薄膜硅串叠型电池的制作方法

专利名称：薄膜硅串叠型电池的制作方法
薄膜硅串叠型电池本发明涉及薄膜硅串叠型电池(tandem cell)，其包括玻璃衬底，其对入射光透明，所述入射光待由所述电池光电转化；在其上的透明导电氧化物顶层；在其上的非晶硅顶部电池；在其上的半透明反射层，其反射主要在波长为500-750nm的光谱中的光；和在其上的微晶底部电池。接着是(仍在入射光方向上)透明导电氧化物底层和在其上的白光反射体。这类薄膜硅串叠型电池的结构示意性地示于

图1中。根据图1，贯穿本发明所论述类型的薄膜硅串叠型电池包括玻璃衬底1，诸如日光的待光电转化的光入射在其上面。在玻璃衬底1上，提供透明导电氧化物层3。该层被称为前TCO层。在所论述的层 3上，存在顶部电池5，其包括正型掺杂(positively doped)层、本征层和负型掺杂层的三层结构p-i-n，其为非晶硅电池。与电池的负型掺杂层和正型掺杂层的概念无关，如果电池的i_层(其为光电活性层)具有非晶娃，则将该电池称为“非晶硅”电池。回到图1，可见在顶部电池5 (非晶硅电池)上存在中间层7，中间层7为半透明反射层。该层7将光反射，由此将主要在波长为500-750nm的光谱中的光反射回到顶部电池 5。在所论述的半透明反射层7上存在底部电池9，其为微晶硅电池。底部电池9包括三层 正型掺杂层、本征层(其为光电活性层)和负型掺杂层。因此，底部电池9也具有p-i-n结构。类似于非晶硅电池，与正型掺杂层和负型掺杂层的概念无关，我们理解，贯穿本说明书和权利要求书，术语“微晶硅电池”指P-i-n结构的电池，其中本征层i具有微晶硅。回到图1，在底部电池9上接着是透明导电氧化物底层11且最后为白光反射体 13。在透射穿过玻璃衬底1之后，入射光穿过前TCO层3，且根据其在与顶部电池5的界面处的表面特征，入射光散射通过顶部电池5散射。通过这样的散射，穿过顶部电池5的光程增加。入射在半透明反射层7上之后，已穿过顶部电池5的一部分光通往并穿过底部电池9，而一部分光被散射并反射回到顶部电池5中。一方面在前TCO 3和顶部电池5的界面与半透明反射层7和所述顶部电池5间的界面之间，存在改善顶部电池5中的转化效率的多次反射。因为非晶硅顶部电池5对于符合约500-750nm的波长的光谱范围中的光有效，所以该光谱为通过半透明反射层反射回到顶部电池5中的光的重要部分。穿过半透明反射层7的光一方面在底部TCO层11和底部电池9之间的界面处反射，且另一方面由白光反射体13反射回到底部电池9。已知半透明反射层7的利用。我们参见例如D. Fischer等，“Hie micromorph solar cell extending A-SI: H technology towards thin-film crystalline siliCOn(非微晶(micromorph)太阳能电池使A-SI :H技术向薄膜结晶硅扩展)”，第25 届 PVSC ； 1996 年 5 月 13-17 日；Washington D.C.、EP 1 650 811、J. Meier 等，"LatestR+D developments of thin-film silicon PV at Oerlikon Solar(Oerlikon Solar薄膜娃PV 的最新 R+D 发展)”，于 “!Proceedings of the 24. EU PVSEC(第 M 届 EU PVSEC 会议录)，Valencia, 2008 年 9 月，报告 3C0. 7. 1"。仍参看图1，应注意到前TCO层材料和底部TCO层材料的折射率通常为约2，而底部电池9的折射率通常为约4。顶部电池5的折射率为约4. 5。因此，为了使半透明反射层 7有效，其材料的折射率必须低于相邻的顶部电池5和底部电池9的折射率，应该低于2. 5。优化这类薄膜硅串叠型电池是迫切需要的任务。这特别是由于优化涵盖了 一方面大规模生产(其应该至少可能获利，而这显著取决于所实现的生产量)的考虑事项，且另一方面光电转化特性的考虑事项。因此，提供光电高效串叠型电池没有多大意义，因为其仅可以极高成本制造，而且，相反地，提供可以低成本制造、但具有低光电转化效率的这类串叠型电池没有多大意义。显著影响生产成本的一个方面是层厚度，这些层遍布串叠型电池结构而使用。因此且特别地，如果论述顶部电池和/或底部电池的厚度且因此论述它们的光电活性i层的厚度，则在降低这些层各自的厚度与保持或甚至增加相应电池的转化效率之间存在明显的折衷。本发明的一个目标在于，同时考虑制造方面以及光电效率方面，对现有串叠型薄膜电池提供改善。因此，重要的是通常注意到，本领域中如上所述的优化致力于在低和最低百分数范围内的改善。在考虑对于光电转化装置的巨大需求时，这变得可以理解。为了解决提供进一步优化的薄膜串叠型电池的目标，根据本发明的串叠型电池包括-玻璃衬底，其对入射光透明，所述入射光待由所述电池光电转化；在其上-透明导电氧化物顶层；在其上-非晶硅顶部电池；在其上-半透明反射层，其反射在500-750nm的波谱中的光；在其上-微晶底部电池；在其上-透明导电氧化物底层；在其上-白光反射体，其中-所述半透明反射层具有η-掺杂的氧化硅且具有低于1.7的折射率η，且其中-所述非晶硅顶部电池的厚度低于200nm。因此，在一个实施方案中，所论述的折射率η为1. 68。在薄膜硅串叠型电池的另一实施方案中，半透明反射层的厚度d为30nm或50nm， 且底部电池的电流低于顶部电池的电流，相差的失配电流JA分别为0. 5mA/cm2和1. 5mA/ cm2，且在标准试验条件下于AM 1.5太阳光谱下光浸润(light soaking) 1000小时之后所述电池的效率为10-10.5%。在刚论述的电池的一个实施方案中，光致衰退(light-induced degradation)低于8.5%、甚至低于8.2%。在所论述的薄膜硅串叠型电池的另一实施方案中，开路电压Vre的光致衰退为 1-2%。在根据本发明的薄膜硅串叠型电池的又一实施方案中，所述半透明反射层的氧化硅具有57% -65%的氧含量。
在根据本发明的电池的又一实施方案中，透明导电氧化物顶层具有低压化学气相 LPCVD沉积的ZnO且具有高于7%的霾系数，由此在另一优选的实施方案中，具有13%的霾系数。在刚论述的电池的另一实施方案中，半透明反射层的厚度选择为30nm或50nm。在所述电池的另一实施方案中，半透明反射层的厚度d选择为5-150nm，由此优选为 20-100nm。本发明进一步涉及制造在串叠型太阳能电池的非晶硅电池和微晶硅电池之间的半透明反射层的方法，所述方法包括通过在约40MHz的激发频率和以下条件下操作的 Rf-PECVD工艺沉积作为η-掺杂的氢化氧化硅η (SiOxH)层的反射层 温度150-250°C 压力0· 3-5 毫巴(mbar) 功率密度:60-250mff/cm2 时间100-4000 秒，且如果利用Oerlikon KAI-M等离子体增强化学气相沉积反应器作为沉积工具，则设置以下气流· SiH4:3-30sccm· H2 :300-3000sccm參 H2 中的 PH3, 2ppm :50_500sccm· CO2 :10-50sccm,由此如果使用不同沉积工具，则使所述气流适应这类不同的沉积工具。在所论述的制造方法的一个实施方案中，压力设定为1-4毫巴，功率密度为 100-200mff/cm2且用于所论述的KAI-M沉积工具设置以下气流· SiH4:4-15sccm· H2 :500-2000sccm參 H2 中的 PH3, 2ppm 100_300sccm· CO2 :10-30sccm。在所论述方法的又一且优选的实施方案中，压力选择为2-3毫巴且功率密度选择为100-170mW/cm2，而时间设定为500-2000秒。且如果利用所论述的KAI-M沉积工具，则选择以下气流· SiH4:4-8sccm· H2 :1400-1700sccm· H2 中的 PH3, 2ppm 150_300sccm參 CO2 :15_25sccm。现将通过实施例并参考附图进一步全面描述本发明。附图显示图2为三组具有不同厚度的顶部电池的串叠型电池在光浸润之后的效率，且在所述组内具有不同厚度的半透明反射层，该效率为电流失配的函数；图3为类似于图2的描绘，来自串叠型电池电流失配的光衰退的相关性按照与顶部电池厚度的相关性分类，如图2 ；图4为图2和3中所论述的串叠型电池所涉及的光浸润引起的Vre损耗；
图5为根据本发明的串叠型电池的特征；图6为未提供根据本发明的η-掺杂的氧化硅半透明反射层的串叠型电池的特征；图7为对于根据本发明的半透明反射层施用的η-掺杂的氧化硅的折射率对氧含量的相关性；图8为对于都作为串叠型电池的前TCO材料的SnO2 (如Asahi U)和SiO，作为波长的函数的光的总透射和漫透射，并共同限定霾系数；图9为沉积在作为前TCO的市售SnA上的没有半透明反射层(P3)、具有30nm厚度的半透明反射层(P1)和具有50nm的半透明反射层(P2)的根据本发明的串叠型电池的全反射光谱；图10为在类似于图9的描绘中，沉积在作为前TCO材料的LPCVD-ZnO上的根据本发明的串叠型电池的光谱，其中一个光谱代表没有半透明反射层的电池(P5)且第二光谱代表具有50nm厚度的半透明反射层的串叠型电池(P4)；图11为具有50nm厚度的半透明反射层的根据本发明的Micromorph串叠型电池的反射光谱，其中光谱P6对应于沉积有LPCVD-ZnO前TCO的串叠型电池，且光谱P7对应于沉积有作为前TCO的SnA材料的所述串叠型电池。首先，描述根据本发明的具有在Oerlikon Solar KAI-M工业反应器中沉积的中间半透明反射层的Micromorph薄膜硅串叠型电池。中间层由η-掺杂的氧化硅组成。在Asahi 透明导电氧化物(TCO)玻璃上的最好串叠型电池在1000小时光浸润之后效率达到10. 4%。 其为在标准试验条件下在AMI. 5太阳光谱下略微底部受限(bottom limited)的电池。在没有半透明反射层的情况下，在光浸润之后Vre没有变化，而在加入半透明反射层后Vre降低 2%。对于不同顶部电池厚度实现5-8. 2%的极低的衰退。如上文所部分论述的，薄膜硅太阳能电池中的挑战包括用尽可能最薄的活性物质层吸收太阳光谱中最多的光子。对于实际的薄膜硅装置，越薄意味着越好更好的稳定效率且更短的工艺时间，最终转化成太阳电池组件的更低成本/瓦特峰值(watt peak)。然而，较薄的活性层需要倾力设计太阳能电池以弥补光吸收降低和所得较低电流密度。“先进光控制”包括增加光到串叠型电池的活性层内的光程。为此目的和参看图1， 使用增加吸收层的“光学厚度”的粗糙透明导电氧化物(TC0)3。此外，在顶部电池5和底部电池9之间施用半透明反射体7，以反射高能光子到高带隙顶部电池5中并传输低能光子到低带隙底部电池9中。最后，加入具有白色介电膏13的粗糙透明导电氧化物11以进一步增加底部电池9的光学厚度。在用于沉积完整串叠型太阳能电池的KAI-M等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 反应器中，实现了基于掺杂氧化硅的层作为具有低于1. 7的折射率的半透明反射层。在引入半透明反射层7时对串叠型太阳能电池的初始电参数没有产生不利影响。然而，在光浸润之后，人们发现开路电压Vre通常降低1-2%，而没有半透明反射层的电池的开路电压
是稳定的。还示出了与顶部电池与底部电池之间的电流失配有关的光浸润之后串叠型电池效率的性状。对于所论述类型的所有串叠型电池(也称为Micromorph电池)，且如现在所实现并研究的，底部电池9的厚度保持恒定。现在加入半透明反射层且根据本发明获得的最好装置略微底部受限，稳定效率为10.4%。
具有半透明反射层7的串叠型电池在以40Mhz激发频率操作的Oerlikon Solar KAI-M PECVD反应器中制造，且在涂覆有透明导电氧化层3的Asahi玻璃上产生。所述电池通过在标准试验条件下用AMI. 5的太阳模拟器进行I-V曲线测量而表征。顶部电池和底部电池的量子效率(QE)曲线用以估算电流失配JA。其表示为顶部电池电流与底部电池电流之差，负失配对应于顶部电池5受限且正失配对应于底部电池9受限。半透明反射层 7的折射率通过数值拟合沉积在玻璃上的层的透射曲线和反射曲线来评估。在50°C温度下的光浸润过程持续1000小时，光强度为约1000W/m2。在具有低于200nm的不同顶部电池5厚度的不同串叠型电池中，获得了两种厚度的半透明反射层30nm和50nm。在引入半透明反射层7时，顶部非晶太阳能电池5的量子效率在500-750nm的区域内增加。对于充分顶部受限的电池，这对应于串叠型电池的电流增加且最终为转化效率的增加。在图2和图3中可以见到串叠型电池的性状。在这些图中，术语“中间层”是指如图1的半透明反射层7，设想其具有η-掺杂的氧化硅，折射率η = 1.68。以论述的组代表具有最薄的顶部电池5的串叠型电池。以bi_b3论述的组论述了与相比具有厚度增加的顶部电池5的串叠型电池。此外，以C1-C3表示的串叠型电池组为相对于组bi-b3的串叠型电池的厚度来说顶部电池5的厚度增加的串叠型电池。电流失配定义为根据下式的顶部电池电流与底部电池电流之差JA = Jqe—顶部-JQE—
底部从图2可以见到，最佳电池效率由略微底部受限的串叠型电池产生，且较厚的半透明反射层7增加效率，条件是底部电池没有过多地限制电池。从图3可以看出，光致衰退低于8. 2%。光浸润在标准试验条件下在AM 1. 5太阳光谱下进行1000小时。与30nm厚的半透明反射层7相比，50nm的半透明反射层7显示顶部电池电流和效率的较高增益，条件是该串叠型电池充分顶部受限。对于-6mA/cm2的电流失配(即顶部受限)来说，在插入50nm半透明反射层7后，效率增加16%。图3表示跨度为5% -8%的太阳能电池光浸润之后的相对衰退(relative degradation)。该低衰退由于在该研究中使用的薄顶部电池5而获得，其中所有顶部电池 5都具有低于200nm的厚度。用半透明反射层7实现10. 4%的最佳稳定效率。对于电流失配为0. 5mA/cm2的略微底部受限的太阳能电池，实现8. 2%的低相对衰退。这证实了半透明反射层7有助于制造更稳定的太阳能电池，这是由于顶部电池5活性层更薄。但是与没有半透明反射层的太阳能电池相比，其不能帮助增加太阳能电池的绝对效率，因为我们在此决定保持底部电池厚度参数恒定。我们还可以在不使用半透明反射层的情况下制造具有相同效率且甚至略高效率 (10. 6% )的电池(在此未示出)。缺点是顶部电池5较厚且光浸润下的相对衰退较大。半透明反射层7的存在最初改善了 Vre。然而，在光浸润之后，这些电池的Vre降低达2.4%，导致与没有该层的电池相比几乎没有净增益。另一方面，没有半透明反射层的参考电池在光浸润之后显示几乎没有降低。这在图4中示出。其中，组&1-￡13、bfbjP (^-￡3论述了在关于图2和3的上下文中定义的相同组。图4揭示对于具有半透明反射层7的电池的开路电压Vre有1-2%的光致衰退且没有所述层7的电池没有损耗。如果没有该Vqc降低，具有在Asahi衬底上的半透明反射层7的最佳电池的稳定效率将接近10. 6%且相对衰退将显著降低到6%。尚未完全理解该Vre损耗的机制。但是基于掺杂的氧化硅的半透明反射层的稳定性可能不够。因此，迄今为止，在装有KAI-M PECVD反应器的单腔室系统中加入具有低于1. 7的低折射率η的半透明反射层可以获得Micromorph串叠型电池。底部受限电池在1000小时光浸润之后实现了 10. 4%的稳定效率。由于引入了半透明反射层，光浸润后的效率损耗对于最佳电池为中等的8. 2 %，且对于具有更强电流失配的电池甚至更低。认为在Asahi衬底上没有半透明反射层的情况下绝对效率更好，其值为10.6%，因此，在这种情况下，越薄实际上并不是越好，因为我们保持了底部电池厚度恒定。图5显示沉积有SnA顶部TCO 3和Asahi玻璃衬底的根据本发明的这类串叠型电池的特征。该电池具有8. 5%的低相对光致衰退。图6出于比较目的显示未提供η-掺杂的氧化硅半透明反射层7 (折射率η < 1.7)的串叠型电池。在图5中，特征S1显示初始特征且特征&为光浸润之后的特征。此外，半透明反射层的η-掺杂的氧化硅材料的极低折射率通过适当设置所述材料中的氧含量来达成。图7显示折射率η对所述氧含量的相关性。请注意，根据本发明论述的材料所采用的低于1. 7的折射率，由在所论述材料中57% -65%的氧含量实现。如从本说明书而显而易见的，迄今为止，通过根据本发明提供半透明反射层，显著降低顶部电池的厚度变得可能。主要通过这类厚度减小，创造了降低串叠型电池的光浸润衰退(如由顶部电池材料所引起)的机会。由此，已经认识到，所得串叠型电池为底部受限的且可能要求较厚的底部电池。应该继续关注半透明反射层材料的短期和长期稳定性。然而，根据本发明所施用的半透明反射层提供大于10_5S/Cm的足够的面外导电率和低的面内导电率，其减少短路(shunting)并避免对于激光切割图案化(laser scribed patterning)的额外需要。所论述的层在可见和红外波长内提供高透射。如已经论述的，串叠型电池用KAI-M反应器在40. 68MHz的等离子体激发频率下产生，且试验电池通过激光切割为界限分明的Icm2来制备。我们现在进行研究具有通过低压化学气相沉积(LPCVD)沉积的ZnO前TCO 3的串叠型电池中的半透明反射层的性状。在如讨论的KAI-M工业PECVD反应器中还沉积了具有基于n_掺杂的氧化硅的半透明反射层的薄膜硅串叠型电池。如所论述，在顶部电池和底部电池之间实施半透明反射层增加了顶部电池的电流。根据这些装置的光学分析，可以观察到归因于加入的半透明反射层的反射光谱的特定特征。具体地说，已经认识到透明导电氧化物(TCO)层粗糙度对电池的反射光谱存在影响。通过使用较粗糙的前TCO层(即LPCVD-ZnO层)，反射损耗降低且光电流增加。与单结电池相比，由顶部非晶(a-Si:H)p-i-n电池3和底部微晶硅 ρ- -η(μ c-Si:H)电池9组成的薄膜硅Micromorph串叠型电池可实现较高初始效率以及较高稳定效率。它们保持了薄膜硅技术的优势，诸如大面积沉积和单片串叠的可能性。 Micromorph串叠型电池的原理通过组合有效吸收可见光的“高带隙”a_Si H顶部电池和有效转化光谱的红光部分和红外部分的“低带隙”(yc-Si:H)底部电池改善在整个日光光谱内的转化。然而，并如所论述的，有效的多结装置需要仔细设计以平衡顶部电池和底部电池二者的光电流，同时保持a_Si:H顶部电池相当薄以限制光致衰退。使用若干先进光控制方案来使顶部电池和底部电池的电流匹配，同时保持顶部电池厚度尽可能薄。如迄今所描述的电池有待于进一步改善。为此，光到串叠型电池的活性层内的光程通过施用粗糙的透明导电氧化物(TCO) 前接触(front contact)而增加。吸收层的光学厚度增加允许顶部电池和底部电池变薄。其次，粗糙的透明导电氧化物背接触(back contact)与白光反射体的组合进一步增加 μ c-Si: H底部电池的光学厚度。在顶部电池和底部电池之间沉积的低折射率(low-index) 半透明反射层反射穿过顶部电池的一部分光。该组合方法使得在顶部电池的电流和稳定性中增益。如果串叠型电池没有仔细设计，由半透明反射层反射的光可能不会在顶部电池5 中有效吸收且可从装置中反射出去。由这类反射引起的该损耗因此可减至最低。这通过施用较粗糙的LPCVD-&iO(生长的)前TCO而不是粗糙度较低的市售SnA实现。如上文论述的串叠型电池已经沉积在市售可得的涂覆SnA的玻璃上，霾系数(漫透射/总透射)为7% ；以及沉积在LPCVD (低压化学气相沉积)反应器中产生的较粗糙的生长的ZnO前TCO层3上，表现出13%的霾系数。在图8中，示出对于低压化学气相沉积的粗糙ZnO和对于市售可得的SnO2用折射率匹配液测量的总透射特征(其依存于光的波长)以及这两种所论述的TCO材料在波长内的漫透射特征。透射和漫透射特征组合定义所论述的霾系数。现在如上论述地制造了所研究的串叠型电池，S卩非晶顶部电池、微晶底部电池和基于氧化硅的中间反射体全部已在Oerlikon KAI-M等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 反应器中在约40MHz的激发频率下制造。中间反射体已经用η-掺杂的氢化氧化硅 η(SiOx:H)获得。用于沉积半透明反射层7的PECVD工艺在下表1所示的条件下进行。确切的沉积频率为40. 68MHz ；但可以使用其它频率。已经发现沉积速率影响反射性质。半透明反射层的总层厚度可在5-150nm之间变化，优选在20_100歷之间变化。用30nm和50nm 进行了实验。半透明反射层中的氧含量影响半透明反射层的性能，因为所述层中的氧增加将降低电导率，但将增强透明度和反射，如图7中所示。已经发现层厚度对于装置的串联电阻不太重要。表权利要求
1.薄膜硅串叠型电池，其包括 玻璃衬底，其对入射光透明，所述入射光待由所述电池光电转化；在其上 透明导电氧化物顶层；在其上 非晶硅顶部电池；在其上 半透明反射层，其反射在500-750nm的波长谱中的光；在其上 微晶底部电池；在其上 透明导电氧化物底层；在其上白光反射体， 其中☆所述半透明反射层具有η-掺杂的氧化硅且具有低于1.7的折射率η，和 ☆所述非晶硅顶部电池的厚度低于200nm。
2.权利要求1的电池，其中所述η为1.68。
3.权利要求1或2中任一项的电池，其中所述半透明反射层的厚度d为30nm或50nm， 且所述底部电池的电流低于所述顶部电池的电流，相差的失配电流JA分别为0. 5mA/cm2 和1. 5mA/cm2，且在标准试验条件下于AM 1. 5太阳光谱下光浸润1000小时之后所述串叠型电池的效率为10-10. 5%。
4.权利要求3的电池，其中光致衰退低于8.2%。
5.权利要求3或4中任一项的电池，其中Vre的光致衰退为1-2%。
6.权利要求1的电池，其中所述氧化硅具有57-65%的氧含量。
7.权利要求1的电池，其中所述透明导电氧化物顶层具有LPCVD沉积的ZnO且具有高于7%的霾系数。
8.权利要求7的电池，其中所述霾系数为13%。
9.权利要求8的电池，其中所述半透明反射层的厚度为30nm或50nm。
10.权利要求7-9中任一项的电池，其中所述半透明反射层的厚度d为5-150nm、优选为 20-100nm。
11.制造在串叠型太阳能电池的非晶硅电池和微晶硅电池之间的半透明反射层的方法，其包括通过具有以下设置的40MHz Rf PECVD工艺沉积作为η-掺杂的氢化氧化硅层的所述反射层温度150-250°C， 压力0. 3-5mbar 功率密度60-250mW/cm2 时间:100-4000秒且如果利用Oerlikon KAI-M等离子体增强化学气相沉积反应器作为沉积工具，设置以下气流SiH4 :3_30sccm H2 :300-3000sccm H2 中的 PH3，2ppm :50_500sccm CO2 :10_50sccm，由此如果使用不同沉积工具，则使所述气流适应这样的不同沉积工具。
12.权利要求11的方法，其中有效的是压力:l-4mbar 功率密度100-200mW/cm2且如果利用Oerlikon KAI-M等离子体增强化学气相沉积反应器作为沉积工具SiH4:4_15sccmH2 :500-2000sccmH2 中的 PH3，2ppm :100_300sccmCO2 :10_30sccmo
13.权利要求11的方法，其中有效的是 压力:2-3mbar 功率密度100-170mW/cm2 时间500-2000sec且如果利用Oerlikon KAI-M等离子体增强化学气相沉积反应器作为沉积工具SiH4:4_8sccmH2 :1400-1700sccmH2 中的 PH3，2ppm :150_300sccmCO2 :15_25sccm0
全文摘要
本发明提供薄膜串叠型光电电池，其包括在玻璃衬底上的前TCO(3)、作为顶部电池(5)的非晶硅电池、半透明反射层(7)、微晶硅底部电池(9)。其中，半透明反射层(7)具有折射率低于1.7的n-掺杂的氧化硅。非晶硅顶部电池(5)的厚度低于200nm。
文档编号H01L31/052GK102282676SQ201080005495
公开日2011年12月14日 申请日期2010年1月18日 优先权日2009年1月19日
发明者C·卢齐厄, J·拜拉特 申请人:欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫)