专利名称：硅片角度定位装置及反应腔室的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体加工设备部件，尤其涉及一种硅片角度定位装置及反应腔室。
背景技术：
在半导体加工的硅片传输过程中，机械手把硅片从真空传输平台腔室搬运到反应腔 室，进行加工工艺。为了检验反应腔室的一致性问题或者其它工艺需求，需要明确硅片在 反应腔室中的角度，也就是硅片缺口的角度。 一般通过控制硅片中心校准装置的硅片缺口 定位功能来实现。在某些传输系统中经过硅片中心校准装置校准且确定了缺口位置的硅片 并不直接被机械手传输到反应腔室，而是经过中间传递(例如，某些传输系统使用的是大 气硅片中心校准装置，经过校准的硅片需要经过大气、真空过渡腔室，之后由真空机械手 将硅片传输到反应室中)，中间经过了两只机械手的传递。在对机械手进行调试时，两只 机械手之间的夹角会因调试而不同，这样就不能直接通过硅片中心校准装置来确定硅片的 角度。
现有技术中，对机械手进行调试时， 一般在硅片传输到反应室的硅片支撑装置上之 后，用角度测量工具手动进行测量。该方法在使用中较难测量且不容易测量准确，调试较 为麻烦。
发明内容
本发明的目的是提供一种使用方便、测量准确的硅片角度定位装置及设有该装置的反 应腔室。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的
本发明的硅片角度定位装置，包括刻度盘，所述的刻度盘为圆形，所述刻度盘的上表
面，沿与刻度盘同心的圆周方向刻有均分360度的刻度线。
本发明的反应腔室，所述反应腔室内设有硅片支撑装置，所述反应腔室内还设有上述 的硅片角度定位装置，所述硅片支撑装置与硅片角度定位装置的中心轴线重合。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的硅片角度定位装置及反应腔 室，由于反应腔室内设有硅片角度定位装置，硅片角度定位装置上沿与刻度盘同心的圆周
方向刻有均分360度的刻度线。可以直接读出硅片缺口所对准的角度，使用方便、测量准 确。
图l为本发明硅片角度定位装置的平面结构示意图; 图2为本发明硅片角度定位装置的立面结构示意图; 图3为本发明反应腔室的结构示意图。
具体实施例方式
本发明的硅片角度定位装置，较佳的具体实施方式
如图l、图2所示，包括刻度盘l， 所述的刻度盘l为圆形，所述刻度盘l的上表面，沿与刻度盘1同心的圆周方向刻有均分360 度的刻度线。
所述的刻度盘1的下表面设有支架2，支架2可以为圆环形，根据需要也可以是方形、 椭圆形，或其它的形状。
所述的刻度盘l上开有至少一个通孔。所述的通孔可以为一个与刻度盘l同心的圆孔。 开孔的目的是为了硅片角度定位装置使用过程中，便于其它的设备器件穿过，或便于安装 等。
本发明的反应腔室，较佳的具体实施方式
如图3所示，所述反应腔室3内设有硅片支撑 装置4，硅片支撑装置4上设有硅片5，所述反应腔室3内还设有上述的硅片角度定位装置， 所述硅片支撑装置4与硅片角度定位装置的中心轴线重合。
刻度盘1的下表面设有支架2，支架2支撑于反应腔室3的底壁上。刻度盘l的中部开有 与刻度盘l同心的圆孔；硅片支撑装置4为圆形，刻度盘l中部的圆孔的内径略大于硅片支撑 装置4的外径，所述硅片支撑装置4恰可至于所述圆孔中。这样，硅片5的中心便与刻度盘1 的中心重合，通过硅片5上的缺口对准的刻度，可以方便准确的读出硅片的角度。
本发明在反应腔室的硅片支撑装置上，临时安装一个硅片角度定位装置。将硅片缺口 在反应腔室中的角度读出来，供硅片中心校准装置定位硅片的缺口使用。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任 何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都 应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种硅片角度定位装置，其特征在于，包括刻度盘，所述的刻度盘为圆形，所述刻度盘的上表面，沿与刻度盘同心的圆周方向刻有均分360度的刻度线。
2、 根据权利要求l所述的硅片角度定位装置，其特征在于，所述的刻度盘的下表面设 有支架。
3、 根据权利要求2所述的硅片角度定位装置，其特征在于，所述的支架为圆环形。
4、 根据权利要求l、 2或3所述的硅片角度定位装置，其特征在于，所述的刻度盘上开 有至少一个通孔。
5、 根据权利要求4所述的硅片角度定位装置，其特征在于，所述的通孔为一个与所述 刻度盘同心的圆孔。
6、 一种反应腔室，所述反应腔室内设有硅片支撑装置，其特征在于，所述反应腔室 内还设有权利要求1至5所述的硅片角度定位装置，所述硅片支撑装置与硅片角度定位装置 的中心轴线重合。
7、 根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述的刻度盘的下表面设有支架， 所述支架支撑于所述反应腔室的底壁上。
8、 根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述的刻度盘的中部开有与刻度盘 同心的圆孔；所述硅片支撑装置为圆形，所述圆孔的内径略大于所述硅片支撑装置的外 径，所述硅片支撑装置恰可至于所述圆孔中。
全文摘要
本发明公开了一种硅片角度定位装置及设有该装置的反应腔室。硅片角度定位装置包括刻度盘，刻度盘为圆形，刻度盘的上表面沿与刻度盘同心的圆周方向刻有均分360度的刻度线。反应腔室内设有硅片角度定位装置，与硅片支撑装置的中心轴线重合。可以直接读出硅片支撑装置上的硅片缺口所对准的角度，使用方便、测量准确。
文档编号H01L21/67GK101373730SQ20071012049
公开日2009年2月25日 申请日期2007年8月20日 优先权日2007年8月20日
发明者晓 魏 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司