封装的电子设备及其制备方法

专利名称：封装的电子设备及其制备方法
技术领域：
本发明涉及封装的电子设备。本发明还涉及封装的电子设备的制备方法。
背景技术：
新一代薄膜基设备，例如发光和显示用的有机发光二极管(OLED)、薄膜电池、薄膜 有机太阳能电池、电致变色箔、电泳显示器等，具有成为电子系统下一代革新的潜能。这些 薄膜设备必需防止湿气污染。为此，最近十年已开发了几种薄膜屏障涂层，它们都是以有机 和无机层的堆叠层为基础。其一个实例描述在US 2001/0015620中。其中所述的防湿气薄膜基设备包括一基 底，它具有第一聚合物层的顶部、在所述第一聚合物层上的第一陶瓷层、和在所述第一陶瓷 层上的第二聚合物层。将一有机发光设备构造于该基底上面的所述第二聚合物层上。在该 有机发光设备上沉积一包覆层。该包覆层相继包括在其上具有第二陶瓷层的第三聚合物层 和在所述第二陶瓷层上的第四聚合物层。基底和包覆层作为柔性环境的屏障封装有机发光 设备。尽管上述US 2001/0015620中所述的构造明显提高了 OLED的寿命，但是本发明人 已观察到已知设备仍然会由于湿气而逐渐老化。

发明内容
本发明的一个目的是提供一种改进的封装的电子设备。本发明的另一目的是提供一种改进的封装的电子设备的制备方法。根据本发明的一个方面，提供了一种封装的电子设备，其包括-包含至少一个无机层和至少一个有机层的第一屏障结构，-包含至少一个无机层和至少一个有机层的第二屏障结构，-设于所述第一和所述第二屏障结构之间的电子设备。所述第一屏障结构的所述至少一个无机层和所述第二屏障结构的所述至少一个 无机层彼此接触于电子设备所占的区域的外面。这样阻止了湿气从侧面渗透到电子设备。 尽管如果所述无机层彼此接触在电子设备的四周的一部分，已经使得湿气的渗透大大降 低，但是优选所述无机层基本上彼此接触在电子设备的整个周围。于是所述第一屏障结构 的所述至少一个无机层和所述第二屏障结构的所述至少一个无机层共同横向封装电子设 备。然而所述无机层之间的接触可能会受与电子设备相连的电导体的干扰。与此相反，在已知设备中这些无机层用有机层隔开。因此这些无机层不能防止设 备周围的湿气横向透过设备。在一个实施方式中，所述第一屏障结构包含第一无机层、形成所述至少一个有机 层的第一有机层和形成所述至少一个无机层的第二无机层，所述第一有机层设于所述第一 和所述第二无机层之间。顺便提一下，可能存在有机层有微孔，它能够形成湿气的通路的情 况。在该实施方式中，即使所述第一和所述第二无机层具有微孔，然而这些层中的微孔彼此相对配置的可能性小。因此，湿气渗漏的可能性基本上被降低。类似的理由，如果所述第二屏障结构包含形成所述至少一个无机层的第三无机 层、形成所述至少一个有机层的第二有机层和第四无机层，所述第二有机层设于所述第三 和所述第四无机层之间，将是有益的。如果至少一个有机层包含吸湿剂，将获得更好的防湿气性。封装的电子设备的一个实施方式的特征在于所述第一屏障结构和所述第二屏障 结构具有基本上相等的厚度和构造。在该实施方式中，当封装的电子设备弯曲时，在屏障结 构之间的电子设备的变形量尽可能小。封装的电子设备的一个实施方式的特征在于所述电子设备是OLED设备，并且特 征在于在至少一个屏障结构的远离电子设备的一侧上施加图案化的另外的有机层。这种图 案化的另外的有机层改善了 OLED产生的可见或不可见辐射的输出效率。另外该图案可用 于控制辐射从封装的电子设备发出的方向。另外，或者此外，封装的电子设备的特征可以在 于包含光学活性粒子的至少一个有机层。同样，以此方式，也可以改善光的输出耦合。例如 在一个实施方式中，所述光学活性粒子是微透镜。在另一实施方式中，所述光学活性粒子是 散射粒子。本发明的封装的电子设备可以用包括下面步骤的本发明方法制得-提供基底，_顺序地，按照以下子步骤在所述基底上提供封装的电子设备，_提供具有至少一个无机层和至少一个有机层的第一屏障结构，-提供电子设备，-提供具有至少一个无机层和至少一个有机层的第二屏障结构，特征在于所述第二屏障结构的所述至少一个无机层与所述第一屏障结构的所述 至少一个无机层接触。以此方式，获得一种封装的电子设备。由于基底提供了刚度，因此在构造时所述基底有利于薄膜基设备的处理。然而希 望最后除去所述基底，因为经常优选最终产品更有柔性。然而已观察到去除所述基底容易 导致产品过早受损并因此导致加工工艺的产率降低。根据本发明方法的一个优选实施方 式，封装的电子设备在其完成之后从所述基底剥离并且所述基底由无机材料制成。本发明 人者们发现本方法的该实施方式与从封装的电子产品除去有机材料的基底的方法相比，产 率提高。推测产率的提高是由于无机材料从环境吸附尘粒要比用有机材料的情形少。基底 上的尘粒易于使无机层中出现针孔，导致湿气渗漏到电子设备中。封装的电子设备的制备方法的一个优选实施方式的特征在于所述基底或在其上 的剥离层是图案化的。该图案化的(波纹状的)基底或剥离层然后起施加在所述基底上的 所述第一无机层的模板的作用。波纹状的设备_空气界面通过全内反射降低光的捕获使得 从设备的光提取(light extraction)提高20-40%。通过以此方式施加波纹状的所述第一 无机层，在没有另外加工步骤的情况下提高了封装的电子设备的输出效率。而且与将单个 波纹层粘附到设备表面的情形相比，在活性层和外表面之间的(反射)界面的数量减少。各种形状和大小的波纹都适合改善光输出，例如光栅或微透镜形状的波纹都使从 设备的光输出提高至大致相同的水平。已确定波纹深度是重要因素，深度约0.5微米是发白光设备典型有 效的深度。通过许多常规技术可以实现产生可除去基底的“印模”波纹，例如通过使用蚀刻技 术获得良好确定的表面或者通过喷(沙)法获得较低良好确定的表面。为了便于设备与基底分离，可以使用剥离支撑层，之后如果需要的话可以从设备 表面洗去。该剥离支撑层，简称为剥离层，与波纹图案尺寸相比应相对较薄，这样波纹图案 不会受到大的影响。优选剥离层的厚度比波纹图案的尺寸少5倍。在将设备从基底取下之 后可以将剥离层从设备洗去。无机层可以通过各种物理蒸汽沉积法涂敷，例如热蒸发、电子束蒸发、溅射、磁控 管溅射、反应性溅射、反应性蒸发等，也可以使用各种化学蒸汽沉积法，例如热化学蒸汽沉 积(CVD)、光辅助的化学蒸汽沉积(PACVD)、等离子体强化的化学蒸汽沉积(PECVD)，等等。有机层可以通过各种涂布技术涂敷，例如旋涂、槽模涂布、接触涂布、热融涂布、喷 涂等，也可以使用各种印刷技术，例如喷墨印刷、凹版印刷、胶版印刷、筛网印刷、旋转筛网 印刷等。附图简述参照附图更详细地描述这些和其它方面，其中

图1显示本发明的封装的电子设备的第一实施方式，图IA显示在基底的本发明的多个封装的电子设备，图2A-2K显示本发明的封装的电子设备的制备方法的各个步骤，图3显示本发明的封装的电子设备的第二实施方式，图4显示本发明的封装的电子设备的第三实施方式，图5A、5B显示本发明的封装的电子设备的第四实施方式。
具体实施例方式下面的详细描述中描述了许多具体细节，这样是为了更充分地理解本发明。然而， 本领域技术人员应理解在没有这些具体细节的情况下本发明也可以实施。在一些情况下， 公知的方法、步骤和组分未详细描述，这样以使本发明的特征更加清楚。下面参照附图更详细地描述本发明，其中显示了本发明的具体实施方式
。然而，本 发明可以许多不同的方式实施，并且不应解释为限于本文所述具体实施方式
。而且，提供 这些具体实施方式
以使其内容更充分完整，并且将本发明的范围充分传达给本领域技术人 员。在这些附图中，为了清楚起见可能将层和区域的大小和相对尺寸扩大了。下面参照为 本发明的理想的实施方式(和中间结构)的示意图的截面图描述本发明的具体实施方式
。 同样，例如加工工艺和/或公差引起的描述的形状的偏差也是可以预期的。因此，不应将本 发明的具体实施方式
解释为对本文所述区域的特定形状的限制，但是应包括例如因加工引 起的形状的偏差。因此，图中所述区域自然是示意性的，并且它们的形状不打算描述设备区 域的实际形状，而且不打算限制本发明的范围。应理解当元件或层位于另一元件或层“上面”、“与之相连”或者“与之耦合”时，它 可以直接位于另一元件或层上、与之相连或者与之耦合，或者可以存在插入的元件或层。相 反，当描述元件“直接在另一元件或层上”、“直接与之相连”或者“直接与之耦合”时，则没 有插入的元件或层。相同数字代表相同元件。本文所用的术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意和所有组合。
应理解，尽管术语第一、第二、第三等用于本文可以描述各种元件、组分、区域、层 和/或截面，这些元件、组分、区域、层和/或截面不应受这些术语的限制。这些术语仅用于 将一个元件、组分、区域、层或截面与另一区域、层或截面区别。因此，下面讨论的第一元件、 组分、区域、层或截面也可称之为第二元件、组分、区域、层或截面，不会背离本发明的教导。空间相对术语，例如“之下”、“下方”、“下面”、“上面”、“上部”等，用于本文便于描 述附图所示一个元件或特征相对另一元件或特征的关系。应理解除了附图中所述的取向之 夕卜，空间相对术语还将包括设备使用或操作时的不同取向。例如，如果将图中设备翻过来， 在其它元件或特征“下面”或“之下”所述的元件将取向为在其它元件或特征的“上面”。因 此，示例性的术语“下面”可以包括上面和下面两种取向。另外设备也可以取向(旋转90度 或者以其它取向)并相应解释本文所用的空间相对描述符(descriptors)。除非另有说明，本文所用所有术语(包括技术和科技术语)具有本发明所属技术 领域的普通技术人员通常理解相同的含义。还应理解术语，例如常用词典中定义的哪些，应 解释为具有相关领域的含义，并且不以理想化或过度正式地解释，除非本文有特别的定义。 如果冲突的话，本说明书，包括定义，将优先适用。此外，这些材料、方法和实例仅仅是描述 性的，而不是限制性的。图1显示用本发明方法获得的封装的电子设备的一个实例。封装的电子设备包括封装于第一屏障结构20和第二屏障结构30之间的电子设备 10。更具体地说，所述第一屏障结构20包含至少一个无机层24和至少一个有机层23。 同样，所述第二屏障结构30包含至少一个无机层31和至少一个有机层32。所述第一屏障 结构20的所述至少一个无机层24和所述第二屏障结构30的所述至少一个无机层31彼此 接触于电子设备10所占的区域A的外面。有机层可以包括吸湿剂。为此目的合适的有机 材料可以包括，但不限于_(聚)烷氧基硅烷类(其实例包括，但不限于3_三甲氧基甲硅烷基丙基甲基丙 烯酸酯)、_(聚)异氰酸酯类(其实例包括，但不限于聚[(异氰酸苯酯)_共_甲醛])、_(聚)嗯唑烷类(其实例包括，但不限于3_乙基-2-甲基-2-(3-甲基丁基)_1， 3-嗯唑烷(Zoldine MS-PLUS))、_(聚)酸酐类、_(聚)氰基丙烯酸酯类、-线性多糖(其实例包括，但不限于多糖类、纤维素、羟乙基纤维素)、-环状多糖(其实例包括，但不限于环糊精)合适的无机吸湿剂可以包括，但不限于-碱金属类(其实例包括，但不限于Li、Na、K)、-碱金属氧化物类(其实例包括，但不限于Li20、Na2O,K2O)、-碱土金属类(其实例包括，但不限于Ca、Ba、Mg)、-碱土金属氧化物类(其实例包括，但不限于CaO、BaO,MgO)、-过渡金属类(其实例包括，但不限于Hf、Ti、Al、Cr、V、Zr)、
-过渡金属氧化物类(其实例包括，但不限于PbO、Bi203、SrO,ZnO, CuO)、-氧化硼、-高价金属氯化物例如SiCl4、WC16、ZrCl4, TiCl4, CoCl2,-P2O5、_非晶形氢化碳化硅、-铯的盐(其实例包括，但不限于CsF)、-镧系盐(其实例包括，但不限于=LaF3)、-硅酸盐、-氧化铝、-具有配位数为6的金属的有机金属复合物、_沸石类(其实例包括，但不限于分子筛)、_粘土干燥剂。无机吸湿剂材料优选以颗粒提供于有机层中。具体地说CaO或MgO颗粒适用于此 目的。在所示实施方式中，所述第一屏障结构20包含第一无机层22、形成所述至少一个 有机层的第一有机层23和形成所述至少一个无机层的第二无机层24。所述第一有机层23 设于所述第一和所述第二无机层22、24之间。同样，所述第二屏障结构30包含形成所述至少一个无机层的第三无机层31、形成 所述至少一个有机层的第二有机层32和第四无机层33。所述第二有机层32设于所述第三 和所述第四无机层31、33之间。在所示实施方式中，另外的有机层21施加在至少一个屏障结构20的远离电子设 备10的一侧上。而且，提供剥离层51以将叠层10，20，30从基底剥离。电子设备例如是发光和显示用的有机发光二极管(OLED)、薄膜电池、薄膜有机太 阳能电池、电致变色箔或电泳显示器。无机层具有最大10_4g. m_2. day"1的水蒸气透过率。有机层可以由交联(热固性)材料、弹性体、线性聚合物、或支链或超支链聚合物 体系或者前述任意组合提供，任选填充有无机粒子，其尺寸小至足够保证光透过。该材料 或者由溶液或者以100%固体材料加工。例如可以通过将该湿材料，纯的、或者适当地配备 有光敏或热敏自由基或超酸引发剂，用紫外线、可见光、红外线或热、电子束、g-射线或前述 任意组合辐照进行固化或干燥。有机层的材料优选具有低的特定水蒸气透过率和高的疏水 性。合适的交联(热固性)体系的实例可以是以下任意单一物质或其任意组合脂肪族或 芳香环氧丙烯酸酯类、氨基甲酸酯丙烯酸酯类、聚酯丙烯酸酯类、聚醚丙烯酸酯类、饱和烃 丙烯酸酯类、环氧化物、环氧化物-胺体系、环氧化物-羧酸组合、氧杂环丁烷、乙烯基醚类、 乙烯基衍生物、和硫醇-烯体系。弹性体材料的合适实例有聚硅氧烷类。合适的支链或直 链聚合物体系的实例有下面任意单一的物质或其任意共聚物或物理组合聚丙烯酸酯类、 聚酯类、聚醚类、聚丙烯类、聚乙烯类、聚丁二烯类、聚降冰片烯、环烯烃共聚物、聚偏二氟乙 烯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚六氟丙烯。有机层的厚度可以 在0. 1-100 μ m，优选在5和50 μ m之间。无机层可以是任意陶瓷，包括但不限于金属氧化物，例如氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锡铟(ITO)、金属氮化物，例如氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)，碳化物，例如碳化 硅，金属氧氮化物，例如氧氮化硅，或者任意其它组合如金属氧碳化物、金属碳氮化物、金属 氧碳氮化物。当电子设备具有光学功能时相应地至少一面(基底或包覆层)是基本上透 明的陶瓷。因此合适的材料例如是氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化铟 (In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锡铟(ΙΤ0、In203+Sn02)、(SiC)、氧氮化硅(SiON)及其组合。 无机层实际上比有机层薄得多。无机层的厚度应在IO-IOOOnm的范围内，优选在 100-300nm的范围内。所述第一和第二屏障层的总厚度优选是至少50 μ m。在小于50 μ m,例如20 μ m的 厚度下，所得封装的电子设备易于快速受损。优选总厚度小于500μπι。如果厚度相当大，例 如为Imm时，产品的弹性降低。接下来参照图2Α-2Κ描述本发明的封装的设备的制备方法。图2Α-2Κ分别显示了 该方法的步骤Sl-Sl 1。在步骤Sl中，图2Α所示提供基底50。根据本发明，所述基底由无机材料制成。无 机材料可以包括例如陶瓷材料、玻璃或金属。在步骤2Β中，在所述基底上施加剥离层51。上面所述施加有机层的方法适用于此 目的。剥离层可以包含氧化硅有机基聚合物如聚二甲基硅氧烷(PDMS)，但是替代地可以 包括另一组分以提供加工期间工件与所述基底50的足够粘性，但是需要一旦完成可以容 易地剥离。出人意料地，用于OLED设备，如PEDOT和LEP的活性层的材料也适用于此目的。 从所述基底50剥离完成的产品时，剥离层51可以与产品保持在一起，或者可以与所述基底 50保持在一起。如果剥离层与所述基底保持在一起，它可以重复使用或者除去。在步骤S3-S5中，在剥离层上施加第一屏障结构20。在所示实施方式中这些步骤 包括步骤S4，其中施加第一无机层22，步骤S5，其中在第一无机层22上施加第一有机层23，和步骤S6，其中在第一有机层23上施加第二无机层24。当在步骤S4之前进行另外步骤S3时，其中在剥离层51上施加另外的有机层21， 这样在第一有机层21上施加第一无机层22。在步骤S7中，构造有机薄膜电子设备。这些设备，例如0LEDs、0FETs、有机太阳能 电池等的结构对本领域技术人员而言为公知，并因此在这里不详述。在步骤S8-S9中，在有机薄膜电子设备的上面施加第二屏障结构30。这些步骤包括步骤S8，其中施加第三无机层31，步骤S9，其中在第三无机层31上施加第二有机层32，和步骤S10，其中在第一有机层32上施加第四无机层33。在接下来的步骤Sll中，如图2K中所示，将前面步骤中形成的产品从基底50剥 离。由此获得图1所示的封装的电子设备。如图IA所示，在单个基底50上可以构建多个 设备。为了清楚起见，在图中没有描述电子设备10与外面导体是如何电连接的。优选电子设备的导电体，例如是铝导线，并具有在依序的无机层24，21之间的钼涂层。其中钼涂层 用作粘合层。该施加导电体的步骤可以根据上述方法在步骤S7和S8之间进行。在另一实 施方式中，与外部导电体的电连接随后提供，例如在步骤2K之后。这可以通过对朝向电子 设备的电插接件的至少一个屏障层分别冲孔并用导电材料填充这些孔而进行。作为一个典型实例，在玻璃基底上形成可紫外线固化的剥离聚合物层。在固化之 后，施加屏障结构，包括氮化硅/有机层/氮化硅层。在屏障结构的上面沉积一 0LED，包括 ITO阳极、PEDOT层、发光聚合物层、和Ca-Al阴极。OLED经另一氮化硅/有机层/氮化硅 屏障结构封装并且最后涂敷另一厚度与第一释放层相等的可紫外线固化的层并固化。这样 获得的设备完全对称。另外地将另一可紫外线固化的层用作抗擦伤层。然后将包括封装的OLED的整个叠层从玻璃基底剥下，获得基本上无应力、高弹性 的设备。作为实例，通过硅烷_氨法在PEV⑶反应器中涂敷厚度在150-300nm的范围内的 SiN无机层。通过旋涂涂敷厚度在20-50 μ m的范围内的丙烯酸酯的有机层。而且ITO阳极 的厚度在130nm的范围内，薄层电阻为20ohmsquare。PEDOT层的厚度为IOOnm并在110°C 干燥。LEP层的厚度为SOnm并且阴极包括厚度5nm Ba的Ba层和厚度为IOOnm Al的Al层 (后者被蒸发)图3显示本发明的封装的电子设备的一个优选实施方式。其中与图1中相应的部 件具有100或更高的附图标记。其中所示封装的电子设备，即OLED包括一图案化的另外的 有机层121，它施加于至少一个屏障结构的远离电子设备的一侧。该另外的有机层中的图案 形成一排微透镜，它们改善OLED的光输出耦合。该实施方式中，另外的有机层121是剥离 层，并且其中图案是通过使用具有在图2A-2K中所述的加工步骤期间获得图案的基底50获 得的。如图3中所示的虚线方式，第二屏障结构130可以包括另外的有机层134。这样实现 第一和所述第二屏障结构120、130具有基本上相等的厚度。图4显示第二优选实施方式。其中与图1相应的部件具有200或更高的附图标记。 图2中剥离层251分别在图2B和2C所述的步骤S2和S3之间提供有远离基底50的图案 化的表面。第一无机层222遵循该图案。这样可以在两个有机层251，223之间获得微透镜 的图案。图5A和5B显示了另一实施方式。在这些图中，与图1中相应的部件的附图标记 为300或更高。该实施方式中，另外的有机层351包括光学活性粒子355，为散射粒子。相 对于具有低折射率(1. 5-1. 6)的有机基质，散射粒子351具有相当高的折射率(例如高于 2)。散射粒子例如是氧化钛(TiO2)或氧化锆(ZrO2)粒子。图5B描述了粒子355的功能。从在位置“a”具有角度分布的OLED的活性层发出 光。射线在“b”撞击粒子散射体并反散射至点“C”，它是OLED的活性层的表面，例如氧化锡 铟层(ITO)。射线在点“C”反射，而且因OLED的有限的反射率而衰弱。射线前进至点“d”， 再散射，并到达顶部空气-玻璃界面点“e”，其入射角超过临界角并且经历全内反射。射线 反射回到散射粒子(“f”)，反散射到空气基底界面(点“g”)。此时入射角小于临界角并 且射线透过界面。或者，另外的层351中的光学活性粒子355可以是微透镜。通过选择光学活性粒 子的分布和形状，可以控制从OLED发射的光的分布。对微透镜所选的材料取决于它们放在 设备中的位置。例如在最外面基底区域上，它们应具有比与微透镜层邻接的层低的折射率，
9并且折射率接近于空气的折射率。如果它们放在聚合物基质中，例如在层323或层332中， 它们可以具有较高的折射率。当为成型透镜时，它们或者可以埋入有机基质中/或者透过 软平版印刷成型等，但是它们也可以在上面，接下来的无机层紧跟它们。这种情况下它们可 以具有与有机层相同或不同的折射率。微透镜主要对空气-基底界面处入射的所有内反射光扩大出射锥形(escape hone)。微透镜简单地将光重新定向，并且没有引入微腔或者其它不需要的附生光学效果。 在比基底的临界角高的角度下光的提取得到强化。微透镜的高度可以在1 μ m至100 μ m的 范围内并且平面大小可相比于或大于从OLEDs发出的可见光的最大波长并小于OLED区域 (例如从Iym至50μπι)。微透镜密度可以从5000至约1 000 000个透镜/mm2并且取决 于它们的大小。微透镜的形状可以加工成使它们不引入角度依赖性或者各向异性。微透镜 可以具有半球形，但是或者可以具有多面体形，例如削去顶部的金字塔形。应理解在本说明书中使用的术语“包括”和/或“包含”，是指存在所述特征、整数、 步骤、操作、元件、和/或组分，但不排除存在或添加一种或多种其它特征、整数、步骤、操 作、元件、组分、和/或其基团。在权利要求书中词语“包括”不排除其它元件或步骤，并且 不定冠词“一”不排除多个。单个组分或其它单元可以完成权利要求书中所述的几项的功 能。特定方式在相互不同的权利要求中被引述的事实并不代表这些措施的组合不能有利地 使用。权利要求书中的任意附图标记不应解释为限制其范围。而且，除非有相反的表述，“或者”是指包容性的并不是排他性的。例如，条件A或 B通过以下任意一种被满足:A是真(或者存在)并且B是假(或者不存在)，A是假(或者 不存在)并且B是真(或者存在)，以及A和B都是真(或者都存在)。
权利要求
1.一种封装的电子设备，其包括-包含至少一个无机层(24)和至少一个有机层(23)的第一屏障结构(20)， -包含至少一个无机层(31)和至少一个有机层(32)的第二屏障结构(30)， _设于所述第一和所述第二屏障结构(20，30)之间的电子设备(10)， 特征在于所述第一屏障结构(20)的所述至少一个无机层(24)和所述第二屏障结构 (30)的所述至少一个无机层(31)彼此接触于电子设备(10)所占的区域㈧的外面。
2.如权利要求1所述的封装的电子设备，特征在于所述第一屏障结构(20)包含第一无 机层(22)、形成所述至少一个有机层的第一有机层(23)和形成所述至少一个无机层的第 二无机层(24)，所述第一有机层(23)设于所述第一和所述第二无机层(22，24)之间。
3.如权利要求1或2所述的封装的电子设备，特征在于所述第二屏障结构(30)包含形 成所述至少一个无机层的第三无机层(31)、形成所述至少一个有机层的第二有机层(32) 和第四无机层(33)，所述第二有机层(32)设于所述第三和所述第四无机层(31，33)之间。
4.如前面权利要求任一项所述的封装的电子设备，其中所述第一屏障结构(200)和所 述第二屏障结构(300)具有基本上相等的厚度。
5.如前面权利要求任一项所述的封装的电子设备，特征在于在至少一个所述屏障结构 (120)的远离电子设备(110)的一侧上施加图案化的另外的有机层(121)。
6.如前面权利要求任一项所述的封装的电子设备，特征在于至少一个有机层(350)包 括光学活性粒子(351)。
7.如权利要求6所述的封装的电子设备，特征在于所述光学活性粒子(351)是微透镜。
8.如权利要求6所述的封装的电子设备，特征在于所述光学活性粒子(351)是散射粒子。
9.如前面权利要求任一项所述的封装的电子设备，特征在于至少一个有机层包含吸湿剂。
10.一种封装的电子设备的制备方法，其包括如下步骤 -提供基底，_顺序地，按照以下子步骤在所述基底上提供封装的电子设备， _提供具有至少一个无机层和至少一个有机层的第一屏障结构， -提供电子设备，_提供具有至少一个无机层和至少一个有机层的第二屏障结构， 特征在于所述第二屏障结构的所述至少一个无机层与所述第一屏障结构的所述至少 一个无机层接触。
11.如权利要求10所述的封装的电子设备的制备方法，特征在于所述封装的电子设备 在其完成之后从所述基底剥离，并且所述基底由无机材料制成。
12.如权利要求11所述的封装的电子设备的制备方法，特征在于所述基底或在所述基 底上提供的剥离层是图案化的。
全文摘要
本发明涉及一种封装的电子设备，其包括包含至少一个无机层(24)和至少一个有机层(23)的第一屏障结构(20)，包含至少一个无机层(31)和至少一个有机层(32)的第二屏障结构(30)，设于所述第一和所述第二屏障结构(20，30)之间的电子设备(10)，特征在于所述第一屏障结构(20)的所述至少一个无机层(24)和所述第二屏障结构(30)的所述至少一个无机层(31)彼此接触于电子设备(10)所占的区域(A)的外面。
文档编号H01L51/52GK102007616SQ200980113027
公开日2011年4月6日 申请日期2009年2月13日 优先权日2008年2月15日
发明者A·M·B·范莫尔, C·塔纳斯, H·利夫卡, L·M·图嫩, P·A·伦星 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司