专利名称：静电吸盘的制造方法
技术领域：
本发明涉及静电吸盘的制造方法。进一步地，本发明涉及简单而且经济的薄膜电
极制造方法。属于半导体器件制造装备领域。
背景技术：
随着半导体器件集成度越来越高——晶片尺寸越来越大，单元器件尺寸越来越 小，生产力的提高，单元器件尺寸越来越小对颗粒的污染控制更加严格，在半导体工艺中， 离子注入工艺对颗粒控制的严格要求下，以往的卡盘固定晶片的方法已经不能满足要求 了。卡盘采用机械式手段来夹住和释放晶片，给工艺室内部带来严重的颗粒污染。而且卡 盘的反应速度也不适合高效率的生产力要求，在新一代半导体制造设备中，开始采用了静 电吸盘。静电吸盘的优点在于作用力在吸盘上的变化比较平缓，不会产生应力集中，也不会 导致硅片在吸盘表面发生超过较大的变形。由于静电吸盘与硅片的边缘不是直接接触，避 免了对硅片边缘的损坏和金属污染。 静电吸盘的制造方法采常用氮化铝陶瓷作为电介质，然后在陶瓷电介质上形成薄 膜电极，最后通过烧结工艺再形成一层电介质。这种制造方法工艺复杂，制造成本高。
发明内容
本发明公开一种简单、经济的静电吸盘的制造方法。 一种静电吸盘的制造方法包 括制成一层薄的氧化铝陶瓷电介质，利用喷镀的方法在电介质表面上形成一层均匀的电 极薄膜，电极薄膜有很强的粘力和良好的导电性能，并在电极上电镀一层导电合抗氧化的 金属层。然后利用粘胶将另一层电介质和粘有电极的电介质粘接在一起。
图1是静电吸盘的原理图。
图2是制造静电吸盘方法示意图。
具体实施例方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步介绍，但不作为对本发明专利的限 定。图l为静电吸盘的原理图。静电吸盘依靠静电来吸附晶片4，通过外接直流电源5给薄 膜电极3供电，进而在上电介质2上表面产生电荷。电介质2的表面电荷会产生电场，这一 电场会进一步在置于吸盘之上的晶片6表面产生极化电荷，分布在晶片6背面的电荷与分 布在吸盘上面的电荷极性相反，这样晶片6就被吸盘吸住了。 图2为静电吸盘的制造方法。在图2中的电介质层1上喷镀一层金属铜IO，采用 喷镀的方法主要是考虑金属铜强有力地粘在电介质层1上。图1中的薄膜电极3有一定的 形状，所以需要采用印刷的方法把电极图形转到金属铜10上，利用油漆和三氯化铁进行化 学腐蚀形成电极图形。形成了图2中的电极11和电极12。在形成的电极11和电极12上电镀一层金属金。电镀金的目的即使防止电极11和电极12氧化和使得电极11和电极12 的导电性能更好。在电极11和电极12上形成电极13和电极14。至此薄膜电极制作完成。 然后利用环氧树脂胶5将电介质层1和电介质层2粘接在一起。粘接完后的两层电介质平 行度好。电介质层之间的粘力强。 以上所述已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背 离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将 承担相应的法律责任。
权利要求
一种静电吸盘的制造方法，所述静电吸盘在电介质主体中嵌入薄膜电极，其特征在于电介质主体由两个电介质层粘接形成，薄膜电极形成在电介质之间。
2. 权力要求1所述静电吸盘的制造方法，其特征在于电介质层包括氧化铝。
3. 权力要求1所述静电吸盘的制造方法，其特征在于薄膜电极包括铜和金。
4. 权力要求3所述静电吸盘的制造方法，其特征在于薄膜电极采用喷镀形成在一个 电介质层上。
5. 权力要求1所述静电吸盘的制造方法，其特征在于将两层电介质通过粘胶粘接在一起。
全文摘要
本发明专利涉及一种静电吸盘的制造方法，包括制成一层薄的氧化铝陶瓷电介质，利用喷镀的方法在电介质表面上形成一层均匀的电极薄膜，电极薄膜有很强的粘力和良好的导电性能，并在电极上电镀一层导电合抗氧化的金属层。然后利用粘胶将另一层电介质和粘有电极的电介质粘接在一起。
文档编号H01L21/683GK101764078SQ20081023889
公开日2010年6月30日 申请日期2008年12月4日 优先权日2008年12月4日
发明者伍三忠, 胡振东, 谢均宇 申请人:北京中科信电子装备有限公司