专利名称：一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法。
背景技术：
现有的混成式焦平面探测器采用铟柱互连技术或者金丝互连技术将探测器芯片 和读出电路进行连接，但是混成式互连结构的焦平面探测器，其读出电路和探测器芯片采 用不同的材料，晶格常数、热膨胀系数等材料参数不同，导致焦平面探测器工作时由于温度 的变化使探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变，使焦平面探测器的可靠性降低，并 且其制造工艺复杂、制造成本高。针对现有混成式焦平面探测器互联技术存在的不足，在申请号为200910163261. 4 的发明专利申请中，申请人公开了一种新的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器。
发明内容
针对申请人提出的申请号为200910163261. 4的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探 测器，本发明提供一种制造非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，以实现降低 成本，提高可靠性、并使焦平面探测器具有较高外量子效率的目的。本发明提供的非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，通过以下工艺步 骤来实现A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去 胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀(光敏面成型)； I.去胶清洗J.光刻；K.干法刻蚀(表面清洁)；L.沉积金属上电极；M.剥离清洗(上电 极金属成型)。本发明的有益效果是通过上述制造方法，降低了制造成本，提高了焦平面探测器 的可靠性，并使焦平面探测器具有较高的外量子效率，实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平 面探测器的制造。
图1为非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的结构图；图2为非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的工艺流程图；图3为非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的工艺流程实施例图。图中，1为读出电路，2为铝电极，3为下电极，4为光敏层，5为上电极。
具体实施例方式以下结合附图，通过实施例对本发明做进一步详细说明，但本发明的保护范围并 不限于下面的实施例。如图2和图3所示，实现本发明的工艺步骤如下1.衬底清洗，如图3(a)所示，以读出电路1作为衬底，首先用洗洁精超声清洗衬底，去除表面有机污物；再用丙酮超声清洗衬底，清洗衬底上所带杂质和污物，最后用无水 乙醇浸泡，彻底清除硅片上残存的杂质。将清洗后的衬底放在滤纸上，用氮气通过气枪吹干 衬底表面残余的液体；2.镀金膜，如图3(b)所示，采用磁控溅射方法生长金膜；3.下电极图形光刻，如图3(c)所示，首先在金膜材料上涂光刻胶，然后勻胶，之后 将涂胶的衬底前烘，再然后使用光刻机进行曝光、显影、后烘，下电极图形成型后进行离子 束刻蚀，刻成所需图形，完成下电极3的生长和制备；4.生长光敏层材料，如图3(d)所示，在读出电路1和下电极3上面通过磁控溅射 薄膜沉积方式生长非晶碲镉汞光敏层材料4 ；5.光敏面成型，如图3(e)所示，在生长的非晶碲镉汞光敏层材料上涂光刻胶，然 后勻胶，之后将涂胶的衬底前烘，再然后使用光刻机进行曝光、显影、后烘，光刻图形成型后 进行离子束刻蚀，刻成所需图形，光敏面成型；6.上电极图形光刻，如图3(f)所示，首先在非晶碲镉汞光敏层4上涂光刻胶，然后 勻胶，之后将涂胶的衬底前烘，再使用光刻机进行曝光、显影、后烘，形成所需上电极图形；7.镀金膜，如图3(g)所示，采用离子束刻蚀进行表面清洗，之后利用磁控溅射方 法生长金膜；8.上电极的成型和制备，如图3(h)所示，用丙酮充分浸泡，通过低功率超声清洗， 剥离形成上电极图形，完成上电极5的成型和制备。
权利要求
1. 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其特征在于通过以下工艺步 骤来实现A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀；E.去胶清洗；F.磁控溅 射；G.光刻；H.干法刻蚀；I.去胶清洗J.光刻；K.干法刻蚀；L.沉积金属上电极；M.剥离清洗。
全文摘要
本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀(光敏面成型)；I.去胶清洗；J.光刻；K.干法刻蚀(表面清洁)；L.沉积金属上电极；M.剥离清洗(上电极金属成型)。通过上述制造方法，降低了制造成本，提高了焦平面探测器的可靠性，并使焦平面探测器具有较高的外量子效率，实现了非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造。
文档编号H01L31/18GK102117861SQ20091016326
公开日2011年7月6日 申请日期2009年12月30日 优先权日2009年12月30日
发明者余连杰, 史衍丽, 孔令德, 孙祥乐, 庄继胜, 李雄军, 杨丽丽, 莫镜辉 申请人:昆明物理研究所