专利名称：含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物、其制备方法与应用的制作方法
技术领域：
本发明属于有机半导体材料技术领域，尤其涉及一种含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物、其制备方法和应用。
背景技术：
聚合物有机半导体材料应用于太阳能电池因为原料价格低廉、质量轻、柔性、生产工艺简单、可用涂布、印刷等方式大面积制备等优点而备受关注，但是现有技术中聚合物有机半导体材料由于相对较低的载流子迁移率，光谱响应与太阳辐射光谱不匹配，高光子通量的红光区没有被有效利用以及载流子的电极收集效率低等原因，使得聚合物有机半导体材料的光电转换效率低下，成为影响其应用的障碍。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物，解决现有技术中有机半导体材料光电转化效率低的技术问题。本发明是这样实现的，一种含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物，该共聚物结构式如下
权利要求
1.一种含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物，具有如下结构式
2.如权利要求1所述的含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物，其特征在于，所述礼、R2 选自C1 C2tl的烷基、C1 C2tl烷氧基、苯基或者C1 C2tl烷氧基苯。
3.如权利要求1所述的含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物，其特征在于，民、R4选自 C1 C20的烷基。
4.如权利要求1所述的含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物，其特征在于，选自 C1 C2tl的烷基、C1 C2tl烷氧基或者苯基。
5.一种含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物制备方法，包括如下步骤分别提供结构式I的萘四羧酸二酰亚胺二溴衍生物和结构式II的2，5-双(4-三丁基锡-噻吩基)噻咯衍生物；无氧条件下，按摩尔比1-2 1将该结构式I的萘四羧酸二酰亚胺二溴衍生物和结构式II的2，5-双(4-三丁基锡-噻吩基)噻咯衍生物溶于有机溶剂中，在50-120°C温度及催化剂条件下，进行Mille耦合反应M-72小时，得到含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物，该反应式表示为
6.如权利要求5所述的含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物制备方法，其特征在于，所述结构式I的萘四羧酸二酰亚胺二溴衍生物和结构式II的2，5-双(4-三丁基锡-噻吩基)噻咯衍生物摩尔比为1-1.5 1。
7.如权利要求5所述的含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物制备方法，其特征在于， 所述催化剂为有机钯或摩尔比为1 1-20的有机钯与有机磷配体的混合物。
8.如权利要求5所述的含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物制备方法，其特征在于， 所述催化剂的加入量是结构式I的萘四羧酸二酰亚胺二溴衍生物和结构式II的2，5-双 (4-三丁基锡-噻吩基)噻咯衍生物总摩尔量的0. 01-30%。
9.如权利要求5所述的含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物制备方法，其特征在于， 所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚、二氧六环、N，N-二甲基甲酰胺、氯苯、苯或甲苯的一种或以上。
10.如权利要求1-5任一项所述的含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物在有机光电材料、有机太阳能电池、有机电致发光显示装置、有机场效应晶体管、有机光存储器件或有机非线性材料中的应用。
全文摘要
本发明适用于有机半导体材料技术领域，提供了一种含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物、其制备方法与应用。该含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物结构式如下。本发明含噻咯单元萘四羧酸二酰亚胺共聚物，通过将萘四羧酸二酰亚胺衍生物单元和双噻吩基噻咯单元聚合，使其具有溶解性好，吸光度强，吸收范围宽的优点，光吸收范围延伸至近红外区，提高了其对太阳光的利用率，同时具有优良的稳定性和电荷传输性能。
文档编号H01L51/30GK102453235SQ20101052538
公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月29日 优先权日2010年10月29日
发明者周明杰, 管榕, 黄杰 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司