专利名称：一种消除光刻针孔危害的可控硅结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉 及一种可控硅结构，尤其涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结 构。
背景技术：
由于生产厂房的净化水平因素，尘埃粒子等颗粒对光刻质量造成了很大影响，尘 埃粒子、其他小颗粒和毛屑等落在了胶膜或光刻版上，都会形成针孔。光刻腐蚀后，此处氧 化层被腐蚀，使得此处对硼扩散的屏障作用消失，造成硼穿透到长基区中，形成尖峰，长基 区实际有效长度缩短，电压降低甚至损坏。因此迫切需要寻找新的可控硅结构以解决上述 问题。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种消除光刻针孔危害的可控硅结构。本实用新型采用的技术方案是一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，所述可控硅片上生成有一 次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述 每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二 次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧 化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧。所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度。本实用新型的优点是彻底消除了针孔危害，大大提高了可控硅产品批次合格率。以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细说明
图1为本实用新型的结构示意图。其中1、可控硅片，2、一次氧化层，3、二次氧化层，4、一次针孔，5、二次针孔，6、硼 扩散穿通环。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片 1，可控硅片1上生成有一次氧化层2、二次氧化层3和硼扩散穿通环6，一次氧化层2上光 刻产生有多个一次针孔4，每个一次针孔4处无一次氧化层2 ；二次氧化层3覆盖于一次氧 化层2和一次针孔4上，二次氧化层3光刻产生有多个二次针孔5，每个二次针孔5处无二 次氧化层3、但不穿透一次氧化层2，硼扩散穿通环6设于一次氧化层2和二次氧化层3的 左右两侧。由于尘埃粒子等几乎不可能在两次光刻中均落在同一个点上，且二次氧化层3薄，腐蚀时间短，所以二次光刻形成的“针孔”并无法严重破坏氧化层，从而能屏蔽硼扩散，氧化层就相当于无任何针孔。从而解决了光刻过程中针孔的问题，大大提高了产品的批次 合格率。 本实用新型的优点是彻底消除了针孔危害，大大提高了可控硅产品批次合格率。
权利要求一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧。
2.根据权利要求1所述的一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，其特征是所述二次氧 化层厚度小于一次氧化层厚度。
专利摘要本实用新型涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二次氧化层和硼扩散穿通环，所述一次氧化层上光刻产生有多个一次针孔，所述每个一次针孔处无一次氧化层；所述二次氧化层覆盖于一次氧化层和一次针孔上，所述二次氧化层光刻产生有多个二次针孔，所述每个二次针孔处无二次氧化层、但不穿透一次氧化层，所述硼扩散穿通环设于一次氧化层和二次氧化层的左右两侧，所述二次氧化层厚度小于一次氧化层厚度。本实用新型的优点是彻底消除了针孔危害，大大提高了可控硅产品批次合格率。
文档编号H01L29/74GK201766078SQ20102024083
公开日2011年3月16日 申请日期2010年6月28日 优先权日2010年6月28日
发明者周健, 朱法扬, 耿开远 申请人:启东吉莱电子有限公司