专利名称：具有高导电率的芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种芯片，尤其涉及具有高导电率的芯片。
背景技术：
芯片所使用的硅片具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的 升高而增加。一般为提高导电率，是在硅片生产中掺入微量的IIIA族元素，如硼可提高其 导电的程度，而形成P型硅半导体；或掺入微量的VA族元素，如磷或砷也可提高导电程度， 形成η型硅半导体。但在硅片的各种应用领域中都需要具有较高导电率的硅片，但具有高 导电率的芯片制造成本高，制造工艺复杂。
实用新型内容本实用新型的目的是针对以上现有实用导电率技术的不足，提供一种具有高导电 率的芯片，其制造简单，成本较低。本实用新型的技术方案为一种具有高导电率的芯片，包括基片，基片外还具有一 层导电层。基片可以是现有芯片或硅片或晶片等。所述的导电层为纳米钻石层。纳米钻石层是将纳米钻石膏均勻涂抹在芯片上形成 的。所述纳米钻石层的厚度为1-3纳米。所述芯片的厚度为1. 5-2. 5毫米。本实用新型的具有高导电率的芯片，由于在芯片外设置了一层导电导热的纳米钻 石层，使芯片具有优良的导热效能和导电效能，导热率可达4. 7 (ff/m ·Κ)。而且其制造简单； 所使用的纳米钻石膏无侵蚀性、抗氧化性，也不易产生固化现象。因此该具有高导电率的芯 片适用温度的范围较广、热传导效果稳定。可广泛用作LED晶片、光伏多晶硅片和各种散热 接口芯片。
图1是本实用新型的竖剖面结构示意图。
具体实施方式
一种具有高导电率的芯片，包括基片1，基片1外还具有一层导电层2。导电层2为纳米钻石层。纳米钻石层是将纳米钻石膏均勻涂抹在基片1上形成的。纳米钻石层的厚度为1-3纳米。基片1厚度为1. 5-2. 5毫米。纳米钻石膏是一种新型材料，一般为灰色膏状，其导热系数为4. 7w/m K，介电常数 14. 5at IMHz0纳米钻石膏除具有钻石的一般特性外，还具有纳米材料的众多特性、如无毒 性、小尺寸效应、表面/界面效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应，应用前景十分广’阔。然而目前纳米钻石的应用以及研究所面临的最大难题是解决硬团聚体的解聚和在水基、非水基溶液中的稳定分散。
权利要求一种具有高导电率的芯片，包括基片，其特征在于基片外还具有一层导电层。
2.根据权利要求1所述的具有高导电率的芯片，其特征在于所述导电层为纳米钻石层。
3.根据权利要求2所述的具有高导电率的芯片，其特征在于所述纳米钻石层的厚度为 1-3纳米。
4.根据权利要求1所述的具有高导电率的芯片，其特征在于所述基片的厚度为 1. 5-2. 5 毫米。
专利摘要本实用新型提供一种具有高导电率的芯片，包括基片，基片外还具有一层导电层。本实用新型的具有高导电率的芯片，由于在芯片外设置了一层导电导热的纳米钻石层，使硅片具有优良的导热效能和导电效能，导热率可达4.7W/m·K。而且其制造简单；所使用的纳米钻石膏无侵蚀性、抗氧化性，也不易产生固化现象。因此该具有高导电率的芯片适用温度的范围较广、热传导效果稳定。可广泛用作LED晶片、光伏多晶硅片和各种散热接口芯片。
文档编号H01L27/00GK201576683SQ20092028873
公开日2010年9月8日 申请日期2009年12月7日 优先权日2009年12月7日
发明者聂华生 申请人:聂华生