专利名称：：切割和芯片接合用带以及半导体芯片的制造方法
技术领域：
：本发明涉及具备粘合剂层和层叠在该粘合剂层上的非粘性层的切割和芯片接合用带，其中，所述非粘性层由含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物形成，在拾取半导体芯片时的温度下，所述非粘性层的储能模量为1400MPa，且断裂伸长率为5100%。粘合剂层是作为芯片接合膜使用的部分。即，粘合剂层是在拾取半导体芯片时与半导体芯片一起被拾取的部分。上述非粘性层优选由使含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物发生交联而得的交联体形成。本发明的切割和芯片接合用带中，优选所述非粘性层与所述粘合剂层之间的剥离力为115N/m。如果剥离力在此范围，则即使不照射紫外线等，也能够将贴合有半导体芯片的粘合剂层从非粘性层无障碍地剥离，容易地且切实将半导体芯片连同粘合剂层一起拾取。本发明中，优选所述组合物还含有具有能够与丙烯酰基(7々'jA基，acryl)反应的双键、且重均分子量在10050000的范围的低聚物。该低聚物在常温下具有柔软性。因此，通过使用上述低聚物，能够容易地将储能模量以及断裂伸长率设定在上述特定的范围内。上述低聚物优选具有选自聚醚骨架、聚酯骨架、丁二烯骨架、聚氨酯骨架、硅酸盐骨架、异戊二烯骨架、聚烷基骨架、聚丙烯腈骨架、聚碳酸酯骨架以及双环戊二烯骨架中的至少l种骨架。具有这些骨架的低聚物是柔软的，因而，能够更容易地将非粘性层的储能模量和断裂伸长率调整到上述特定范围内。上述非粘性层优选包含平均粒径0.110iim的填料粉末。这种情况下，能够提高切割时的切削性。因此，能够抑制切削屑附着在半导体芯片上或与半导体芯片一起被切削的粘合剂层上。本发明的切割和芯片接合用带用于将半导体晶片切割成半导体芯片时、以及与切下的粘合剂层一起拾取切下的半导体芯片的过程。本发明的切割和芯片接合用带中，上述非粘性层可以兼作切割时的切割膜。这种情况下，能够将半导体晶片贴附在本发明的切割和芯片接合用带上，并进行切割。此外，本发明的切割和芯片接合用带还可以具备切割膜，该切割膜层叠在所述非粘性层的与层叠有所述粘合剂层的面相反的面上。这种情况下，通过切割膜，可以切实地进行切割中的扩展(e邓and，-々7">卜")等。因此，不要求非粘性层具有作为切割膜的功能，所以，可以通过各种材料和组成来自由地设计非粘性层。本发明的半导体芯片的制造方法具备下述步骤准备本发明的切割和芯片接合用带和半导体晶片的步骤；在切割和芯片接合用带的所述粘合剂层的与层叠有所述非粘性层的面相反的面上，贴合所述半导体晶片的步骤；将所述贴合有切割和芯片接合用带的半导体晶片连同所述粘合剂层一起切割，将其分割成一个一个的半导体芯片的步骤；以及，切割后，将所述贴合有半导体芯片的所述粘合剂层从所述非粘性层剥离，将半导体芯片连同所述粘合剂层一起取出的步骤。本发明的带有粘合剂层的半导体芯片的制造方法中，优选在切割后进行半导体芯片的取出，而不改变所述粘合剂层与所述非粘性层之间的剥离力。本发明中，能够在切割后高效地取出带有粘合剂层的半导体芯片，而不改变剥离力。(发明的效果)本发明的切割和芯片接合用带具备粘合剂层和非粘性层，因而，通过在该粘合剂层的与层叠有非粘性层的一侧相反的面上贴合半导体晶片，按照本发明的半导体芯片制造方法进行切割步骤，在切割后将贴合有半导体芯片的粘合剂层从非粘性层剥离，并将半导体芯片连同粘合剂层一起取出，能够制造带粘合剂层的半导体芯片。而且，上述非粘性层由含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物形成，且在拾取半导体芯片时的温度下，非粘性层的储能模量在1400MPa、断裂伸长率在5100%的范围，因而切割后，能够无障碍地将贴合有半导体芯片的粘合剂层从非粘性层容易地剥离，而不改变非粘性层的剥离力。而且，切割时，能够与半导体晶片一起无障碍地切削上述粘合剂层。因此，在切割时，不容易产生切削屑，不容易因该切削屑而发生拾取不良。此外，在使用具有放射线固化型粘合剂层的切割用带的现有技术中，有时即使照射放射线，也不能使切割膜的粘合力充分降低。因此，在剥离贴合有半导体芯片的芯片接合膜时，会对半导体芯片施加多余的力，芯片容易出现裂纹。与此相对，使用本发明的切割和芯片接合用带，则可以不必实施降低粘合力的处理，而无障碍地拾取贴合在粘合剂层上的半导体芯片。因此，不易对半导体芯片施加多余的力，半导体芯片不易破损。因此，本发明的切割和芯片接合用带在用于薄半导体晶片加工时是特别有利的。当上述非粘性层的构成不满足使得粘合力因光照而降低时，非粘性层的品质不会因激光照射而变化。因此，这种情况下，切割和芯片接合用带适合在采用激光照射的切割中使用。[图1]图l(a)以及(b)是显示本发明的一个实施方式的切割和芯片接合用带的部分切断正面截面图以及部分切断平面图。[图2]图2是显示本发明的其它实施方式的切割和芯片接合用带的部分切断正面截面图。[图3]图3是显示用于半导体芯片的制造的半导体晶片的平面图。[图4]图4是显示半导体晶片被放置在台子上的状态的正面截面图，该图用于说明使用本发明的一个实施方式的切割和芯片接合用带来制造半导体芯片的方法。[图5]图5是显示将半导体晶片贴合在粘合剂层上时的状态的正面截面图，该图用于说明使用本发明的一个实施方式的切割和芯片接合用带来制造半导体芯片的方法。[图6]图6是显示将半导体晶片贴合在粘合剂层上后的状态的正面截面图，该图用于说明使用本发明的一个实施方式的切割和芯片接合用带来制造半导体芯片的方法。[图7]图7是显示带有粘合剂层的半导体晶片被翻过来，放置在其它台子上的状态的正面截面图，该图用于说明使用本发明的一个实施方式的切割和芯片接合用带来制造半导体芯片的方法。[图8]图8(a)(d)是分步显示对贴合有粘合剂层的半导体晶片进行切割，将其分割成一个一个的半导体芯片的步骤的部分截取正面截面图，该图用于说明使用本发明的一个实施方式的切割和芯片接合用带来制造半导体装置的方法。[图9]图9为正面截面图，显示了使用本发明的一个实施方式的切割和芯片接合用带制造的半导体芯片。符号说明1...切割和芯片接合月2...脱模膜2a...上表面3...粘合剂层3a...表面4...非粘性层4a...一个面4b...另一个面5...切割膜5a...基体材料5b...粘合剂层5c...延长部6，7...保护片11...切割和芯片接合15...切割和芯片接合16...切割膜21...半导体晶片21a...表面21b...背面21c...外周侧面22...台子23...切割轮(夕"<*24...台子31...半导体芯片41...第1切割刀42...第1切割部分43...第2切割刀44...第2切割部分发明的具体实施方式6以下，对本发明进行具体说明。图l(a)、(b)用部分截取正面截面图以及部分截取平面图显示了本发明的一个实施方式的切割和芯片接合用带。如图l(a)、(b)所示，切割和芯片接合用带1具有长条状的脱模膜2。在脱模膜2的上表面2a上按顺序层叠有作为芯片接合膜的粘合剂层3、非粘性膜4和切割膜5。非粘性层4的一个面4a上贴附有粘合剂层3。在与非粘性层4的一个面相反的另一个面4b上贴附有切割膜5。粘合剂层3、非粘性层4以及切割膜5的平面形状为圆形。粘合剂层3的直径可以与非粘性层4的直径不同。上述非粘性层4的直径优选大于粘合剂层3的直径。非粘性层4的外周侧面优选延伸到粘合剂层3的外周侧面的更外侧。这些情况下，在将半导体晶片贴合于粘合剂层3上时，能够使半导体晶片准确地位于与设置有非粘性层4的位置相对应的部分。此外，能够切实地将半导体晶片贴合在粘合剂层3上。上述切割膜5的直径比粘合剂层3以及非粘性层4的直径更大。这样，切割膜5的直径优选比粘合剂层3以及非粘性层4的直径更大。切割膜5的外周侧面优选延伸到粘合剂层3以及非粘性层4的外周侧面的更外侧。这些情况下，能够在切割膜5上贴附切割轮。此外，能够在粘合剂层3上位置准确地贴附半导体晶片。此外，因为能够将切割轮和半导体晶片贴附在不同的层，因此，能够分别由最佳材料形成粘合剂层3和切割膜。因此，切削性、拾取性以及芯片接合后的贴合可靠性提高。此外，优选非粘性层4的外周侧面不被粘合剂层3覆盖。粘合剂层3的贴附有脱模膜2的表面3a是贴附半导体晶片的面。切割膜5具有基体材料5a、和层叠在基体材料5a的一面上的粘合剂层5b。切割膜5从粘合剂层5b侧贴附在非粘性层4的另一个面4b上。切割膜5通过非粘性层4间接地贴附在粘合剂层3上。切割膜5的延长部5c的一面通过粘合剂层5b贴附在脱模膜的上表面2a上。艮卩，在比粘合剂层3和非粘性层4的外周侧面更外侧的区域，切割膜5贴附在脱模膜2的上表面2a上。切割膜5具有上述延长部5c，这是为了在将半导体晶片贴合于粘合剂层3的表面3a上时，使切割轮贴附在位于比粘合剂层3的外周侧面更外侧的延长部5c的粘合剂层5b上。如图1(b)所示，在长条状脱模膜2的上表面2a上，等间隔地配置多个由粘合剂层3、非粘性层4以及切割膜5构成的层叠体。此外，在脱模膜2的上表面2a上设置有保护片6、7。当设置有保护片6、7时，保护片6、7可以缓解因切割和芯片接合用带1例如巻曲成辊状时对切割膜5施加的压力。当然，也可以不设置保护片6、7。对于脱模膜的厚度、形状，没有特殊限制。例如，可以使用正方形的脱模膜。脱模膜上面可以仅配置一个由粘合剂层、非粘性层和切割膜构成的层叠体。此外，上述层叠体和脱模膜也可以不巻曲成辊状。此外，对于粘合剂层、非粘性层和切割膜的厚度、形状也没有特殊限制。本实施方式的切割和芯片接合用带1的特征是非粘性层4由含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物形成，且在拾取半导体芯片时的温度下，非粘性层4的储能模量为1400MPa，且断裂伸长率为5100%。如果上述储能模量小于lMPa，则非粘性层4变得过软，非粘性层4本身的操作性降低。如果上述储能模量超过400MPa，则难以形成剥离起点，不能良好地拾取半导体芯片。当上述断裂伸长率小于5%时，有些情况下，非粘性层4的操作性降低。如果上述断裂伸长率超过100%，则有些情况下，切割时容易产生切削屑。上述储能模量优选在1150MPa的范围。在拾取半导体芯片时的温度下，上述断裂伸长率优选在1050%的范围。本说明书中，"储能模量"是指将厚度0.5mm、宽度5mm的非粘性层4切割成3cm的宽度，使用IT计测公司制造的DVA-200在10Hz和形变O.1%的条件下测定时的储能模量的值。本说明书中，"拾取时的温度"是指用热电偶测定的值，该值是在拾取半导体芯片的步骤中，使用顶针顶起切割后的半导体芯片时的半导体芯片的温度值。拾取时的温度优选在2025t:的范围内。在本说明书中，"断裂伸长率"是指按照JISK7127标准，使用Orientec公司制造的RTC-1310A，在拉伸速度300mm/分钟的条件下，对非粘性层4单体进行拉伸，所测定的在断裂点的伸长率的值。切割和芯片接合用带1中，粘合剂层3与非粘性层4之间的剥离力优选在115N/m的范围内，更优选在18N/m的范围内。如果粘合剂层3与非粘性层4之间的剥离力在该优选范围内，则即使不降低剥离力，也能够容易地将粘合剂层3从非粘性层4剥离。而且，在对半导体晶片进行切割时或取出半导体芯片时，能够防止半导体芯片的破损。如果粘合剂层3与非粘性层4之间的剥离力小于1N/m，切割时芯片容易飞起。如果上述剥离力超过15N/m，则难以将贴合有半导体芯片的粘合剂层3从非粘性层4剥离下来。上述剥离力采用以下方法求出。首先，在切割和芯片接合用带1的粘合剂层3的贴附非粘合性层4的面的相反侧的面上贴附不锈钢板。然后，充分压合粘合剂层3与不锈钢板，得到测试体。然后，将该测试体固定，粘合剂层3朝下、非粘性层4朝上。在该状态下，在与粘合剂层3和非粘性层4之间的界面呈180度角的方向上对非粘性层4施加力，从粘合剂层3剥离非粘合剂层4。使用岛津制作所制造AGS-100D等测定此时为了进行剥离而施加的力，以此为剥离力。切割和芯片接合用带1中，为了使剥离力在上述的特定范围内，可以使用上述非粘性层4。S卩，可以将非粘性层4作为调整剥离力的剥离力调整膜使用。而且，能够使上述储能模量、断裂伸长率和剥离力分别在上述的特定范围内的非粘性层4的具体材料，将在后面详述。而且，本发明的切割和芯片接合用带中，可以省略切割膜5，而由上述非粘性层4兼作切割膜。不过，因为在切割时能够更有效地防止发生半导体芯片的飞起等，所以优选在非粘性层4的与贴附有粘合剂层3的面相反的面上贴附切割膜5。这种情况下，对于非粘性层4，不要求切割时的扩展性等，因此构成非粘性层4的材料和组成可以在更宽的范围进行选择。(构成非粘性层4的材料的详细情况)对于上述非粘性层4，没有特殊限制，只要其由含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物形成、且在拾取半导体芯片时的温度下的储能模量在上述特定范围、断裂伸长率也在上述特定范围即可。作为非粘性层4，可以使用各种丙烯酸树脂类膜。而且，在本说明书中，非粘性层具有"非粘合"的性质。"非粘合"不仅指表面不具有粘合性的情况，还包括具有用手指接触时不会粘连的微粘合性的情况。上述含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物中，作为树脂成分，包含50重量％以上的丙烯酸类聚合物。由这样的组合物形成的丙烯酸树脂类膜，与聚烯烃类膜等相比，更为柔软。通过使用上述含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物，能够使储能模量比较低，例如使储能模量为400MPa左右。因此，能够提高切割时的切削性。此外，通过选择作为主成分使用的丙烯酸类聚合物，能够降低非粘性层4的极性、降低储能模量、容易地将断裂伸长率设定在上述特定范围。对于上述丙烯酸类聚合物没有特殊限制。上述丙烯酸类聚合物优选为(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物。作为(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物，优选使用具有碳原子数118的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物。当使用具有碳原子数118的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物时，能够充分地降低非粘性层4的极性，降低非粘性层4的表面能，且提高将粘合剂层3从非粘性层4剥离的剥离性。如果上述烷基的碳原子数超过18，则有时非粘性层的制造变得困难。上述烷基的碳原子数优选为6以上。这种情况下，能够进一步降低非粘性层4的极性。需要说明的是，在本说明书中，"(甲基)丙烯酸"是指"甲基丙烯酸或丙烯酸"。上述丙烯酸类聚合物优选为使用具有碳原子数118的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯单体作为主单体而得到的聚合物。上述丙烯酸类聚合物更优选为使上述主单体、含官能团的单体以及视需要而定的能够与它们共聚的其它改性用单体通过常规方法进行共聚而得到的(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物。(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物的烷基的碳原子数优选为2以上，特别优选为6以上。上述丙烯酸类聚合物的重均分子量为20万200万左右。对于上述的其它改性用单体，没有特殊限制。上述其它改性用单体优选不是含有羧基的单体。当使用含有羧基的单体时，非粘性层4的极性增高，其结果是，有时对拾取性造成不良影响。对于上述(甲基)丙烯酸烷基酯单体没有特殊限制。上述(甲基)丙烯酸烷基酯单体优选通过具有碳原子数118的烷基的伯或仲烷醇与(甲基)丙烯酸的酯化反应而得到的(甲基)丙烯酸烷基酯单体。作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯单体，具体可以列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等。而且，上述(甲基)丙烯酸烷基酯单体可以单独使用，也可以两种以上组合使用。作为上述含官能团的单体，可以列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或(4-羟基甲基环己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含羟基的单体。此外，上述丙烯酸类聚合物优选为具有反应性双键的固化型丙烯酸类聚合物。这种情况下，能够提高使该含有固化型丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物交联而得的交联体的交联密度。作为上述固化型丙烯酸类聚合物，可以列举出侧链或主链中或者主链末端具有反应性双键的固化型丙烯酸类聚合物等。对于在丙烯酸类聚合物中导入反应性双键的方法，没有特殊限制。因为分子设计容易，故优选将上述反应性双键导入侧链。例如，可以列举出下述方法准备好使丙烯酸类聚合物与含官能团的单体共聚而得到的含官能团的丙烯酸类聚合物后，将具有能够与该官能团(以下，也称官能团A)反应的官能团(以下，也称官能团B)、和反应性双键这两者的化合物(以下，也称化合物C)，以保留反应性双键的方式，通过縮合反应或加成反应，导入上述含官能团丙烯酸类聚合物。作为上述官能团A与官能团B的组合的例子，可以列举出羧基和环氧基、羧基和氮杂环丙基、或羟基和异氰酸酯基等的组合。在这些官能团的组合中，因为能够容易地控制反应，故优选羟基与异氰酸酯基的组合。此外，这些官能团的组合中，上述含官能团的丙烯酸类聚合物含有哪个官能团均可，上述化合物C含有哪个官能团均可。优选具有羟基的含官能团的丙烯酸类聚合物与具有异氰酸酯基的上述化合物的组合。作为具有异氰酸酯基和反应性双键的异氰酸酯化合物，可以列举出例如甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、1，1-双(丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯、或m-异丙烯基-a，a-二甲基苄基异氰酸酯等。此外，上述具有羟基的含官能团的丙烯酸类聚合物优选使丙烯酸类聚合物与上述的含羟基的单体或含羟基的醚类化合物共聚而得的丙烯酸类聚合物。作为上述含羟基的醚类化合物，可以列举出例如2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚或二乙二醇单乙烯基醚等。上述非粘性层优选由含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物交联而得的交联体形成。这种情况下，可以提高切割时的切削性，还可以提高将切割后的粘合剂层从非粘性层剥离时的剥离性。作为制作上述非粘性层的方法，首先，将包含上述丙烯酸类聚合物、光反应引发剂和/或热反应引发剂、以及其它视需要配合的化合物的组合物涂布在脱模膜上，形成组合物层。然后，进行光照和加热中的至少一种处理。这样一来，通过光固化或热固化、或者光固化和热固化，组合物层固化(交联)，得到了由固化(交联)的组合物层构成的非粘性层。这其中，特别优选使用光固化。在通过热固化制作非粘性层时，由于固化时的温度，层叠在组合物层上的脱模膜发生热收縮。如果脱模膜热收縮，则有时所得非粘性层的厚度精度降低。如果非粘性层的厚度精度降低，则有时非粘性层与粘合剂层之间的密合性降低。此外，在非粘性层的厚度精度低、且粘合剂层与非粘性层未充分密合的情况下，有时粘合剂层的表面的凹凸增大。如果粘合剂层的表面的凹凸大，则有时粘合剂层与半导体晶片之间的密合性降低。这种情况下，切割时容易发生芯片飞起。对于上述光反应引发剂没有特殊限制。作为上述光反应引发剂，可以使用例如光自由基发生剂、光阳离子发生剂等。此外，对于上述热反应引发剂没有特殊限制。作为上述10热反应引发剂，可以列举出热自由基发生剂等。对于上述光自由基发生剂没有特殊限制。作为上述光自由基发生剂的市售品，可以歹lj举出例如Irgacure184、Irgacure2959、Irgacure907、Irgacure819、Irgacure651、Irgacure369以及Irgacure379(以上均为CibaSpecialtyChemicals公司制造)，苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚以及LucirinTPO(BASFJapan公司制造)等。作为上述光阳离子发生剂，可以使用鎗盐类或有机金属络合物类。作为所述鎗盐类，可以列举出芳香族重氮鎗盐、芳香族卤鎗盐、芳香族锍盐等。作为所述有机金属络合物类，可以列举出铁_丙二烯络合物、二茂钛络合物、芳基硅烷醇_铝络合物等。作为上述热自由基发生剂，可以列举出有机过氧化物或偶氮化合物等。作为上述有机过氧化物，可以列举出氢过氧化枯烯、过氧化二异丙苯、过氧化二叔丁基、过氧化月桂基、过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化异丙基碳酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、叔戊基过氧化-2-乙基己酸酯等。作为上述偶氮化合物，可以列举出2，2'-偶氮双(异丁腈)、1，1'-偶氮双(环己腈)、2，2'-偶氮双(2，4-二甲基戊腈)、或二甲基2，2'-偶氮双(2-甲基丙酸酯)等。上述组合物中，除了含有上述作为主成分的丙烯酸类聚合物外，优选还含有具有能够与丙烯酰基反应的双键、且重均分子量为50050000的低聚物。通过含有这样的低聚物，可以容易地将非粘合剂层的上述储能模量控制在1400Mpa，所述非粘合剂层由使上述以丙烯酸类聚合物为主成分的组合物交联而得的交联体形成。此外，可以容易地将非粘性层的上述断裂伸长率控制在5100%，所述非粘性层由以丙烯酸类聚合物为主成分的组合物交联而得的交联体形成。如果上述低聚物的重均分子量小于500，则有时无法充分获得配合低聚物的效果。上述低聚物的重均分子量如果超过50000，则有时半导体芯片的拾取性降低。对于上述低聚物没有特殊限制。上述低聚物优选具有柔软性的骨架。作为上述柔软性的骨架，可以列举出例如聚醚骨架、聚酯骨架、丁二烯骨架、聚氨酯骨架、硅酸盐骨架或双环戊二烯骨架等。上述低聚物更优选为具有聚醚骨架或聚酯骨架的丙烯酸类低聚物。柔软性的骨架是指使得上述低聚物的Tg为25°C以下的骨架。具有聚醚骨架或聚酯骨架的丙烯酸类低聚物的柔软性高。作为上述具有聚醚骨架或聚酯骨架的丙烯酸类低聚物，可以列举出聚氧化丙烯二丙烯酸酯或聚醚类氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物等。作为它们的市售品，可以列举出M-225(东亚合成公司制造)以及UN-7600(根上工业公司制造)等。对于能够与丙烯酰基反应的双键，没有特殊限制。作为含该双键的基团，可以列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基或烯丙基等。这其中，优选丙烯酰基。这种情况下，容易将上述储能模量和断裂伸长率控制在上述特定范围。优选在1分子上述低聚物中含有2个以上上述能够与丙烯酰基反应的双键。上述具有能够与丙烯酰基反应的双键的低聚物，因加热或光照而与上述的丙烯酸类聚合物交联。通过该交联，交联体中得以导入上述低聚物来源的骨架。因此，能够将储能模量、断裂伸长率控制在希望的范围。此外，上述能够与丙烯酰基反应的双键，可以在分子的两末端存在2个，也可以存在于分子链中。这其中，优选在分子的两末端存在2个丙烯酰基，或者，在分子的两末端和分子链中存在丙烯酰基。作为上述聚醚骨架，可以列举出例如聚氧化丙烯骨架或聚氧化乙烯骨架等。作为上述具有聚醚骨架、且仅在分子的两末端具有丙烯酰基的丙烯酸类低聚物，可以列举出聚氧化丙烯二丙烯酸酯或聚酯类氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物等。作为它们的商品，可以列举出UA340P、UA4200(新中村化学工业公司制造)以及ARONIXM-1600和ARONIXM-220(东亚合成公司制造)等。作为上述丙烯酸类低聚物，优选使用具有310个官能团的氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物。如果是小于3个官能团的氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物，则非粘性层的柔软性变得过高，切割时容易出现切削屑。如果是超过10个官能团的氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物，则非粘性层变脆，切割时容易发生污染。作为具有聚醚骨架和聚氨酯骨架的3IO个官能团的氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物，可以列举出聚氧化丙烯主链的氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物等。作为它们的市售品，可以列举出U-2PPA、U-4HA、U-6HA、U-15HA、UA-32P、U-324A、U-108A、U-200AX、UA_4400、UA-2235PE、UA-160TM以及UA-6100(新中村化学工业公司制造)以及UN_7600、UN_7700、UN-333、UN-1255(根上工业公司制造)等。对于上述低聚物的配合量，没有特殊限制。优选相对于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100重量份，以1重量份以上的比例来配合上述低聚物。如果上述低聚物的量小于1重量份，则有时无法充分获得配合上述低聚物的效果。优选相对于上述丙烯酸类聚合物100重量份，以100重量份以下的比例配合上述低聚物。如果上述低聚物的量过多，则有时低聚物不溶解，粘性层的制造出现困难。当使用两末端具有丙烯酰基的低聚物时，相对于上述丙烯酸类聚合物100重量份，优选以1100重量份的比例配合低聚物，更优选以150重量份的比例来配合。此外，当使用多官能团的氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物时，相对于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100重量份，优选以150重量份的比例配合低聚物，更优选以130重量份的比例进行配合。上述非粘性层4优选包含填料粒子。通过包含填料粒子，能够提高切削性。因此，能够抑制切削屑附着在粘接着层3或半导体芯片上。所述填充粒子的平均粒径优选为0.110iim，更优选为0.15iim。上述平均粒径过大，则有时非粘性层4的面内厚度分布不均；上述平均粒径过小，则有时不能充分地提高切割时的切削性。而且，在本说明书中，"平均粒径"是指采用用动态激光散射法测定的体积平均直径。对于上述填料粒子没有特殊限制。作为上述填料粒子，可以使用二氧化硅或氧化铝等。作为上述±真料的商品，可以列举出例如SC1050MJD、SC2050MB、SC4050MNA、SC4050MNB以及SC4050SEJ(以上均为Adomertech公司制造)等。相对于除填料粒子外的构成非粘性层4的材料总计100重量份，上述填料优选以0.1150重量份的比例配合。上述填料粒子的量过多，则有时非粘性层4在扩展时发生断裂。上述填料粒子的量过少，则有时切削性无法充分提高。12上述非粘性层4还可以含有紫外线吸收剂。对于上述非粘性层4的厚度没有特殊限制。上述非粘性层4的厚度优选在30100iim的范围内。如果厚度小于30iim，则有时扩展性不够。如果厚度超过100ym，则有时厚度不均。如果厚度不均，则有时无法适当地进行切割。(脱模膜2)上述脱模膜2用于保护粘合剂层3的贴附有半导体晶片的面3a。但脱模膜并非是必须使用的。作为上述脱模膜2，可以列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯类膜，聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜等聚烯烃类膜，聚氯乙烯膜、聚酰亚胺膜等塑料膜等。在这些膜的一面上，可以用聚硅氧烷脱模剂、或具有长链烷基等的脱模剂等实施脱模处理。脱模膜2优选为聚邻苯二甲酸乙二醇酯膜等合成树脂膜。合成树脂膜的平滑性以及厚度精度等良好。所述脱模膜可以是单层膜，也可以是上述膜2层以上层叠而成的层叠膜。当脱模膜为层叠膜时，可以由2种以上不同的所述膜层叠而成。(粘合剂层3)上述粘合剂层3用于将半导体芯片贴合在基板或其它半导体芯片等上。在切割时，上述粘合剂层3与半导体晶片一起被切断。上述粘合剂层3例如由包含适宜的固化性树脂的固化性树脂组合物、热塑性树脂等形成。固化前的所述固化性树脂组合物十分柔软，因而容易因外力而变形。此外，在得到半导体芯片后，通过对粘合剂层3施加热能或光能使之固化，可以通过粘合剂层3将半导体芯片牢固地贴合在基板等被粘着物上。对于上述固化性树脂没有特殊限制。作为上述固化性树脂，可以列举出热固化性树脂或光固化性树脂等。对于上述热塑性树脂没有特殊限制。作为上述热塑性树脂，可以列举出例如聚(甲基)丙烯酸酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯醇树脂或聚乙酸乙烯酯树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。对于上述热固化性树脂，没有特殊限制。作为上述热固化性树脂，可以列举出例如环氧树脂或聚氨酯树脂等。这些热固化性树脂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。对于上述光固化性树脂，没有特殊限制。作为上述光固化性树脂，可以列举出例如通过光敏性鎗盐等光阳离子催化剂聚合的环氧树脂、或具有光敏性乙烯基的丙烯酸树脂等。这些光固化性树脂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。作为所述固化性树脂，特别优选使用环氧树脂、聚酯树脂、以甲基丙烯酸甲酯或热熔粘型树脂。作为所述热熔粘型树脂，可以列举出以丙烯酸丁酯等为主要单体单元的聚(甲基)丙烯酸酯树脂等。粘合剂层3优选包含环氧树脂、具有与环氧树脂反应的官能团的固体聚合物、以及固化剂。这种情况下，通过粘合剂层3贴合在一起的半导体芯片与基板之间、或者多个半导体芯片之间的贴合可靠性增高。对于上述环氧树脂没有特殊限制。所述环氧树脂优选主链上具有多环烃骨架的环13氧树脂。如果使用主链上具有多环烃骨架的环氧树脂，则固化物的刚性好，分子运动受到阻碍。因此，固化物的机械强度、耐热性、耐湿性得以提高。对于上述主链上具有多环烃骨架的环氧树脂，没有特殊限制。作为上述主链上具有多环烃骨架的环氧树脂，可以列举出例如双环戊二烯二氧化物、双环戊二烯型环氧树脂、萘型环氧树脂、四羟基苯基乙烷型环氧树脂、四(縮水甘油氧基苯基)乙烷、或3，4-环氧基-6-甲基环己基甲基_3，4-环氧基-6-甲基环己烷羧酸酯等。这其中，适合使用双环戊二烯型环氧树脂或萘型环氧树脂。作为上述双环戊二烯型环氧树脂的具体例子，可以列举出具有双环戊二烯骨架的酚醛清漆环氧树脂等。作为上述萘型环氧树脂的具体例子，可以列举出l-縮水甘油基萘、2_縮水甘油基萘、1，2-二縮水甘油基萘、1，5-二縮水甘油基萘、1，6-二縮水甘油基萘、1，7-二縮水甘油基萘、2，7-二縮水甘油基萘、三縮水甘油基萘或1，2，5，6-四縮水甘油基萘等。这些主链上具有多环烃骨架的环氧树脂，可以单独使用，也可以两种以上组合使用。此外，上述双环戊二烯型环氧树脂以及萘型环氧树脂，可以分别单独使用，也可以两者组合使用。上述主链上具有多环烃骨架的环氧树脂的重均分子量的优选下限为500，优选上限为1000。如果上述重均分子量小于500，则有时固化物的机械强度、耐热性以及耐湿性等均无法充分提高。如果上述重均分子量超过iooo，则有时固化物变得过于硬脆。对于上述具有与环氧基反应的官能团的高分子聚合物，没有特殊限制。作为该高分子聚合物，可以列举出例如具有氨基、氨基甲酸酯基、酰亚胺基、羟基、羧基或环氧基等的聚合物。这其中，优选具有环氧基的高分子聚合物。如果使用具有环氧基的高分子聚合物，则固化物的挠性提高。此外，如果使用主链上具有多环烃骨架的环氧树脂和具有环氧基的高分子聚合物，则不仅能够通过上述主链上具有多环烃骨架的环氧树脂提高固化物的机械强度、耐热性以及耐湿性，而且还可以通过上述具有环氧基的高分子聚合物提高固化物的挠性。上述具有环氧基的高分子聚合物优选在末端和/或侧链(侧位)具有环氧基。作为上述具有环氧基的高分子聚合物，可以列举出例如含环氧基的丙烯酸橡胶、含环氧基的丁二烯橡胶、双酚型高分子量环氧树脂、含环氧基的苯氧基树脂、含环氧基的丙烯酸树脂、含环氧基的氨基甲酸酯树脂或含环氧基的聚酯树脂等。这其中，因为能够提高固化物的机械强度、耐热性，故适合使用含环氧基的丙烯酸树脂。这些具有环氧基的高分子聚合物可以单独使用，也可以两种以上组合使用。对于上述固化剂，没有特殊限制。作为上述固化剂，可以列举出例如三烷基四氢邻苯二甲酸酐等加热固化型酸酐类固化剂，酚类固化剂，胺类固化剂，双氰胺等潜在性固化剂或阳离子类催化剂型固化剂等。这些固化剂可以单独使用，也可以两种以上组合使用。作为上述常温下为液态的加热固化型固化剂的具体例子，可以列举出例如甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐或三烷基四氢邻苯二甲酸酐等酸酐类固化剂。这其中，从疏水化的角度来看，优选使用甲基纳迪克酸酐或三烷基四氢邻苯二甲酸酐。这些酸酐类固化剂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。为了调整固化速度、固化物的物性等，可以与上述固化剂一起使用固化促进剂。对于上述固化促进剂，没有特殊限制。作为上述固化促进剂，可以列举出例如咪唑类固化促进剂、叔胺类固化促进剂等。这其中，优选使用咪唑类固化促进剂，因为在使用咪唑类固化促进剂时，可以容易地调整固化速度或固化物的物性等。这些固化促进剂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。对于所述咪唑类固化促进剂没有特殊限制。作为上述咪唑类固化促进剂，可以列举出例如用氰乙基将咪唑的l位保护起来而得到的1-氰乙基_2-苯基咪唑，或者用异氰尿酸将碱性保护起来而得到的商品名为"2MA0K-PW"(四国化成工业公司制造)的产品等。这些咪唑类固化促进剂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。当组合使用酸酐类固化剂与例如咪唑类固化促进剂等固化促进剂时，相对于环氧基，酸酐类固化剂的添加量优选为理论必要当量以下。如果酸酐类固化剂的添加量过量，则存在下述隐患氯离子变得容易因水分的存在而从固化物中溶出。例如，当用热水从固化物中抽提溶出成分时，有些情况下抽提水的PH低至45左右，从环氧树脂中抽出的氯离子会大量地溶出。此外，当组合使用胺类固化剂与例如咪唑类固化促进剂等固化促进剂时，相对于环氧基而言，胺类固化剂的添加量优选在理论上的必要当量以下。如果胺类固化剂的添加量过剩，则存在下述隐患氯离子变得容易因水分而从固化性树脂组合物的固化物中溶出。例如，当用热水从固化物中抽提溶出成分时，有些情况下抽提水的pH高至呈碱性，从环氧树脂中抽出的氯离子会大量地溶出。(切割膜5)如上述，上述切割膜5具有基体材料5a和层叠在基体材料5a的一面上的粘合剂层5b。粘合剂层5b是切割轮所贴附的切割轮贴附用粘合剂层。对于上述基体材料5a，没有特殊限制。作为上述基体材料5a的具体例子，可以列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯类膜，聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜等聚烯烃类膜，聚氯乙烯膜、聚酰亚胺膜等塑料膜等。这其中，因扩展性良好、环境负荷小，故适合使用聚烯烃类膜。对于上述粘合剂层5b没有特殊限制，只要其构成满足非粘性层4与切割膜之间的剥离力大于粘合剂层3与非粘性层4之间的剥离力即可。作为构成粘合剂层5b的粘合剂的具体例子，可以列举出丙烯酸类粘合剂、特殊合成橡胶类粘合剂、合成树脂类粘合剂或橡胶类粘合剂等。这其中，优选压敏型的丙烯酸类粘合剂。当使用压敏型的丙烯酸类粘合剂时，能够更容易地将切割轮从粘合剂层5b剥离。而且，能够降低粘合剂层5b的成本。图2中以部分截取正面截面图的形式示出了本发明的其它实施方式的切割和芯片接合用带。图2所示的切割和芯片接合用带15是按顺序层叠脱模膜2、粘合剂层3、非粘性层4以及切割膜16而得到的层叠体。即，切割和芯片接合用带15与切割和芯片接合用带1的构成的不同在于切割膜不同。在切割和芯片接合用带15中，使用了与上述切割膜5不同的、未设置粘合剂层的切割膜16。切割膜可以不具有粘合剂层。当切割膜不具有粘合剂层时，切割膜由例如具有粘合力的材料制成。下面，使用图3图9，对使用上述切割和芯片接合用带1时的半导体芯片的制造方法进行说明。首先，准备上述的切割和芯片接合用带1和半导体晶片21。如图3所示，半导体晶片21的平面形状为圆形。在半导体晶片21的表面21a上，在被沟道划分成矩阵状的各区域中形成有用于构成各半导体芯片的电路，但未图示出来。在半导体晶片21中，背面21b经过研磨，其具有规定的厚度。半导体晶片21的厚度优选为30i！m以上。如果半导体晶片21的厚度比30ym薄，则有些情况下，半导体芯片在研削时或操作时会产生裂纹而破损。而且，在后述的切割时，半导体晶片21连同划分成矩阵状的各区域一起被分割。如图4所示，将准备好的半导体晶片21的正反面颠倒，将正反面颠倒后的半导体晶片21装载在台子22上。g卩，将半导体晶片21装载在台子22上，并使得半导体晶片21的表面21a侧与台子22相接触。在台子22上，与半导体晶片21的外周侧面21c隔开一定间隔的位置上设置圆环状的切割轮23。切割轮23的高度等于或略低于半导体晶片21、粘合剂层3和非粘性层4的厚度之和。然后，在切割和芯片接合用带1的粘合剂层3的表面3a上贴合半导体晶片21。图5中示出了在粘合剂层3上贴合半导体晶片21时的状态的正面截面图。切割膜5具有延伸至粘合剂层3和非粘性层4的外周侧面的更外侧的延长部5c。如图5所示，剥离切割和芯片接合用带1的脱模膜2，使粘合剂层3的表面3a与切割膜5的延长部5c的粘合剂5b露出。剥离脱模膜2后、或者剥离脱模膜2的同时，将露出的切割膜5的延长部5c的粘合剂层5b贴附在切割轮23上。而且，将露出的粘合剂层3贴合于半导体晶片21的背面21b。图6是显示将半导体晶片21贴合在粘合剂层3上后的状态的正面截面图。在整个半导体晶片21的背面21b上贴合有粘合剂层3。由切割轮23来支持切割膜5的延长部5c，使得不对半导体晶片21施加多余的力。然后，如图7的正面截面图所示，将贴合有粘合剂层3的半导体晶片21从台子22取出，将其正反面翻转。此时，以切割轮23贴附在切割膜5上的状态被取出。将取出的半导体晶片21正反面翻转后装载在其它台子24上，并使表面21a为上方。然后，对贴合有粘合剂层3的半导体晶片21进行切割，将其分割成一个一个的半导体芯片。使用图8(a)(d)来说明对贴合有粘合剂层3的半导体晶片21进行切割、将其分割成一个一个的半导体芯片31的步骤。图8(a)(d)是分步显示分割成一个一个的半导体芯片31的步骤的部分截取正面截面图。如图8(a)(d)所示，为了防止半导体晶片21因切割而破损，分两个阶段(分步剪切)进行切割。图8(a)、(b)显示了切割的第1阶段，图8(c)、(d)显示了切割的第2阶段。而且，如果能够防止切割时半导体晶片21破损，切割也可以以一个阶段进行。如图8(a)所示，首先，将切割装置的第1切割刀41从半导体晶片21的表面21a开始插入例如尚未到达半导体晶片21的背面21b的位置。然后再拔出第1切割刀41，这样就如图9(b)所示的形成了第1切割部分42。然后，如图8(c)所示，将比切割装置的第1切割刀41薄的第2切割刀43从第116切割部分42的中央插入。第2切割刀43插入到比第1切割部分42更深的位置。第2切割刀43的插入深度只要贯通粘合剂层3即可，没有特别的限制，第2切割刀43优选插入到还未贯通非粘合性层4的位置，例如插入到小于或等于非粘合性层4的厚度一半的位置。拔出第2切割刀43，这样如图8(d)所示，在比第1切割部分42更深的位置形成了比第1切割部分42切割宽度更窄的第2切割部分44。对于半导体晶片的切割方法没有特殊限制。作为切割方法，可以列举出例如用1片刀进行切割的一步切割、上述的用2片刀进行切割的分步切割、以及使用2片刀进行切割的斜面切割等。斜面切割中，为了切割半导体晶片的表面，使用截面为V字形的刀。上面方法中，优选进行分步切割，因为切割时不易造成半导体晶片的破损。而且，作为半导体晶片的切割方法，可以采用照射激光的方法。当通过照射激光而将半导体晶片连同粘合剂层3—起切断时，使激光照射到非粘合性层4。在使用紫外线固化型或放射线固化型的传统切割膜等时，存在下述问题在通过激光照射进行切割时，切割膜因激光的能量发生反应，熔粘在其他的层上。这种情况下，不能从切割膜上拾取半导体芯片。与此相对，在本实施方式中，非粘合性层4不易因激光照射而发生反应，非粘合性层4不易熔粘于粘合剂层3上。因此，即使在使用激光进行切割时，也可以无障碍地进行半导体芯片的拾取。对半导体晶片进行切割、将其分割成一个一个的半导体芯片后，拉长切割膜来扩大切割得到的一个一个的半导体芯片之间的间隔。然后，将贴合有半导体芯片的粘合剂层3从非粘合性层4上剥离，取出图9所示的半导体芯片31。另外，作为将贴合有半导体芯片的粘合剂层3从非粘合性层4剥离的方法，可以列举出下述方法从半导体晶片的背面侧用多根针顶起的方法或用多级针顶起的方法，从半导体晶片的表面侧进行真空剥离的方法，或者利用超声波振动的方法，等等。(实施例111和比较例15)为制作非粘性层，使用了下述表1所示的丙烯酸类聚合物15中的任意一种。由包含丙烯酸类聚合物15中的任意一种作为主成分的组合物形成了非粘性层。首先，合成以下的丙烯酸类聚合物。(丙烯酸类聚合物1)将95重量份丙烯酸2-乙基己酯、5重量份丙烯酸2-羟基乙酯、0.2重量份作为光自由基发生剂的Irgacure651(Ciba-Geigy公司制造、50%乙酸乙酯溶液)和0.01重量份十二烷基硫醇溶解在乙酸乙酯中，得到了溶液。对该溶液照射紫外线来进行聚合，得到了聚合物的乙酸乙酯溶液。而且，相对于该溶液的固体成分100重量份，使3.5重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工公司制造、KarenzMOI)与之反应，得到了丙烯酸类共聚物(丙烯酸类聚合物1)。所得丙烯酸类聚合物1的重均分子量为70万，酸值为0.86(mgKOH/g)。(丙烯酸类聚合物2)将94重量份丙烯酸2-乙基己酯、5重量份丙烯酸2-羟基乙酯、1重量份丙烯酸、0.2重量份作为光自由基发生剂的Irgacure651(Ciba-Geigy公司制造、50%乙酸乙酯溶液)和0.01重量份十二烷基硫醇溶解在乙酸乙酯中，得到了溶液。对该溶液照射紫外线来17进行聚合，得到了聚合物的乙酸乙酯溶液。而且，相对于该溶液的固体成分ioo重量份，使3.5重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工公司制造、KarenzMOI)与之反应，得到了丙烯酸类共聚物(丙烯酸类聚合物2)。所得丙烯酸类聚合物2的重均分子量为76万，酸值为6.73(mgK0H/g)。(丙烯酸类聚合物3)将97重量份丙烯酸2-乙基己酯、3重量份丙烯酸2_羟基乙酯、0.2重量份作为光自由基发生剂的Irgacure651(Ciba-Geigy公司制造、50%乙酸乙酯溶液)和0.01重量份十二烷基硫醇溶解在乙酸乙酯中，得到了溶液。对该溶液照射紫外线来进行聚合，得到了聚合物的乙酸乙酯溶液。而且，相对于该溶液的固体成分100重量份，使1.8重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工公司制造、KarenzMOI)与之反应，得到了作为丙烯酸共聚物(丙烯酸类聚合物3)。所得丙烯酸类聚合物3的重均分子量为89万，酸值为0.58(mg腿/g)。(丙烯酸类聚合物4)将99重量份丙烯酸2-乙基己酯、1重量份丙烯酸2-羟基乙酯、0.2重量份作为光自由基发生剂的Irgacure651(Ciba-Geigy公司制造、50%乙酸乙酯溶液)和0.01重量份十二烷基硫醇溶解在乙酸乙酯，得到了溶液。对该溶液照射紫外线来进行聚合，得到了聚合物的乙酸乙酯溶液。而且，相对于该溶液的固体成分100重量份，使O.9重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工公司制造、KarenzMOI)与之反应，得到了丙烯酸类共聚物(丙烯酸类聚合物4)。所得丙烯酸类聚合物4的重均分子量为73万，酸值为0.34(mgK0H/g)。(丙烯酸类聚合物5)将95重量份丙烯酸2-乙基己酯、5重量份丙烯酸2_羟基乙酯、0.2重量份作为光自由基发生剂的Irgacure651(Ciba-Geigy公司制造、50%乙酸乙酯溶液)和0.01重量份十二烷基硫醇溶解在乙酸乙酯中，得到了溶液。对该溶液照射紫外线来进行聚合，得到了聚合物的乙酸乙酯溶液。而且，相对于该溶液的固体成分100重量份，使7重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工公司制造、KarenzMOI)与之反应，得到了丙烯酸类共聚物(丙烯酸类聚合物5)。所得丙烯酸类聚合物5的重均分子量为92万，酸值为1.00(mgKOH/g)。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>而且，作为构成用于形成非粘性层的组合物的材料，准备了以下的化合物。光聚合引发剂Irgacure651(CibaSpecialityChemicals公司制造)(填料)SC4050:Adomertech公司制造、二氧化硅填料、平均粒径1PmSC2050:Adomertech公司制造、二氧化硅填料、平均粒径0.5iimSC1050:Adomertech公司制造、二氧化硅±真料、平均粒径0.3iim(低聚物)U324A:新中村化学工业公司制造、氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物(10官能的氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物)、重均分子量1，300UA340P:新中村化学工业公司制造、氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物(2官能)、重均分子量12，000UN7600:根上工业公司制造、氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物(2官能)、重均分子量11，500UN7700:根上工业公司制造、氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物(2官能)、重均分子量20，000EBECRYL12:Daicelscitec公司制造、聚丙二醇三丙烯酸酯、重均分子量780(实施例l)混合100重量份上述丙烯酸类聚合物1、1重量份Irgacure651、15重量份作为氨基甲酸酯丙烯酸类低聚物的U324A，得到了组合物。用2盏160W的水银灯对所得组合物照射4000mJ/cm2能量的光，使组合物固化，得到了作为非粘性层的非粘合膜。采用以下方法测定这样得到的非粘性层在23t:的储能模量和断裂伸长率，该23t:的温度是拾取半导体芯片时的温度。1)储能模量的测定将厚0.5mm、宽5mm的完全固化非粘性层切成3cm宽，得到了测试样品。用IT(7<于<)计测公司制造的DVA-200在10Hz、形变0.1%的条件下求出测试样品在23t:的储能模量。2)断裂伸长率准备厚度0.5mm、宽度5mm和7cm的完全固化非粘性层作为测试样品。使用岛津制作所制造的拉伸测试机AG-IS于23°C以300mm/分钟的速度的条件对测试样品进行拉伸，测定发生断裂时的伸长率作为断裂伸长率。使用上述非粘性层，按以下要领制作了切割及芯片接合用带。混合G-2050M(日本油脂公司制造，含环氧基的丙烯酸聚合物，重均分子量Mw:20万)15重量份、EXA-7200HH(大日本油墨公司制造，双环戊二烯型环氧化物)70重量份、HP-4032D(大日本油墨公司制造，萘型环氧化物)15重量份、YH-309(日本环氧树脂公司制造，酸酐类固化剂)38重量份、2MA0K-PW(四国化成公司制造，咪唑)8重量份、S320(ciiso公司制造，氨基硅烷)2重量份和MT-IO(tokuyama公司制造，表面疏水化气相法二氧化硅)4重量份，得到了混合物。将所得混合物添加到作为溶剂的甲乙酮(MEK)中，使得固体成分为60%，并进行搅拌，得到了涂布液。将所得涂布液涂布在脱模膜上，使得厚度为40ym，在烘箱中于ll(TC加热干燥3分钟，在脱模膜上形成了粘合剂层。6(TC下，在粘合剂层的与脱模膜侧的面相反侧的面上，层压上述非粘性层，得到了层压体。将层压体冲裁成圆形后，将作为切割膜的PE带恥318-B(积水化学株式会社制造的粘合膜，在厚70i！m的聚乙烯基材的一面上形成有厚10i！m的橡胶类粘合剂层而形成的粘合膜)从粘合剂层侧贴附在非粘性层的与层叠粘合剂层的面相反侧的面上。然后，将切割膜冲裁成圆形，并使得其直径大于粘合剂层的直径。这样，制成了具有由脱模膜/粘合剂层/非粘性层/切割膜这4层按顺序层叠而成的层叠结构的切割及芯片接合用带。(实施例211以及比较例15)如下述的表2、3所示，改变用于形成非粘性层的组合物的材料的种类和配合比例，除此以外，按照实施例1那样得到了非粘性层。(评价)如上述地测定非粘性层在23t:的储能模量以及断裂伸长率，结果示于下述的表2、3。按以下要领测定所得切割和芯片接合用带的非粘性层与粘合剂层之间的剥离力。结果示于下述的表2、3。剥离力的测定6(TC下，将非粘性层层压在粘合剂层的一面上。然后，将粘合剂层的与贴合有非粘性层的面相反侧的面贴附在不锈钢板上。然后，使粘合剂层与不锈钢板充分贴合，得到了测试体。然后，对测试体进行固定，并使得粘合剂层在下，非粘性层在上。以300mm/分钟的速度，在与粘合剂层与非粘性层之间的界面成180度的方向上对非粘性层施加力，将非粘性层从粘合剂层剥离。此时，使用岛津制作所制造的AGS-100D测定剥离所需的力，测定宽度为25mm，将所得值的平均值作为剥离力。而且，按以下要领进行制造半导体芯片时的评价。从粘合剂层剥离切割及芯片接合用带的脱模膜，露出粘合剂层。在6(TC的温度下，将露出的粘合剂层层压在直径8英寸的硅晶片(厚度80iim)的一面上，制作了评价样品。使用切割装置DFD651(disco公司制造)以50mm/秒的送出速度将评价样品切割成10mmX10mm尺寸的芯片，评价切割时芯片有无飞起。此外，观察有无胡须状的切削屑、半导体芯片上有无裂纹。结果示于表2、3。表2、3的评价符号的含义如下。〇完全没有芯片飞起、胡须状切削屑以及裂纹△:芯片飞起、胡须状切削屑以及裂纹中有任意一个X:芯片飞起、胡须状切削屑以及裂纹中有任意两个切割后，使用剥离器bestemD-02(canonmachinery(^Y乂〉一f'J一)公司制造)，在开口夹(collet)尺寸8mm见方、顶起速度5mm/秒以及拾取温度23t:的条件下，对分割的半导体芯片进行连续拾取，评价是否可以进行拾取。结果示于表2、3。表2、3的评价符号的含义如下。〇无法拾取的半导体芯片的比例为0%△:无法拾取的半导体芯片的比例为115%X:无法拾取的半导体芯片的比例为16%以上<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>:表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>DC为切割时的芯片飞起等的评价,PU为拾取时的评价配合单位为重量份权利要求一种切割和芯片接合用带，该切割和芯片接合用带具备粘合剂层和层叠在该粘合剂层上的非粘性层；其中，所述非粘性层由含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物形成，在拾取半导体芯片时的温度下，所述非粘性层的储能模量为1～400MPa，且断裂伸长率为5～100％。2.权利要求1所述的切割和芯片接合用带，其中，所述非粘性层是由交联体形成的，所述交联体是通过使含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物进行交联而得到的。3.权利要求1或2所述的切割和芯片接合用带，其中，所述非粘性层与所述粘合剂层之间的剥离力在115N/m的范围。4.权利要求13中任一项所述的切割和芯片接合用带，其中，所述组合物还包含低聚物，所述低聚物具有能够与丙烯酰基反应的双键，且重均分子量为10050000。5.权利要求4所述的切割和芯片接合用带，其中，所述低聚物具有选自聚醚骨架、聚酯骨架、丁二烯骨架、聚氨酯骨架、硅酸盐骨架、异戊二烯骨架、聚烷基骨架、聚丙烯腈骨架、聚碳酸酯骨架以及双环戊二烯骨架中的至少1种骨架。6.权利要求15中任一项所述的切割和芯片接合用带，其中，所述非粘性层包含平均粒径0.110iim的填料粉末。7.权利要求16中任一项所述的切割和芯片接合用带，其还具备切割膜，所述切割膜层叠在所述非粘性层的与层叠有所述粘合剂层的一面相反的面上。8.半导体芯片的制造方法，其具备下述步骤准备权利要求17中任一项所述的切割和芯片接合用带以及半导体晶片，在切割和芯片接合用带的所述粘合剂层的、层叠有所述非粘性层的一面的相反面上贴合所述半导体晶片，所述贴合有切割和芯片接合用带的半导体晶片连同所述粘合剂层一起切割，将其分割成一个一个的半导体芯片，禾口切割后，将贴合有所述半导体芯片的所述粘合剂层从所述非粘性层上剥离，将半导体芯片连同所述粘合剂层一起取出。9.权利要求8所述的半导体芯片的制造方法，其中，切割后，不改变所述粘合剂层与所述非粘性层之间的剥离力，而将半导体芯片取出。全文摘要提供一种切割和芯片接合用带，在对半导体晶片进行切割，并连同芯片接合膜一起拾取半导体芯片时，通过所述切割和芯片接合用带可以容易地且切实地对半导体芯片进行拾取。一种切割和芯片接合用带，该切割和芯片接合用带具备粘合剂层和层叠在该粘合剂层上的非粘性层；其中，所述非粘性层由含有丙烯酸类聚合物作为主成分的组合物形成，在拾取半导体芯片时的温度下，所述非粘性层的储能模量为1～400MPa，且断裂伸长率为5～100％。文档编号H01L21/301GK101772831SQ20088002463公开日2010年7月7日申请日期2008年7月10日优先权日2007年7月19日发明者松田匠太,林聪史,渡部功治,福冈正辉申请人:积水化学工业株式会社