专利名称：电解电容器用铝蚀刻板、电解电容器用铝电极板及它们的制造方法
技术领域：
本发明涉及对铝板进行蚀刻而形成的电解电容器用铝蚀刻板、对该电解电容器用 铝蚀刻板进行化学处理(例如阳极氧化处理)而形成的电解电容器用铝电极板(以下，称 为铝电极板)，及它们的制造方法。
背景技术：
近年来，随着个人计算机、信息设备等电子设备的数字化、高频率化的发展，电解 电容器不仅要求小型化、低阻抗化、低ESR，而且要求低ESL化、高容量化。为了对应这些要 求而推进芯片型的固体铝电解电容器的开发，为了实现电解电容器的高容量化，需要提高 铝箔的蚀刻倍率。因此，提案有使铝箔较厚，并且较深地蚀刻，由此提高静电容量(即电容)的方案 (专利文献1)。为了得到该蚀刻箔，目前利用辊驱动铝箔，使铝箔在蚀刻液中行进而进行蚀刻。专利文献1 日本特开2005-150705号公报然而，如现有技术那样，利用辊驱动使铝箔行进时，在蚀刻层浅的情况下不发生问 题，但发明者们发现下述问题当对较深地形成有蚀刻层的蚀刻箔进行化学处理来制作电 解电容器用电极箔，使用该电解电容器用电极箔制作固体电解电容器时，固体电解电容器 的漏电流大，可靠性及成品率显著下降。
发明内容
鉴于上述的问题点，本发明的课题在于，提供一种即使较深地形成蚀刻层，也能够 防止固体电解电容器的漏电流的增大的电解电容器用铝蚀刻板(以下，称为铝蚀刻板)，对 该电解电容器用铝蚀刻板进行化学处理而形成的电解电容器用铝电极板，及它们的制造方法。为了解决上述课题，本申请发明者等对将蚀刻层形成得深时，固体电解电容器的 漏电流增大的理由进行了各种研究，结果得到如下所述的新见解当较深地形成蚀刻层时， 在蚀刻层上产生微裂纹(裂缝)，当产生该微裂纹(微小裂纹)时，不能良好地形成化学生 成覆盖膜，其结果是，固体电解电容器的漏电流增大。另外还发现较深地形成蚀刻层时产 生微裂纹的理由，当通过辊驱动使铝箔行进时，如果铝箔沿辊面挠曲，则向蚀刻层施加过大 的应力，其结果是产生微裂纹。本发明是基于以上见解而完成的，提供一种铝蚀刻板，其在表面形成有具备海绵 状坑的蚀刻层，该铝蚀刻板的特征在于所述蚀刻层的深度为70 μ m以上，在所述蚀刻层实 质上不存在微裂纹。另外，在本发明中，提供一种铝电极板，其在表面形成有具备海绵状坑的蚀刻层， 在所述海绵状坑的表面形成有化学生成覆盖膜，该铝电极板的特征在于所述蚀刻层的深
3度为70 μ m以上，在所述蚀刻层实质上不存在微裂纹。在本发明中，“铝蚀刻板”是150 μ m以上的厚度的板，“蚀刻层的深度”是指铝蚀刻 板的每个单面的蚀刻层的厚度。在本发明中，所谓“在蚀刻层实质上不存在微裂纹”是指用于固体电解电容器时不 存在使漏电流增大这样的微裂纹的意思，例如，意思是在观察所述蚀刻层的表面时，在该 蚀刻层不存在宽度超过10 μ m的微裂纹。在本发明中，蚀刻层深达70 μ m以上，在蚀刻层实质上不存在微裂纹，因此，在对 铝蚀刻板进行化学生成处理制造电解电容器用电极箔时，能够良好地形成化学生成覆盖 膜。因此，即使在将蚀刻层形成得深，提高其静电容量的情况下，固体电解电容器的漏电流 也低。因此，根据本发明，能够提高小型、薄型化的固体电解电容器的可靠性及成品率。另外，在本发明中，提供一种铝蚀刻板的制造方法，其具有在蚀刻液中对铝板的表 面进行交流蚀刻而形成具备海绵状坑的蚀刻层的蚀刻工序，该铝蚀刻板的制造方法的特征 在于在所述蚀刻工序中，在所述蚀刻液中不施加使所述铝板弯曲这样的力地进行交流蚀 刻，将所述蚀刻层形成至70 μ m以上的深度。在本发明中，由于在蚀刻液中不施加使铝板弯曲的力地进行交流蚀刻，因此，即使 将蚀刻层形成至70 μ m以上的深度的情况下，在蚀刻层也不产生微裂纹。另外，提供一种铝电极板的制造方法，其具有在化学生成液中对应用了本发明的 铝蚀刻板进行化学生成处理，从而在所述海绵状坑的表面形成化学生成覆盖膜的化学生成 工序，该铝电极板的制造方法的特征在于在所述化学生成工序中，在所述化学生成液中不 施加使所述铝蚀刻板弯曲的力地进行化学生成。在本发明中，由于在化学生成液中不施加使铝板弯曲这样的力地进行化学生成， 因此，即使在将蚀刻层形成至70 μ m以上的深度的情况下，在蚀刻层也不产生微裂纹。应用了本发明的铝电极板用作使用功能性高分子作为电解质的铝电解电容器的 阳极。即，应用了本发明的铝电极板在表面形成有电介质膜，在该电介质膜上形成有功能性 高分子层，用于电解电容器。
图1是表示应用了本发明的铝蚀刻板的截面照片的图。图2是使用应用了本发明的铝蚀刻板和铝电极板制作电解电容器时的说明图。图3(a)、(b)是分别表示利用电子显微镜对应用了本发明的铝蚀刻板进行表面观 察时的样子的说明图。图4(a)、(b)是分别示意地表示利用电子显微镜对应用了本发明的铝蚀刻板进行 表面观察时的样子的说明图。图5(a)、(b)是分别表示应用了本发明的铝蚀刻板和铝电极板的制造方法的说明 图。图6是表示利用电子显微镜对本发明的比较例的铝蚀刻板进行表面观察时的样 子的说明图。图7是示意地表示利用电子显微镜对本发明的比较例的铝蚀刻板进行表面观察 时的样子的说明图。
附图标记的说明1铝蚀刻板2 芯部3蚀刻层
具体实施例方式下面，作为本发明的实施方式，对应用了本发明的铝固体电解电容器用的铝蚀刻 板、铝电极板及它们的制造方法进行说明。(基本结构)图1是表示应用了本发明的铝蚀刻板的截面照片的图。图2是使用应用了本发明 的电解电容器电极用铝蚀刻板和铝电极板制作电解电容器时的说明图。在本发明中，在制造构成铝固体电解电容器的阳极的铝电极板时，在蚀刻工序中， 在蚀刻液中对厚度为150 μ m以上的铝板进行交流蚀刻而增大表面(扩面化)，如图1所示， 得到平均(每)1平方毫米穿孔形成有数千 数十万的海绵状的坑的铝蚀刻板1。该铝蚀刻 板1在芯部2的两侧具备蚀刻层3，在本发明中，蚀刻层3的深度为70μπι以上。接着，在化学生成工序中，将铝蚀刻板1在己二酸铵(Ammonium Adipate)溶液中 等进行例如5V化学生成处理后，如图2所示，使铝蚀刻板1的侧端面露出，将导线(引线) 等阳极导线6与其芯部2的侧端面4接合(连接)。作为接合方法，使用将点径(光点直 径)缩小(聚集)到不到芯部的厚度的激光焊接5。点径为20 100 μ πιΦ。接着，在进行了阳极氧化的铝蚀刻板1的表面，按照常用的方法使聚吡咯浸渍而 形成功能性高分子层后，在形成有功能性高分子层的蚀刻板的表面使用碳膏或银膏等形成 阴极，例如制作2. 5V/330y F的电解电容器。浸渍聚吡咯时，在坑内滴下吡咯单体的乙醇 溶液，进一步滴下过硫酸铵和2-萘磺酸钠溶液进行化学聚合，形成由聚吡咯形成的预涂层 (Pre-Coat)。然后，将该电极板浸渍在含有吡咯单体和2_萘磺酸钠的乙腈(acetonitrile 氰化甲烷)电解液中浸渍，使不锈钢丝与之前形成的化学聚合聚吡咯层的一部分接触来形 成阳极，另一方面，将不锈钢板作为阴极进行电解聚合，形成成为功能性高分子层的电解聚 合聚吡咯。另外，在使用聚塞吩、聚苯胺代替聚吡咯的情况下，也能够采用大致同样的方法。(铝板和蚀刻条件的详细说明)在本发明中，铝板的铝纯度为99. 98质量％以上。通过使用这种纯度的铝板，使得 韧性高、制造电解电容器时的处理容易。如果铝纯度不足下限值，则硬度增加、韧性降低，处 理中可能会产生裂纹(裂缝)等损伤，不令人满意。供蚀刻处理的铝板的厚度根据目的的 不同可以为各种厚度，例如，可以使用150μπι 1mm，通常使用300 400 μ m的铝板。而且，在蚀刻液中对铝板进行蚀刻工序，在铝板的表面形成具有海绵状坑的蚀刻 层。在本实施方式中，在蚀刻工序中，作为一次电解处理利用低浓度盐酸水溶液实施 交流蚀刻。作为前处理，优选通过对铝板进行脱脂洗净、轻度的蚀刻，除去表面氧化膜。在 一次电解处理中作为电解液使用的低浓度盐酸水溶液例如为作为比率(比例)含有1. 5 5. 0摩尔/升的盐酸和0. 05 0. 5摩尔/升的硫酸的水溶液。按照下述条件进行蚀刻处理
液温度是40 55 °C频率是10 25Hz交流波形为正弦波形、矩形波形、交直(流)重叠波形等电流密度为40 50A/dm2处理时间30 60秒在铝板表面穿孔形成多个(大量的)坑，形成具备海绵状坑 的蚀刻层。在进行一次电解处理后，进行主电解处理，呈海绵状地进行穿孔、蚀刻。在该主电 解处理中使用的电解液例如是作为比率包含4 6摩尔/升的盐酸和0. 05 0. 5摩尔/ 升硫酸的水溶液，对下述条件进行设定液温度为比一次处理低的20 35°C频率为30 60Hz交流波形为正弦波形、矩形波形、交直重叠波形等电流密度为比一次电解处理低的20 30A/dm2处理时间是能够处理至规定的蚀刻层厚度的时间，进一步对在一次电解处理中穿 孔形成的坑进行穿孔。只要采用这种方法，就能够减少无助于铝板表面的坑形成的溶解，能 够将穿孔形成有大量特定尺寸的直径的坑的海绵状的蚀刻层形成得深。另外，在进行一次电解处理后，也可以在进行主电解处理之前使用交直重叠波形 以使主电解处理可靠地进行，使在一次电解处理中穿孔形成的坑表面活性化后移至主电解 处理。在该处理中，占空(duty)比约为0. 7 0. 9，电流密度为12 17A/dm2，在此条件下 进行60秒左右蚀刻处理。只要使用这种电解蚀刻方法，就能够形成具备厚度为70 μ m以上、 优选为100 μ m以上的海绵状坑的蚀刻层。在此，令蚀刻层的毛体积比重(Bulk specific gravity 散比重)为0. 6 1. 2， 形成具有以下的坑的直径、数量的蚀刻层。坑的直径、数量能够利用图像分析(解析)装置 测定。即，将被蚀刻而得的表面沿深度方向每隔规定的间隔研磨后，用图像分析装置测定各 研磨面的孔径和数量，计算出0. 01 1 μ Π φ的坑数所占的比例，由此能够测定各层的特定 尺寸直径的坑所占的比例，在本发明中，对于蚀刻层同样地能够判断穿孔形成有大量的特 定尺寸直径的坑。即，首次能够得到一种铝蚀刻板，其具有至少单面从表面起在深度方向为 70 μ m以上、100 μ m以上、进而120 μ m以上的蚀刻层，在平面截面中，通过图像分析装置测 定，0.01 ΙμπιΦ的坑的数量在各平面中占总的坑的数量的70%以上、优选为75%以上。 如果使用这种铝蚀刻板，就能够实现ESR低的电解电容器。由于不足Ο.ΟΟΙμπιΦ的坑无助 于静电容量的提高，因此利用图像解析装置测定的直径设定为0. 001 μ πιΦ以上。关于蚀刻层的厚度，至少在单面、优选在两面的各个面形成有从表面起在深度方 向为70 μ m以上、优选100 μ m以上、更优选120 μ m以上的蚀刻层，当蚀刻层的厚度不足上 述值时，考虑静电容量，需要增加层叠数，不能实现电解电容器的小型化。如果坑直径超过1 μ πιΦ的坑大量存在，则使静电容量降低。优选为0. 1 μ πιΦ以 下。这种尺寸的坑的存在量为各面的全部坑数的70%以上，优选为75%以上，由此，能够制 作ESR低的电解电容器。更优选为80%以上。就特定尺寸的坑的测定位置而言，因表面附近存在电解蚀刻时无助于表面积扩大 的溶解，使坑与坑连结，坑直径会无益地扩大，因此令特定尺寸的坑的测定位置为距表面比
620 μ m深的位置。另外，蚀刻层和芯部的分界面存在凸凹，不固定，因此设定为从决定蚀刻深 度的位置(蚀刻层与芯部的边境)向表面浅10 μ m的位置。另外，应用了本发明的铝蚀刻板的铝纯度为99. 98质量％以上，含有1 X IO7 IO1Vcm3的以球相当粒径为0. 1 1. 0 μ πιΦ的含Fe金属间化合物时，不仅能够提高上述特 定尺寸直径的坑的占有比率，而且能够制作ESR更低的电容器。认为这是因为金属间化合 物比较多，粒径小，所以化学生成覆盖膜在坑表面以均等的厚度形成，固体电解质易浸渍。就铝纯度为99. 98质量％以上的铝板而言，作为Al以外的元素，虽然不限定其含 量，但是就优选组成而言，例如，优选Fe为50ppm以下，更优选为40ppm以下，Cu为40ppm以 下，Si为60ppm以下、更优选为40ppm以下。这是由于当Fe、Si超过上限值时，会产生含有 Fe,Si的粗大的金属间化合物的析晶物以及沉积物，泄漏电流变大。由于在含有Si的情况 下会产生单体Si，因此以同样的理由不令人满意。当Cu超过上限值时，会使基体(matrix) 的腐蚀电位大幅度转移，存在不能进行令人满意的蚀刻的问题。相对于上述情况，当含有5 50ppm的Fe时，产生AlmFe、Al6Fe、Al3Fe、Al-Fe_Si、 Al-(Fe、M)-Si(M为其它金属)等金属间化合物，容易成为交流蚀刻的坑起点，因此优选。当 含有5 40ppm的Cu时，在Fe的存在下能够使基体的腐蚀电位稳定，易穿孔形成特定尺寸 的坑，因此优选。作为其它元素，Ni、Ti、&分别为IOppm以下，优选为3ppm以下。另外，其 它的杂质优选为3ppm以下。由此，在上述的交流蚀刻方法中，由于成为坑的起点，因此容易 呈海绵状地穿孔形成特定尺寸的直径的坑。因此，铝板优选为以铝纯度为99.98质量％以上含有5 50 111的？6、5 40 111 的Cu，而且，剩余部分为不可避免的杂质，含有1 X IO7 lO^ycm3的数量的换算成球形时的 粒径为0. 01 1. O μ πιΦ的含Fe金属间化合物。这种高纯度的铝通过对电解一次基体金属进行精炼(精制)而被制造。作为这时 使用的精炼方法，广泛采用三层式电解法或分步结晶法。通过这些精炼法，能够除去铝以外 的大部分元素。但是，关于Fe以及Cu，不仅是作为杂质，还能够作为微量合金元素进行利 用，因此，测量精炼后的各元素的含量，在Fe和Cu的含有量不足规定量的情况下，在板坯 (slab)铸造时，通过在熔融金属中添加Al-Fe、Al-Cu母合金等，能够调节Fe或Cu的含量。为了得到含有IX IO7 IOkVciii3的以球相当上述粒径为0.01 1.0 μ πιΦ的含Fe 金属间化合物的铝板，例如能够列举下述方法将铝纯度在99. 98质量％以上并调整了 Fe 含量的铝熔融金属半连续铸造而得到板坯后，在530°C以上的温度进行均质化处理，令板温 度区域与含Fe金属间化合物的易析出范围(300 400°C)相当的通过次数为3次以上，或 者只通过冷轧将保持30分钟以上60分钟以下的热轧板形成为规定的厚度并用于蚀刻。特 别是，当如上所述那样对上述组成的铝熔融金属进行铸造、轧制时，容易得到优选的大小且 含有规定数的Fe的金属间化合物。含Fe的金属间化合物的大小和数量可通过图像分析装 置测定。含Fe的金属间化合物的粒径在以球相当不足0. 01 μ πιΦ时存在难以通过众所周 知的方法成为蚀刻坑的核的倾向。另外，若超过Ι.ΟμπιΦ，则在构成电容器时，容易影响到 泄漏电流。另外，在以球相当包含粒径为0. 01 1. 0 μ πιΦ的Fe的金属间化合物的数量不 足IXlOVcm3时，特定尺寸的坑所占的比例少，当超过IX IokVchi3时，过剩的溶解增多。(蚀刻方法及化学生成方法)
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图3(a)、(b)是分别表示利用电子显微镜表面观察应用了本发明的铝蚀刻板的样 子的说明图。图4(a)、(b)是分别示意地表示利用电子显微镜表面观察应用了本发明的铝 蚀刻板的样子的说明图。在制造应用了本发明的铝蚀刻板和铝电极板时，首先，在蚀刻工序中，在蚀刻液中 不施加使铝板弯曲这样的力地进行交流蚀刻，将蚀刻层形成至70μπι以上的深度。接着，在 化学生成工序中，在化学生成液中不施加使铝蚀刻板弯曲这样的力地进行化学生成。由于采用这种方法，因此在应用了本发明的铝蚀刻板蚀刻层深达70 μ m以上，如 图3(a)、(b)及图4(a)、(b)表示利用电子显微镜表面观察铝蚀刻板的结果那样，在蚀刻层 实质上不存在微裂纹。因此，在化学生成工序中良好地形成化学生成覆盖膜。另外，在化学 生成工序中也不施加使铝蚀刻板弯曲的力地进行化学生成，所以在化学生成工序中在蚀刻 层实质上也不产生微裂纹。因此，即使在将蚀刻层形成得深而提高其静电容量的情况下，固 体电解电容器的漏电流也低。因此，根据本发明，能够提高小型、薄型化的固体电解电容器 的可靠性和成品率。在本发明中，所谓“在蚀刻层实质上不存在微裂纹”，是用于固体电解电容器时使 漏电流增大这种微裂纹不存在的意思，如图3(a)及图4(a)所示，除包括完全不存在微裂 纹的情况之外，也包括如图3(b)和图4(b)所示那样，即使存在微裂纹，但微裂纹的宽度为 IOym以下的情况。即，即使存在微裂纹，但当微裂纹的宽度不超过10 μ m时，固体电解电容 器的漏电流不会大幅增大。实施例以下，说明本发明的实施例。首先，对铝纯度为99. 99质量％以上，含有5 50ppm的Fe、5 40ppm的Cu，且剩 余部分为其它不可避免的杂质的铝板在以下的条件下，进行交流蚀刻，得到铝蚀刻板。
升硫酸的混合水溶液第一级(阶段)蚀刻(一次电解处理)蚀刻液组成4摩尔/升盐酸+0. 1摩尔蚀刻液温度50°C电解波形正弦波交流、频率20Hz电流密度50A/dm2电解时间45秒第二级蚀刻蚀刻液组成5摩尔/升盐酸+0. 1摩尔/升硫酸的混合水溶液蚀刻液温度35°C电解波形交流重叠波形(正弦波交流+直流)、频率50Hz、占空比0. 80电流密度15A/dm2电解时间60秒 第三级蚀刻(主电解处理)蚀刻液组成5摩尔/升盐酸+0. 1摩尔/升硫酸的混合水溶液蚀刻液温度25°C电解波形正弦波交流、频率50Hz电流密度25A/cm2
电解时间根据设定的蚀刻层的深度进行变更接着，对铝蚀刻板在5V的化学生成电压下进行阳极氧化，得到铝电极板后，测定 静电容量。其中，静电容量和覆盖膜耐电压的测定按照EIAJ所规定的方法进行。另外，使 用铝电极板制作电解电容器，评价漏电流。(蚀刻方法/实施例)图5(a)、(b)是分别表示应用了本发明的铝蚀刻板和铝电极板的制造方法的说明 图。在本发明中，在制造铝蚀刻板及铝电极板时，首先，在蚀刻工序中，在蚀刻液中不 施加使铝弯曲的力地进行交流蚀刻，将蚀刻层形成至70μπι以上的深度。具体地说，如图 5(a)所示，通过杆部件11保持切断为规定尺寸的铝板10，并将该铝板浸渍在蚀刻液中。在 此状态下，铝板10成为在两面配置有蚀刻用电极15的状态，当对蚀刻用电极15供电或对 铝板10和蚀刻用电极15供电时，在铝板10的两面进行蚀刻。其结果是，得到铝蚀刻板1。 另外，使铝板10在蚀刻用电极15之间移动，也能够得到同样的铝蚀刻板1。对这样构成的铝蚀刻板1进行化学生成工序时，如图5(b)所示，在保持杆部件11 等保持铝蚀刻板1的状态下，将该铝蚀刻板1浸渍在化学生成液中。在该状态下，铝蚀刻板 1成为在两面配置有化学生成用电极25的状态，当对铝蚀刻板1和化学生成用电极25供电 时，在铝蚀刻板1的两面进行化学生成而得到铝电极板。另外，使铝蚀刻板1在化学生成用 电极25之间移动也能够得到同样的铝电极板。(蚀刻方法/比较例)在针对本发明的比较例中，在制造铝蚀刻板及铝电极板时，在蚀刻工序中以施加 使铝板弯曲的力的状态进行交流蚀刻，将蚀刻层形成至70μπι以上的深度。具体地说，通过 辊驱动将将卷绕成卷状的铝板拉出，并且通过辊驱动使该铝板在蚀刻液中行进(移动)。这 时，由于在铝板的两面侧配置有蚀刻用电极，因此如果对蚀刻用电极供电或对铝板和蚀刻 用电极供电，则在铝板的两面进行蚀刻。其结果是，能够得到铝蚀刻板。在比较例中，蚀刻 至规定深度的铝蚀刻板接触的辊的直径是10cm。对这样构成的铝蚀刻板进行化学生成工序时，在比较例中，将铝蚀刻板切断为规 定尺寸后，与实施例一样，如图5(b)所示，将铝蚀刻板1在利用杆部件11等保持的状态下， 浸渍在化学生成液中，在该状态进行化学生成。(评价结果)表1表示在用上述方法制作的本发明的实施例及比较例的铝蚀刻板和铝电极板 中，评价改变了蚀刻层的深度时的蚀刻层中的微裂纹的有无、静电容量、及使用该试样制造 固体电解电容器时的漏电流的结果。在表1中，就实施例和比较例的漏电流值而言，将蚀刻 层的深度为60 μ m时的值设为100，分别用其之比表示。另外，关于漏电流的评价结果，在令 蚀刻层的深度为60 μ m时的值为100%时，在实施例及比较例中的漏电流值不到120%时， 表示为〇，为120%以上时表示为X。表 1蚀刻层 的深度实施例比较例微裂纹 的宽度静电容量 (Pm/cm2)漏电 流(%)漏电流的 评价结果微裂纹 的宽度静电容量 (μ m/cm2)漏电 流(％)漏电流的 评价结果60 μ m无230100O无211100〇70 μ m无258102O15 μ m236125X80 Um无285102〇16 μ m258140X120 u m无429104〇20 μ m390198X150 μ m无533107O23 μ m485283X200 μ m无708110O28 μ m646380X如表1所示，在本发明的实施例的铝蚀刻板中，当将蚀刻层加深至60 μ m、70 μ m、 80 μ m、120 μ m、150 μ m、200 μ m时，静电容量增大。另外，当利用电子显微镜观察本发明的实 施例的铝蚀刻板的表面时，如参照图3(a)、(b)及图4(a)、(b)所示的那样，在蚀刻层实质上 不存在微裂纹。另外，即使利用电子显微镜观察对本发明的实施例的铝蚀刻板进行化学生 成而形成的铝电极板的表面，在蚀刻层实质上也不存在微裂纹。因此，在使用本发明的实施 例的铝蚀刻板和铝电极板的固体电解电容器中漏电流低。与之相对，在本发明的比较例的铝蚀刻板中，蚀刻层为60 μ m时，在蚀刻层未产生 微裂纹，但是当使蚀刻层为70 μ m以上时，如图6及图7所示，在蚀刻层产生宽度超过10 μ m 这样的微裂纹。因此，在使用本发明的比较例的铝蚀刻板和铝电极板的固体电解电容器中 漏电流高。产业上的可利用性在本发明中，虽然蚀刻层深至70 μ m以上，但在蚀刻层实质上不存在微裂纹，因此 将应用了本发明的电解电容器用蚀刻板进行化学生成来制造电解电容器用电极箔时，良好 地形成化学生成覆盖膜。因此，即使将蚀刻层形成得深，提高其静电容量时，固体电解电容 器的漏电流也低。因此，根据本发明，能够提高小型、薄形化的固体电解电容器的可靠性和 成品率。
权利要求
一种电解电容器用铝蚀刻板，其在表面形成有具备海绵状坑的蚀刻层，该电解电容器用铝蚀刻板的特征在于所述蚀刻层的深度为70μm以上，在所述蚀刻层实质上不存在微裂纹。
2.如权利要求1所述的电解电容器用铝蚀刻板，其特征在于在观察所述蚀刻层的表面时，不存在宽度超过10 μ m的微裂纹。
3.一种电解电容器用铝电极板，其在表面形成有具备海绵状坑的蚀刻层，在所述海绵 状坑的表面形成有化学生成覆盖膜，该电解电容器用铝电极板的特征在于所述蚀刻层的深度为70 μ m以上，在所述蚀刻层上实际不存在微裂纹。
4.如权利要求3所述的电解电容器用铝电极板，其特征在于在观察所述蚀刻层的表面时，不存在宽度超过10 μ m的微裂纹。
5.一种电解电容器用铝蚀刻板的制造方法，其具有在蚀刻液中在铝板的表面进行交流 蚀刻而形成具备海绵状坑的蚀刻层的蚀刻工序，该电解电容器用铝蚀刻板的制造方法的特 征在于在所述蚀刻工序中，在所述蚀刻液中不施加使所述铝板弯曲的力地进行交流蚀刻，将 所述蚀刻层形成至70 μ m以上的深度。
6.一种电解电容器用铝电极板的制造方法，其具有化学生成工序，该化学生成工序将 利用权利要求5所述的方法得到的电解电容器用铝蚀刻板在化学生成液中进行化学生成， 在所述海绵状坑的表面形成化学生成覆盖膜，该电解电容器用铝蚀刻电极板的制造方法的 特征在于在所述化学生成工序中，在所述化学生成液中不施加使所述电解电容器用铝蚀刻板弯 曲的力地进行化学生成。
全文摘要
本发明提供电解电容器用铝蚀刻板、电解电容器用铝电极板及它们的制造方法。在表面形成有具备海绵状坑的蚀刻层的电解电容器用铝蚀刻板(1)中，因为蚀刻层(3)的深度为70μm以上，所以静电容高。另外，在蚀刻工序中，因为不使铝板弯曲，所以即使蚀刻层(3)深，在蚀刻层(3)也实际不产生微裂纹。因此，使用对电解电容器用铝蚀刻板(1)进行化学生成而形成的铝电极板制造固体电解电容器时，漏电流低。
文档编号H01G9/04GK101960545SQ200880127909
公开日2011年1月26日 申请日期2008年3月24日 优先权日2008年3月24日
发明者吉田祐也, 小林达由树, 片野雅彦, 矶部昌司 申请人:日本轻金属株式会社