专利名称：一种镓扩散形成的可控硅穿通结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种镓扩散形成的可控硅穿通结构。
背景技术：
现有技术中的可控硅穿通扩散通常指硼穿通扩散，但是硼穿通扩散温度高，达 到1270摄氏度，扩散时间长，通常要180小时；温度高造成少子寿命大大降低，造成可 控硅阻断电压降低；硼扩散浓度过浓，造成可控硅反向阻断电压降低。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种镓扩散形成的可控硅穿通结构。本实用新型采用的技术方案是一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，还包括镓穿通扩散 区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述两个镓穿通扩散区的上下两角设有 镓腐蚀槽。本实用新型的优点是硼穿通扩散均可在温度1260摄氏度和1270摄氏度下进行 穿通，穿通时间对应为170小时和120小时；穿通温度低、穿通时间短，少子寿命长，可 控硅电压高；镓扩散浓度低，R □约100-200 Ω / □，反向阻断电压低。
图1为本实用新型的结构示意图。其中1、长基区，2、镓穿通扩散区，3、镓腐蚀槽。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长 基区1，还包括镓穿通扩散区2，镓穿通扩散区2设于长基区1的左右两侧，两个镓穿通 扩散区2的上下两角设有镓腐蚀槽3。本实用新型的优点是硼穿通扩散均可在温度1260摄氏度和1270摄氏度下进行 穿通，穿通时间对应为170小时和120小时；穿通温度低、穿通时间短，少子寿命长，可 控硅电压高；镓扩散浓度低，R □约100-200 Ω / □，反向阻断电压低。
权利要求1. 一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，其特征是还包括镓穿通 扩散区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述两个镓穿通扩散区的上下两角 设有镓腐蚀槽。
专利摘要本实用新型涉及一种镓扩散形成的可控硅穿通结构，包括可控硅长基区，其特征是还包括镓穿通扩散区，所述镓穿通扩散区设于长基区的左右两侧，所述两个镓穿通扩散区的上下两角设有镓腐蚀槽。本实用新型的优点是硼穿通扩散均可在温度1260摄氏度和1270摄氏度下进行穿通，穿通时间对应为170小时和120小时；穿通温度低、穿通时间短，少子寿命长，可控硅电压高；镓扩散浓度低，R□约100-200Ω/□，反向阻断电压低。
文档编号H01L29/06GK201804871SQ20102024084
公开日2011年4月20日 申请日期2010年6月28日 优先权日2010年6月28日
发明者周健, 朱法扬, 耿开远 申请人:启东吉莱电子有限公司