板52上进行外延生长而形成的，由于添加了n型掺杂剂(例如，Si等)具有n型导电性。此外，n型半导体区域53也可以具有使其折射率小于且使其能能带间隙大于发光层54的组成。此时，n型半导体区域53相对于发光层54起到作为下部包层的作用。
发光层54形成在n型半导体区域53上，通过由n型半导体区域53和p型半导体区域55供给的载流子(电子和空穴)进行再结合从而在发光区域中产生光。发光层54，例如，可以是势垒层和阱层经多个周期交替层叠而成的多量子阱(MQWMutiple Quantum Well)构造。此时，势垒层和阱层由InGaN构成，通过适当选择In(铟)的组成可以使势垒层的能带间隙大于阱层的能带间隙。发光区域发生在发光层54中的被注入载流子的区域。
p型半导体区域55包含p型的氮化物半导体而构成。在本实施方式中，p型半导体区域55是AlGaN在发光层54上进行外延生长而形成的，由于添加了p型掺杂剂(例如，Mg等)而具有p型导电性。此外，p型半导体区域55也可以具有使其折射率小于且使其能带间隙大于发光层54的组成。此时，p型半导体区域55相对于发光层54起到的作为上部包层的作用。
在n型半导体区域53上形成有阴极电极56。阴极电极56由导电性材料构成，在与n型半导体区域53之间实现了欧姆接触。在p型半导体区域55上形成有阳极电极57。阳极电极57由导电性材料构成，在与p型半导体区域55之间实现了欧姆接触。在阴极电极56和阳极电极57上形成有凸起电极(bump electrode)58。
在上述构成的半导体发光元件51中，当在阳极电极57(凸起电极58)与阴极电极56(凸起电极58)之间施加规定的电压而流过电流时，在发光层54的发光区域中产生发光。
半导体发光元件51凸起连接于第1外部电极30和第2外部电极40。即，阴极电极56通过凸起电极58电连接且物理连接于第1外部电极30。阳极电极57通过凸起电极58电连接且物理连接于第2外部电极40。由此，可变电阻V1并联连接于半导体发光元件51。因此，通过可变电阻V1可以保护半导体发光元件51免受ESD电涌的影响。
在发光装置LE中，半导体发光元件51的凸起电极58与可变电阻V1的第1外部电极30和第2外部电极40物理连接，因此也成为彼此热连接。因此，在半导体发光元件51中产生的热通过凸起电极58和第1外部电极30、第2外部电极40向可变电阻V1传导。在可变电阻V1中，由于在与配置有第1外部电极30和第2外部电极40的素体20的外表面20a相对的内侧面21a上配置有热传导率高的金属导体10，所以可以更有效地从金属导体10扩散传导至可变电阻V1的热。此外，也可以将传导至可变电阻V1的热向其它部件传递。
此外，在可变电阻V1中，由于第1素体部分21的厚度A在200μm以下，因此缩短了第1和第2外部电极30、40与金属导体10之间的距离，从而可以进一步提高第1和第2外部电极30、40与金属导体10之间的热传导速度。即，在半导体发光元件51中产生的热，通过第1和第2外部电极30、40更有效地传导至金属导体10，并且更有效地从金属导体10进行扩散。因此，能够更有效地从可变电阻V1进行放热。
此外，在可变电阻V1中，由于金属导体10的厚度B在第1素体部分21的厚度A以上，因此能够进一步提高第1和第2外部电极30、40与金属导体10之间的热传导速度。即，在半导体发光元件51中产生的热，通过第1和第2外部电极30、40更有效地传导至金属导体10，并更有效地从金属导体10进行扩散。因此，能够更有效地从可变电阻V1进行放热。
以上对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式，在不脱离本发明的要意的范围内能够对其进行各种变化。
在本实施方式中，第2素体部分23和第3素体部分25是由发挥电流电压非直线特性的材料形成的，但是不限于此。第2素体部分23和第3素体部分25也可以由电绝缘材料形成。由此，可以防止在可变电阻V1中发生短路。此时，作为电绝缘材料可以使用以玻璃作为主成分的ZnO、Al2O3、SiO2、CaCO3或TiO2的混合物。
在本实施方式中，虽然第1素体部分21全体由发挥电流电压非直线特性的材料来形成，但是在第1素体部分21中至少第1外部电极30和第2外部电极40与金属导体10之间的区域由发挥电流电压非直线特性的材料形成即可。
在本实施方式中，第2素体部分23以连接于金属导体10的第3面10c全体的方式形成，但是不限于此。第2素体部分23也可以以连接于金属导体10的第3面10c的一部分的方式形成。此时，金属导体10的第3面10c的一部分从素体20露出，进一步提高从金属导体10的放热效率。
在本实施方式中，第3素体部分25以连接于金属导体10的第2面10b全体的方式形成，但不限于此。第3素体部分25也可以以连接于金属导体10的第2面10b的一部分的方式形成。此时，金属导体10的第2面10b的一部分从素体20露出，进一步提高从金属导体10的放热效率。
在本实施方式中，可变电阻V1的素体20含有第2素体部分23和第3素体部分25，但是不限于此。作为其例子，对第1～第3变形例相关的可变电阻V2～V4进行说明。
(第1变形例)参照图6对第1变形例相关的可变电阻V2进行说明。图6是显示本实施方式的第1变形例相关的可变电阻的截面构成的模式图。第1变形例相关的可变电阻V2与上述实施方式相关的可变电阻V1的不同之处在于，可变电阻V2不含有第3素体部分25。
即，金属导体10的第2面10b从素体露出。因此，由于能够从金属导体10更有效地扩散热，因此能够从可变电阻V2更有效地扩散热。
(第2变形例)参照图7对第2变形例相关的可变电阻V3进行说明。图7是显示本实施方式的第2变形例相关的可变电阻的截面构成的模式图。第2变形例相关的可变电阻V3与上述实施方式相关的可变电阻V1的主要不同之处在于，可变电阻V3不含有第2素体部分23和第3素体部分25。
可变电阻V3的素体包括第1素体部分21而构成。第1素体部分21的内侧面21a与金属导体10的第1面10a以相同形状相互连接。因此，金属导体10的第3面10c和第2面10b从素体露出。因此，由于能够从金属导体10更有效地扩散热，因此能够更有效地从可变电阻V3扩散热。
此外，可变电阻的素体包括第1素体部分21和第3素体部分25，不包括第2素体部分23也可以。
(第3变形例)参照图8对第3变形例相关的可变电阻V4进行说明。图8是显示本实施方式的第3变形例相关的可变电阻的概略立体图。第3变形例相关的可变电阻V4与上述实施方式相关的可变电阻V1的主要不同之处在于素体的构成。
可变电阻V4所具备的素体具有第1素体部分21、第2素体部分23a和第2素体部分23b、以及第3素体部分25。第2素体部分23a和第2素体部分23b分别覆盖构成金属导体10的第3面10c的4个面中相互相对的2个面10f、10g。
第2素体部分23a具有相互相对的面，相互相对的面中的一个面以连接于金属导体10的面10f的方式形成，另一个面则构成素体的外表面20d。第2素体部分23a与第1素体部分21和第3素体部分25连接。
第2素体部分23b具有相互相对的面，相互相对的面中的一个面以连接于金属导体10的面10g的方式形成，另一个面则构成素体的外表面20f。第2素体部分23b与第1素体部分21和第3素体部分25连接。
在第3变形例相关的可变电阻V4中，构成金属导体10的第3面10c并且与面10f、10g垂直地相互相对的面10d和面10e从素体上露出。因此，由于能够从金属导体10更有效地扩散热，因此能够更有效地从可变电阻V4扩散热。此外，由于第2素体部分23a、23b与第1素体部分21和第3素体部分25连接，因此能够保持金属导体10，防止金属导体10的第1面10a和第1素体部分21的内侧面21a之间的剥离。
权利要求
1.一种可变电阻，其特征在于包括含有具有相互相对的第1面和第2面的部分的素体；配置在所述素体的所述第1面上的2个外部电极；以及比所述素体热传导率高的配置在所述素体的所述第2面上的金属导体，在所述素体中至少所述2个外部电极和所述金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性。
2.根据权利要求1所述的可变电阻，其特征在于所述金属导体具有连接于所述素体的所述第2面的第1面；相对于所述第1面的第2面；以及以连接该第1面和第2面之间的方式延伸的第3面，所述素体还含有，连接于该素体的具有所述第1和所述第2面的所述部分，并且以连接于所述金属导体的所述第3面的方式形成的部分。
3.根据权利要求2所述的可变电阻，其特征在于所述素体还含有，连接于以连接于所述金属导体的所述第3面的方式形成的所述部分，并且以连接于所述金属导体的所述第2面的方式形成的部分。
4.一种可变电阻，其特征在于包括素体；配置在所述素体的内部并且其热传导率比所述素体的热传导率高的金属导体；以及以与所述金属导体相对的方式配置在所述素体的外表面上的2个外部电极，在所述素体中至少所述金属导体和所述2个外部电极之间的区域表现电流电压非直线特性。
5.根据权利要求1或4所述的可变电阻，其特征在于在通过所述金属导体且垂直于所述金属导体与所述2个外部电极相对的方向的截面上，在将所述金属导体和所述素体的合计面积作为100％的情况下的所述金属导体的面积的比例在20％以上99.7％以下。
6.根据权利要求1或4所述的可变电阻，其特征在于所述素体的所述2个外部电极和所述金属导体之间的厚度在10μm以上200μm以下。
7.根据权利要求1或4所述的可变电阻，其特征在于所述金属导体的所述金属导体与所述2个外部电极相对的方向上的厚度，为所述素体的所述2个外部电极与所述金属导体之间的厚度以上。
8.根据权利要求1或4所述的可变电阻，其特征在于在将所述素体和所述金属导体的合计体积作为100％的情况下的金属导体的体积比例在10％以上99.7％以下。
9.一种发光装置，其特征在于包括权利要求1～8的任意一项所记载的可变电阻；以及以并联连接于所述可变电阻的方式物理连接且电连接于所述2个外部电极的半导体发光元件。
全文摘要
本发明的可变电阻包括素体、2个外部电极、以及金属导体。素体含有具有相互相对的第1面和第2面的部分。2个外部电极配置在素体的第1面。金属导体配置在素体的第2面，其热传导率高于素体的热传导率。在素体中，至少2个外部电极和金属导体之间的区域表现电流电压非直线特性。
文档编号H01L25/00GK101047054SQ20071009152
公开日2007年10月3日 申请日期2007年3月27日 优先权日2006年3月27日
发明者佐藤弘幸, 斋藤洋, 田中均, 沼田真, 武内吾郎 申请人:Tdk株式会社