专利名称：半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框， 特别是涉及用树脂将安装有大型的离散型半导体元件的岛的内 表面密封而成的半导体装置的制造方法及引线框。
背景技术：
开发出 一 种用树脂将构成电源电路等的半导体元件密封的 半导体装置(例如参照专利文献l)。
参照图10说明该种半导体装置100的构造。图10的(A) 是半导体装置100的俯视图，图10的(B)是图10的(A)的B -B，剖—见图。
参照图10的(A)及图10的(B)，半导体装置100形成为 包括半导体元件104、安装有半导体元件104的岛(island)102、 与半导体元件104连接而其一部分导出到外部的引线IIO、和将 它们 一体地覆盖而将它们密封的密封树脂108的构造。
半导体元件104例如是离散型的MOSFET,其内表面的漏 电极连接于岛102，其表面的栅电极通过金属细线106而与引线 IIOA连接，其表面的源电极经由金属细线106而与引线IIOC连 接。
另外，自密封树脂108的侧面引出引线110A 110C,通过 将这些引线110插入到安装基板中而插入安装半导体装置IOO。
上述构造的半导体装置100的制造方法如下所述。首先， 通过对由厚度为0.6mm左右的铜等构成的导电才反进^f于蚀刻加 工、压力加工，将规定形状的岛102和引线110成形。接着，将 半导体元件104固定在岛102的上表面上，经由金属细线106将半导体元件104的上表面的电极和引线110A、 IIOB连接。接着， 将岛102及半导体元件104收纳在注塑模具的模腔中，在模腔中 封入密封树脂108来进行注塑成形。通过这样的工序来制造半 导体装置IOO。
另外，引线110及岛102在由框架状的引线框连结的状态下 进行上述工序。
专利文献l:曰本#+开2001 — 320009号7>才艮
但是，在上述半导体装置的制造方法中，存在岛102的下 表面无法被密封树脂10 8充分覆盖的问题。
具体地讲，参照图10的(B),为了在保持岛102的绝缘性 的同时、将自半导体元件104产生的热量高效率地排出到外部， 重要的是使覆盖岛102的内表面的密封树脂108变薄。
但是，如上所述，密封树脂108是通过采用注塑模具的注 塑成形而形成的。因而，在使覆盖岛102的下表面的密封树脂 108例如为0.4mm左右时，岛102与注塑才莫具的内壁之间的间隙 变得非常小，非常难以使液状的密封树脂108遍布于该间隙中。 因而，未向岛102的下表面与注塑才莫具之间充分地填充密封树 脂108,产生岛102的 一部分自密封树脂108露出到外部的问题。 另外，为了提高散热性而采用填充有粒子状的填料的树脂材料 作为密封树脂108时，密封树脂108的粘度升高，有可能导致频 繁发生上述问题。并且，在采用导通电阻较低且耐压较高的大 型的离散型晶体管作为半导体元件104时，由于岛102的面积也 变大，因此，存在岛102的内表面难以被密封树脂108覆盖的问 题。
发明内容
本发明即是鉴于上述问题而形成为的。本发明的主要目的在于提供容易地使密封树脂蔓延到岛的内表面的半导体装置的 制造方法及引线框。
本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，包括准备
引线框的工序，该引线框包括具有第l主面和位于与上述第l主
面相反侧的第2主面的岛、和一端接近上述岛的引线，上述岛 的与上述第2主面连续的部分的侧面为倾斜面；在上述岛的上 述第l主面上安装半导体元件并将上述半导体元件的电极与上 述引线电连接的工序；进行密封的工序，通过采用注塑模具进 行的注塑成形，利用密封树脂，也包括上述岛的上述第2主面 在内地对上述岛、上述半导体元件及上述引线进行密封，在上 述进行密封的工序中，自设置在上述岛的侧方的浇口将液状或 半固体形状的密封树脂注入到上述注塑模具的模腔中，使上述 密封树脂沿着作为倾斜面的上述岛的侧面流动。
本发明的引线框的特征在于，包括具有安装半导体元件的 第l主面和位于与上述第l主面相反侧的第2主面的岛、和一端 接近上述岛的引线，将上述岛的与上述第2主面连续的部分的 侧面形成为倾杀牛面。
采用本发明，通过自设置于注塑模具的浇口将密封树脂封 入到作为倾斜面的岛的侧面，能够使密封树脂沿着岛的倾斜面 流动而利用密封树脂较薄地覆盖岛的内表面。因而，能防止产 生岛的内表面局部未被密封树脂覆盖的空隙(void)。
图l是表示本发明的半导体装置的制造方法所采用的引线 的图，(A)是俯视图，(B)是放大的俯视图。
图2是表示本发明的半导体装置的制造方法所采用的引线 的图，(A)是俯视图，(B)是侧视图，(C)是剖视图。图3是表示本发明的半导体装置的制造方法的俯视图。
图4是表示本发明的半导体装置的制造方法的图，(A)是
俯视图，(B)是剖视图。
图5是表示本发明的半导体装置的制造方法的图，(A)是
剖视图，(B)是放大的剖视图。
图6是表示本发明的半导体装置的制造方法的俯视图。 图7是表示本发明的半导体装置的制造方法的俯视图。 图8是表示利用本发明的半导体装置的制造方法制造的半
导体装置的图，(A)是俯视图，(B)是剖视图。
图9是表示包括利用本发明的半导体装置的制造方法所制
造的半导体装置的半导体组件的图，(A)是俯视图，(B)是剖视图。
图10是表示背景技术的半导体装置的图，(A)是俯视图， (B)是剖视图。
具体实施例方式
参照图l及图2说明本实施方式的引线框50的构造。图l的 (A)是整体地表示引线框50的俯视图，图l的(B)是局部放 大引线框50地表示的俯—见图。
参照图l的(A),引线框50的外形为长方形状，在框架状 的外框52的内部呈矩阵状地形成有多个单元56。
图l的(B)是局部放大图l的(A)地表示的俯视图。在此， 连接杆58延伸为将上侧的外框52与下侧的外框52连接。在纸面 上，在左侧单元56A- 56D配置成一列而由连接杆58连结，在 右侧单元56E- 56H配置成一列而由连接杆58连结。各单元由 岛12和引线14A、 14B、 14C构成。而且，引线14A、 14C的一 端接近岛12，并且引线14B与岛12 —体地被引出。单元56A的引线14A、 14B、 14C的中间部及端部与连接杆58连接。同样， 其他的单元56B - 56D也与连接杆58连接。另外，在右侧配置 成一列的单元56E - 56H的引线也由连接杆58连结。在此，沿 横向相邻的单元的引线也可以交错配置。在这种情况下，例如， 单元56A的引线14A- 14C与单元56E的引线14A- 14C相面对 而交错配置。
并且，使各单元的岛12的一侧边局部倾斜而形成倾斜面 11。该倾斜面ll是为了容易地用树脂密封各单元而设置的，参 照图2等详述其详情。在各单元中，倾斜面11设置在岛12上侧 的侧边上。其目的在于，在树脂密封的工序中，使从纸面上的 上方向供给来的液状的密封树脂蔓延到岛12的下表面(未安装 半导体元件的面)的下方。
参照图2说明单元56A的形状。图2的(A)是表示l个单元 56A的俯视图，图2的(B)是从纸面上的上方看图2的(A)的 单元的侧视图，图2的(C)是图2的(A)的C-C，剖视图。
参照图2的(A),单元56A概略地由四边形形状的岛12、 一端接近岛12右侧的侧边的引线14A、 14C、和从岛12右侧的 侧边一体地导出的引线14B构成。岛12左侧的侧边的缺口部形 成为圆形，该缺口部供用于固定装置的小螺钉贯穿。岛12及引 线14是通过对由厚度为0.6mm左右的铜等金属构成的导电4反 实施々虫刻力口工、压力力口工而成形的。
倾斜面ll是使岛12的侧面局部倾斜的部分。参照图2的
11。该倾斜面ll如上所述那样是为了在树脂密封工序中容易使 密封树脂流动而设置的，因此，与在树脂密封工序中用于注入 密封树脂的浇口相对地设置。因此，倾斜面11设置在岛12上侧 的侧面或下侧的侧面上。由于岛12左侧的侧面是切削为圆形状
9的形状，因此，难以从该侧面注入密封树脂。另外，由于岛12
右侧的侧面与引线14的一端接近，因此，难以将注塑模具的浇
口设置在该部分。因而，用于容易地进行树脂密封的倾斜面11
适合设置在岛12上侧的侧边或下侧的侧边上。
参照图2的(B)及图2的(C),使与岛12的下表面连续的 岛12的侧面倾斜地设置倾斜面11。参照图2的(C)，通过使岛 12侧面的一部分倾斜而形成倾斜面11,剩余部分的侧面成为与 岛12的主面垂直的面。例如，在岛12的厚度Ll为0.6mm的情况 下，距岛12的下端为L2 ( 0.4mm)的部分的侧面形成为倾冻+面 11。这样，通过将岛12的侧面形成为倾斜面11,在进行树脂密 封工序时，能够使液状或半固体状的密封树脂沿着倾斜面11流 动。该事项的详情作为制造工序的一部分见后述。岛12的上表 面是安装有离散型的晶体管等半导体元件的面。另一方面，在 岛12的下表面未安装半导体元件而被密封整个半导体装置的 密封树脂较薄地覆盖。
参照图2的(C),岛12的倾斜面11为直线状地倾斜的面， 但倾斜面ll既可以是向外侧鼓起的曲面，也可以是向内侧鼓起 的曲面。在通过湿蚀刻形成倾斜面ll的情况下，倾斜面ll为向 内侧鼓起的曲面，在通过沖孔形成倾斜面ll的情况下，倾斜面 ll为向外侧鼓起的曲面。并且，也可以4吏岛12的侧面的整个面 倾斜而将其形成为倾斜面11。
参照图3 ~图7说明采用上述构造的引线框50的半导体装 置的制造方法。在以下说明的半导体装置的制造方法中，对图 l所示的引线框50所包含的全部单元实施各工序。
参照图3，在各单元中连接半导体元件20。参照单元56A, 在岛12的上表面安装半导体元件20。作为半导体元件20,采用 双极型晶体管、MOSFET、 IGBT等离散型晶体管。半导体元件20通过采用焊锡等导电性的固定材料进行的连接或共晶结 合，其内表面的电极与岛12的上表面电连接。另外，半导体元 件20上表面的电极经由金属细线34而连接于引线14A及引线 14C。在此，也可以替代金属细线34而使用由铜等金属构成的 板状的金属连接板。
参照图4~图7,如下地用树脂逐个密封各单元。图4的(A) 是表示本工序的俯视图，图4的(B)是图4的(A)的B-B， 剖牙见图。
参照图4的(A),在本工序中将各单元逐个收纳于模腔66 而进行注塑成形。在1个模腔66中收纳有岛12、半导体元件20、 引线14A、 14B、 14C的一部分。而且，通过自设置在模腔66 侧面的浇口将液状或半固体状的密封树脂注入到模腔66的内 部并将其加热固化来进行树脂密封工序。另外，在接近浇口80
的岛12的侧面形成有倾斜面11。在此，倾杀牛面ll形成为比浇口 80的宽度长、且从自浇口 80注入密封树脂的方向看来重叠。这 样，能够使自浇口 8 0注入的密封树脂的大部分沿着倾斜面11流 动。
参照图4的(B),在本工序中，使用注塑模具60来进行对 密封树脂进行注塑成形的传递模塑成形。具体地讲，注塑模具 60由上模具62及下模具64构成，在由将两者抵接所形成的模腔 66的内部收纳岛12、半导体元件20及金属细线34。
另外，岛12的端部附近的上表面及下表面以被按压部6 8及 按压部70按压的状态沿厚度方向固定。按压部68是设置于上模 具62上的可动式的销，在树脂密封工序的初始阶段，其与岛12 的上表面接触，在进行树脂密封工序时，按压部68自岛12的上 表面离开。同样，按压部70是设置于下模具64上的可动式的销， 在树脂密封工序的初始阶段，按压部70的上端与岛12的下表面接触，从中间阶段开始，按压部70自岛12的下表面离开。在树 脂密封工序的初始阶段，通过由按压部68及4姿压部70固定岛12 的厚度方向上的位置，能防止由树脂的封入压所导致的岛12的 位移、变形。另外，在树脂密封工序的中间阶段，通过使按压 部68及按压部70自岛12离开，岛12的上表面及下表面被密封树 脂覆盖，结果，提高了耐压性及耐湿性。
参照图5说明设置于岛12上的倾斜面11。图5的(A)是图4 的(A)的C - C，剖视图，图5的(B )是图5的(A)的局部 放大图。
参照图5的(A)，在注塑模具60的右模具端部设有浇口80, 在相面对的左侧端部i殳有通气口 82。而且，在初t脂密封工序中， 液状或半固体状的密封树脂自浇口 80被注入到模腔66中，位于 模腔66内部的空气自通气口82被排出到外部。在此，作为使用 的密封树脂是热塑性树脂或热固性树脂中的任 一 种，也可以为 了提高散热性而混入有粒状的填料。
参照图5的(B)，注塑模具的浇口80设置在岛12的侧方。 具体地讲，从下模具64的内壁底面到浇口 80的下端的距离L5 为0.2mm左右，浇口 80的纵向上的宽度L4为0.5mm左右。并且， 从下模具64的内壁底面到岛12的下表面的距离L3为0.3mm左 右，倾斜面ll的纵向上的宽度L2为0.4mm左右。因而，浇口 80 的下端位于岛12的下方，浇口 80的上端位于岛12的倾斜面11 上端的下方。并且，在此，岛12的倾斜面11形成越靠近岛12下 表面越远离浇口 80的倾名+面。
因而，如图5的(A)中的箭头标记所示，在自浇口 80将密 封树脂沿横向注入到模腔6 6内部时，注入的密封树脂与岛12的 侧面接触而分支。在此，分支到岛12的上方的树脂流为F1，分 支到岛的下方的树脂流为F2。在此，模腔66内部的、岛12的下方空间小于其上方空间。作为一个例子，岛12的上表面与上模 具62的内壁上表面之间的3巨离L6为2mm左右，岛12的下表面 与下才莫具64的内壁之间的距离L3为0.3mm左右。
即，岛12的下方空间比岛12的上方空间小得多。因此，岛 12的上方空间处于比岛12的下方空间更易于流入密封树脂的 环境中。因而，在将岛12的侧面形成为与主面垂直的形状的情 况下，自浇口 80注入的密封树脂会优先流入到岛12的上方空间 中。结果，有可能未向岛12的下方供给充分量的密封树脂，而 在岛12的下方出现未填充密封树脂的空隙。为了防止这种情 况，在本实施方式中，将岛12的侧面形成为倾斜面11而使自浇 口80供给的密封树脂与该倾斜面11接触。这样，与倾斜面ll接 触的密封树脂沿着倾斜面11流动，优先供给到岛12的下表面， 结果，岛12的整个下表面被密封树脂覆盖。
参照图6，在本工序中，通过自l个容器72对多个模腔供给 密封树脂， 一并进行树脂密封工序。具体地讲，多个单元沿纵 向排列成2列地设置。而且，在纸面上的左侧沿纵向排列的单 元56A-56D分别收纳在模腔66A-66D中。另夕卜，模腔66A-66D通过浇口80而互相连通。因而，在将液状的密封树脂经由 流道74及浇口 76供给到模腔66A时，经由将各单元连通的浇口 80供给来的密封树脂依次遍布单元56A- 56D中。另夕卜，在模 腔66D中设有未图示的通气口 ，与自容器72供给的密封树脂的 量相对应的空气自通气口被排出到外部。
同样，在纸面上的右侧沿纵向排列的单元56E - 56H也分 别收纳在模腔66E-66H中，这些模腔经由浇口80而连通。因 而，自容器72经由流道74及浇口 76供给来的密封树脂依次填充 到模腔66E- 66H中。
如上所述，在本工序中，自l个容器72—并对收纳有各单元的多个模腔66供给密封树脂。由此，注塑模具60的构造简化， 树脂密封的成本降低。
并且，在各模腔中，接近浇口80地形成有岛12的倾斜面。 因而，如图5的(A)所示，自浇口80注入的密封树脂沿着设置 于岛12上的倾斜面ll流动，优先填充到岛12的下方。
参照图7表示树脂密封工序结束后的单元。各单元成为被 密封树脂16 —体地密封的状态。在树脂密封结束之后，经过由 镀膜覆盖引线的工序、将各单元自引线框分离的工序、测定各 单元的电特性的工序等，制造图8中所示构造的半导体装置。 另外，在图9所示的半导体组件的情况下，使用小螺钉、垫圈 等按压构件使半导体装置的主面抵接于散热片而将两者热结 合。
参照图8说明通过上述制造方法制造的半导体装置10的构 造。图8的(A)是表示半导体装置10的俯视图，图8的(B) 是图8的(A)的B-B'剖视图。
参照图8的(A)及图8的(B),半导体装置10为主要包括 岛12、安装在岛12的上表面上的半导体元件20、起到外部连接 端子的作用的引线14、和将岛12、半导体元件20、引线14一体 覆盖而进行机械'l"生支承的密封树脂16的构造。
岛12是通过对由厚度为0.6mm左右的铜等金属构成的导 电箔进行蚀刻加工、冲孔加工而成形为^L定形状的。岛12例如 是纵x横=12.0mm x 14.0mm左右的矩形，为将纸面上的上侧 的侧边切削成半圆形而成的形状。在呈这样切削成的形状的部 分形成有供固定用的小螺丝穿过的贯穿孔。引线14B自岛12的 纸面上的下侧的侧边中央部与外部连4妻地延伸。参照图8的 (B),为了使岛12与外部绝缘，岛12的下表面被密封树脂16 覆盖。另外，由于覆盖岛12的内表面的密封树脂16的厚度非常
14薄，为0.3mm ~ 0.4mm左右，因此，由于半导体元件20动作而 产生的热量经由岛12及较薄的密封树脂16而被良好地排出到外部。
引线14与内置的半导体元件20电连接，其一部分露出到外 部而起到外部连接端子的作用。另外，多个引线14的一部分被 实施了弯曲加工。即，中央的引线14B的中间部^皮弯曲加工， 位于两端的引线14A、 14C是未一皮弯曲加工的平坦的形状。而 且，引线14A、 14B、 14C的导出到外部的部分位于同一平面上。 另外，在半导体装置10安装于安装基板等上时，通过将引线14 的顶端部插入到设置于安装基板的孔中而被插入安装。
半导体元件20是在其内表面具有主电极的半导体元件，具 体地讲，采用MOSFET ( Metal - Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管)、双极性晶体 管、IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极 型晶体管)。并且，在本实施方式中，由于作为半导体元件20 而采用构成电源电^各的构件，因此，例如采用进^f亍lA以上的大 电流开关的电源系统的半导体元件(电源元件)。作为一个例子， 采用MOSFET作为半导体元件20时，MOSFET的下表面的漏 电极通过导电性固定材料而连接于岛12的上表面上，MOSFET 的上表面的栅电极经由金属细线34与引线14A连接，MOSFET 的上表面的源电极经由金属细线34与引线14C连接。于是，根 据自引线14A供给的控制信号，半导体元件20进行通过引线 14B及引线14C的大电流的开关动作。在此，半导体元件20的 厚度例如为20拜~ 400[xm左右。
密封树脂16具有一体地覆盖引线14的一部分、岛12、半导 体元件20、金属细线34而机械性地支承整体的功能。作为密封 树脂16的材料，采用环氧树脂等热固性树脂、丙烯酸树脂等热塑性树脂。另外，密封树脂16为了提高散热性而由混入有粒状 的二氧化硅、氧化铝等填料的树脂材料构成。并且，沿厚度方
向贯穿密封树脂16地设有贯穿孔22。该贯穿孔22在将半导体装 置10安装于散热片等上时用作螺紋固定用的孔。另外，密封树 脂16的内表面为了抵接于散热片等散热器而整个面为平坦面。
参照图8的(B),局部贯穿密封树脂16地设有贯穿孔22， 该贯穿孔22的上表面的周边部为平坦部24。而且，使与平坦部 24连续的部分的密封树脂16的上表面凹陷而形成有凹状部18。
参照图8的(A)及图8的(B),半导体装置10为主要包括 岛12、安装在岛12的上表面上的半导体元件20、起到外部连接 端子的作用的引线14、和将岛12、半导体元件20、引线14一体 覆盖而机械性地进行支承的密封树脂16的构造。
岛12是通过对由厚度为0.6mm左右的铜等金属构成的导 电箔进行蚀刻加工、冲孔加工而成形为身见定形状的。岛12例如 是纵x横=12.0mm x 14.0mm左右的矩形，为将纸面上的上侧 的侧边切削成半圆形而成的形状。在呈这样切削成的形状的部 分形成供有固定用的小螺丝穿过的贯穿孔。引线14B自岛12的 纸面上的下侧的侧边中央部与外部连接地延伸。参照图8的 (B),为了使島12与外部绝缘，岛12的下表面被密封树脂16 覆盖。另外，由于覆盖岛12的内表面的密封树脂16的厚度非常 薄，为0.4mm左右，因此，由于半导体元件20动作而产生的热 量经由岛12及较薄的密封树脂16而被良好地排出到外部。在 此，岛12的内表面并不一定必须被密封树脂16覆盖，为了提高 散热性，岛12的内表面也可以自密封树脂16露出。
引线14与内置的半导体元件20电连接，其一部分露出到外 部而起到外部连接端子的作用。另外，多个引线14的一部分被 实施了弯曲加工。即，中央的引线14B的中间部-陂弯曲加工，
16位于两端的引线14A、 14C是未被弯曲加工的平坦的形状。而 且，引线14A、 14B、 14C的导出到外部的部分位于同 一平面上。 另外，在半导体装置10安装于安装基板上等时，通过将引线14 的顶端部插入到设置于安装基板的孔中而^C插入安装。
半导体元件20是在内表面具有电极的半导体元件，具体地 讲，采用MOSFET ( Metal - Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管)、双极性晶体 管、IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极 型晶体管)、GTBT。并且，在本实施方式中，由于作为半导体 元件20而采用构成电源电路的构件，因此，例如采用进行IA以 上的大电流开关的电源系统的半导体元件(电源元件)。
作为一个例子，采用MOSFET作为半导体元件20时， MOSFET的下表面的漏电极(电流的流出电极(或者电流的流 入电极))通过导电性固定材料而连接于岛12的上表面上， MOSFET的上表面的栅电极(控制电极)经由金属细线34与引 线14A连接，MOSFET的上表面的源电极(电流的流入电极(或 者电流的流出电极))经由金属细线34与引线14C连接。而且， 根据自引线14A供给的控制信号，半导体元件20进行通过引线 14B及引线14C的大电流的开关动作。在此，半导体元件20的 厚度例如为20pm 400(im左右。
并且，为了实现低导通电阻及高耐压，半导体元件20的平 面尺寸较大为佳。参照图8的(A),半导体元件20的平面尺寸 例如为纵x横=6mm x 8mm左右，是比所载置的岛12稍小的程 度。
密封树脂16具有一体地覆盖引线14的一部分、岛12、半导 体元件20、金属细线34而机械性地支承整体的功能。作为密封 树脂16的材料，采用环氧树脂等热固性树脂、丙烯酸树脂等热塑性树脂。另外，密封树脂16为了提高散热性而由混入有粒状 的二氧化硅、氧化铝等填料的树脂材料构成。并且，沿厚度方
向贯穿密封树脂16地设有贯穿孔22。该贯穿孔22在将半导体装 置10安装于散热片等上时用作螺紋固定用的孔。另外，密封树 脂16的内表面为了抵接于散热片等散热器而整个面为平坦面。 参照图8的(B),局部贯穿密封树脂16地设有贯穿孔22, 该贯穿孔22的上表面的周边部为平坦部24。而且， -使与平坦部 24连续的部分的密封树脂16的上表面凹陷而形成凹状部18。
成平坦的部分，是小螺丝、垫圏等按压部件所抵接的部位。由 于在该平坦部24的下方不存在半导体元件20，因此，即使从上 方利用4要压部件对平坦部24施加按压力，该4安压力也不太作用 于半导体元件20上。
凹状部18自平坦部24凹陷的深度例如为0.2mm左右。参照 图8的(A),该凹状部18从半导体装置10的左侧侧边到右侧侧 边连续地形成。并且，凹状部18与载置有半导体元件20的区域 重叠地设置。这样，通过使与半导体元件20重叠的密封树脂16 的上表面局部凹陷而形成为凹状部18,能够降低小螺丝等按压 部件对半导体元件20施加的应力。该事项的详情参照图9而见 后述。
并且，设有平坦部24及凹状部18的部分比其他部分的壁 薄。这样，即使利用小螺丝等按压部件按压平坦部24，也能够 抑制该按压部件向上方突出，从而能够使整个装置的厚度为薄 型。另一方面，由于形成有金属细线34的部分需要由密封树脂 16覆盖形成为环状的金属细线34,因此，形成得比形成有平坦 部24的部分厚。
参照图9，下面说明组装有上述构造的半导体装置10的半导体组件10A的构造。图9的(A)是表示半导体组件10A的俯 视图，图9的(B)是图9的(A)的B-B，剖视图。
参照图9的(A)及图9的(B),半导体组件10A为具有半 导体装置IO、散热片26和通过按压电路装置而将两者热结合的 小螺丝28(按压部件)的构造。
参照图9的(B),散热片26与由密封树脂16的平坦面构成 的半导体装置10的下表面面接触。散热片26由铜、铝等金属构 成，为了与半导体装置10面接触，散热片26的上表面为平坦面， 为了提高散热性，散热片26的下部形成为不规则形状。另外， 也可以替代散热片26而采用由金属构成的成套的壳体作为散 热部件。
自散热片26的上表面形成有孔部32，小螺丝28贯穿该孔部 32及半导体装置10的贯穿孔22。小螺丝28由在周围形成有螺紋 牙的柱状的柱部28B、和与该柱部28B连续的头部28A构成。并 且，将铝等金属成型为圆环状而成的垫圏30介于小螺丝28的头 部28A与半导体装置10之间。即，小螺丝28在垫圈30套在柱部 28B的状态下贯穿贯穿孔22而螺紋固定在孔部32中。于是，垫 圏30的上表面与小螺丝28的头部28A接触，垫圈30的下表面与 半导体装置10的平坦部24接触。因而，在将小螺丝28固定于散 热片26上时，利用垫圏30对平坦部24施加的4姿压力使半导体装 置10的下表面抵接于散热片26的上表面。
参照图9的(A)，载置有垫圈30的区域与半导体元件20重 叠。通过这样将两者重叠地配置，能够使半导体装置10的平面 尺寸小型化。但是，在将密封树脂16的上表面形成为简单的平 坦面而由垫圏30施加按压力时，该按压力大于对半导体元件20 施加的应力，结果，有可能发生在半导体元件20产生裂紋等故 障。为了排除该情况，在本实施方式中，使与安装有半导体元
19件20且配置有垫圏30的区域相对应的密封树脂16的上表面局 部凹陷而形成凹状部18。这样，垫圈30的按压力不会作用于凹 状部18,因此，作用在位于凹状部18下方的半导体元件20上的 应力也^皮i爰和。
权利要求
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括准备引线框的工序，该引线框包括具有第1主面和位于上述第1主面相反侧的第2主面的岛、和一端接近上述岛的引线，上述岛的与上述第2主面连续的部分的侧面为倾斜面；在上述岛的上述第1主面安装半导体元件，将上述半导体元件的电极与上述引线电连接的工序；进行密封的工序，通过采用注塑模具进行的注塑成形，利用密封树脂，也包括上述岛的上述第2主面在内地对上述岛、上述半导体元件及上述引线进行密封；在上述进行密封的工序中，自设置在上述岛的侧方的浇口将液状或半固体形状的密封树脂注入到上述注塑模具的模腔中，使上述密封树脂沿着作为倾斜面的上述岛的侧面流动。
2. 根据权利要求l所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，在上述引线框上呈列状地配置有由上述岛和上述引线构成 的单元，在各个单元所包含的上述岛的面向 一个方向的侧面形 成有上述倾斜面；在上述进行密封的工序中，在将上述单元逐个收纳于相连 通的多个模腔之后，自设置于上述模具的容器将上述密封树脂 依次供给到配置成上述列状的上述模腔中。
3. 根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，上述岛的侧面是越靠近上述第2主面越远离上述浇口的倾 斜面。
4. 根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，上述岛的上述第2主面与上述注塑模具之间的间隙小于上 述岛的上述第l主面与上述注塑模具之间的间隙。
5. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，上述模腔内部的上述岛的位置固定。
6. —种引线框，其特征在于， 包括岛，具有安装半导体元件的第l主面、和位于与上述第l主 面相反侧的第2主面；以及引线， 一端接近上述岛，将上述岛的与上述第2主面连续的部分的侧面形成为倾斜面。
7. 根据权利要求6所述的引线框，其特征在于， 由上述岛和上述引线构成的单元呈列状设有多个； 将各个单元的上述岛的面向一个方向的上述侧面形成为上述倾杀+面。
8. —种半导体装置，其特征在于， 包括岛；半导体元件，安装在上述岛的主面；密封树脂，将上述岛和上述半导体元件一体密封；贯穿孔，沿厚度方向贯穿上述密封树脂地设置；以及平坦部，其是使贯穿孔的周边部的上述密封树脂的主面平坦^匕而成的；将与上述半导体元件重叠的区域的上述密封树脂的主面形成为比上述平坦部凹的凹状部。
9. 根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，得比其他区域薄。
10. 根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于， 上述凹状部与上述平坦部连续地i殳置。
11. 根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，的区域。
12. —种半导体组件，该半导体组件包括半导体装置和抵 接于上述半导体装置的散热部件，其特征在于，上述半导体装置包括 岛；半导体元件，安装在上述岛的主面； 密封树脂，将上述岛和上述半导体元件一体密封； 贯穿孔，沿厚度方向贯穿上述密封树脂地设置； 以及平坦部，其是使贯穿孔周边部的上述密封树脂的主面 平坦化而成的；将与上述半导体元件重叠的区域的上述密封树脂的主面形 成为比上述平坦部凹的凹状部；上述半导体装置与上述散热部件借助贯穿上述半导体装置 的上述贯穿孔并按压上述半导体装置主面的按压部件而相抵 接；上述按压部件与除了与上述半导体元件重叠的区域之外的 部分的上述半导体装置的上述平坦部接触。
13. 根据权利要求12所述的半导体組件，其特征在于， 上述按压部件是插入到上述半导体装置的贯穿孔中的小螺丝、和夹设于上述小螺丝的头部与上述半导体装置之间的垫圈； 上述垫圏的主面接触于上述半导体装置的上述平坦部。
全文摘要
本发明提供半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框。该半导体装置的制造方法及引线框容易使密封树脂蔓延到岛的内表面。在本发明的半导体装置的制造方法中，将安装有半导体装置的岛(12)的侧面形成为倾斜面(11)。这样，在自浇口(80)将密封树脂注入到注塑模具的模腔(66)中时，被注入的密封树脂与设置在岛(12)的侧面上的倾斜面(11)接触。于是，密封树脂沿着倾斜面(11)流动而被填充到岛(12)的下方的空间中。因而，由于较薄地覆盖岛(12)的下表面，因此，即使岛(12)的下方空间形成得较小，也能够将密封树脂无空隙地填充到该空间中。
文档编号H01L21/50GK101640178SQ20091016361
公开日2010年2月3日 申请日期2009年7月30日 优先权日2008年7月30日
发明者境春彦 申请人:三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社