专利名称：设置有功率放大器的高频模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及优选地用于移动电话、无线LAN以及其它无线通信装置 中的高频模块，更具体地说，涉及设置有功率放大器的高频模块。
背景技术：
移动电话、无线LAN以及其它无线通信装置设置有高频电路，在该 高频电路中使用了功率放大器。功率放大器是通信装置的发送电路中需 要的组件。特别是近年来，希望在移动电话中安装无线LAN功能，从而 需要小型化的高频电路。鉴于这种需要，将前级和后级设置有功率放大 器和滤波器的高频模块一体形成在高频电路中。
图5是示出高频模块的构造的示例的框图。
如图5所示，高频模块2由功率放大器11、设置在功率放大器11 的前级处的第一滤波器12以及设置在功率放大器11的后级处的第二滤 波器13组成。高频模块2的输入端部连接至高频电路的收发器IC(RFIC)， 而输出端部通过天线开关51连接至天线52。第一滤波器12是用于去除 在RFIC中的混频器中生成的寄生信号的带通滤波器(BPF)，而第二滤 波器13是用于抑制在功率放大器11中生成的倍频波的寄生信号的低通 滤波器(LPF)或带通滤波器(参见日本特开No. 2005-101893)。
因为设置在高频模块2的前级处的RFIC具有平衡输出，所以高频模 块2必须也设置有平衡输入。在常规高频模块2中，利用平衡-不平衡变 换器(bahm)来执行平衡-不平衡变换，并且通过作为带通滤波器的第一 滤波器12而连接到功率放大器11。然而，近年来，通常使用具有平衡-不平衡变换器功能的所谓的平衡滤波器(参见日本特开No. 2005-45447 )。
图6是示出高频模块2的常规结构的示意截面图。
如图6所示，高频模块2设置有多层化基板10、安装在多层化基板IO的上表面上的功率放大器IC 11、形成在多层化基板10的内层上的第
一滤波器12和第二滤波器13。热通路22设置在功率放大器IC 11的正 下方，而且热通路22沿垂直方向完全贯穿多层化基板IO而形成，并且 连接至功率放大器IC 11和基板的下表面上的地端子20 (参见日本特开 No. 2006-121147和2005-123909)。
地图案23、 24设置在多层化基板10的内层上，并且地图案23、 24 连接至热通路22。内层的第一滤波器12的输入端部经过通路孔连接至高 频模块输入端子18，而第二滤波器13的输出端部经由通路孔连接至高频 模块输出端子19。
其它现有技术的示例包括利用地通路和图案来分离不同频带之间的 电磁耦合或用于收发器电路之间的连接的结构(参见日本特开No. 2006-140862、 2004-235877、 2005-244336)、其中在安装在电介质基板的 表面上的表面声波器件(滤波器)与功率放大器之间设置有防干扰地部 件的结构(参见日本特开No. 2005-244336)。还已知一种集成有RF天线 开关电路和多个双工器的大型高频模块(参见日本特开No. 2006-157880)。还已知一种作为装入高频模块中的滤波器的、具有两个电 感器电极的双极谐振滤波器或具有三个电感器电极的三极谐振滤波器 (参见日本特开No. 2007-235435 )。
如上所述，因为功率放大器的功耗相当大并且生成的热量也相当大， 所以需要用于散热的热通路。常规上，因为热通路22设置在面对功率放 大器IC 11的下表面的位置处，所以其它电路和布线不能设置在功率放大 器IC 11正下方，从而存在与减小高频模块的尺寸有关的负面影响。而且， 优选的是，将每一个滤波器的布线都尽可能縮短，以便防止插入损耗的 劣化，并且还优选的是，将每一个滤波器都设置在功率放大器的附近， 但热通路的存在妨碍了这种努力。
另一方面，存在的问题在于，随着将高频模块制造得更小，使得分 别设置在功率放大器的前级和后级处的第一滤波器与第二滤波器之间的 间隔更靠近，滤波器被电磁耦合，从而减弱了隔离。当与功率放大器的 增益相比，滤波器之间的隔离较低时，存在的问题在于，经过前置和后置滤波器将反馈施加至功率放大器，功率放大器的操作变得不稳定，而 且在最糟糕的情况下，功率放大器发生振荡。
发明内容
因此，本发明的一个目的是，提供一种较小的、高性能的、同时保 持功率放大器的散热特性和稳定操作的高频模块。
为了解决上述问题，本发明的高频模块包括多层化基板；安装在 多层化基板的上表面上的功率放大器IC;设置在多层化棊板的内层中、 在功率放大器IC的大致正下方的第一滤波器和第二滤波器；以及设置在 第一滤波器与第二滤波器之间的耦合縮减用地通路，其中，耦合缩减用
地通路兼用作用于散逸功率放大器IC生成的热的热通路。作为在此使用
的，术语"地通路"指连接至地电极图案的通路孔，而术语"热通路" 指主要用于散热的通路孔。而且，通路孔不仅是通孔，而且是包括用于 获得层间导电性的导体的孔。该导体可以形成在通孔的内表面上，并且 可以完全嵌入在通孔中。
根据本发明，第一滤波器和第二滤波器设置在功率放大器ic的大致 正下方，并且滤波器之间的耦合縮减用地通路兼用作功率放大器ic的热
通路。因此，即使接近地设置第一滤波器和第二滤波器，也不减弱隔离。 因此，可以减小整个模块的尺寸，同时保持功率放大器的操作稳定性和 功率放大器的散热特性。
优选的是，根据本发明的高频模块还包括形成在多层化基板的内层 中的地图案，其中，耦合缩减用地通路连接至该地图案。在本发明中，
优选的是，第一滤波器连接至功率放大器ic的输入端部，而第二滤波器
连接至功率放大器IC的输出端部。
在本发明中，优选的是，第一滤波器由使用叉指式电极的1/4波长 (入/4)谐振器组成。根据使用叉指式电极的A/4波长谐振器(下面，简 称为叉指式X/4谐振器)，可以实现较小的、高性能平衡带通滤波器，并 且容易将该滤波器装入多层化基板中。因为构成第一滤波器的叉指式 谐振器在结构上具有许多地通路，所以可以利用地通路作为功率放大器
6热通路来减少通路孔的总数，并且可以减小高频模块的尺寸。因为叉指
式A/4谐振器具有连接至一对以叉指方式耦合的1/4谐振器的一对平衡端子，所以与使用1/2波长谐振器的情况、或者使用没有以叉指方式耦合的两个简单的l/4波长谐振器的情况相比，有助于实现更小的结构，并且平衡信号的平衡特性也很优异。叉指式A/4谐振器具有地通路和叉指式电极，并且热经过构成叉指式电极的许多电极图案而传递至多层化基板，由此散热。因此，可以获得利用叉指式电极的散热效果。
本发明的上述和其目的还可以通过这样的高频模块实现，即，该高频模块包括多层化基板；安装在多层化基板的上表面上的功率放大器
IC;设置在多层化基板的内层中、在功率放大器IC的大致正下方的第一
滤波器，其中，第一滤波器具有多个地通路，并且所述地通路兼用作用
于散逸功率放大器IC生成的热的热通路。
而且，本发明的上述和其它目的还可以通过这样的高频模块实现，即，该高频模块包括多层化基板；安装在多层化基板的上表面上的功率放大器IC;设置在多层化基板的内层中、在功率放大器IC的大致正下
方的第一滤波器；以及设置在多层化基板的内层中并且连接在第一滤波器的输出端部与功率放大器的输入端部之间的布线图案，其中，所述布线图案设置在功率放大器IC的大致正下方。
按这种方式，根据本发明，可以提供较小的、高性能的、同时保持功率放大器的散热特性和稳定操作的高频模块。
通过参照下面结合附图对本发明的详细描述，本发明的上述和其它
目的、特征以及优点将变得更清楚，其中
图1是示出本发明一优选实施方式的高频模块的结构的示意截面图；图2A是多层化基板10的俯视图；图2B是多层化基板10的仰视图；图3是高频模块1的等效电路图4是示出高频模块1的各层的图案布局的示意平面7图5是示出高频模块的构造示例的框图；以及图6是示出高频模块的常规结构的示意截面图。
具体实施例方式
下面，参照附图，对本发明的优选实施方式进行详细描述。图1是示出本发明一优选实施方式的高频模块的结构的示意截面图。如图1所示，高频模块1设置有多层化基板10、安装在多层化基板IO的上表面上的功率放大器IC 11，以及形成在多层化基板10的内层中
的第一滤波器12和第二滤波器13。
多层化基板10是在表面层或内层上印制有布线图案的电路基板。优选的是，多层化基板IO是具有优异耐热性和防潮性以及良好高频特性的陶瓷基板，特别优选的是LTCC (低温共烧陶瓷)基板。LTCC可以在卯0°C或以下的低温下共烧。因此，可以将具有低熔点和优异高频特性的Ag、Cu以及其它金属材料用作内部布线，由此，可以实现具有低电阻耗损的布线图案。而且，因为可以将布线图案形成在内层上，所以有助于形成多层，而且通过将LC功能容纳在多层化基板10中，可以减小尺寸，从而可以改进功能。该基板因散热特性优异而有利于安装功率放大器IC11。在多层化基板10的上表面和下表面中设置有许多输入/输出端子。具体来说，将用于功率放大器的输入端子16和输出端子17设置至多层化基板10的上表面。将用于高频模块的输入端子18和输出端子19、以及地端子20设置在多层化基板10的下表面上。
功率放大器IC 11是安装在多层化基板10上的片状组件(裸片)。通常来说，这些组件通过晶片接合(die-bonding)步骤安装在多层化基板10的表面上，并且通过接合线和形成在多层化基板10的内层中或表面上的布线图案电连接至其它元件。
第一滤波器12是设置在功率放大器的前级处的带通滤波器，而第二滤波器13是设置在功率放大器的后级处的低通滤波器(参见图5)。在本实施方式中，优选的是，第一滤波器12由叉指式V4谐振器组成。根据该叉指式V4谐振器，可以实现较小的、高性能平衡带通滤波器，并且可以容易地将该滤波器容纳在多层化基板中。
第一滤波器12和第二滤波器13设置在功率放大器IC 11的大致正下 方。作为在此使用的，短语"大致正下方"指位置不完全为正下方的事 实。换句话说，可以将滤波器设置为与功率放大器IC11平坦地叠置，或
者可以充分叠置以提供更小的高频模块1。第一滤波器12和第二滤波器 13中的每一个与功率放大器IC 11的叠置程度可以根据滤波器的隔离和
尺寸而恰当地设置。
多个耦合縮减用地通路21设置在第一滤波器12与第二滤波器13之 间。当减小第一滤波器12与第二滤波器13之间的间隔时，存在的问题 在于，滤波器发生电磁耦合且减弱了隔离。对于与功率放大器的增益相 比滤波器的隔离较低的情况来说，通过前级和后级滤波器向功率放大器 施加反馈，功率放大器的操作变得不稳定，并且在最糟糕的情况下，功 率放大器会发生振荡。
然而，在本实施方式中，因为在第一滤波器12与第二滤波器13之 间设置有耦合縮减用地通路21，所以可以防止隔离减弱，并且可以使功 率放大器的操作稳定。具体来说，因为耦合縮减用地通路21兼用作功率 放大器热通路22，所以可以减少通路孔的总数，并且可以减小高频模块 的尺寸。
热通路22 (22a， 22b)设置在功率放大器IC 11的正下方，以便散 逸功率放大器IC ll生成的热。然而，因为第一滤波器12和第二滤波器 13设置在功率放大器IC ll的大致正下方，所以本实施方式的热通路22 不完全贯穿多层化基板10,而是仅连接至形成在多层化基板10的内层中 的地图案23、 24。上层的地图案23和下层的地图案24通过耦合縮减用 地通路21连接。按这种方式，因为将耦合縮减用地通路21设置在上热 通路22a与下热通路22b之间，所以可以使耦合缩减用地通路21充任热 通路。
需要大量热通路来散逸功率放大器IC 11的热，而耦合縮减用地通路 21用作唯一的热通路是不够的。然而，对于按上述方式设置第一滤波器 12和第二滤波器13的情况来说，难于设置许多热通路。鉴于这种事实，在本实施方式中，通过将构成第一滤波器12的地通路构造成兼用作热通路来解决该问题。
A/2谐振器己知也是平衡带通滤波器，但A/2谐振器中的地通路的数量非常少。与此相反，构成第一滤波器12的叉指式A74谐振器具有按以上结构构成的许多地通路26。在本实施方式中，因为将地通路26用作功率放大器热通路，所以可以减少通路孔的总数，并且可以减小高频模块的尺寸。叉指式A/4谐振器具有地通路26和许多叉指式电极，并且同样可以将热传导至叉指式电极，由此，可以散热。因此，可以由贯穿多层化基板10的叉指式电极来获得散热效果。
第一滤波器12的输入端子通过通路孔27连接至基板的下表面上的高频模块输入端子18。第一滤波器12的输出端子通过布线28和设置在第一滤波器12正上方(即，功率放大器IC 11的大致正下方)的通路孔29连接至基板的上表面上的功率放大器IC输入端子16，并且从输入端子16起通过接合线30连接至功率放大器IC 11上的I/O焊盘。
地图案23、25设置在连接第一滤波器12和功率放大器IC 11的布线28的上方和下方。布线28由此构成为三板带状线。其理由如下所述。
功率放大器模块是针对不平衡输出型模块的平衡输入部，并且平衡滤波器用作前级带通滤波器(参见图5)。在这种情况下，因为在平衡滤波器的平衡输入部的布线的阻抗或长度不同时生成共模噪声，所以必须使平衡输入部的布线在模块内部尽可能短。为此，必须将第一滤波器12的平衡输入端部设置得尽可能靠近高频模块输入端子18。结果，第一滤波器12的不平衡输出端部的位置在平衡输入端部的相对侧，S卩，在功率放大器ICll的正下方。
第一滤波器12的输出部与功率放大器IC 11的输入部之间的布线28也设置在功率放大器IC 11的正下方，并且通过通路孔29和接合线30而连接至功率放大器IC ll的输入端部。在这种情况下，第一滤波器12的输出侧的布线长度大于输入侧的布线长度，但影响不如平衡线大。而且，布线28是三板带状线，与其它传输线(微带状线、共面线等)相比，该三板带状线具有更小的传导损耗。因此，可以减小因布线而造成的特性劣化。
接下来，对根据本实施方式的高频模块1的具体构造进行详细描述。
图2A和2B是示出高频模块1的具体构造的平面图，其中，图2A 是多层化基板10的俯视图，而图2B是其仰视图。图3是高频模块1的 等效电路图。
如图2A和2B以及图3所示，高频模块1具有多层化基板10，并且 除了具有功率放大器IC ll之外，还具有安装在多层化基板10的上表面 上的片状电感器14和片状电容器15a到15d。片状电容器15a、 15b设置 在功率放大器的信号线上；片状电感器14和片状电容器15c、 15d设置 在功率放大器的电源线上；并且通过回流焊(relflow)步骤将片状电容 器安装在多层化基板10上。片状电容器15a、 15b是插入在第一和第二 滤波器12、 13与功率放大器IC之间的DC隔离电容器C17、 C18。片状 电容器15c、 15d是设置在功率放大器IC 11的电源线上的旁路电容器 C24、 C25。片状电感器14是设置在功率放大器的电源线上的扼流线圈 L12。功率放大器IC 11的I/O焊盘通过接合线30连接至多层化基板10 上的对应I/0端子。地端子设置在多层化基板10的下表面的中央，如图 2B所示，并且环绕地端子的外周设置有连接至电源线、信号线以及地电 极图案等的I/0端子。具体来说，中央的较大地端子用于确保散热特性和 连接强度。
图4是示出高频模块1的各层的图案布局的示意平面图。 高频模块1的多层化基板10通过将由绝缘片构成的多个层分层为 20层而形成，并且在多层化片的上方、下方以及层间形成了布线或另一 导体图案，如图4所示。因此，布线层具有21个层。具体来说，第一到 第二十布线层101到120分别形成在第一到第二十绝缘片的上表面上， 而第二十一布线层121形成在第二十绝缘片的背面。换句话说，第一布 线层101形成在多层化基板10的上表面上，第二十一布线层121形成在 多层化基板10的下表面上，而第二到第二十布线层分别形成在多层化基 板IO的各内层中。共用其上形成有第二十布线层120和第二十一布线层 121的绝缘片。而且，贯穿绝缘片在每一个布线层中形成有通路孔。对所有导体图案和通路孔都未指配标号，但阴影部分为导体图案，圆形部分 为通路孔。
对第一到第三布线层101到103设置了许多热通路22a。热通路22a 设置在功率放大器IC 11下方并且沿表面方向按大致等间隔排列。
地图案23设置在第四布线层104上，地图案24设置在第十九布线层 119上。地图案23、 24设置在基板表面的宽范围上并且覆盖第一滤波器 12和第二滤波器13的上面和下面。热通路22a的下端部连接至地图案23。
对第四到第十八布线层104到118设置了多个耦合縮减用地通路21 。 地通路21的上端部连接至第四布线层104的地图案23，而下端部连接至 第十九布线层119的地图案24。第十九布线层119的地图案24通过大致 设置在基板中央的许多地通路22b连接至第二十一布线层121的地端子 20 (GND)。地图案24通过设置在基板外周部分中的地通路31同样连接 至第二十一布线层121的其它地端子GND。按这种方式，耦合縮减用地 通路21连接至地图案。
所述多个耦合縮减用地通路21沿与多层化基板10的纵向方向正交 的方向大致直线地排列。第一滤波器12和第二滤波器13分别设置在由 耦合縮减用地通路21分区的两个平坦区域中，从而有助于滤波器的布局。
根据该图，耦合縮减用地通路21的下侧区域是第一滤波器12的形 成区域。根据该图，耦合缩减用地通路21的上侧区域是第二滤波器13 的形成区域。第一和第二滤波器12、 13由第五到第十八布线层105到118
的导体图案以及连接至这些导体图案的通路孔组成。具体来说，第一滤 波器12由传输线图案Ll到L8以及电容图案Cl到C16组成，而第二滤 波器13由电感图案L10到L11以及电容图案C19到C23组成。
设置在功率放大器IC 11正下方的热通路22没有按常规方式贯穿所 有层连接至下表面的地端子20。然而，因为耦合缩减用地通路21用作热 通路并且第一滤波器12的许多地通路26也用作热通路22，所以不需要 针对功率放大器IC 11的专用热通路22。
片状电容器15a、 15b是DC隔离电容器C17、 C18，并且插入在第 一和第二滤波器12、 13与功率放大器IC之间。第七布线层107上设置
12有连接第一滤波器12的输出端部与DC隔离电容器cn的一个端部的布 线图案28 (布线图案L9)。大半布线图案28设置在功率放大器IC 11的 正下方， 一个端部通过通路孔33连接至DC隔离电容器，而另一端部通 过通路孔32连接至第一滤波器12的输出端部。
布线图案28构成三板带状线，而且在上方和下方设置有地图案。换 句话说，布线图案28夹在第四布线层104的地图案23与第十布线层110 的地图案25之间。从布线图案28至地图案23、 25上方的距离相同(等 于三个层的距离)。因为叉指式X/4谐振器具有许多地通路26，所以构成 三板带状线所需的上、下地表面(在这个特定情况下，为地图案25)可以 仅通过把预定导体图案连接至地通路26而容易地形成。按这种方式，可 以通过在布线图案28上方和下方设置地图案23、 25而将布线图案28设 置为三板带状线，从而可以防止因增加布线长度而造成插入损耗的劣化。
如上所述，根据本实施方式的高频模块l，因为将第一滤波器12和 第二滤波器13设置在功率放大器IC 11的正下方，并且还将滤波器之间 的耦合缩减用地通路21用作功率放大器IC 11的热通路，所以即使第一 滤波器12和第二滤波器13设置得很靠近，也不会减弱隔离。因此，可 以减小模块的整体尺寸，同时保持功率放大器的稳定操作以及功率放大 器的散热特性。
根据本实施方式的高频模块1，因为还将作为第一滤波器12的叉指 式A/4谐振器的地通路用作功率放大器IC的热通路，所以可以省却针对 功率放大器的专用高频模块2。因此，可以将第一滤波器12和第二滤波 器13设置在功率放大器IC 11的正下方，该位置常规上是热通路22的形 成区域。换句话说，可以减小模块的整体尺寸，同时保持功率放大器的 散热特性。
当将叉指式电极用作谐振滤波器的一部分时，与例如普通双极或三 极谐振滤波器(参见日本特开No. 2007-235435)相比，可以增大Q值， 同时减小谐振器的尺寸，并且可以容易地执行平衡/不平衡的I/O变换。 而且，与普通谐振滤波器相比，这种结构具有许多(在本实施方式中， 为四对(八个))叉指式电极，因为这些叉指式电极都连接至地电极，所以可以通过将热通路连接至叉指式电极来进一步增强散热效果。
根据本实施方式的高频模块1，将用于连接功率放大器IC 11的输入 端部和作为第一滤波器12的叉指式A/4谐振器的输出端部的布线28设置 在功率放大器IC ll的正下方，并且因为将布线28设置为三板带状线， 所以可以可靠地实现功率放大器IC11与第一滤波器12之间的阻抗匹配。 即使要失去功率放大器IC 11与第一滤波器12之间的阻抗匹配，只要调 节从三板带状线起至地的高度从而改变特性阻抗，就可以在不改变滤波 器的部件值的情况下，容易地调节功率放大器IC 11和第一滤波器12之 间的阻抗匹配。
由此，参照具体实施方式
示出并描述了本发明。然而，应当注意， 本发明决不限于所述排布结构的细节，而是可以在不脱离所附权利要求 的范围的情况下对本发明进行改变和修改。
例如，在上述实施方式中，将叉指式V4谐振器用作第一滤波器12， 但本发明不限于叉指式A74谐振器，而是可以使用各种滤波器结构。在这 种情况下的滤波器优选地设置有尽可能多的地通路。
叉指式A/4谐振器不限于图2和3所示的电路结构，并且也可以采 用例如省略了电容闺萄C1到C16的全部或部分的构造。
在上述实施方式中，将第一滤波器12和第二滤波器13设置在功率 放大器ICll的大致正下方，但本发明不限于此，而可以将任何部件设置 在功率放大器IC的下方。
在上述实施方式中，将电容器C17、 C18设置在前级和后级滤波器 12、 13与功率放大器IC ll之间，但在本发明中，不是必需设置这些电 容器。可以将一电容器或另一电路组件设置在第一滤波器12的前级和第 二滤波器13的后级。
根据本发明的高频模块不限于由第一滤波器12、功率放大器IC 11 以及第二滤波器13组成的电路构造，而可以用作集成有RF天线开关电 路部件(举例来说，如日本特幵No. 2006-157880中描述的RF天线开关 电路部件)的大型高频模块的一部分。
权利要求
1、一种高频模块，该高频模块包括多层化基板；功率放大器IC，该功率放大器IC安装在所述多层化基板的上表面上；第一滤波器和第二滤波器，该第一滤波器和该第二滤波器设置在所述多层化基板的内层中、在所述功率放大器IC的大致正下方；以及耦合缩减用地通路，该耦合缩减用地通路设置在所述第一滤波器与所述第二滤波器之间；其中，至少所述第一滤波器设置在所述功率放大器IC的大致正下方，并且所述耦合缩减用地通路兼用作用于散逸所述功率放大器IC生成的热的热通路。
2、 根据权利要求1所述的高频模块，所述高频模块还包括地图案， 该地图案形成在所述多层化基板的内层中，其中，所述耦合縮减用地通 路连接至所述地图案。
3、 根据权利要求1所述的高频模块，其中，所述第一滤波器连接至 所述功率放大器IC的输入端部，而所述第二滤波器连接至所述功率放大 器IC的输出端部。
4、 根据权利要求1所述的高频模块，其中，所述第一滤波器由使用 叉指式电极的1/4波长谐振器组成。
5、 根据权利要求1所述的高频模块，其中，所述第二滤波器设置在 所述功率放大器IC的大致正下方。
6、 根据权利要求1所述的高频模块，其中，所述第一滤波器具有多 个地通路，并且所述地通路兼用作用于散逸所述功率放大器IC生成的热 的热通路。
7、 根据权利要求6所述的高频模块，其中，所述地通路连接至所述 地图案。
8、 根据权利要求1到7中的任一项所述的高频模块，所述高频模块还包括布线图案，该布线图案设置在所述多层化基板的内层中并且连接 在所述第一滤波器的输出端部与所述功率放大器的输入端部之间。
9、 根据权利要求8所述的高频模块，其中，所述布线图案构成为三板带状线。
10、 一种高频模块，该高频模块包括多层化基板；功率放大器IC，该功率放大器IC安装在所述多层化基板的上表面上;第一滤波器，该第一滤波器设置在所述多层化基板的内层中、在所述功率放大器IC的大致正下方，其中所述第一滤波器具有多个地通路，并且所述地通路兼用作用于散逸所述功率放大器IC生成的热的热通路。
11、 根据权利要求10所述的高频模块，所述高频模块还包括地图案，该地图案形成在所述多层化基板的内层中，其中，所述耦合缩减用地通 路连接至所述地图案。
12、 根据权利要求ll所述的高频模块，其中，所述第一滤波器连接 至所述功率放大器IC的输入端部，而第二滤波器连接至所述功率放大器 IC的输出端部。
13、 根据权利要求10到12中的任一项所述的高频模块，其中，所 述第一滤波器由使用叉指式电极的1/4波长谐振器组成。
14、 一种高频模块，该高频模块包括 多层化基板；功率放大器IC，该功率放大器IC安装在所述多层化基板的上表面上；第一滤波器，该第一滤波器设置在所述多层化基板的内层中、在所 述功率放大器IC的大致正下方；以及布线图案，该布线图案设置在所述多层化基板的内层中并且连接在 所述第一滤波器的输出端部与所述功率放大器的输入端部之间，其中，所述布线图案设置在所述功率放大器IC的大致正下方。
15、 根据权利要求14所述的高频模块，其中，所述布线图案构成为 三板带状线。
全文摘要
本发明涉及设置有功率放大器的高频模块。提供了一种高频模块，该高频模块包括多层化基板，安装在多层化基板的上表面上的功率放大器IC，设置在多层化基板的内层中、在功率放大器IC的大致正下方的第一和第二滤波器，以及设置在第一滤波器与第二滤波器之间的耦合缩减用地通路。至少第一滤波器设置在功率放大器IC的大致正下方。耦合缩减用地通路兼用作用于散逸功率放大器IC生成的热的热通路。
文档编号H05K1/02GK101499785SQ20091000281
公开日2009年8月5日 申请日期2009年1月24日 优先权日2008年1月31日
发明者五井智之, 八贺仁, 味冈厚, 安达拓也 申请人:Tdk株式会社