专利名称：多芯片模块及应用于多芯片模块的结合垫共用方法
技术领域：
本发明涉及一种多芯片才莫块(Multi-chip Module, MCM)，尤其 是关于具有第 一 棵晶利用第二棵晶的选择衬垫以结合选件 (Bonding Options)的多芯片才莫块及相关方法。
背景技术：
在集成电路设计中，结合选件技术提供可选择性地致能 (Enabling)集成电路的部分功能来选择集成电路中的不同应用。通 常，选择衬垫是连接至一高电压电位(供应电源电压)或是连接至一 低电压电位(接地电压)来实现功能选择。例如，依据提供至闪存棵 晶(Flash Die)的选择衬垫的电压电位，闪存棵晶是可被设置于引导 扇区的顶部模式(Top Mode)或者底部模式(Bottom Mode)。
因为选择衬垫所占用的面积是大于芯片所占用的面积，如何减 少选择衬垫的数目以达到减少封装尺寸已成为领域中的重要问题。
发明内容
为解决以上存在的技术问题，特提供以下技术方案 本发明揭示一种多芯片模块，包含第一棵晶与第二棵晶。第 一棵晶支持多个预定的功能；第二棵晶耦接第一棵晶，包含用于结 合选件的至少一选择衬垫；其中，第一棵晶是依据第二棵晶的至少 一选择衬垫的结合状态来执行多个预定的功能中的一者。
本发明还揭示一种应用于多芯片模块的结合垫共用方法，包 含使多芯片模块具有第一棵晶与第二棵晶，其中第一棵晶支持多 个预定的功能，第二棵晶耦接至第一棵晶，包含为结合选件所设定 的至少 一选择衬垫；以及使第 一棵晶依据第二棵晶的至少 一选择村 垫的结合状态执行多个预定的功能中的一者。第 一棵晶利用第二棵晶的选择村垫，进而减少多芯片模块中选 择衬垫的数目，使得多芯片模块可具有更多的信号衬垫以供使用， 也可减小第 一棵晶的尺寸大小。
图1是例示本发明提供实施例多芯片模块的示意图。
图2是例示将图1所示的多芯片模块设置于一封装中的示意图。
具体实施例方式
在说明书及权利有要求书当中使用了某些词汇来指称特定的 元件。所属领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用 不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及权利有要求书并不以名 称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作 为区分的准则。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的「包含J 是为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。另外，「耦 接」 一词在此包含任何直接及间接的电气连接方式。因此，若文中 描述第一装置耦接于第二装置，则代表第 一装置可直接电气连接于 该第二装置，或通过其它装置或连接方式间接地电气连接至第二装 置。
请参阅图1，图1是例示本发明提供实施例多芯片模块的示意 图。多芯片模块100包括一第一棵晶110与一第二棵晶120。第一 棵晶110与第二棵晶120分别包含用于传递信号的多个信号衬垫 112与多个信号村垫122。第一棵晶110的多个信号衬垫112与第 二棵晶120的多个信号衬垫122是通过多个焊线130相连接，以使 第 一棵晶110能够与第二棵晶120进行通信。以下将对多芯片模块 100 4乍详细i兌明。
在本实施例中，第一棵晶110是包含一处理器核心(图未示)的 核心棵晶，处理器核心例如进阶精简指令集机器(Advanced RISC Machine, ARM)、数字信号处理器、微处理器等。第二棵晶120为 一存储器棵晶，例如闪存棵晶、动态随机存储器棵晶等。第二棵晶120包含一选择衬垫124。选择衬垫124的结合状态决定第二棵 晶120所处模式。
请参阅图2，图2是例示将图1所示的多芯片模块100设置于 一封装200中的示意图。以第二棵晶120是为一快闪棵晶来举例说 明，如图2中(a)所示，第二棵晶120之选择衬垫124是连接至供应 电源电压VDD，则第二棵晶120是被设置处于顶部模式中。如图2 中(b)所示，第二棵晶120的选择衬垫124是连接至接地电压GND， 则第二棵晶120是被设置处于底部模式中。
此外，不仅可依据选择衬垫124的结合状态来决定第二棵晶 120的模式，而且可基于选择衬垫124的结合状态来决定一装置识 别码。因此，第一棵晶110可利用处理器核心来存取第二棵晶120 的装置识别码，以获知第二棵晶120的选择衬垫124的结合状态。 并且，第一棵晶110能够依据第二棵晶120的选择衬垫124的结合 状态来执行预定的功能。例如，第一棵晶IIO支持两种预定的功能 FUN1与FUN2。如果第一棵晶IIO通过存取第二棵晶120的装置 识别码确定选择衬垫124是连接至供应电源电压VDD，则第一4果 晶IIO执行预定的功能FUN1。如果第一棵晶IIO通过存取第二棵 晶120的装置识别码确定第二棵晶120的选择衬垫124是连接至接 地电压GND，如图2中(b)所示，则第一^^果晶110执行预定的功能 FUN2。
需要注意的是，在以上实施方式中，第一棵晶IIO不具有选择 衬垫，但是并非对本发明的限制。在其它实施方式中，第一棵晶 110可以包含一个或者多个并不充足的选择衬垫。另外，在以上实 施方式中第一棵晶IIO和第二棵晶120可分别是核心棵晶和存储器 棵晶，同样并非对本发明的限制。只要第一棵晶能够依据第二棵晶 的选择衬垫的结合状态执行预定的功能，则此多芯片模块符合本发 明的精神。
在本发明揭示的多芯片模块中，因为一棵晶(例如第一棵晶) 能够利用另一棵晶(例如第二棵晶)的选择衬垫，所以可减少多芯 片模块中的选择衬垫的数目，甚至减少至零。进而多芯片模块可具 有更多的信号衬垫以供使用，也可减小第一棵晶的尺寸大小。
6本发明说明书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式 的技术特征。其中，实施例中的各元件的配置仅为方便说明本发明， 并非用以限制本发明。凡根据本发明所做的均等变化与修饰，都属 于本发明的保护范围。
权利要求
1.一种多芯片模块，包含第一裸晶，支持多个预定的功能；以及第二裸晶，耦接所述第一裸晶，包含用于结合选件的至少一选择衬垫；其中，所述第一裸晶是依据所述第二裸晶的所述至少一选择衬垫的结合状态来执行所述多个预定的功能中的一者。
2. 如权利要求1所述的多芯片模块，其特征在于，所述第一 棵晶不具有被所述第 一棵晶的 一 结合选件所设定的选择衬垫。
3. 如权利要求1所述的多芯片模块，其特征在于，所述第一 棵晶包含处理器核心。
4. 如权利要求1所述的多芯片模块，其特征在于，所述第二 棵晶是具有装置识别码的存储器，所述装置识别码是基于所述至少 一选择衬垫的所述结合状态；所述第 一棵晶存取所述装置识别码以 执行对应所述装置识别码的所述多个预定的功能中的 一 者。
5. —种应用于多芯片模块的结合垫共用方法，包含 使所述多芯片模块具有第一棵晶与第二棵晶，其中所述第一棵晶支持多个预定的功能，所述第二棵晶耦接至所述第一棵晶，包含 为结合选件所设定的至少 一 选择衬垫；以及使所述第 一棵晶依据所述第二棵晶的所述至少 一选择衬垫的 结合状态执行所述多个预定的功能中的一者。
6. 如权利要求5所述的应用于多芯片模块的结合垫共用方法， 其特征在于，所述使所述多芯片模块具有第一棵晶与第二棵晶的步 骤包含使得所述第一棵晶不具有被所述第一棵晶的结合选件所设 定的选择衬垫。
7. 如权利要求5所述的应用于多芯片模块的结合垫共用方法， 其特征在于，所述使所述多芯片模块具有第一棵晶与第二棵晶的步 骤包含使得在所述多芯片模块中的所述第一棵晶包含处理器核 心。
8. 如权利要求5所述的应用于多芯片模块的结合垫共用方法，其特征在于，所述使所述多芯片模块具有第一棵晶与第二棵晶的步骤包含使得所述第二棵晶利用具有装置识别码的存储器棵晶，所 述装置识别码是基于所述选择衬垫的所述结合状态；以及所述使所述第 一棵晶依据所述第二棵晶的所述至少 一选择衬 垫的结合状态执行所述预定的功能中的 一 者的步骤包含利用所述 第 一 棵晶存取所述装置识别码以执行对应所述装置识别码的所述 多个预定的功能中的一者。
全文摘要
本发明揭示一种多芯片模块及应用于多芯片模块的结合垫共用方法，所述多芯片模块包含第一裸晶支持多个预定的功能；第二裸晶耦接第一裸晶，包含用于结合选件的至少一选择衬垫；其中，第一裸晶是依据第二裸晶的至少一选择衬垫的结合状态执行预定的功能中的一者。本发明中，第一裸晶利用第二裸晶的选择衬垫，进而减少多芯片模块中选择衬垫的数目，使得多芯片模块可具有更多的信号衬垫以供使用，也可减小第一裸晶的尺寸大小。
文档编号H01L25/00GK101577269SQ20081021120
公开日2009年11月11日 申请日期2008年9月17日 优先权日2008年5月6日
发明者邱显期, 魏睿民 申请人:联发科技股份有限公司