专利名称：双阶段自行对准接触窗及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路元件及其制造方法，且特别涉及一种双阶段自
行对准接触窗(Self-aligned contact, SAC)及其制造方法。
背景技术：
随着科技的进步，电子元件的制造必须提高积集度，以符合电子元件轻、 薄、短、小的趋势。提高积集度的方法，除了缩小半导体元件本身的尺寸之 外，也可经由减小半导体元件之间的距离来达成。然而，不论是缩小半导体 元件其本身的尺寸，或是缩小半导体元件间的距离，都会发生一些工艺上的问题。
以自行对准接触窗的工艺来说，接触窗的尺寸缩小之后，其高宽比 (Aspect ratio)增加，蚀刻的难度高，工艺的空间小。为能去除蚀刻工艺中的 残留物，确保触窗开口能完全开启，通常会进行长时间的过度蚀刻，以避免 接触窗开口无法完全开启(Contact open)。然而，请参照图l，由于在进行光 刻时，时有误对准的情形，而在蚀刻介电层16以形成接触窗开口 14时亦有 扩口的问题(Bowling effect),因此，过度蚀刻的时间过长，很容易使得栅极 12的顶角10棵露出来，而造成栅极多晶硅短路(poly short)的问题，如A区 所示。另一面，随着接触窗开口的高宽比的增加，金属层也愈来愈难以填入 于接触窗开口的中。
美国专利申请第2005/0136649号披露一种自行对准接触窗的制造方法。 该申请案是先在基底上形成多层材质相异的堆叠膜层之后，再形成内绝缘 层，之后，利用各膜层蚀刻速率的不同，进行源极/漏极区的单阶段自行对准 接触窗蚀刻工艺。在工艺进行去除内绝缘层与部分的堆叠膜层期间，以堆叠 层中的其中 一层膜层作为蚀刻终止层，以形成剖面呈T字型的接触窗开口， 棵露出该堆叠膜层中作为蚀刻终止层的膜层。
美国专利第6791190号披露一种自行对准接触窗的制造方法。该专利是 在基底上形成层共形衬层，再形成内层介电层，之后，再以共形村层为蚀刻终止层，将内层介电层图案化，以形成自行对准接触窗开口/无着陆接触窗开
口 (borderless contact opening)，在本方法中同样是以单阶段自行对准接触窗 蚀刻工艺形成开口。
另一方面，在目前常见半导体工艺中，为了增加电子或空穴在金属氧化 物半导体晶体管的沟道中的移动率(mobility)，通常是在于金属氧化物半导体 晶体管制作完成之后，会在基底上形成一层应力层。对于P型金属氧化物半 导体晶体管来说，在基底上形成一层具有压缩应力(compressive stress)的应力 层，可以在P型金属氧化物半导体晶体管中沿着沟道方向形成压缩应力。而 对于N型金属氧化物半导体晶体管来说，在基底上形成一层具有拉伸应力 (tensile stress)的应力层，可以在N型金属氧化物半导体晶体管中沿着沟道方 向形成拉伸应力。随着压缩应力或拉伸应力的增加，空穴或电子在沟道中的 移动率也随的增加，进而增加驱动电流(drive current)以提升元件效能。
由于应力层的非常厚，以上述的单阶段的已知方法来进行自行对准接触 窗的蚀刻工艺，仍然会面临上述的问题且有应用区域仅能限制在范围较大、 精确度不高的源极/漏极区的问题。
发明内容
本发明提供一种自行对准接触窗的蚀刻工艺，以避免接触窗开口无法完 全开启的问题。
本发明提供一种自行对准接触窗的蚀刻工艺，可以改善接触窗和栅极之 间的对准精确度空间(Aligned accuracy window),解决误对准以及过度蚀刻扩 口所造成的短路问题。
本发明提供一种自行对准接触窗工艺，可以在接触窗开口中轻易填满导 电层。
本发明提供一种自行对准接触窗工艺，以降低蚀刻的难度，增加工艺的 空间，提升产量(throughput)。
本发明提供一种可以与应力层整合的自行对准接触窗工艺。 本发明提出一种自行对准接触窗的制造方法。首先，在具有接触区的基 底上形成第一介电层。接着，在第一介电层中形成下部开口，其与接触区相 对应。之后，在第一介电层上形成第二介电层。接着，在第二介电层中形成 上部开口 ，其自行对准下部开口并与其连通构成自行对准接触窗开口 。然后，于自行对准接触窗开口中形成导电层。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法中，在第一 介电层中形成下部开口的步骤中，所形成的下部开口棵露出接触区上的部分 第一介电层，且在进行形成上部开口的步骤时，还包括去除该下部开口底部 的第一介电层，棵露出接触区。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法中，第一介 电层包括应力层。应力层的材质包括氮化硅。在第一介电层中形成下部开口 的步骤中是以定时方式蚀刻应力层，使所形成的下部开口的底部仍有部分应 力层覆盖于接触区上。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法中，第一介 电层由下而上包括蚀刻终止层、终点侦测层与应力层。蚀刻终止层的材质包 括氮化硅，终点侦测层的材质包括氧化硅，应力层的材质包括氮化硅。在第 一介电层中形成下部开口的步骤中，下部开口是棵露出应力层、终点侦测层 或蚀刻终止层。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法中，第一介 电层由下而上包括终点侦测层与应力层。终点侦测层的材质包括氧化硅，应 力层的材质包括氮化硅。在第一介电层中形成下部开口的步骤中，下部开口 是棵露出应力层或终点侦测层。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法，还包括在 形成下部开口之后，形成第二介电层之前，于下部开口的侧壁形成衬层。衬 层的材质包括氧化硅或氮氧化硅。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法中，第二介 电层的材质是选自于常压化学气相沉积的氧化硅、高密度等离子体气相沉积 的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃与氟掺杂玻璃及其组合所组成的族群。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法中，自行对 准接触窗为源极/漏极区的接触窗、栅极的接触窗，或源极/漏极区与栅极的 共用接触窗。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法中，下部开 口与上部开口的尺寸不同。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗的制造方法中，下部开 口的尺寸小于与上部开口的尺寸。本发明提出 一种自行对准接触窗，其包括位于基底的介电层中的下部接 触窗与上部接触窗，其中上部接触窗位于下部接触窗上并与其电性连接，且 上部接触窗与下部接触窗的尺寸不同。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗中，上部接触窗的尺寸 大于下部接触窗的尺寸。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗中，自行对准接触窗为 与源极/漏极区连接的接触窗、与栅极连接的接触窗，或为源极/漏极区与栅 极的共用接触窗。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗，还包括衬层，位于下 部接触窗之外围与介电层之间。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗中，衬层的材质包括氧 化硅或氮氧化硅。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗中，第一介电层包括应 力层。应力层的材质包括氮化硅。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗中，第一介电层由下而 上包括蚀刻终止层、终点侦测层与应力层。蚀刻终止层的材质包括氮化硅， 终点侦测层的材质包括氧化硅，应力层的材质包括氮化硅。
依照本发明实施例所述，上述的自行对准接触窗中，第一介电层由下而 上包括终点侦测层与应力层。终点侦测层的材质包括氧化硅，应力层的材质 包括氮化硅。
本发明的自行对准接触窗工艺可以改善接触窗和栅极之间的对准精确 度空间，解决误对准以及过度蚀刻扩口所造成的短路问题。
又，本发明采分段蚀刻，可以降低蚀刻的难度，避免接触窗开口开启不 完全的问题，因此，本发明可增加工艺的空间，提升产量。
此外，由于接触窗之上部开口的尺寸大于下部开口的尺寸，因此，导电 层可以很容易填入于接触窗开口的中。
再者，在下部开口形成村层，可使工艺可以釆用现今光刻等级而制造出 更小的开口尺寸。
另一方面，本发明可以与现今广为采用的应力层结合。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优 选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1绘示已知一种接触窗的示意图。图2A至图2F是依照本发明实施例所绘示的一种半导体元件的制造方法 的流程剖面图。图3A至图3H是依照本发明实施例所绘示的另一种半导体元件的制造 方法的流程剖面图。附图标记说明10:栅极顶角12:栅极14:接触窗16、122、 130:介电层100:基底102、103:晶体管104:栅介电层106:栅极110:源4及/漏极区114:间隙壁116:蚀刻终止层118:终点侦测层120:应力层122:介电层124、 146:光刻胶层136、166、 186:下部开口138、 168、 188:上部开口140、170:自行对准-接触窗开口150:共形衬层材料层150a:衬层190:自行对准共接触窗开口142、172:自行对准接触窗192:自行对准共接触窗具体实施方式
实施例一图2A至图2F是依照本发明实施例所绘示的一种半导体元件的制造方法 的流程剖面图。请参照图2A，首先提供基底100。此基底100例如是硅基底，如N型 硅基底或P型硅基底。当然，基底IOO也可以是绝缘层上有硅的基底等。在 此基底100上已形成有晶体管102与103。晶体管102和103例如是N沟道 金属氧化物半导体导体元件(NMOS)或P沟道金属氧化物半导体导体元件 (PMOS)。晶体管102和103可分别由栅介电层104、栅极106、间隙壁114以及源极/漏极区110所构成。栅介电层104位于栅极106与基底100之间。栅介 电层104的材质可以由氧化硅层所构成。栅极106的材质包括以硅为基础的 材料，例如是掺杂硅、未掺杂硅、掺杂多晶硅或未掺杂多晶硅的其中之一。 当栅极106的材质为掺杂硅或掺杂多晶硅时，在硅或多晶硅中的掺杂剂可以 是N型掺杂剂，也可以是P型掺杂剂。间隙壁114可以是由单一间隙壁所构 成，或是由两个间隙壁所构成。在此例中，间隙壁114是以单一的间隙壁来 表示的。间隙壁114的材质例如是氧化硅或氮化硅。此外，间隙壁114的形 状并无特别的限制。源极/漏极区IIO是设置于栅极106两侧的基底中。源极/漏极区110的 掺杂剂可以是N型掺杂剂，也可以是P型掺杂剂。源极/漏极区110的材质 例如是以半导体材料或是半导体化合物为主要材料。半导体材料例如是硅。 半导体化合物的材料例如是硅化锗或是碳化硅。在一个实施例中，在栅极106的表面上以及源极/漏极区110上还分别包 括硅化金属层(未绘示)。硅化金属层包括耐火金属的硅化金属层，例如是镍、 钴、钛、铜、钼、钽、鴒、铒、锆、铂与这些金属的合金的硅化物的其中之请继续参照图2A，在基底IOO上形成介电层122。在一个实施例中，介 电层122例如是由应力层120所构成，此应力层120可增加驱动电流，提升 元件效能。对于P型沟道金属氧化物半导体晶体管来说，应力层120为压缩 应力层，可以在P型沟道金属氧化物半导体晶体管中沿着沟道方向形成压缩 应力，使空穴在沟道中的移动率增加。而对于N型沟道金属氧化物半导体晶 体管来说，应力层120为拉伸应力层，可以在N型沟道金属氧化物半导体晶 体管中沿着沟道方向形成拉伸应力，使电子在沟道中的移动率增加。应力层 120的材质例如是氮化硅，形成的方法例如是化学气相沉积法。在另一实施例中，介电层122除了包括上述的应力层120之外，还包括 终点侦测层118位于应力层120的下方。终点侦测层118的材质与应力层120 的材质不同，在蚀刻的过程中，与应力层120具有不同的蚀刻速率。终点侦 测层118的材质例如是氧化硅，其形成的方法例如是化学气相沉积法。在又一实施例中，介电层122除了包括上述的应力层120、终点侦测层 118之外，还包括一层蚀刻终止层116，位于终点侦测层118的下方。蚀刻 终止层116的材质与终点侦测层118的材质不同，在蚀刻的过程中，与终点侦测层118具有不同的蚀刻速率。蚀刻终止层116的材质例如是氮化硅，其形成的方法例如是化学气相沉积法。其后，请继续参照图2A,在介电层122上形成一层图案化光刻胶层124。 之后，请参照图2B，进行介电层的第一阶段的图案化工艺。以图案化 光刻胶层124为蚀刻掩模，蚀刻介电层122,以在介电层122中形成下部开 口 136、 166、 186,其与预定的接触区相对应，而有部分的介电层122覆盖， 即分别对应但并未棵露出源极/漏极区110、晶体管103的栅极106以及晶体 管102的栅极106，以在后续的蚀刻工艺中作为保护层，避免遭受蚀刻的破 坏。当介电层122是由应力层120所构成时，进行蚀刻工艺之后所形成的下 部开口 136、 166与186底部仍有应力层120留在源极/漏4及区110、晶体管 103的栅极106以及晶体管102的栅极106上。当介电层122是由应力层120与终点侦测层118所构成时，蚀刻工艺可 以以终点侦测层118作为蚀刻终止层，使所形成的下部开口 136、 166与186 底部棵露出终点侦测层118。或是，蚀刻工艺可以利用定时控制，而停止于 应力层120,使所形成的下部开口 136、 166与186底部仍有应力层120留在 源极/漏极区110、晶体管103的栅极106以及晶体管102的栅极106上。当介电层122是由应力层120、终点侦测层118与蚀刻终止层116所构 成时，蚀刻工艺可以如同以上所述，使得所形成的下部开口 136、 166与186 底部棵露出终点侦测层118，或是棵露出应力层120。亦或是，棵露出蚀刻 终止层116。蚀刻介电层122的方法可以采用各向异性蚀刻工艺，例如是以氟烃或是 已知的各种气体作为蚀刻气体源的干法蚀刻工艺。其后，请参照图2C,移除图案化光刻胶层124。移除图案化光刻胶层 124的方法例如湿法移除法，或是干法移除法如氧等离子体灰化法。接着， 在基底IOO上形成另一层介电层130。介电层130例如是由单一层所构成， 或是由两种以上的材料层所构成。在本实施例中，是以单层的介电层130来 说明的。介电层130的材质例如是常压化学气相沉积的氧化硅、高密度等离 子体气相沉积的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃或氟掺杂玻璃等。之后，请参照图2D,进行介电层的第二阶段的图案化工艺，在介电层 130上形成图案化光刻胶层146。然后，以图案化光刻胶层146为蚀刻掩模，残留的介电层122作为蚀刻终止层，蚀刻介电层130，以在介电层130中形 成上部开口 138、 168与188。上部开口 138自^f亍对准下部开口 136,并与其 相连通；上部开口 168自行对准下部开口 166，并与其相连通；上部开口 188 自行对准下部开口 168，并与其相连通。在形成上部开口 138、 168与188 的蚀刻过程中，可以以介电层122的应力层120、终点侦测层118或是蚀刻 终止层116为终止层，保护其下方的源极/漏极区110以及栅极106，避免遭 受蚀刻的破坏。蚀刻介电层130的方法可以采用各向异性蚀刻工艺，例如是 以氟烃或是已知的各种气体作为蚀刻气体源的干法蚀刻工艺。继之，请参照图2E,移除下部开口 136、 166、 186底部的介电层122， 以棵露出源极/漏极区110、晶体管103的栅极106、以及晶体管102的栅极 106与源极/漏极区110，完成由上部开口 138与下部开口 136所构成的自行 对准接触窗开口 140、上部开口 168与下部开口 166所构成的自行对准接触 窗开口 170、以及上部开口 188与下部开口 186所构成的自行对准共接触窗 开口 190。移除下部开口 136、 166、 186底部的介电层122的方法可以采用 各向异性蚀刻工艺，例如是以氟烃或是已知的各种气体作为蚀刻气体源的干 法蚀刻工艺。之后，移除图案化光刻胶层146。移除图案化光刻胶层146的方法例如 湿法移除法，或是干法移除法如氧等离子体灰化法。之后，请参照图2F,在自行对准接触窗开口 140与170以及自行对准 共接触窗开口 190中填入导电层，以形成自行对准接触窗142与172以及自 行对准共接触窗192。导电层的形成方法可以在基底IOO上依序形成覆盖介 电层130并且填入自行对准接触窗开口 140与170以及自行对准共接触窗开 口 190的导电材料层(未绘示)，之后，利用化学机械抛光法或是回蚀刻法， 移除覆盖介电层130的部分，完成自行对准接触窗142与172以及自行对准 共接触窗192的制作。导电材料层的材质例如是鴒金属、铜金属或其合金， 或是掺杂的多晶硅。通常，除了前述的材料之外，导电材料层还包括一层阻 障层或是一层粘着层，其材质例如是钛、钽、氮化钛、氮化钽或其组合。实施例二图3A至3H是依照本发明实施例所绘示的另一种半导体元件的制造方 法的流程剖面图。请参照图3A与3B,依照实施例所述的方法，将基底100上的介电层122进行第一阶段的图案化工艺，以在介电层122中形成与源极/漏极区110 相对应的下部开口 136、与晶体管103的栅极106对应的下部开口 166以及 与晶体管102的栅极106以及晶体管103的源极/漏极区110对应的下部开口 186。请参照图3C,去除光刻胶层124之后，先在基底100上形成共形的衬 层材料层150，覆盖介电层122以及下部开口 136、166与186的侧壁与底部。 衬层材料层150的材质包括氧化硅或氮氧化硅，形成的方法例如是化学气相 沉积法。之后，请参照图3D，对共形的衬层材料层150进行各向异性蚀刻工艺， 留下位于下部开口 136、 166与186侧壁的部分，以形成衬层150a。村层150a 可以用来缩小下部开口 136、 166与186的尺寸。亦即，下部开口 136、 166 与186的形成方法可以采用现有的光刻工艺来进行曝光、显影，当进行蚀刻 工艺之后，再通过衬层150a的形成来缩小下部开口 136、 166与186的尺寸。请参照图3E至3H，依照上述实施例一的方法，形成介电层130。接着， 以残留的介电层122作为蚀刻终止层，并进行第二阶段的图案化工艺，以在 介电层130中形成上部开口 138、 168与188。之后，移除下部开口 136、 166、 186底部的介电层122，以棵露出源极/漏极区110、晶体管103的栅极106、 以及晶体管102的栅极106与源极/漏极区110，完成由上部开口 138与下部 开口 136所构成的自^"对准^接触窗开口 140、上部开口 168与下部开口 166 所构成的自行对准接触窗开口 170、以及上部开口 188与下部开口 186所构 成的自行对准共接触窗开口 190。之后，再于自行对准接触窗开口 140与170 以及自行对准共接触窗开口 190中填入导电层，以形成自行对准接触窗142 与172以及自行对准共接触窗192。本发明实施例的自行对准接触窗是由下部接触窗以及上部接触窗所构 成。上部接触窗的尺寸大于下部接触窗的尺寸。在另一实施例中，下部接触 窗之外围与介电层之间还包括衬层其可以用来缩小所形成的下部开口的尺 寸，使工艺可以采用现今光刻等级而制造出更小的开口尺寸。综上所述，在本发明的自行对准接触窗工艺是以两阶段或多阶段来进行 蚀刻，可以改善接触窗和栅极之间的对准精确度空间，避免错误对准与长时 间过度蚀刻所导致的栅极与源极/漏极区之间的短路问题。再者，本发明采分段蚀刻，由于每一阶段的接触窗开口的高宽比变小，因此，蚀刻的难度变低，可避免接触窗开口开启不完全的问题，提升工艺的产量。又，由于接触窗之上部开口的尺寸大于下部开口的尺寸，因此，导电层 可以很容易填入于接触窗开口的中。此外，在下部开口形成衬层，可使工艺可以采用现今光刻等级而制造出 更小的开口尺寸。另一方面，本发明可以与现今广为采用的应力层结合。此应力层中可作 为自行对准下部开口的第一层介电层，并可作为后续上部开口的蚀刻工艺的 蚀刻终止层。虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，本领 域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因 此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。
权利要求
1. 一种双阶段自行对准接触窗的制造方法，包括提供基底，该基底上具有接触区；在该基底上形成第一介电层；在该第一介电层中形成下部开口，其与该接触区相对应；在该第一介电层上形成第二介电层；在该第二介电层中形成上部开口，其自行对准该下部开口并与其连通构成自行对准接触窗开口；以及在该自行对准接触窗开口中形成导电层。
2. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中在该 第 一介电层中形成该下部开口的步骤中，所形成的该下部开口棵露出该接触 区上的部分该第一介电层，且在进行形成该上部开口的步骤时，还包括去除 该下部开口底部的该第一介电层，棵露出该4妻触区。
3. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该第 一介电层包括应力层。
4. 如权利要求3所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该应 力层的材质包括氮化硅。
5. 如权利要求3所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中在该 第 一介电层中形成该下部开口的步骤中是以定时方式蚀刻该应力层，使所形 成的该下部开口的底部仍有部分该应力层覆盖于该接触区上。
6. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该第 一介电层由下而上包括蚀刻终止层、终点侦测层与应力层。
7. 如权利要求6所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该蚀 刻终止层的材质包括氮化硅，该终点侦测层的材质包括氧化硅，该应力层的 材质包括氮化硅。
8. 如权利要求6所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中在该 第一介电层中形成该下部开口的步骤中，该下部开口是棵露出该应力层、该 终点侦测层或该蚀刻终止层。
9. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该第 一介电层由下而上包括终点侦测层与应力层。
10. 如权利要求9所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该终点侦测层的材质包括氧化硅，该应力层的材质包括氮化硅。
11. 如权利要求9所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中在该 第 一介电层中形成该下部开口的步骤中，该下部开口是棵露出该应力层或该 终点侦测层。
12. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，还包括在 该形成该下部开口之后，形成该第二介电层之前，在该下部开口的侧壁形成衬层。
13. 如权利要求12所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该 衬层的材质包括氧化硅或氮氧化硅。
14. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该第 二介电层的材质是选自于常压化学气相沉积的氧化硅、高密度等离子体气相 沉积的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃与氟掺杂玻璃及其组合所组成的族群。
15. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该自 行对准接触窗为源极/漏极区的接触窗、栅极的接触窗，或源极/漏极区与栅 极的共用接触窗。
16. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该下 部开口与该上部开口的尺寸不同。
17. 如权利要求16所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该 下部开口的尺寸小于与该上部开口的尺寸。
18. —种自行对准接触窗，包括 下部接触窗，位于基底的介电层中；以及上部接触窗，位于该介电层中且位于该下部接触窗上并与其直接连接， 且该上部接触窗与该下部接触窗的尺寸不同。
19. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，其中该上部接触窗的尺寸 大于该下部接触窗的尺寸。
20. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，其中该自行对准接触窗为 与源极/漏极区连接的接触窗、与栅极连接的接触窗，或为源极/漏极区与栅 极的共用接触窗。
21. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，还包括衬层，位于该下部 接触窗之外围与该介电层之间。
22. 如权利要求21所述的自行对准接触窗，其中该村层的材质包括氧化硅或氮氧化硅。
23. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，其中该第一介电层包括应 力层。
24. 如权利要求23所述的自行对准接触窗，其中该应力层的材质包括 氮化硅。
25. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，其中该第一介电层由下而 上包括蚀刻终止层、终点侦测层与应力层。
26. 如权利要求25所述的自行对准接触窗，其中该蚀刻终止层的材质 包括氮化硅，该终点侦测层的材质包括氧化硅，该应力层的材质包括氮化硅。
27. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，其中该第一介电层由下而 上包括终点侦测层与应力层。
28. 如权利要求27所述的自行对准接触窗，其中该终点侦测层的材质 包括氧化硅，该应力层的材质包括氮化硅。
全文摘要
一种双阶段自行对准接触窗的制造方法。此方法是在具有接触区的基底上形成第一介电层，再于第一介电层中形成与接触区相对应的下部开口。之后，在第一介电层上形成第二介电层，再于第二介电层中形成上部开口，此上部开口自行对准该下部开口并与其连通，构成自行对准接触窗开口。其后，再于自行对准接触窗开口中形成导电层。
文档编号H01L21/768GK101281879SQ200710091610
公开日2008年10月8日 申请日期2007年4月3日 优先权日2007年4月3日
发明者周玲君, 曹博昭, 陈铭聪 申请人:联华电子股份有限公司