专利名称：高漏抗型有级可调串联铁心电抗器的制作方法
技术领域：
本发明涉及电网中进行无功补偿的电气设备，具体说涉及一种可调电抗器。
技术背景电力系统无功补偿广泛采用可投切并联电容组作为动态无功补偿装置，由于 电容器组容量在分级变化，故要求与之配套的串联电抗器的电抗值相应改变，以 保证6%串联电抗值或其他电抗值的要求。目前广泛使用的调匝电抗器由带气隙铁心、带抽头主线圈组成。主线圈匝数 和铁心气隙长度决定电抗器额定容量值。通过改变电抗器抽头来改变电抗器容量 (电抗值)，而变换电抗器抽头，必须在停电情况下进行作业，影响电力设备正常 运行。目前尚未有在不停电情况下，改变串联电抗器容量的电抗器。 发明内容针对目前调匝铁心串联电抗器存在的缺陷，本发明提出一种在不停电情况下， 改变串联电抗器容量的可调电抗器。实现上述发明目的所采取的具体技术措施是一种高漏抗型有级可调串联铁心电抗器是由上、下轭铁心、旁路铁心、主铁 心、主绕组线圈、控制绕组线圈、气隙段组成。在上、下轭铁心的主铁心上套装 有主绕组线圈，在主铁心的芯柱上各设有控制气隙和普通气隙，在主铁心中设有 旁路铁心，在旁路铁心上套装有控制绕组线圈，每个芯柱上的上下两个控制绕组 线圈分别串联连接，构成控制回路。本发明的有益效果是该新型电抗器结构不同于常规电抗器，由于在通常 的主铁心内所设有的旁路铁心上套装有控制绕组线圈，因而改变电抗器容量只 需要控制控制绕组的开启闭合就可以调整电抗器容量，控制绕组接线方式的改 变可在不停电情况下进行作业，因此可减少因停电改变电抗器容量而造成的经 济损失。
图l是本发明的结构示意图 图2是图1的俯视图 图3是本发明的接线中l上轭铁心2下轭铁心3上主铁心4下主铁心 5主绕组线圈 6上旁路铁心7下旁路铁心8上控制绕组线圈9下控制绕组线圈10上控 制气隙ll下控制气隙12普通气隙具体实施方式
高漏抗型有级可调串联铁心电抗器结构如图l和图2所示，电抗器由上、下 轭铁心、旁路铁心、主铁心、主绕组线圈、控制绕组线圈、气隙段组成。在上轭 铁心1的上主铁心3和下轭铁心2的下主铁心4上套装有主绕组线圈5，主绕组 线圈接线方式与常规电抗器相同，接线原理如图3所示，在上主铁心3的下部设 有上控制气隙IO，在下主铁心4的上部设有下控制气隙11，在上、下控制气隙之 间设有普通气隙12，在上主铁心3、下主铁心4两侧设有上旁路铁心6和下旁路 铁心7，在上旁路铁心6上套装有上控制绕组线圈8，在下旁路铁心7上套装有下 控制绕组线圈9，控制绕组线圈匝数与主绕组线圈匝数相同，控制绕组线圈额定电 流为主绕组线圈额定电流的1/3;每个芯柱上的上下两个控制绕组线圈分别串联连 接，构成控制回路。高漏抗型有级可调串联铁心电抗器工作原理当上控制绕组线圈8、下控制绕组线圈9都开路时，铁心磁通经上、下旁路铁 心6、 7通过，不经过上、下控制气隙IO、 11，磁阻全部由普通气隙12承担，电 抗器容量最小，电抗值最大；当上控制绕组线圈8闭合时，上控制绕组线圈8流过电流，产生与主磁通相 反的抵抗磁通，即上、下旁路铁心6、 7中不流过磁通，主磁通通过上控制气隙10， 电抗器磁阻由上控制气隙IO、普通气隙12承担，电抗器容量增大；当上、下控制绕组线圈8、 9全部闭合时，上、下控制绕组线圈8、 9流过电 流，产生与主磁通相反的抵抗磁通，即旁路铁心中不流过磁通，主磁通通过上控 制气隙10和下控制气隙11,电抗器磁阻由上控制气隙10，下控制气隙ll、普通 气隙12承担，电抗器容量最大，达到额定值。因此只要控制控制绕组线圈开启与 闭合，即可控制电抗器容量的改变。
权利要求
1一种高漏抗型有级可调串联铁心电抗器是由上、下轭铁心、旁路铁心、主铁心、主绕组线圈、控制绕组线圈、气隙段组成；在上、下轭的主铁心上套装有主绕组线圈，在主铁心的芯柱上各设有控制气隙和普通气隙，在主铁心中设有旁路铁心，在旁路铁心上套装有控制绕组线圈，每个芯柱上的上下两个控制绕组线圈分别串联连接，构成控制回路。
全文摘要
一种高漏抗型有级可调串联铁心电抗器是由上、下轭铁心、旁路铁心、主铁心、主绕组线圈、控制绕组线圈、气隙段组成。该新型电抗器结构不同于常规电抗器，由于在通常的主铁心内所设有的旁路铁心上套装有控制绕组线圈，因而改变电抗器容量只需要控制控制绕组线圈的开启闭合就可以调整电抗器容量，控制绕组接线方式的改变可在不停电情况下进行作业，因此可减少因停电改变电抗器容量而造成的经济损失。
文档编号H01F27/28GK101299375SQ200810010700
公开日2008年11月5日 申请日期2008年3月19日 优先权日2008年3月19日
发明者孟庆华, 巩志强, 虹 蔡, 闫春利, 陈柏超 申请人:丹东欣泰电气股份有限公司