专利名称：发光二极管的制造设备与方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管的制造设备和方法，更具体地说，涉及一种能够从基底分离薄膜以制造垂直型发光二极管的制造发光二极管的设备和方法。
背景技术：
发光二极管(下面称为LED)是一种公知的用来将电流转换成光的半导体器件。当由半导体制成的有源层中的被从价带越过带隙激发到导带中的电子跃迁回价带时，LED就会发光。电子的这个跃迁能够发射取决于带隙能量的光。因此，LED所发射的光的波长或颜色基于所述有源层半导体来确定，因为所述带隙是相应材料的特殊特性之一。LED用来发射各种颜色范围的光，诸如红色、绿色、蓝色和黄色。然而，LED的局限在于，它是单色光源。有发射白光(包括红、绿和蓝各种光)的需要。例如，使用液晶显示屏 (下文中称作LCD)的笔记本电脑不可避免地需要发射白光的背光单元。通常，白光由白炽灯或荧光灯来提供。在白炽灯的情形中，优点是它很便宜，但其寿命很短并且发光效率低。 荧光灯比白炽灯具有更高的发光效率，但荧光灯的缺点是其寿命有限。另外，荧光灯要求有较大的、重的并且贵的附加部件，诸如稳压器。可以通过将红光、绿光和蓝光LED紧凑地放在一起来制造白光LED光源，其中所述红光、绿光和蓝光LED以合适的比例分别发光。然而，制造蓝光LED的过程却不是容易的，因为很难制造出具有合适带隙的高质量晶体。特别是，如果使用磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs) 和磷化镓(GaP)等化合物半导体，那么很难制成高质量的蓝光LED。尽管有这些困难，但GaN(氮化镓)基蓝光LED已经商用化了。具体说，自从1994 年将GaN基蓝光LED引入市场后，在照明领域，GaN基蓝光LED技术的快速发展使GaN基蓝光LED就效率而言超过了白炽灯或荧光灯。在MP基、GaAs基和GaP基LED的情形中，半导体层生长在导电基底上，因此不难制造出具有p-n结结构的垂直型LED。然而，GaN基LED使用由蓝宝石(Al2O3)形成的基底， 以便减少GaN外延生长期间可能产生的晶体缺陷。在这种情形中，由于蓝宝石是不导电的， 所以一般采用水平型结构，这种结构的第一和第二电极均形成在外延层的上表面上。图1和图2示出了使用蓝宝石基底的根据现有技术的水平型LED。图1是剖面图，示出了根据现有技术的LED 10，如图1所示，在蓝宝石基底11上顺序形成n-GaN层12、具有多量子阱的有源层13、p_GaN层14、以及透明导电层15。然后，在透明导电层15的预定部分上形成第一电极16。
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然后，在包含第一电极16的透明导电层15上用光刻形成光刻胶图案(未示出)， 其中，所述光刻胶图案(未示出)用来露出透明导电层15上没有形成第一电极16的预定部分。在使用所述光刻胶图案作掩膜的情形下，对透明导电层15、p-GaN层14和有源层13 进行选择性刻蚀。此时，n-GaN 12的一部分受到轻微的刻蚀。由于GaN很难刻蚀，所以，相比干法刻蚀，优选湿法刻蚀。通过剥离过程去掉所述光刻胶图案之后，在露出的n-GaN层12上形成第二电极。图2是根据现有技术的LED 10的俯视图，如图2所示，在水平型结构的情形中，第一电极16和第二电极17均需做引线接合(wire bonding)，因此，LED 10的芯片尺寸应该足够大，以确保足够的电极区域，而这就成为提高晶片的单位面积输出的障碍。另外，由于封装过程中的引线键合的复杂性，制造成本会增加。此外，使用不导电的蓝宝石基底11很难将外部提供的静电能释放出去，因此就增加了失效的可能性并降低器件的可靠性。另外，由于蓝宝石基底11的热导率低，因此，很难将LED 10工作所产生的热释放到外部，这就限制了对LED 10施加大电流以获得高输出功率。为了克服使用蓝宝石基底11的水平型LED 10的这些问题，垂直型LED得到了积极的研究和探索，特别是最终产品不包含蓝宝石基底的垂直型LED。图3到图7示出了制造垂直型LED的连续步骤。如图3所示，通过典型的半导体加工技术，例如，MOCVD(金属氧化物化学气相沉积)或MBE (分子束外延)，在蓝宝石基底20上顺序形成包括GaN缓冲层31、n-GaN层32、 具有多量子阱的InGaN/GaN/AlGalnN有源层33和ρ-GaN层34的系列GaN基(GaN-based) 层30。如果在蓝宝石(Al2O3) (001)基底上直接生长GaN薄膜，那么，由于晶格的不连贯，会对所述薄膜的表面均勻性造成不良影响。在这个方面，希望在蓝宝石基底20上首先形成 GaN缓冲层31，然后在GaN缓冲层31上形成其它GaN基层。典型地，蓝宝石基底20的厚度约为330到430微米，而所述系列GaN基层30的总厚度小于约10微米。然后，如图 4 所示，通过 ICP RIE(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching,感应耦合等离子体反应离子刻蚀)方法，穿过所述系列GaN基层30形成多个深槽 30b。每个深槽30b界定一个单个LED。另外，深槽30b用于使单个LED形成为约200微米长、200微米宽的方块。深槽30b自身的宽度小于约10微米。由于所述系列GaN基层30的硬度高，所以，通过RIE (Reactive Ion Kching，反应离子刻蚀)，特别是ICP RIE，来形成深槽30b。为了形成深槽30b，通过旋涂法在GaN基层30上涂覆光刻胶(未示出)，然后通过选择性曝光和显影过程对所述光刻胶进行处理，由此形成光刻胶图案(未示出)。然后，使用所述光刻胶图案作刻蚀掩膜，通过ICP RIE对GaN基层30进行部分刻蚀。与束斑的能量密度相比，束斑的尺寸大到能够使集中在束斑边缘的应力在所述 GaN基外延层引起断裂或裂缝。因此，形成深槽30b的过程是不可避免的。就是说，在进行激光剥离过程以便使蓝宝石基底20与GaN基层30a分离时，应该通过深槽30b来释放在 GaN基层30a中引起断裂或裂缝的应力。因此，在所述激光剥离过程之前不可避免地要进行形成深槽30b的过程，这是广为人知的。在形成深槽30b之后，如图5所示，在GaN基层30a上形成导电支撑层40。 然后，使蓝宝石基底20与GaN基层30a分离。为了使蓝宝石基底20与GaN基层
530a分离，在利用附着在蓝宝石基底20和导电支撑层40上的真空吸盘在相反的方向上拉蓝宝石基底20和导电支撑层40的情形下，使穿过勻束器(未示出)的激光束经蓝宝石基底 20作用到GaN基层30a上。此时，由于应力集中在激光束斑㈧的边缘，因此，应该使激光束斑(A)的边缘作用在深槽30b处。因此，这就引起了与精确调节激光束脉冲照射和精确调节载有晶片的台子的移动有关的困难。当所述激光束经蓝宝石基底20顺序地作用到蓝宝石基底20和GaN基层30a之间的界面的整个区域上时，蓝宝石基底20就与GaN基外延层30a分离开了。在这种情形中， 剩下的外延层30a包括与蓝宝石基底20接触的GaN缓冲层31。因此，需要额外地进行一个过程以去掉GaN缓冲层31。如图6所示，在去掉GaN缓冲层31之后，在各个的n-GaN层3 上形成接触层50。在形成接触层50之后，通过切割过程将各个LED分开。所述切割过程可以通过各种机械或化学方法来进行。图7示出了分成单个LED的最终产品的剖面图。
发明内容
技术问题因此，本发明涉及一种LED制造设备和方法，该设备和方法能够基本上避免现有技术的局限和缺点所导致的一个或多个问题。本发明的一个方面是，提供一种LED制造设备和方法，该设备和方法省掉了在使蓝宝石基底与GaN基外延层分离的过程之前在GaN基外延层中形成深槽的过程，从而能够
提高产率。本发明的另一方面是，提供一种LED制造设备和方法，该设备和方法能够防止对 GaN基外延层造成损坏，所述损坏是在将蓝宝石基底与GaN基外延层分离的激光剥离过程中束斑边缘与GaN基外延层中的深槽不精确对准所造成的，因此能够使过程简化并容易进行。本发明的再一个方面是，提供一种LED制造设备和方法，该设备和方法省掉了在将蓝宝石基底与GaN基外延层分离之后去掉GaN缓冲层的过程，从而能够提高产率。本发明的其它特征和方面将在下面的描述中得以阐明，部分地能从描述中显然看到，或者可以通过对本发明的实践而得知。本发明的目标和其它优点可以根据在书面说明书及其权利要求书以及附图中所具体指出的结构来实现和获得。技术方案为了实现这些优点以及其它优点并且与本发明的目的一致，如在此举例并概括描述的，提供一种LED制造设备，其包括激光束源，用于发射激光束；具有多个孔的网孔型掩膜，用于使所述激光束有选择地通过；以及成像透镜，用于将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦，从而形成多个束斑，以便将基底与形成在该基底上的半导体层分离。在本发明的另一方面，提供一种LED制造方法，其包括在基底上形成半导体层； 在所述半导体层上形成导电支撑层；使激光束穿过具有多个孔的网孔型掩膜，从而形成多个单元束；以及在所述半导体层和所述基底之间的界面处形成多个束斑，其中，所述多个束斑由所述多个单元束通过成像透镜来形成。应该明白，本发明的上述一般性描述和下面的详细描述是示例性的和说明性的，旨在提供如权利要求所声明的本发明的进一步说明。
所包括的用于提供本发明的进一步理解的附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分，这些附图示出了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中图1和图2示出了根据现有技术的水平型LED ；图3到图7示出了根据现有技术的制造垂直型LED的过程；图8到图12示出了根据本发明的一个实施例的制造垂直型LED的过程；图13示出了根据本发明的第一实施例的LED制造设备；图14示出了根据本发明的一个实施例的网孔型掩膜；图15示出了根据本发明的第二实施例的LED制造设备；图16到图19示出了根据本发明的扩束望远镜(beam expanding telescope,BET) 的各种实施例；以及图20到图23示出了根据本发明的第三到第六实施例的LED制造设备。
具体实施例方式下面将详细述及本发明的实施例，其例子在附图中示出。在下文中，将参考附图来描述根据本发明的LED的制造设备和方法。根据本发明的一个实施例，如图8所示，通过典型的半导体工艺技术，例如， MOCVD (Metal Oxide Chemical Vapor D印osition，金属氧化物化学气相沉积)或 MBE (Molecular Beam Epitaxy，分子束外延)，在蓝宝石基底100上顺序形成包括GaN缓冲层210、N型GaN层220、具有多量子阱的MGaN/GaN/AlGalnN有源层230和P型GaN层240 的系列GaN基外延层200。如果在蓝宝石(Al2O3) (001)基底上生长GaN薄膜，那么，由于晶格的不连贯，会对所述薄膜的表面均勻性造成不良影响。在这个方面，希望在蓝宝石基底100上首先形成GaN 缓冲层210，然后在GaN缓冲层210上顺序形成其它GaN基层220、230和M0。典型地，蓝宝石基底100的厚度约为330到430微米，而所述系列GaN基层200的总厚度小于约10微米。然后，如图9所示，在GaN基外延层200上形成导电支撑层300。导电支撑层300 可以通过物理气相沉积、电镀或键合(bonding)来形成。优选地，导电支撑层300的厚度约为500微米或小于500微米，但这不是必须的。导电支撑层300由金属(例如Cu、Au或Al) 形成。然而，导电支撑层300可以由具有导电性的任何材料(例如Si)形成。为了增强GaN基外延层200和导电支撑层300之间的粘合强度，可以在其间额外地引入包括Cr或Au的粘合层(未示出)。然后，通过激光剥离方法使蓝宝石基底100与GaN基外延层200分离。可以通过将激光束穿过蓝宝石基底100作用到GaN基外延层200上来进行所述分离。根据本发明的一个实施例，分离蓝宝石基底100的过程包括这样一个步骤，即，使激光束通过具有多个孔的网孔型掩膜，从而在GaN基外延层200和蓝宝石基底100之间的界面上形成多个束斑(B)。图13示出了根据本发明的第一实施例的LED制造设备500a，图14示出了根据本发明的一个实施例的网孔型掩膜520。根据本发明的第一实施例的设备500a可以是激光剥离设备，它包括激光束源 510，用于发射激光束；具有多个孔521的网孔型掩膜520，用于使激光束源510所发射出的激光束有选择地通过；以及成像透镜530，用于将穿过网孔型掩膜520中的多个孔521的激光束聚焦在目标上从而形成多个束斑(B)。所述激光束的波长可以在约150nm到约IlOOnm之间。激光束源510可以是KrF(氟化氪)准分子激光器或ArF (氟化氩)准分子激光器。所述目标对应着形成在蓝宝石基底100上的GaN基外延层200。所述多个束斑(B) 形成在GaN基外延层200和蓝宝石基底100之间的接触上。就是说，激光束首先穿过网孔型掩膜520中的多个孔521从而分成多个单元束，所述分开的单元束通过成像透镜530进行聚焦，然后，聚焦了的光束穿过蓝宝石基底100作用到GaN基外延层200上，由此在GaN 基外延层200和蓝宝石基底100之间的界面上形成多个束斑(B)。根据本发明的一个实施例，每个束斑(B)形成为满足下列公式的圆形形状1. 67X IO3XTXEd-1 < R < 20X IO3XTXE厂1其中，R表示所述圆形形状的半径(m)，T表示GaN基外延层200的厚度(m)，而& 表示束斑(B)的能量密度(J/cm2)。一般地，GaN基外延层200的厚度约为5到10微米，而束斑(B)的合适的能量密度约为0. 6到2J/cm2。因此，每个束斑(B)的半径约为0. 4到32 微米，优选地，约为5到20微米，但不是必须的。为了使作用到GaN基外延层200上的应力均勻地分散，所述束斑(B)优选具有圆形形状，但不是必须的。另外，如果束斑(B)的半径小于前述范围，那么，束斑(B)的尺寸就太小了，从而降低了效率和产率。如果束斑(B)的半径在大于上述范围，那么，与束斑(B) 的能量密度相比，束斑(B)的尺寸就太大了，由此，应力过度地集中在束斑(B)的边缘，这会导致GaN基外延层200中的断裂和裂缝。根据本发明的一个实施例，当在蓝宝石基底100上施加激光束时，调节束斑(B)的尺寸，使其正比于蓝宝石基底100上的GaN基外延层200的厚度，而反比于束斑(B)的能量密度，从而防止在GaN基外延层200中出现由集中在束斑(B)边缘的应力所导致的断裂或裂缝的。根据本发明，在使蓝宝石基底100与GaN基外延层200分离的激光剥离过程之前， 不需要在GaN基外延层200中形成深槽(集中在束斑边缘的应力通过该深槽释放到外部)。 另外，由于具有合适尺寸的多个束斑(B)是由所述激光束形成的，由此，可以使效率和产率最大化。通过改变网孔型掩膜520的位置可以调节束斑⑶的尺寸。在这种情形中，必须基于网孔型掩膜520的位置变化重新对准所有的光学元件，并改变作用到蓝宝石基底100 上的束斑(B)的能量密度。由此，更希望能够通过改变网孔型掩膜520中的孔521的大小来调节束斑(B)的尺寸，但这不是必须的。如果每个孔521的直径为“D”，那么，就效率和产率而言，相邻的孔521之间的间距优选小于“2D”。
如图9所示，不需要通过使用激光束使形成在GaN基外延层200和蓝宝石基底100 之间的界面上的多个束斑(B)的各个边缘与各个LED (C)精确地对准。由此，不需要对激光束照射和晶片移动进行精确的时序控制，从而能够简化所述过程，并能够容易地完成所述过程且误差最小。如图10和图11所示，当晶片沿着X轴方向移动时，用于形成多个束斑(Bi)的第一脉冲、用于形成多个束斑(B》的第二脉冲以及用于形成多个束斑(Β； )的第三脉冲顺序地作用到所述晶片上，从而将蓝宝石基底100分成单个LED(C)。或者，在载有晶片的台子沿 Y轴方向或X-Y轴方向移动的同时，将激光束作用于其上。如果按前述方法使用激光束脉冲，那么，可以用所述激光束反复照射GaN基外延层200和蓝宝石基底100之间的整个界面区域。在这种情形中，与蓝宝石基底100直接接触的GaN缓冲层210在所述激光剥离过程中可以被完全地去掉。根据本发明，在所述激光剥离过程之后，不需要有额外的过程来去掉GaN缓冲层210，从而使效率和产率最大化。束斑(B)的圆形形状能使作用在GaN基外延层200上的应力均勻地分散，从而使集中在束斑边缘的应力最小化。然而，圆形束斑(B)的几何排列会导致作用的激光束照射的次数随蓝宝石基底100的各个位置而不同。就是说，所作用的激光束照射的次数随蓝宝石基底100的各个区域的相应位置而不同。为了使激光束以相同的激光束照射次数等同地作用在蓝宝石基底100的整个面积上，可以使束斑形成为矩形形状。为了产生矩形束斑，网孔型掩膜520可以具有矩形孔。 在这种情形中，矩形束斑的尺寸可以与圆形束斑的尺寸相同，也可以比它小，由此防止GaN 基外延层200被集中在束斑边缘的应力损坏。在所述激光剥离过程之后，在N型GaN层220上形成接触层400，然后通过切割过程分成单个LED。所述切割过程可以用各种机械或化学方法进行。图12示出了被分成单个 LED的最终产品的剖面图。图15示出了根据本发明的第二实施例的LED制造设备500b。根据本发明的第二实施例的设备500b还包括位于激光束源510和网孔型掩膜520 之间的扩束望远镜(BET)MO。除此之外，设备500b具有与根据本发明的第一实施例的设备 500a中所包含的光学元件相同的光学元件。扩束望远镜(BET) 540对激光束源510所发射的激光束进行扩展，从而扩展激光束照射区域。如果扩展了的激光束与本发明的第一实施例相比穿过网孔型掩膜520中更多的孔521，那么，在蓝宝石基底100上就形成更多的束斑(B)，从而提高了产率。图16到图19示出了根据本发明的扩束望远镜(BET) 540的各种实施例。如图16所示，扩束望远镜(BET) 540包括按顺序对齐的柱面凹透镜541和柱面凸透镜M2。因此，入射到扩束望远镜(BET) 540上的激光束只在单个轴(Y轴)上被扩展。为了在单个轴上扩展激光束，扩束望远镜(BET) 540可以包括两个柱面凸透镜，其中，激光束聚焦在所述两个柱面凸透镜之间的光路上。如图17所示，扩束望远镜(BET) 540包括按顺序对齐的球面凹透镜543和球面凸透镜M4。因此，入射到扩束望远镜(BET) 540上的激光束在两个轴(X-Y轴)上都被扩展了。如图18所示，扩束望远镜(BET) 540包括按顺序对齐的球面凹透镜545和两个柱
9面凸透镜546和M7。在这种情形中，两个柱面凸透镜546和547沿其弯曲方向相互垂直， 从而入射到扩束望远镜(BET) 540上的激光束在两个轴上都被扩展了。如图19所示，扩束望远镜(BET) 540包括按顺序对齐的两个柱面凹透镜和 548b以及两个柱面凸透镜讨如和讨％。如果每个透镜的弯曲方向与邻近透镜的弯曲方向相互垂直，那么，入射到扩束望远镜(BET) 540上的激光束就在两个轴上被扩展。图20到图23示出了根据本发明的第三到第六实施例的LED制造设备。如图20所示，根据本发明的第三实施例的LED制造设备500c还包括被置于激光束源510和网孔型掩膜520之间的场透镜550。除此之外，根据本发明的第三实施例的设备 500c具有与根据本发明的第一实施例的设备500a中所包含的光学元件相同的光学元件。 场透镜550可以是凸透镜或凹透镜。如果场透镜550是凹透镜，那么，与本发明的第一实施例相比，穿过场透镜550的激光束将穿过网孔型掩膜520中更多的孔521，由此，形成在蓝宝石基底100上的束斑(B)的数目就较多，但每个束斑(B)的能量密度变低了。如果场透镜 550是凸透镜，那么，形成在蓝宝石基底100上的束斑(B)的数目就较少，但每个束斑(B)的能量密度变高了。如图21所示，根据本发明的第四实施例的LED制造设备500d还包括被置于激光束源510和场透镜550之间的扩束望远镜(BET)540。除此之外，根据本发明的第四实施例的设备500d具有与本发明的第三实施例所述的设备500c中所包含的光学元件相同的光学元件。如上所述，扩束望远镜(BET) 540可以在单个轴上或在两个轴上扩展激光束。扩束望远镜(BET) 540使得能够在蓝宝石基底100上形成更多的束斑(B)，从而提高产率。如图22所示，根据本发明的第五实施例的LED制造设备500e还包括被置于扩束望远镜(BET) 540和网孔型掩膜520之间的勻束器560。除此之外，根据本发明的第五实施例的设备500e具有与根据本发明的第二实施例的设备500b中所包含的光学元件相同的光学元件。勻束器560提高扩束望远镜(BET) 540所扩展的激光束的能量密度的均勻性，从而在蓝宝石基底100上形成具有均勻的能量密度分布的束斑(B)。如图23所示，根据本发明的第六实施例的LED制造设备500f还包括被置于勻束器560和网孔型掩膜520之间的场透镜550，用来调节其间的间距。除此之外，根据本发明的第六实施例的设备500f具有与根据本发明的第五实施例的设备500e中所包含的光学元件相同的光学元件。因此，根据本发明的LED的制造设备和方法具有下列优点。根据本发明的LED的制造设备和方法省掉了在使蓝宝石基底100与GaN基外延层 200分离的过程之前在GaN基外延层200中形成深槽的麻烦过程，从而能够提高产率。另外，根据本发明的LED的制造设备和方法能够防止对GaN基外延层200造成损坏，这个损坏是在将蓝宝石基底100与GaN基外延层200分离的激光剥离过程中束斑(B) 的边缘与GaN基外延层中的深槽不精确对准所造成的，因此能够使过程简化并容易进行。此外，在将蓝宝石基底100与GaN基外延层200分离之后，不需要去掉GaN缓冲层 210的过程，这样能够提高产率。工业实用性对本领域中的技术人员来说显然的是，在不偏离本发明的精神或范围的情况下可以对本发明做出各种变型和修改。因此，本发明旨在涵盖落在所附权利要求书及其等同物
10的范围内的本发明的变型和修改。
权利要求
1.一种LED制造设备，包括 激光束源，用于发射激光束；网孔型掩膜，所述网孔型掩膜具有多个孔，用于使所述激光束有选择地通过；以及成像透镜，用于通过将穿过所述网孔型掩膜的所述激光束聚焦而形成多个束斑，从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。
2.根据权利要求1所述的设备，还包括被置于所述激光束源和所述网孔型掩膜之间的扩束望远镜。
3.根据权利要求2所述的设备，还包括被置于所述扩束望远镜和所述网孔型掩膜之间的场透镜。
4.根据权利要求1所述的设备，还包括被置于所述激光束源和所述网孔型掩膜之间的勾束器。
5.根据权利要求2所述的设备，还包括被置于所述扩束望远镜和所述网孔型掩膜之间的勻束器。
6.根据权利要求1所述的设备，还包括被置于所述激光束源和所述网孔型掩膜之间的场透镜。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个束斑形成在所述半导体层和所述基底之间的界面上。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，每个所述束斑形成为满足下列公式的圆形形状 1. 67X IO3XTXE;1 < R < 20X IO3XTXEd-1其中，R表示所述圆形形状的半径(m)，T表示所述半导体层的厚度(m)，Ed表示所述束斑的能量密度(J/cm2)。
9.根据权利要求1所述的设备，其中，每个所述孔形成为直径为“D”的圆形形状，并且其中，相邻的所述孔之间的间距小于“ 2D ”。
10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个孔中的每个孔都形成为矩形形状。
11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述网孔型掩膜中的各个孔的尺寸是可变的， 从而调节每个束斑的尺寸。
12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述激光束的波长在约150nm到约IlOOnm之间。
13.一种LED制造方法，包括 在基底上形成半导体层；在所述半导体层上形成导电支撑层；使激光束穿过具有多个孔的网孔型掩膜，从而形成多个单元束；以及在所述半导体层和所述基底之间的界面处形成多个束斑，其中，通过使所述多个单元束穿过成像透镜来形成所述多个束斑。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述多个束斑的步骤包括调节每个束斑的尺寸。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过改变所述网孔型掩膜中的孔的尺寸来执行调节每个束斑的尺寸的步骤。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，每个所述束斑形成为满足下列公式的圆形形状·1. 67X IO3XTXE;1 < R < 20X IO3XTXEd-1其中，R表示所述圆形形状的半径(m)，T表示所述半导体层的厚度(m)，Ed表示所述束斑的能量密度(J/cm2)。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，每个所述束斑都形成为矩形形状。
18.根据权利要求13所述的方法，还包括移动载有所述基底的台子。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述半导体层包括直接形成在所述基底上的缓冲层，并且其中，将所述基底分离的步骤还包括去掉所述缓冲层。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，每个孔形成为直径为“D”的圆形形状，并且其中，相邻的所述孔之间的间距小于“ 2D”。
全文摘要
本发明公开了一种LED的制造设备和方法，所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离，所述设备包括激光束源，用于发射激光束；网孔型掩膜，所述网孔型掩膜具有多个孔，用于使所述激光束有选择地通过；以及成像透镜，用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑，从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。
文档编号H01L33/00GK102388436SQ200980135714
公开日2012年3月21日 申请日期2009年9月21日 优先权日2008年9月23日
发明者柳炳韶 申请人:Qmc株式会社, 柳炳韶