专利名称：低感大储能单圈式线圈结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电感结构。
背景技术：
如图1所示，是一般现有的电感结构l，其包含 一磁体U; —导线12，所 述的导线12绕设在磁体11上；
请再参阅图2所示，是另一电感结构2，其包含 一磁体21，所述的磁体21 开设有间隙24; —导线22，所述的导线22绕设在磁体21上；
请再参阅图3是电感B-H曲线的示意图，其中，曲线13是代表图1的电感 结构1其B-H曲线，而曲线23是代表图2的电感结构2其B-H曲线，而BMAX 则表示所述的磁体ll、 21的最大磁通密度，再由图3中可知开设有间隙24的电 感结构2其B-H曲线较电感结构1的B-H曲线平缓，再由电感的磁场强度(H)的 公式为
H-平
H:电厂强度 N:匝数 1:磁体长度 I:电流
可知所述的电感结构2要到达磁饱和时其电流(I)较电感结构1大(因N、 1都
为定值)，又由电感的储能公式
W-丄LI2 2
即可得知，当电感结构2与电感结构1都在BMAX时，电感结构2的电流(1) 较电感结构l大，故电感结构2其饱和储能效果较电感结构1佳，因此，在所述 的低感大储能电感在实际应用上通常都设有间隙24，且由上述可知若间隙24越 大，电感的B-H曲线将越平缓，故电流(I)越大，则电感的饱和储能(W)效果越佳；
请再参阅图4所示，是目前市面上常用的"SMD低感大储能电感"，其包含 一磁体3，所述的磁体3设有槽孔31与间隙32，且所述的槽孔31宽与端子片相 对应或略大P;-端子片33，所述的端子片33是一扁平状的导体，且所述的端
子片33设置在槽孔31内；
但是，上述现有的"SMD低感大储能电感"虽可凭借磁体3设有间隙32，
而增加所述的电感的储能效果；但是，所述的"SMD低感大储能电感"为了可做
SMD(表面粘着技术)，而采用端子片33，因而使磁体3其槽孔31需开设一较大面
积的洞孔以配合端子片33的大小，进而导致所述的电感在产生磁路路径34时，
所述的磁路路径34较长，同时也使得端子片33左右两侧方向的磁体3其截面积
较小；
再由电感(L)公式为 T NO
L:电感量 N:匝数 磁力线数 1:磁路长度
与磁力线数(①)为
0=B' A
B:磁通密度 O:磁力线数 A:磁力线数垂直通过的截面积
即可得知，所述的SMD低感大储能电感其磁路路径34较长与截面积(A)较小， 进而导致所述的SMD低感大储能电感其本身的电感量较低，因本身的电感量较 低，就必需縮小加工间隙32，否则电感的电感量将不符市场需求，进而导致加工 上的不便，而间隙32较小由前述可知其电感的饱和储能(W)效果也较差；
再者，若在磁力线数(巾)不变的情形下，若磁体3其截面积(A)较小，则其所 产生的磁通密度(B)越高，因此，所述的SMD低感大储能电感其磁饱和效果也较 差；因此，如何将上述等缺失加以摒除，并提供一种可开设较大间隙以方便加工， 同时縮短磁路、增大截面积，以达到良好的饱和储能效果与磁饱和效果，即为本 案实用新型所欲解决的技术困难点的所在。
发明内容
本实用新型的主要目的即在提供一种低感大储能单圏式线圈结构，使其截面 积较大、磁饱和效果也较佳。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案包括
一种低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于，包括有 -磁体，所述的磁 体是由一上磁体与一下磁体组成，所述的下磁体设有槽沟，且所述的槽沟宽与磁 体整体宽的比例为1/3以下，且槽沟高与磁体整体高的比例为1/3以下； 一导体，
所述的导体是穿伸设置在槽沟内；--间隙，所述的间隙设在上磁体与下磁体间。 为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案还包括
一种低感大储能单圏式线圈结构，其特征在于，包括有 一磁体，所述的磁 体是由一上磁体与一下磁体组成，所述的上磁体设有槽沟，且所述的槽沟宽与磁 体整体宽的比例为1/3以下，且槽沟高与磁体整体高的比例为1/3以下； 一导体， 所述的导体是穿伸设置在槽沟内； 一间隙，所述的间隙设在上磁体与下磁体。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案还包括-
--种低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于，包括有 一磁体，所述的磁 体是由一上磁体与一下磁体组成，所述的上磁体设有上槽沟，所述的下磁体设有 下槽沟，所述的上槽沟与下槽沟相组成槽沟，且所述的槽沟宽与磁体整体宽的比 例为1/3以下，且槽沟高与磁体整体高的比例为1/3以下； 一导体，所述的导体是 穿伸设置在槽沟内； 一间隙，所述的间隙设在上磁体与下磁体。
与现有技术相比较，采用上述技术方案的本实用新型具有的优点在于 现有技术1、加工不便；2、饱和储能效果较差；3、仅可做SMD件；4、 磁饱和效果差。
本实用新型优点1、加工方便；2、饱和储能效果佳；3、可作端子件或SMD 件；4、磁饱和效果佳。
图1是一般现有电感结构的示意图2是一般现有电感结构开设有间隙的示意图3是电感B-H曲线示意图4是--般市面上常用的SMD低感大储能电感的示意图5是本实用新型的分解图6是本实用新型的组合图7是本实用新型的磁路路径示意图8是本实用新型下磁体进-步设有导槽的示意图9是本实用新型下磁体进一步设有辅助导槽与底部导槽的底视图IO是本实用新型成为SMD件的外观示意图11是本实用新型槽沟设在上磁体的实施情形；
图12是本实用新型槽沟由上、下磁体设有上、下槽沟的实施情形。 附图标记说明l-电感结构；ll-磁体；12-导线；13-曲线；2-电感结构；21-磁体；22-导线；23-曲线；24-间隙；3-磁体；31-槽孔；32-间隙；33-端子片；34-磁路路径；4-磁体；41-上磁体；42-下磁体；421-导槽；4211-辅助导槽；422-底部 导槽；43-槽沟；431-上槽沟；432-下槽沟；44-间隙；5-导体；51-端子；6-磁路路径。
具体实施方式
请参阅图5、图6所示，本实用新型是提供一种低感大储能单圏式线圈结构， 其包含
一磁体4，所述的磁体4是由一上磁体41与一下磁体42组成，所述的下磁 体42可设有槽沟43，且所述的槽沟43宽(高)与磁体4整体宽(高)的比例为1/3以 下；
一导体5，所述的导体5是可穿伸设置在槽沟43内，且所述的导体5两侧向 下弯折为端子51;
一间隙44，所述的间隙44设在上磁体41与下磁体42间；
请再配合参阅图7所示，凭借所述的槽沟43宽(高)与磁体4整体宽(高)的比 例在l/3以下，而縮短所述的电感所产生的磁路路径6，同时可增加槽沟43左右 两侧磁体4所能提供磁力线数流过的截面积，而增加所述的电感的电感量，因此， 在要求同一感值的电感下，因本实用新型的电感其本身电感量较高，故本实用新 型的间隙44距离可较现有的间隙32距离(如图4所示)设置的更大，而导致本实 用新型在制程加工上较为方便，且因本实用新型之间是距离较大，故本实用新型 的饱和储能效果较佳，又本实用新型同时增加磁体4截面积，故本实用新型的磁 饱和效果也较佳，另本实用新型的导体5两侧直接向下弯折为端子51，而成为端 子件，进而达到一种低感大储能单圈式线圈结构的目的者；
请再参阅图8所示，本实用新型可进一步在下磁体42两侧设有导槽421，而 方便导体5弯折固定位置；
又，请再参阅图9所示，本实用新型可再更进一步在下磁体42两侧的导槽 421其两侧再设有辅助导槽4211，并在下磁体42底部设有底部导槽422，将导体 5裸露在磁体4外的导体5压扁，并由辅助导槽4211与底部导槽422固定位置， 而成为SMD件，而如图10所示；
再者，请参阅图11所示，本实用新型的槽沟43也可设在t:磁体41，其包含 -磁体4，所述的磁体4是由一上磁体41与一下磁体42组成，所述的上磁 体41可设有槽沟43，且所述的槽沟43宽(高)与磁体4整体宽(高)的比例为1/3以 下；
--导体5，所述的导体5是可穿伸设置在槽沟43内，且所述的导体5两侧向 下弯折为端子51;
一间隙44,所述的间隙44设在上磁体41与下磁体42间；
其中，所述的下磁体42也可进一步在两侧设有导槽421，而方便导体5弯折 固定位置成为端子件，又可再更进一步在下磁体42两侧的导槽421其两侧在设有 辅助导槽42U，并在下磁体42底部设有底部导槽422，将导体5裸露在磁体4 外的导体5压扁，并由辅助导槽4211与底部导槽422固定位置，而成为SMD件；
又再，请参阅图12所示，本实用新型的槽沟43也可由上磁体41与下磁体 42分别设有上槽沟431与下槽沟432所组成，其包含
一磁体4，所述的磁体4是由一上磁体41与一下磁体42组成，所述的上磁 体41设有上槽沟431，所述的下磁体42设有下槽沟432，所述的上槽沟431与下 槽沟432相组成槽沟43，且所述的槽沟43宽(高)与磁体4整体宽(高)的比例为1/3 以下；
一导体5，所述的导体5是可穿伸设置在槽沟43内，且所述的导体5两侧向 下弯折为端子51;
一间隙44，所述的间隙44设在上磁体41与下磁体42间；
其中，所述的下磁体42也可进一步在两侧设有导槽421，而方便导体5弯折 固定位置成为端子件，又可在更进一步在下磁体42两侧的导槽421其两侧在设有 辅助导槽4211，并在下磁体42底部设有底部导槽422，将导体5裸露在磁体4 外的导体5压扁，并由辅助导槽42U与底部导槽422固定位置，而成为SMD件;
以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术 人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、
变化或等效，但都将落入本实用新型的权利要求可限定的范围之内。
权利要求1、一种低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于，包括有一磁体，所述的磁体是由一上磁体与一下磁体组成，所述的下磁体设有槽沟，且所述的槽沟宽与磁体整体宽的比例为1/3以下，且槽沟高与磁体整体高的比例为1/3以下；一导体，所述的导体是穿伸设置在槽沟内；一间隙，所述的间隙设在上磁体与下磁体间。
2、 根据权利要求l所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述的 导体两侧向下弯折为端子。
3、 根据权利要求l所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述的 下磁体两侧设有导槽。
4、 根据权利要求l所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述的 下磁体底部设有底部导槽。
5、 一种低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于，包括有一磁体，所述的磁体是由一上磁体与一下磁体组成，所述的上磁体设有槽沟， 且所述的槽沟宽与磁体整体宽的比例为1/3以下，且槽沟高与磁体整体高的比例 为1/3以下；一导体，所述的导体是穿伸设置在槽沟内；一间隙，所述的间隙设在上磁体与下磁体。
6、 根据权利要求5所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述的导体两侧向下弯折为端子。
7、 根据权利要求5所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述的下磁体两侧设有导槽。
8、 根据权利要求5所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述的下磁体底部设有底部导槽。
9、 一种低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于，包括有一磁体，所述的磁体是由一上磁体与一下磁体组成，所述的上磁体设有上槽 沟，所述的下磁体设有下槽沟，所述的上槽沟与下槽沟相组成槽沟，且所述的槽 沟宽与磁体整体宽的比例为1/3以下，且槽沟高与磁体整体高的比例为1/3以下;一导体，所述的导体是穿伸设置在槽沟内；一间隙，所述的间隙设在上磁体与下磁体。
10、根据权利要求9所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述 的导体两侧向下弯折为端子。
11、根据权利要求9所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述 的下磁体两侧设有导槽。
12、根据权利要求9所述的低感大储能单圈式线圈结构，其特征在于所述 的下磁体底部设有底部导槽。
专利摘要本实用新型是一种低感大储能单圈式线圈结构，其包含一磁体，所述的磁体是由一上磁体与一下磁体组成，所述的下磁体可设有槽沟，且所述的槽沟宽(高)与磁体整体宽(高)的比例为1/3以下；一导体，所述的导体是可穿伸设置在槽沟内，且所述的导体两侧向下弯折为端子；一间隙，所述的间隙设在上磁体与下磁体间；凭借所述的槽沟宽(高)与磁体整体宽(高)的比例在1/3以下，而缩短所述的电感所产生的磁路路径，同时可增加槽沟左右两侧磁体所能提供磁力线数流过的截面积，进而提升电感量，因此，在要求同一感值的电感下，本实用新型的间隙可较现有间隙为大，而方便加工生产且饱和储能效果与磁饱和都较佳，形成一种低感大储能单圈式线圈结构。
文档编号H01F17/00GK201066606SQ20072015135
公开日2008年5月28日 申请日期2007年7月11日 优先权日2007年7月11日
发明者罗鹏程 申请人:美桀科技股份有限公司