专利名称：微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构及生产方法
技术领域：
本发明涉及的是一种微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构及生产 方法，属于半导体微电子设计制造技术领域。
技术背景微波功率晶体管设计制造的重点和难点主要有如下三个方面l,克服微 波寄生参数的不利影响，提高微波增益性能。2.克服基区大注入效应，提高功率容量，保持大功率条件下的微波性能；3.克服大功率应用所带来的热效 应，提高晶体管的长期可靠性。微波功率器件常常工作在高功率密度条件下，而且高频时效率较低，使 耗散增大，产生很高的结温。即使输入功率密度均匀，同一芯片内，芯片平 面中心的温度也最高。热分布不均匀性和基极电阻自偏压、结面缺陷等都会 导致电流分布不均匀，电流分布的不均匀性又反过来加剧热分布的不均匀 性，最终这种恶性循环使电流集中到某一很小的范围，形成过热点，温度瞬 时超过硅片的熔点，而使PN结发生热烧毁，即所谓的热击穿或正向偏置二次 击穿。热击穿是大功率器件失效的主要因素之一。防止器件热击穿的主要措施包括两个方面第一、改善热传导通路，降 低热阻，以利于芯片内所产生的热量向外扩散；第二、设计一只与发射结相 串联的扩散电阻，即发射极镇流电阻，来改善芯片内的温度分布，最终降低 芯片内峰值结温，抑制正向偏置二次击穿的发生。发射极镇流电阻的阻值越大，则芯片内温度分布越均匀。但是发射极镇流电阻的存在，会降低晶体管的微波功率增益；同时扩散电阻的PN结，增加了集电极到发射极的寄生 电容，对器件工作的稳定性不利。现有发射极扩散镇流电阻一般设计在芯片有源区单侧边缘，有源区对镇 流电阻的热耦合不充分，限制了附加镇流效果，同时镇流电阻的存在增加了 集电极到发射极之间的寄生电容。进行多有源区设计时，每个有源区都必须 设计一个镇流电阻，增加了镇流电阻的寄生电容和芯片面积，发射极镇流电 阻的存在对器件可靠性有利，但是对器件微波功率增益有损失。 发明内容本发明的目的在于克服现有技术存在的缺陷，提出一种微波功率晶体管 动态发射极镇流电阻结构及生产方法，，将有源区分为两个近邻的区域，将 发射极镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线 引出。 一方面使有源区和镇流电阻之间有充分的热耦合，使镇流电阻值随着 温度升高而增加的幅度变大，充分利用因为镇流电阻增加而带来的附加镇流 效果。两个有源区共用一个镇流电阻，可以减小镇流电阻的寄生电容和芯片 面积。同时还增加了有源区散热边界，降低芯片热阻。本发明的技术解决方案其结构是有源区分为两个近邻的区域，发射极 镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出， 两个有源区共用一个镇流电阻。微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构的生产方法，其工艺步骤分为，(l)选择掺砷硅衬底，电阻率幼.003^cm;在该衬底上外延掺磷n型硅外延层，电阻率O. 75-1. 5Q，cm，外延层厚度3iam -14pm ;(2) 清洗后的硅片，在炉温100(rC — 115(TC，并通干氧气的条件下，恒 温15分钟-30分钟，然后通三氯甲烷或三氯乙烯30分钟-60分钟，干氧气10分 钟-20分钟，生成900埃一1500埃(A) 二氧化硅；(3) 采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺方法，在硅片表面淀积一层 厚度为1000A—1700A的氮化硅(Si3N4);(4) 利用旋转喷涂法，在外延片上涂敷一层对紫外光敏感的有机物薄膜；然后用紫外光透过台面掩膜版对光刻胶进行选择性曝光；再对曝光后的外延 片进行喷涂腐蚀、显影，去除曝光区的光刻胶，形成光刻胶掩蔽台面图形；(5) 以步骤(4)工艺形成的光刻胶图形为掩蔽膜，干法刻蚀裸露区域 的S:UN4， Si晶刻蚀干净后，露出硅表面，最后去除光刻胶，得到以Si晶为 掩蔽的台面图形；(6) 用水浴温度为4(TC士2'C的硅材料腐蚀液腐蚀硅形成台面，台阶高度 0. 4fim -0. 6|uni;(7) 在105(TC — 1150'C的温度下，依次通干氧10分钟一20分钟，通湿氧 80分钟一100分钟，通干氧15分钟一25分钟，通三氯甲烷或三氯乙烯30分钟 一60分钟，通干氧10分钟一60分钟，通&80分钟-IOO分钟，在台面边缘生长 8000A—9000A的Si02 ;(8) 用热磷酸腐蚀Si3N4，并用氢氟酸(HF)腐蚀Si3N4下面的Si02，露出 硅表面；(9) 光刻形成镇流电阻和基极欧姆接触窗口图形，注入B+或BF/，注入剂量lxl015011—2—5xl015cm—2，能量80KeV-120KeV ;(10) IOO(TC IO秒快速退火，形成镇流电阻和基极欧姆接触p+区(图 4.10);注入BF"注入剂量4xl0'3cm—2—8xl013cm—2，能量40KeV-80KeV,并进行 IOO(TC IO秒退火，形成基区；(11) 用LPCVD工艺在硅片表面分别淀积1000A -2000A Si02和1000A -1700A Si孔钝化层；(12) 光刻、刻蚀Si美/Si02，开发射区掺杂窗口；(13) LPCVD多晶硅薄膜，厚度为2000A—6000A，并对多晶硅进行砷或磷掺杂；(14) 反刻发射极多晶硅，在92(TC — 100(TC和氮气保护条件下退火20分 钟，形成n+发射区；(15) 光刻并干法刻蚀Si3N4/Si02形成基极接触窗口；(16) 溅射Ti 500A-1500A/WN 1000A-3000A/Au 500A—1500A ;光刻 电镀区，选择电镀金，镀层厚度1.2^im—2.5fim;反刻形成第一层金属电极， 即发射极和基极；(17) 采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺在硅片表面淀积5000 A -10000 A氮氧化硅(SixOyNz)混合介质膜，形成电极隔离介质层；(18) 光刻并干法刻蚀S:UO凡形成第二层金属接触窗口；(19) 溅射Ti 500A-1500A /W 1000A-2000A /Au 500A—1500A ;(20) 光刻第二层金属电镀窗口图形，并将窗口金层电镀至2"3微米；(21) 光刻第二层金属电极反刻图形，并反刻形成第二层金属电极，即发 射极和基极；(22) 采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺在硅片表面淀积2000A 一5000A氮氧化硅(SixOyNz)混合介质膜，形成电极钝化介质层；(23) .光刻第二层金属电极键合窗口图形，并干法刻蚀露出第二层金属 电极键合窗口；(24) 采用平面磨床对硅片进行背面磨片，将硅片减薄到80iLini—100^; 对硅片依次进行甲苯浸泡加热清洗和丙酮浸泡加热清洗；对蒸发Ti 500A -1500A /Ni 3000A -5000A /Au 3000A—5000A形成下电极，即集电极。本发明的有益效果将有源区分为两个近邻的区域，将发射极镇流电阻 置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出。 一方面使 两个有源区对同一个镇流电阻有充分的热耦合，使镇流电阻值随着温度升高 而增加的幅度变大，增加附加镇流效果，实现动态镇流。两个有源区共用一 个镇流电阻，可以减小镇流电阻的寄生电容和芯片面积。同时增加有源区散 热边界，降低热阻。采用该技术后，同等功率和镇流电阻的芯片，在相同的工作条件下，峰值结温下降i5i:—2(rc。较好地满足微波功率晶体管对微波性能和可靠性的要求。
附图l是现有单有源区晶体管剖面示意图。附图2是现有双有源区晶体管剖面示意图，附图3是本发明动态发射极镇流电阻晶体管剖面示意图。附图4是(111)晶面的硅外延片的剖面示意图；附图5是化学气相淀积氮化硅(LPCVD Si3N4)的剖面示意图；附图6是紫外光透过台面光刻版对光刻胶进行选择性曝光的剖面示意图；附图7是用光刻胶图形为掩蔽，对氮化硅(Si3N4)进行选择性反应离子刻蚀 的剖面示意图；附图8是刻蚀Si晶，并去除光刻胶掩蔽图形后的硅片剖面示意图； 附图9是以Si美为掩膜，选择性腐蚀硅，形成台面的剖面示意图； 附图10是以S;UN4为掩膜，对硅片进行局部氧化生成二氧化硅(Si02)剖面示 意图；附图ll是湿法腐蚀S:UN4后的剖面示意图；附图12是以光刻胶为掩蔽，基极接触区和镇流电阻区选择性离子注入的剖 面示意图；附图13是退火推进后形成的基极接触区P+掺杂和镇流电阻区P+掺杂剖面示意 图；附图14是注入BF2+并退火形成p型基区的剖面示意图； 附图15是LPCVD Si02/Si3N4的剖面示意图;附图16是刻蚀Si02/Si3N4，形成发射孔剖面示意图；p为基区；,表示硅衬底； n为硅外延层；附图17是LPCVD掺砷多晶硅的剖面示意图；附图18是多晶硅推进形成n+，并反刻发射极多晶硅的剖面示意图；附图19是光刻刻蚀形成基极接触窗口和镇流电阻接触窗口剖面示意图；附图20是第一层电极剖面示意图；附图21是金属电极隔离介质膜淀积剖面示意图；附图22是第二层金属电极接触窗口剖面示意图；附图23是第二层金属电极剖面示意图；附图24是金属电极钝化窗口剖面示意图；附图25是背面减薄和集电极金属化剖面示意图。
具体实施方式
图中的1是基极金属压焊区；2是n+掺杂发射区，发射区与其对应的p 型基区和n型集电区共同构成有源区；3是金属表面钝化介质膜；4是P+掺 杂的发射极镇流电阻区，厚度lpm-2pm; 5是发射极金属压焊区；6是集电 极；11++为硅衬底。p区厚度为0. 3|iim -0. 4,; n+区厚度为0. lpm -0. 2pm; n型硅外延层厚度为3pm -14jam; 11++硅衬底材料厚度为380^m -560pm。 7是 双层金属之间的隔离介质膜；8是金属表面钝化层。9是发射区窗口与镇流 电阻窗口的互连金属；10是n+发射区，n+发射区与其对应的p型基区和n 型集电区共同构成有源区；rT硅衬底材料厚度为380pm-56(^m。 11是紫外 光，12是掩膜版，13是光刻胶，14是反应离子，15是台面，16是离子注入， 17是掺砷多晶硅，18是镇流电阻，19是发射孔，20是基极接触区,21是发 射极多晶硅，22是镇流电阻接触孔，23是镇流电阻接触金属，24是发射极 与镇流电阻互连金属，25是基极金属，26是隔离介质，27是第二层发射极 金属接触窗口； 28是第二层基极金属接触窗口； 29是第二层发射极金属； 30是第二层基极金属；31是发射极键合窗口； 32是基极金属键合窗口。对照附图l ，芯片内包含一个有源区和一个发射极镇流电阻，镇流电阻 位于有源区一侧。有源区产生的热量从镇流电阻的一侧扩散到镇流电阻，有 源区对镇流电阻的热耦合不充分。对照附图2，芯片内包含两个有源区和两个发射极镇流电阻；镇流电阻 位于两个有源区外侧；对照附图3 ，芯片内包含两个近邻的有源区， 一个发射极镇流电阻。 发射极镇流电阻位于两个有源区中间，两个有源区共用同一个发射极镇流电 阻。发射极和基极电极采用双层金属布线引出。两个有源区产生的热量同 时从镇流电阻的两侧扩散到镇流电阻，有源区对镇流电阻的热耦合充分，芯 片中镇流电阻的寄生电容较小。对照附图4，硅衬底掺砷，电阻率幼.003Q,cm，用n"表示，厚度为380pm -560|Lim;在该衬底上外延掺磷n型硅外延层，电阻率O. 75Q*cm -1. 5Q，cm， 用n表示，外延层厚度3iim-14^im; 1)选择掺砷硅衬底，电阻率SO. 003Q*cm; 在该衬底上外延掺磷n型硅外延层，电阻率O. 75Q*cm -1.5Q*cm，外延层厚 度3,-14,，清洗后的硅片，在炉温1000。C一1150。C，邻通干氧气的条件 下，恒温15分钟-30分钟，然后通三氯甲烷或三氯乙烯30分钟-60分钟，干氧 气10分钟-20分钟，生成900埃一1500埃(A) 二氧化硅，对照附图5， 11++表示硅衬底；n为硅外延层；3)采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺方法，在硅片表面淀积一层厚度为1000A—1700A的氮化硅(Si3N4)，对照附图6，,表示硅衬底；n为硅外延层；利用旋转喷涂法，在外延片 上涂敷一层对紫外光敏感的有机物薄膜，即光刻胶，厚度约2pm;然后用紫 外光透过台面掩膜版对光刻胶进行选择性曝光；再对曝光后的外延片进行喷 涂腐蚀、显影，去除曝光区的光刻胶，形成光刻胶掩蔽台面图形，对照附图7，,表示硅衬底；n为硅外延层；5)以工艺步骤4)形成的光 刻胶图形为掩蔽膜，干法刻蚀裸露区域的S:UN4。对照附图8，,表示硅衬底；n为硅外延层；Si3N4刻蚀干净后，露出硅表面，最后去除光刻胶，得到以Si美为掩蔽的台面图形，对照附图9，台面深度0.4pm -0.6lam微米；『表示硅衬底；n为硅外延层；对照附图IO， rT表示硅衬底；n为硅外延层；在105(TC — 115(TC的温度 下，依次通干氧10分钟一20分钟，通湿氧80分钟一100分钟，通干氧15分钟 一25分钟，通三氯甲垸或三氯乙烯30分钟一60分钟，通干氧10分钟一60分钟， 通N2 80分钟-100分钟，在台面边缘生长8000 A—8000 A的Si02 ，对照附图ll，,表示硅衬底；n为硅外延层；8)用热磷酸腐蚀S:UN4，并 用氢氟酸(HF)腐蚀Si3N4下面的Si02，露出硅表面，对照附图12，,表示硅衬底；n为硅外延层；9)光刻形成镇流电阻和基 极欧姆接触窗口图形，注入8+ (或BF2+)，注入剂量lxl0'5cnf2—5xl015cm—2，能 量80KeV-120KeV ，对照附图13， 11++表示硅衬底；n为硅外延层；10) IOO(TC IO秒快速退火，形成镇流电阻和基极欧姆接触P+区；对照附图14， n为硅外延层；注入BF/，注入剂量4xl0130！！1—2—8xl013cm—2，能量40KeV-80KeV，并进行100(TC 10S退火，形成基区，对照附图15，,表示硅衬底；n为硅外延层；用LPCVD工艺在硅片表面分 别淀积1000A -2000A Si02和1000A -1700A Si扎钝化层，对照附图16， n为硅外延层；12)光刻、刻蚀Si02/Si晶开发射区掺杂窗□，对照附图17，n为硅外延层;13) LPCVD多晶硅薄膜，厚度为2000A—6000A, 并对多晶硅进行砷或磷掺杂，对照附图18， p为基区；,表示硅衬底；n为硅外延层；14)反刻发射极多晶硅，在92(TC — 100(rC和氮气保护条件下退火20分钟，形成n+发射区，对 照附图19 ， n+为发射区；p为基区；,表示硅衬底；n为硅外延层；15)光 刻并干法刻蚀Si3N4/Si02形成基极接触窗口，对照附图20，n为硅外延层；16)溅射Ti 500A-1500A/丽1000A-3000A/Au 500A—1500A ;光刻电镀区，选择电镀金，镀金层厚度l. 2|nni—2.5|im;反 刻形成第一层金属电极，即发射极E和基极B ，对照附图21， p为基区；rT表示硅衬底；n为硅外延层；17)采用等离子 增强化学气相淀积(PECVD)工艺在硅片表面淀积5000A-10000 A氮氧化硅 (SL0y队)混合介质膜，形成电极隔离介质层，对照附图22， n+为发射区；p为基区；,表示硅衬底；n为硅外延层；18) 光刻并干法刻蚀S;LOyNz形成第二层金属接触窗口 ，对照附图23， p为基区；11++表示硅衬底；n为硅外延层；19)溅射第二层 金属膜；21)光刻第二层金属电极反刻图形，并反刻形成第二层金属电极， 即发射极和基极，22)采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺在硅片 表面淀积2000A—5000 A氮氧化硅(SiA.Nz)混合介质膜，形成电极钝化介 质层，对照附图24， n+为发射区；p为基区；rT表示硅衬底；n为硅外延层；23) 光刻第二层金属电极键合窗口图形，并干法刻蚀露出第二层金属电极键合窗 □，对照附图25， n+为发射区；p为基区；rT表示硅衬底；n为硅外延层；24) 采用平面磨床对硅片进行背面磨片，将硅片减薄到80jim—100^im;对硅片依 次进行甲苯和丙酮清洗；对蒸发Ti 500A -1500A /Ni 3000A -5000A /Au3000A—5000A形成下电极，即集电极。纯净半导体材料是不导电的绝缘体，当半导体材料中掺入某种杂质元素 时，其导电能力将能增加几个数量级，表现出良好的导电性能。对于半导体 硅而言，掺杂元素为硼、铝等中的一种或多种元素时，表现为可动正电荷粒 子导电，该类半导体被称为P型(P型)半导体。掺杂元素为磷、砷、锑等中 的一种或多种元素时，表现为可动负电荷粒子导电，该类半导体被称为N型 半导体。掺杂元素浓度越高，则可动导电粒子浓度越高，导电能力越强。通 常用P—、 P—、 P、 P+、 P+，N—— 、 N—、 N、 N+、 N++分别定性表示半导体中掺杂浓度 的高低。N型(n型)半导体和P型(p型)半导体宏观上都表现为电中性。P型半导体与N型半导体紧密结合在一起的冶金界面被成为PN结。PN结两 侧附近一定区域内，正、负可动导电粒子浓度为零，该区域被称为耗尽区。 P型半导体一侧耗尽区呈现带不可移动的负电荷，N型半导体一侧耗尽区呈现 带不可移动的正电荷。PN结两侧掺杂浓度低的一侧耗尽区宽度宽，而掺杂浓 度高的一侧耗尽区宽度窄。PN结两侧的不可移动正、负电荷数相等，相结合 在一起的两种半导体宏观上仍然表现为电中性。晶体管工作时，发射结加正向偏置电压，当该电压大于发射结的开启电 压时，形成比较大的正向导通电流；集电结加反向偏置电压，由于基区宽度 较薄，同时基极电阻不可忽略，使得发射结绝大部分正向导通电流被集电结 收集走，形成集电极电流。而流向基极回路的电流很小。集电极电流与基极 电流的比值就是晶体管的直流放大系数。外加在发射结上的电压的微小变 化，或者因为有源区温度的变化，使发射结开启电压微小变化，都会使发射 极电流发生较大变化。功率晶体管工作电流温度不稳定性容易造成器件烧毁，必须克服，防止芯片因为电流增加、功耗增加而过热烧毁。发射极镇流电阻通过金属布线串联在晶体管的发射结上，当通过发射结的电流增加时，该串联电阻上的电压降增加，加在发射结上的正向电压相应减少，使得发射结正向导通电流减小，限制了集电极工作电流的上升，从而达到稳定工作电流(镇流)的目的。晶体管正常工作时，即使有源区内的电流均匀分布，有源散热边界条件的差异，有源区内的温度呈现中间高，四周低的分布。因此希望针对温度分布，设计镇流电阻合电流分布，改善温度分布的均匀性。
权利要求
1、微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构，其特征在于，有源区分为两个近邻的区域，发射极镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出，两个有源区共用一个镇流电阻。
2、 微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构的生产方法，其特征是该方法的工艺步骤分为，(1) 选择掺砷硅衬底，电阻率幼.003Q*cm;在该衬底上外延掺磷n型硅 外延层，电阻率O. 75-1. 5Q*cm，外延层厚度3^im -14)^m ;.(2) 清洗后的硅片，在炉温100(TC — 115(rC，并通干氧气的条件下，恒 温15分钟-30分钟，然后通三氯甲烷或三氯乙烯30分钟-60分钟，干氧气10分 钟-20分钟，生成900埃一1500埃(A) 二氧化硅；(3) 采用低压化学气相淀积工艺方法，在硅片表面淀积一层厚度为1000A 一1700A的氮化硅；(4) 利用旋转喷涂法,在外延片上涂敷一层对紫外光敏感的有机物薄膜； 然后用紫外光透过台面掩膜版对光刻胶进行选择性曝光；再对曝光后的外延 片进行喷涂腐蚀、显影，去除曝光区的光刻胶，形成光刻胶掩蔽台面图形；(5) 工艺步骤(4)所形成的光刻胶图形为掩蔽膜，干法刻蚀裸露区域 的Si:凡刻蚀干净后，露出硅表面，最后去除光刻胶，得到以S:UN4为掩蔽的台 面图形；(6) 用水浴温度为40卩±2°(3的硅材料腐蚀液腐蚀硅形成台面，台阶高度 0. 4|im _0. 6finu(7) 在105(TC — 115(TC的温度下，依次通干氧10分钟一20分钟，通湿氧 80分钟一100分钟，通干氧15分钟一25分钟，通三氯甲烷或三氯乙烯30分钟 一60分钟，通干氧10分钟一60分钟，通&80分钟-IOO分钟，在台面边缘生长 8000A—9000A的Si02 ;(8) 用热磷酸腐蚀Si晶，并用氢氟酸腐蚀Si3N4下面的Si02，露出硅表面；(9) 光刻形成镇流电阻和基极欧姆接触窗口图形，注入B+或BF2+，注入 剂量lxl(fcm—2—5xl015cm—2，能量80KeV-120KeV ;(10) 温度100(TC，时间10秒，快速退火，形成镇流电阻和基极欧姆接 触p+区；注入BF/，注入剂量4xl(fcm—2_8xl013cm—2，能量40KeV-80KeV，并进 行100(TC IO秒退火，形成基区；(11) 用LPCVD工艺在硅片表面分别淀积1000A -2000A Si02和1000A -1700A Si晶钝化层；(12) 光刻、刻蚀Si02/Si美开发射区掺杂窗口；(13) LPCVD多晶硅薄膜，厚度为2000A—6000A,并对多晶硅进行砷或磷掺杂；(14) 反刻发射极多晶硅，在920。C —1000。C和氮气保护条件下退火20分 钟，形成n+发射区；(15) 光刻并干法刻蚀Si3N4/Si02形成基极接触窗口；(16) 溅射Ti 500A-1500A/丽1000A-3000A/Au 500A—1500A ;光刻电镀区，电镀金镀层厚度1.2iam—2.5)im;反刻形成第一层金属电极，即发射 极和基极；(17) 采用等离子增强化学气相淀积工艺在硅片表面淀积5000A-10000 A氮氧化硅混合介质膜，形成电极隔离介质层；(18) 光刻并干法刻蚀S:LOyNz形成第二层金属接触窗口 ；(19) 溅射Ti 500A-1500A /W 1000 A-2000A /Au 500A—1500A ;(20) 光刻第二层金属电镀窗口图形，并将窗口金层电镀至2 — 3微米；(21) 光刻第二层金属电极反刻图形，并反刻形成第二层金属电极，即发 射极和基极；(22) 采用等离子增强化学气相淀积工艺在硅片表面淀积2000A—5000 A氮氧化硅混合介质膜，形成电极钝化介质层；(23) .光刻第二层金属电极键合窗口图形，并干法刻蚀露出第二层金属 电极键合窗口；(24) 采用平面磨床对硅片进行背面磨片，将硅片减薄到80^im—100iom; 对硅片依次进行甲苯浸泡加热清洗、丙酮浸泡加热清洗；对蒸发Ti 500A -1500A /Ni 3000A -5000A /Au 3000A—5000A形成下电极，即集电极。
全文摘要
本发明是微波功率晶体管动态发射极镇流电阻结构及其生产方法，其结构是有源区分为两个近邻的区域，发射极镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出，两个有源区共用一个镇流电阻。优点将有源区分为两个近邻的区域，将发射极镇流电阻置于两个有源区之间，发射极和基极电极采用双层金属布线引出。使两个有源区对同一个镇流电阻有充分的热耦合，使镇流电阻值随着温度升高而增加的幅度变大，增加附加镇流效果，实现动态镇流。共用一个镇流电阻，减小镇流电阻的寄生电容和芯片面积。增加有源区散热边界，降低热阻。同等功率和镇流电阻的芯片，峰值结温下降15℃-20℃。满足微波功率晶体管对微波性能和可靠性的要求。
文档编号H01L29/73GK101217159SQ20071019198
公开日2008年7月9日 申请日期2007年12月28日 优先权日2007年12月28日
发明者傅义珠 申请人:中国电子科技集团公司第五十五研究所