专利名称：环境气氛净化装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如在半导体制造工场使用的环境气氛净化装置。
背景技术：
一般地，将空气经由设置在顶棚部的风机过滤单元(FFU)向半导体制造工场内的 无尘室供给，并且通过配置在地板上的抽风机来吸入空气，从而在置有半导体晶片、玻璃基 板等基板的环境气氛中形成下降流(所谓的downflow)。此外，这种下降流的形成在半导体 制造装置中的大气输送环境气氛中也有采用。根据这种方法，由FFU净化过的空气被供给到基板所处的环境气氛中。此外，伴随 着基板的输送等在环境气氛中产生的颗粒也在基于重力和下降流的惯性力的作用下使之 被强制地移动到环境气氛的下方，并被排出到环境气氛之外。这样，维持着该环境气氛的清 洁状态。然后，即使在基板所处的环境气氛中，特别是大气输送环境气氛(输送路上的大气 环境气氛)中，容易从基板输送机构的驱动部分产生灰尘，此外，在交接基板时附着在基板 的周缘上的薄膜被剥离而易于产生颗粒，因此这种颗粒污染的防止对策很重要。但是，随着基板的配线图案变得致密，颗粒的附着管理变得更加严密。即，伴随着 颗粒的微细化，现在被允许的粒径的颗粒也成了问题。即，作为附着防止的对象的颗粒的粒 径变小。对于小粒径的颗粒等，用现有的方法会发生如下的问题。即，当颗粒等的粒径变小 时，颗粒所产生的重力和下降流带来的惯性力的影响变小。因此，在现有的FFU的气流控制 下，扩散的影响变大，无法充分地控制微小颗粒，无法伴随下降流使之向基板的下方移动， 从而存在在基板上附着颗粒等的可能。对于上述的问题，在输送装置上设置离子发生装置，使该输送装置内的颗粒带电， 将与带电的该颗粒相同极性的直流电压施加到半导体基板上，借助颗粒和基板的同极性 的电场的静电反作用力防止颗粒向基板的附着(JP特开2005-116823号公报(段落编号 0043,0044)) 0在这样的大气输送装置中，颗粒通过静电反作用力从基板被弹出。因此，与 利用FFU的气流控制相比，可以更高精度地防止颗粒的附着。但是，由于完全没有针对离子 发生装置的电场考虑过，所以作为防止更微小的颗粒附着的方法是不够的。
发明内容
本发明是鉴于上述的情况而做出的，其目的在于提供能够抑制颗粒向被处理体的 附着的环境气氛净化装置。本发明是一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备在被处理体所处的环境气氛 内形成下降流的机构；多个离子发生器，它们位于被处理体的上方位置，且在从上方所见 的布局中隔着上述被处理体对称地配置，对各上述下降流向横向供给正或负的任一方的离 子；向上述被处理体施加与施加到上述多个离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压 的机构，上述对称地配置的离子发生器配置成相互面对。根据本发明，通过由离子发生器带电的颗粒与施加有电压的被处理体之间的静电斥力，防止颗粒向被处理体的附着。在此，基于离子发生器和被处理体的相对位置给颗粒向 被处理体的附着防止效果带来很大影响、继而颗粒的附着量根据被处理体的电压的大小而 变化等本发明人的想法(由实验获得的数据等)，以隔着被处理体的方式对称地配置多个 离子发生器，从而基于一个离子发生器在晶片的表面附近生成的电位梯度，通过基于另一 离子发生器产生的电位梯度而平衡，关于离子发生器的电力线对晶片的表面附近电位的影 响，在面内的偏差变小。其结果，在被处理体的表面整体上，能够对颗粒作用适当的静电斥 力。由此，即使是微细的颗粒也可以有效地减低向晶片的附着。例如，上述对称地配置的离子发生器彼此的组能够构成为，沿被处理体的周围设 置多个组。或者，通过沿被处理体的周围排列的多个离子发生器形成集团，该集团彼此在从 上方所见的布局中隔着上述被处理体对称地配置。此时，优选上述集团是多个离子发生器 呈一横列排列配置而成的集团。此外，例如在设有输送被处理体的带状的输送路的情况下，能够在该输送路的两 侧分别将多个离子发生器在俯视的布局中呈一列排列地配置。或者，本发明是一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备在被处理体所处的环 境气氛中形成下降流的机构；多个离子发生器，它们在被处理体的上方位置相互在横向分 离地配置，且对各上述下降流向下方供给正或负中的任一方的离子；向上述被处理体施加 与施加到上述多个离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压的机构。此外，根据本发明，由于在被处理体的上方位置将离子向下方供给的多个离子发 生器被在横向上分离地配置，因此被处理体的表面的电位的差变小，即使是微细的颗粒也 可以减低向晶片的附着。例如，被处理体所处的环境气氛是利用输送装置输送被处理体的环境气氛，上述 多个离子发生器沿被处理体的输送方向配置。此时，优选多个离子发生器配置在被处理体 的输送路的正上方。或者，例如，被处理体所处的环境气氛是利用输送装置输送被处理体的环境气氛， 上述多个离子发生器，在从上方所见的布局中，配置在与将区域分割为相互大小相同的多 个四边形时各四边形的顶点对应的位置。或者，例如，被处理体所处的环境气氛是利用输送装置输送被处理体的环境气氛， 上述多个离子发生器，在从上方所见的布局中，呈交错状配置。上述多个离子发生器的布局是在水平面上相互正交的X方向和Y方向的任一方向 上都形成3列以上的离子发生器的列的布局。或者，本发明是一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备在利用输送装置输送 被处理体的环境气氛中形成下降流的机构；多个离子发生器，它们位于被处理体的上方位 置，且在从上方所见的布局中配置有多个，对各上述下降流供给正或负中的任一方的离子； 向上述被处理体施加与施加到上述多个离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压的 机构；根据被处理体的位置控制施加到上述离子发生器的电极上的电压的大小的机构。根据本发明，在被处理体的输送区域的上方配置有多个离子发生器，并且根据被 处理体的位置来控制施加到离子发生器的电极上的电压的大小，从而能够使被处理体表面 的电位的不均变得更小，因此能够使颗粒向被处理体的附着在被处理体的整个面内均勻地 减低。
图1是用于说明本发明的原理的说明图。图2是表示关于本发明的原理的第一实验装置的构成图。图3是表示关于本发明的原理的第一实验结果的特性图。图4是用于说明关于本发明的原理的第一实验结果的说明图。图5A和图5B是表示关于本发明的原理的第一实验结果的说明图。图6A是表示关于本发明的原理的第二实验装置的构成图。图6B是表示图6A的装置中的离子发生器的配置的图。图7是表示关于本发明的原理的第二实验结果的特性图。图8A是表示本发明的第一实施方式的环境气氛净化装置的俯视图。图8B是表示本发明的第一实施方式的环境气氛净化装置的侧视图。图9是表示本发明的第一实施方式的变形例的俯视图。图10是表示本发明的第二实施方式的环境气氛净化装置的俯视图。图11A是表示本发明的第二实施方式的变形例的俯视图。图11B是表示本发明的第二实施方式的变形例的侧视图。图12是表示具备本发明的第二实施方式的变形例的半导体制造装置的立体图。图13是表示具备本发明的第二实施方式的变形例的半导体制造装置的概略立体 图。图14是表示具备本发明的第二实施方式的变形例的半导体制造装置的概略剖视 图。图15是表示具备本发明的第二实施方式的变形例的半导体制造装置的局部俯视 图。图16是表示本发明的第三实施方式的液处理系统的俯视图。图17是在图16所示的液处理系统中的、晶片W的待机状态的说明图。图18是表示图16所示的液处理系统的变形例的俯视图。
具体实施例方式[本发明人所获得的想法]在说明本发明的具体实施方式
之前，先叙述本发明人所获得的想法。在半导体制 造工厂内，在放置有作为被处理体的半导体晶片(以下称为“晶片”)W的大气环境气氛中形 成有下降流。该下降流是通过在放置晶片w的环境气氛的上方和下方被分别配置的FFU以 及排气扇而形成的。在本发明中，如图1所示，在晶片W的上方位置，配设有提取正或负中 的任意一方的离子并供给该离子的离子发生器5(图1(a))。该离子发生器5，向下降流供 给被离子化过的气体，由此使随着下降流流动的颗粒带电(图1(b))。与此同时，给晶片W 施加与施加到离子发生器5的电极的电压极性相同极性的电压。由此，颗粒与晶片W相互 在静电斥力的作用下相互排斥(图1(c))。离子发生器5的详细内容在后面叙述。本发明人，如图2所示，在晶片W1、W2的上方，将4个离子发生器5呈一横列排列， 进行了第一实验。在该实验中，通过FFU15和未图示的排气扇而形成了下降流的箱60内，被立板61两等分地隔开。并且，在一个区域R1内设置离子发生器5，以沿横向施加正的电 荷。另一方面，在另一个区域R2中没有设置离子发生器5。此外，配置在各区域内的晶片 W1、W2被曝露于下降流中规定时间。另外，施加到晶片W1上的正电压的电压值连续地被变 更，而晶片W2接地。然后，检查了在两个区域内所配置的晶片W1、W2上的颗粒。实验的结果在图3示出。图3是将附着在区域R1侧的晶片W1上的颗粒的数量设 为a个，将附着在区域R2侧的晶片W2上的颗粒的数量设为b个，将a用b来除以求得两区 域中的颗粒的相对附着率而得到的曲线图。当使施加到晶片W1上的电压从0V上升到500V 时，相对附着率变低，在500V附近变为约0.25。因此可知，在给晶片W1施加了 500V的电压 的情况下，在晶片W1上，与晶片W2相比防止了约75%的颗粒的附着。此外，在使所施加的 电压由500V进一步上升的情况下，相反地相对附着率上升了。作为引起这种现象的理由，可考虑到以下的重要因素。图4是纵轴为颗粒的数量， 横轴为电荷数的曲线图。如果没有设置离子发生器5，就如实线(1)所示，正电荷的分布和 负电荷的分布大概是对称的。与此相对，利用离子发生器5对颗粒施加了正电荷的状态下 的电荷的分布，如实线(2)所示，较大地集中于正侧。因此可认为，当给晶片W1施加正电压 时，在静电斥力的作用下相斥的颗粒的数量增加，其结果颗粒的附着量降低。但是，即使在离子发生器5的作用下使得颗粒带正电，实际上，也如实线(2)那样， 会残存带了负电的颗粒。该带负电的颗粒被拉向正电位。因此也可认为，若对晶片W1施加 正电压，则促进了带负电的颗粒的附着。并且，实际上，根据本实验的结果可知当使施加给 晶片W1的正电压上升时，直到某值(在本实验中为500V)为止是有益于颗粒附着量的减低 的，但是可知当超过该值使之上升时，吸引带负电荷的颗粒的力变强，从而阻碍了颗粒的附 着量的减低。接着，在图5A示出晶片W1上的颗粒的分布。若根据颗粒的多少而粗略地将区域进 行划分的话，就如图5B所示，可以划分为颗粒的附着量多的区域R3和附着量少的区域R4。 作为其理由可以如下那样地考虑。即，在给离子发生器5的电极针施加的高电压的作用下，从该电极针形成电力线， 在晶片W表面附近产生电位分布。区域R3由于更接近于离子发生器5，所以与区域R4相比 电位变高。因此，在该电位的作用下，颗粒朝向晶片W1侧的引力起作用。若将其示意地说 明的话，由颗粒判断晶片W1时，针对该区域R3，晶片W1的电位相对地变为负值。其结果，颗 粒会被拉向该区域R3，从而变为图5A所示的结果。在此，当对离子发生器5的供给电压进行设定使得基于来自离子发生器5的电力 线的区域R3的电位变低时，在远离离子发生器5侧的区域R4中基于来自离子发生器5的 电力线的电位会变低，从颗粒判断晶片W1时，晶片W的电位变得大于图3所示的最佳值，如 上所述那样带负电的颗粒被拉向区域R4的效果变大。接着，本发明人，如图6A和图6B所示，取3个在第一实验(图2)中使用的离子发 生器5，在晶片W1的铅垂方向的上方区域呈一横列排列，进行了第二实验。在该第二实验中，在区域R1的晶片W1的铅垂方向上方、通过晶片W1的中心的线 上(晶片W1的直径的正上方)呈一列地设有离子发生器5。由此，离子发生器5向位于其 正下方的晶片W1施加正电荷。除此点之外均以与图2所示的实验相同的方式进行。该实 验结果在图7示出。
如图7的折线S1所示，当向晶片W1施加的施加电压从0V向lkV上升时，颗粒对 晶片W1的相对附着率降低，在lkV附近变为约0. 04。因此可知，在给晶片W1施加了 lkV的 电压时，在晶片W1中，与没有使用离子发生器5的下降流下的晶片W2相比，防止了约96% 的颗粒的附着。此外，在使所施加的电压由lkV进一步上升时，与上述的第一实验的情况相 同地，相对附着率上升了。但是，由于相对附着率不会变得高于1. 0，因此可以说即使在高电 压下也具有防止颗粒的附着的效果。另外，在图7中，将上述的图3的实验结果作为折线S2 —并记载。比较折线S1、 S2也可以明确，在晶片W1放置于将离子发生器5配置于晶片W1的铅垂方向上方来向正下 方供给离子的环境气氛内的情况下，防止颗粒附着的效果大。基于以上的意见，以下列举出对于使晶片W上的颗粒减少有效的本发明的环境气 氛净化装置的实施方式。[第一实施方式]在图8A和图8B所示的作为第一实施方式的环境气氛净化装置中，在放置有晶片 W的环境气氛的上方，将多个离子发生器5，例如将以呈一列排列的4个为一个组(离子发 生器的组)的离子发生器5的4个组5A 5D，在从上方所见的布局中，沿晶片W的周向上 被等间隔地配设。即，离子发生器5的两个组5A和5C在图中的Y方向上相互对置，并且离 子发生器5的两个组5B和5D在图中的X方向上对置。在该例中，由相互对置的组5A和5C 彼此进一步构成一个“组”，并且，由相互对置的组5B和5D彼此进一步构成另一个“组”，加 在一起存在2组。此外，7是支承离子发生器5的支承部。在本实施方式中，离子的供给方向是横向、例如水平方向。不过也可以是斜向下 方。后者的情况也是包含在一个离子发生器5和另一离子发生器5 “相互面对”的状态中 的情况。此外，作为R5表示的框也可以是例如划分放置晶片W的环境气氛的框体，也可以 是为了方便起见而将大的框体内的一部分区域划分出的假想线。就是说，离子发生器5不 限于设置在框体的壁部上。各离子发生器5具有相同数量的使正电荷产生的电极和使负电荷产生的电极，基 本上使正电荷和负电荷等量地产生，使带有与带电物相同极性的离子与带电物相斥、使带 有相反极性的离子被带电物吸引由此中和电荷来除电。在这种离子发生器5中，供给产生 的离子时，利用同极性的离子相斥而不同极性的离子相吸的力、即离子的库仑力来供给离子。并且，在本实施方式中，由于需要由离子发生器5只供给带有正或负的电荷的离 子，所以仅给使正电荷产生的电极或者使负电荷产生的电极中的某一方施加高电压，仅使 带正或者负的电荷的离子产生，仅利用同极性离子相斥的力，向下降流供给带正或者负的 电荷的离子中的某一种。在图8B中，62例如是由导电体构成的载置台。利用直流电源63给载置台62施加 例如0.5kV的正电压。因此，该正电压经由载置台62施加到晶片W上。在将该实施方式应 用于实际的半导体制造工厂时，载置台62作为例如在大气输送环境气氛中的第一晶片输 送机构和第二晶片输送机构的中转位置上所设置的交接部使用。或者，图8A和图8B所示 的晶片W也可以是替代载置台而被保持在晶片输送机构的保持部上的例子。此时，该晶片 W的位置可以是在晶片输送机构中晶片W的保持时间变得最长的几率最大的位置、例如面对构成抗蚀膜涂敷形成装置的处理单元组的一个处理单元的位置。另外，在图8B中15是 FFU。此外，在放置有晶片W的环境气氛的底部，朝上设有未图示的排气扇，吸入通过FFU15 产生的下降流并向外部输出，或者送往无尘室内的循环管道。在该环境气氛净化装置中，下降流被从FFU15向晶片W供给，向在FFU15和晶片W 之间设置的离子发生器5的电极施加的电压被设定为相同大小，利用它们向下降流供给离 子，晶片W周边的环境气氛中所包含的颗粒被带上+的极性。然后，进一步，通过给晶片W 施加正的电压，使针对带正电的颗粒的静电斥力作用。在此，利用供给到离子发生器5的高电压，在晶片W的表面上生成电场。但是，在 俯视时，离子发生器5在X方向和Y方向均隔着晶片W对置，因此通过一个离子发生器5在 晶片W的表面附近生成的电位梯度，通过相对向的另一离子发生器5产生的电位梯度被平 均。作为其结果，关于离子发生器5的电力线对晶片W的表面附近电位的影响，在面内的偏 差变小。因此，在设定晶片W的施加电压时，晶片W的实际的电位归于适于防止颗粒的附着 的范围内的程度变大。由此，在大部分的颗粒与晶片W之间有静电斥力起作用，从而即使是 微细的颗粒也可以减低向晶片W的附着。此外，本实施方式的离子发生器5是利用离子的库仑力供给离子的离子发生器， 在离子的供给上不使用气流。因此，离子发生器5不会对于通过FFU15形成的下降流带来 影响。因此，不会阻碍下降流原本具有的颗粒去除作用，故为优选。在此，仅使用离子发生器5的两个的组5A、5C(不使用5B、5D)，使用图2所示的实 验装置，研究颗粒的附着情况。其结果，没有图5所示那样的颗粒很多地附着在晶片W的一 半区域上的情况。即，在整个面上颗粒的附着少。因此可知，与图2所示那样将离子发生器 5配置在一侧的情况相比，本实施方式的颗粒的减低效果特别大。图9所示的环境气氛净化装置是第一实施方式的变形例。在图9所示的环境气氛 净化装置中，在放置有晶片W的环境气氛的上方、例如装置的上部，将多个例如8个离子发 生器5在周向上隔开等间隔，沿与晶片W同心的圆配设。因此，对置的离子发生器5彼此变 为相互面对的状态，从晶片W的中心到各离子发生器5为止的距离全部变得相等。各离子发 生器5的离子的供给方位被设定为水平方向。在这种构成中，通过一个离子发生器5在晶 片W的表面附近生成的电位梯度也由相对置的另一离子发生器5的电位梯度平均。因此， 能够获得与第一实施方式同样的效果。[第二实施方式]图10表示第二实施方式的环境气氛净化装置。在该实施方式中，放置有晶片W的 区域的上方区域与其周边区域，换言之，在放置有晶片W的区域与其周围的区域的上方区 域，配置有离子发生器5。更详细地来说，在装置的上部，多个(图10中13个)离子发生器 5呈交错状排列。各离子发生器5的离子的供给方位是下方、例如正下方。这种离子发生器 5的配置布局特别适于输送晶片W的输送环境气氛(输送路径上的环境气氛)。在此，所谓 “输送环境气氛”可以举出例如腔室内。但是，也可以是为了在晶片W上形成抗蚀膜和绝缘 膜等涂敷膜，而在各工艺单元(涂敷涂敷液的单元和加热单元等)之间输送晶片W用的输 送区域。图11A和图11B是第二实施方式的变形例。图11A和图11B中，用R6表示的线是 腔室的壁部或者输送区域内的假想线。8是输送晶片W的输送装置，为了方便起见仅图示了保持晶片W的保持臂9的局部。向晶片W上，自直流电源63经由输送装置8供给有正电 压。该输送装置8进退自由、绕铅垂轴自由旋转、以及自由升降地构成。在该例子中，在包 含输送晶片W的输送区域的上方区域的区域，换言之在晶片W被输送装置8输送的区域与 其周围的区域的上方区域，多个(图11中为18个)离子发生器5呈交错状排列。以下，针对将该第二实施方式进一步具体化的例子进行叙述。在图12和图13中 示出了称作多腔室的装置。该装置具备大气输送室14、在大气输送室14内设置的第一输 送装置13、在大气输送室14的图示前面侧放置波纹管形的晶片运载器即套环的套环载置 台11a 11c、设置在与各套环载置台11a 11c对应的大气输送室14的侧壁的搬入搬出 门12a 12c。此外，在大气输送室14中具备被收纳在定向器容器41中的定向器4，该定 向器4是进行被搬入多腔室内的晶片W的朝向调整以及定位的功能模块。此外，在大气输送室14的上部设有构成第一气流形成机构的FFU15a 15c。 FFU15a 15c包括在框体内存放有由旋转叶片和电机构成的风扇的风扇单元；存放配置 在风扇单元的吹出侧的例如ULPA (Ultra Low Penetration Air 超低渗透空气)过滤器的 过滤器单元。此外，在大气输送室14的下部，以与FFU15a 15c对置的方式设有构成第二气流 形成机构的排气FFU16。排气FFU16，除了替代ULPA过滤器，设有除了除去氧气的化学过滤 器单元之外，是与FFU15a 15c相同的构成。然后，通过第一气流形成机构和第二气流形成机构，在大气输送室14的内部形成 清洁空气的下降流。由此，大气输送室14内成为由清洁空气构成的迷你环境。此外，如图13所示，在大气输送室14中搬入搬出门12a 12c的对面一侧的壁上 设有2个闸门G1。经这些闸门G1，连接着在内部分别设置了第二输送装置21a、21b的加载 锁定室22a、22b。经闸门G2，使加载锁定室22a、22b与处理容器31a、31b相连接，经排气管 24a,24b使加载锁定室22a、22b与真空泵23a、23b相连接。由此，在关闭了闸门Gl、G2的 状态下，加载锁定室22a、22b内的压力可以在规定的真空环境气氛和常压环境气氛之间切 换。在这种多腔室装置中，从放置在套环载置台11a 11c上的套环，通过第一输送装 置13取出晶片W，向定向器4搬入，进行晶片W的朝向调整和定位。其后通过第一输送装 置13从定向器4搬出晶片W，开放闸门G1，将晶片W移交到第二输送装置21a、21b的某一 个。在接到了晶片W的加载锁定室22a、22b中，关闭了闸门G1后，根据需要，对加载锁定室 22a、22b内进行减压而变更为规定的真空环境气氛。其后，打开闸门G2，将晶片W搬到处理 装置31a、31b。然后在处理装置31a、31b中进行例如蚀刻处理等。在这种多腔室装置中，如图14和图15所示，在大气输送室14的FFU15a 15c的 下方侧，多个离子发生器5以与图11A和图11B类似的方式设置。由此，通过离子发生器5 将大气输送室14内的清洁空气的下降流离子化。而且，在第一输送装置13设有对晶片W 施加与下降流相同极性的电压的未图示的电压施加机构，从而能够对所输送的晶片W施加 电压。如上所述，在将离子发生器5呈格子状(在格子的交点上配置了离子发生器5的 布局)或者呈交错状排列的情况下，无论将晶片W放置在哪个位置，在从晶片W观察离子发 生器5时，离子发生器5的配置的偏倚程度都很少，能够获得由一个离子发生器5在晶片W
9的表面附近产生的电位梯度被另一个离子发生器5的电位梯度平衡的作用。根据如图7所 示的第二实验的结果可知，在晶片W的正上方呈一列地设有3个离子发生器5的情况下，具 有显著的减低颗粒附着的效果，但在第二实施方式的各构成中，能够获得更加优异的减低 颗粒附着的效果。该实施方式，可以说是将包含晶片的上方区域的区域分割为多个四边形(正方 形、长方形或者平行四边形)，在该四边形的交点上配置离子发生器5、或者呈交错状配置 的例子。进而，本实施方式，在平面的布局上，也可以变形为将离子发生器5呈两列配置，在 该两列之间(中央)沿该列延伸的方向形成输送路的构成。例如，可以变形为删除图15的 离子发生器5的3列的中央的列，沿该中央的列形成有输送路的构成。此时，一方的列的离 子发生器5与另一方的列的离子发生器5隔着输送路相互对置。但是，离子发生器5的配置不限于上述的例子。从图7所示的第二实验结果来看， 在晶片W所处的区域的上方位置，通过将多个离子发生器5相互在横向上分开地配置，可以 期待颗粒对晶片W的附着减低的效果。此时，在晶片W所处的环境气氛是晶片W的输送区 域的情况下，优选多个离子发生器5沿晶片W的输送方向例如呈一列或者交错状配置。此 时，更优选配置在晶片W的输送路的正上方区域(在从上方看时输送区域与离子发生器5 重叠)。进而，作为离子发生器5的配置布局，优选即使晶片W位于输送路的任一位置在其 正上方也至少配置有一个离子发生器这样的配置布局。[第三实施方式]此外，在本发明中，也可以根据晶片W的位置控制各离子发生器5的电极的施加电 压。这种实施方式如下所述。图16表示本发明的第三实施方式的液处理系统的一例。该例子是通过涂敷涂敷 液而形成绝缘膜和抗蚀膜的液处理系统的基本构成例。100是晶片的搬入搬出口，具有交接 台。101是大气输送区域，在该区域的两侧排列着多个处理单元102。在大气输送区域101 以可沿引导件104移动的方式形成例如进退自由且可绕铅直轴自由旋转的由关节臂构成 的输送装置103。从外部搬入到搬入搬出口 100的晶片W通过输送装置103被依次输送到 处理单元102。处理单元102相当于在晶片W上涂敷涂敷液的涂敷单元、使涂敷后的晶片减 压干燥的干燥单元、对减压干燥后的晶片进行烘干处理的烘干单元等。在这种液处理系统中，预先决定晶片W相对于处理单元组的输送顺序。根据处理 单元102的处理状况，如图17所示，存在使晶片W在某个处理单元102之前等待的情况。如 图17所示，沿X方向呈直线状排列的离子发生器5的列相对于引导件104对称，例如呈L1、 L2、L3这3列地配置。并且，如上所述，在晶片W在输送机构上等待时，与位于第二列的列 L2上的离子发生器5F相比，位于第三列的列L3上的离子发生器5G更接近晶片W的中心。此时，当给离子发生器5F和离子发生器5G的电极针施加相同大小的电压时，如根 据上述的第二实验的结果可知的那样，在离子发生器5侧的区域中，基于来自离子发生器5 的电力线，电位变高，颗粒被拉向离子发生器5G侧的晶片W。为了改正该问题，在使晶片W 待机时，用控制部110调整施加给其待机位置是投影区域的离子发生器5G的电压，以使得 施加给离子发生器5G的电压变小。另一方面，如图16所示，在晶片W在引导件104上被输送时，第二列的列L2的离 子发生器5F距离晶片W的中心近。此时，位于第一列的列L1和第三列的列L3的离子发生器5E、5G自晶片W的周缘部等距离地离开。此时，为了基于来自离子发生器5F的电力线， 改正晶片W的电位局部地变高的情况，需要用控制部110调整施加给第二列的列L2的离子 发生器5F的电压，以使得施加给第一列和第三列的列L1和列L3的离子发生器5E、5G的电 压变小。调整后的电压也可以根据晶片W的中心位置和各列L1、L2、L3上配置的离子发生 器的距离之比来决定。图18是第三实施方式的变形例，在包含晶片W的输送区域的上方区域的区域，换 言之，在通过引导件104输送晶片W的全部区域和其周围区域的上方区域，将多个(在图18 中为18个)离子发生器5呈交错状排列。由此，晶片W总是在离子发生器5的投影区域中 被输送，总是带电了的下降流被供给。即使在这种第三实施方式的变形例中，离子发生器5 也呈格子状或者交错状排列，因此由一个离子发生器5在晶片W的表面附近产生的电位梯 度由另一个离子发生器5的电位梯度平衡，能够获得与第二实施方式的环境气氛净化装置 同样的效果。另外，在输送区域的上方配置离子发生器5的情况下，不限定于以与装置主体上 表面的各边对应的直角坐标中的坐标为基础，在与将该上表面(区域)分割成多个四边形 时各四边形的顶点对应的各位置配置离子发生器5、或者交错状配置离子发生器5的方式。 例如也可以以与装置主体上表面的各边斜交的坐标系中的坐标为基础，决定离子发生器的 配置位置。另外，本发明只要是必须净化作业环境的气氛的装置就能够应用于任何装置。例 如，不限于半导体制造工厂，也适用于小丸状的医药制造工厂等。
权利要求
一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备在被处理体所处的环境气氛内形成下降流的机构；多个离子发生器，它们位于被处理体的上方位置，且在从上方所见的布局中隔着上述被处理体对称地配置，对各上述下降流向横向供给正或负的任一方的离子；向上述被处理体施加与施加到上述多个离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压的机构，上述对称地配置的离子发生器配置成相互面对。
2.根据权利要求1所述的环境气氛净化装置，其特征在于，上述对称地配置的离子发 生器彼此的组构成为，沿被处理体的周围设置多个组。
3.根据权利要求1或2所述的环境气氛净化装置，其特征在于，通过沿被处理体的周围 排列的多个离子发生器形成集团，该集团彼此在从上方所见的布局中隔着上述被处理体对 称地配置。
4.根据权利要求3所述的环境气氛净化装置，其特征在于，上述集团是多个离子发生 器呈一横列排列配置而成的集团。
5.根据权利要求1所述的环境气氛净化装置，其特征在于，具备输送被处理体的带状的输送路，在该输送路的两侧分别将多个离子发生器在俯视的布局中呈一列排列地配置。
6.一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备在被处理体所处的环境气氛中形成下 降流的机构；多个离子发生器，它们在被处理体的上方位置相互在横向分离地配置，且对各 上述下降流向下方供给正或负中的任一方的离子；向上述被处理体施加与施加到上述多个 离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压的机构。
7.根据权利要求6所述的环境气氛净化装置，其特征在于，被处理体所处的环境气氛是利用输送装置输送被处理体的环境气氛，上述多个离子发生器沿被处理体的输送方向配置。
8.根据权利要求7所述的环境气氛净化装置，其特征在于，多个离子发生器配置在被 处理体的输送路的正上方。
9.根据权利要求6所述的环境气氛净化装置，其特征在于，被处理体所处的环境气氛 是利用输送装置输送被处理体的环境气氛，上述多个离子发生器，在从上方所见的布局中，配置在与将区域分割为相互大小相同 的多个四边形时各四边形的顶点对应的位置。
10.根据权利要求6所述的环境气氛净化装置，其特征在于，被处理体所处的环境气氛 是利用输送装置输送被处理体的环境气氛，上述多个离子发生器，在从上方所见的布局中，呈交错状配置。
11.根据权利要求9或者10所述的环境气氛净化装置，其特征在于，上述多个离子发生 器的布局是在水平面上相互正交的X方向和Y方向的任一方向上都形成有3列以上的离子 发生器的列的布局。
12.—种环境气氛净化装置，其特征在于，具备在通过输送装置输送被处理体的环境 气氛中形成下降流的机构；多个离子发生器，它们位于被处理体的输送区域的上方位置，且 在从上方所见的布局中配置有多个，对各上述下降流供给正或负任一方的离子；向上述被 处理体施加与施加到这些多个离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压的机构；根据 被处理体的位置控制施加到上述离子发生器的电极上的电压的大小的机构。全文摘要
本发明是一种环境气氛净化装置，其特征在于，具备在被处理体所处的环境气氛中形成下降流的机构；多个离子发生器，它们位于被处理体的上方位置，且在从上方所见的布局中隔着上述被处理体对称地配置，对各上述下降流向横向供给正或负的任一方的离子；向上述被处理体施加与施加到上述多个离子发生器的电极的电压相同符号的直流电压的机构，上述对称地配置的离子发生器配置成相互面对。
文档编号H01L21/304GK101933120SQ20098010359
公开日2010年12月29日 申请日期2009年4月13日 优先权日2008年4月14日
发明者及川纯史, 林辉幸, 田村明威 申请人:东京毅力科创株式会社