专利名称：非晶碳氢氮化物(a-CN:H<sub>x</sub>)膜的成膜方法、有机EL器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及例如作为有机EL器件的发光层使用的非晶碳氢氮化物(amorphous hydrocarbon nitride, a-CN:Hx)膜的成膜方法、使用了该非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜的有机EL器件及其制造方法。
背景技术：
近年来，利用使用有机化合物而使其发光的有机电致发光(EL=Electro Luminescence)元件的有机EL显示器备受关注。由于有机EL元件具有自发光、反应速度快、消耗电力低等特征，因此不需要背光源，可以期待在例如携带型机器的显示部等中的应用。作为有机EL元件的发光层研究了各种各样的化合物材料，作为薄膜发光器件之一报道了非晶碳氢氮化物膜(以下，称为3_^扎膜)(例如，参照非专利文献1)。另外，根据非专利文献2，通过使用a_CN:Hx膜作为发光层，能够发出红、绿、蓝三色光，可以认为通过该三原色发出全部颜色的光。此外，在非专利文献1中，通过平行平板型RF磁控管放电方式的等离子体CVD装置，作为材料气体使用甲烷(CH4)气体和氮(N2)形成a-CN:Hx膜。非专利文献1 “高周波，文7 7。口七义d石機能性窒化物薄膜 成膜i ^応用”醍醐佳明，东京电机大学，2005非专利文献 2 :“Studyof Amorphous Carbon Nitride Films Aiming at White Light Emitting Devices”，Kunio Itoh and Yuta lwano，津山高专纪要，第 49 号，200
发明内容
发明所要解决的课题然而，在利用上述非专利文献1中记载的平行平板型RF磁控放电方式的等离子体 CVD装置的a-CN:Hx膜的成膜中，为了使作为材料气体的氮气活化，形成碳-氮键，由于使用由等离子体中的电子温度最大高至IOeV的高磁控放电产生的等离子体进行成膜，因此存在形成的膜本身受到损伤的问题。而且，在等离子体中使作为材料气体的甲烷气体(CH4)和氮汎)反应结合，因此，在形成的a_CN:Hx膜中的碳-氮(C-N)碱的稳定性发生波动，膜中产生悬空键，故而存在a-CNHx膜的特性劣化的问题。因此，本发明的目的在于提供通过使用电子温度比较低的高密度等离子体的方法，以含有碳-氮(C-N)键的碳氢化合物作为材料气体，形成稳定地含有(C-N)键、缺陷少、 特性良好的a_CN:Hx膜的成膜方法。另外，在于提供使用该a_CN:Hx膜的有机器件及其制造方法。用于解决课题的方法根据本发明，提供一种作为有机器件的发光层使用的非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx) 膜的成膜方法，包括作为材料气体向处理容器内供给等离子体激发用气体、含有C-N键的碳氢化合物气体和氮或氨的工序；和通过微波产生上述等离子体激发用气体的等离子体， 通过该等离子体使上述材料气体活化的工序。根据这样的成膜方法，由于在材料气体的阶段使用已经含有C-N键的气体，因此在等离子体中不需要在高能量激发状态使CH4和队反应形成C-N键，可以得到稳定地含有 C-N键、缺陷少、发光特性良好的非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜。另外，根据从另一个观点的本发明，提供一种有机器件的制造方法，其中，在形成有第1导电性电极的被处理体上形成空穴注入输送层，在上述空穴注入输送层上叠层发光层的非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜，在上述非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜上叠层电子注入层，在上述电子注入层上叠层第2导电性电极，叠层以覆盖上述被处理体、第1导电性电极、 上述空穴注入输送层、上述非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜、上述电子注入层、上述第2导电性电极的方式密封的密封膜。此外，根据从另一个观点的本发明，提供一种有机器件，其具备在形成有第1导电性电极的被处理体上形成的空穴注入输送层，在上述空穴注入输送层上叠层的发光层的非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜，在上述非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜上叠层的电子注入层，在上述电子注入层上叠层的第2导电性电极，和以覆盖上述被处理体、上述第1导电性电极、 上述空穴注入输送层、上述非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜、上述电子注入层、上述第2导电性电极的方式密封的密封膜。发明的效果根据本发明，通过使用电子温度比较低的高密度等离子体的方法，以含有碳-氮 (C-N)键的碳氢化合物气体作为材料气体，实现了形成稳定地含有碳-氮(C-N)键、缺陷少、 特性良好的a_CN:Hx膜的成膜方法，还提供使用了该a_CN:Hx膜的有机器件及其制造方法。
图1是表示本发明的实施方式相关的有机器件的制造工序的说明图。图2是本发明的实施方式相关的基板处理系统的说明图。图3是本发明相关的蒸镀处理装置30的概略的说明图。图4是本发明的实施方式相关的RLSA型等离子体处理装置的说明图。图5是本发明的其它实施方式相关的RLSA型微波等离子体处理装置PM2 ‘的说明图。符号说明L···基板处理装置10. 第1导电性电极11. 空穴注入输送层12. 发光层(&-^扎膜)13. 电子注入层14. 第2导电性电极15. 密封膜20. 控制装置30. 蒸镀处理装置
具体实施例方式以下，参照
本发明的实施方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同功能构成的构成要素，通过标记相同的符号省略重复说明。首先，对本发明的实施方式相关的有机器件的制造方法，参照表示其概略结构的图1进行说明。(有机器件的制造方法)如图1(a)所示，在玻璃基板G上预先形成例如由铟锡氧化物(ΙΤ0 =Indium Tin Oxide)构成的第1导电性电极(阳极)10作为阳极层。清洁该表面后，通过蒸镀在第1导电性电极10上形成例如CuPe等的有机化合物的空穴注入输送层11。接着，如图1(b)所示，作为材料气体使用含氮的碳氢气体和氮或氨，或使用含C-N 键的碳氢化合物作为材料气体，通过RLSA(径向线缝隙天线，Radial Line Slot Antenna) 方式的等离子体CVD (化学气相沉积，Chemical Vapor D印osition)，在空穴注入输送层11 上形成发光层12(『^扎膜)。然后，如图1(c)所示，通过蒸镀在发光层12上形成例如PBD(2-(4_叔丁苯基)-5- -联苯基)-1，3，4-噁二唑，244-tert-Butylphenyl)-544-biphenylyl)-l，3， 4-oxadiazole)等的电子注入层13。接着，如图1(d)所示，通过溅射法隔着图案掩模在电子注入层13上沉积靶原子 (例如，Mg、Ag、Al等)，形成第2导电性电极(阴极)14。在下面，包括上述第1导电性电极10、空穴注入输送层11、发光层12、电子注入层13和第2导电性电极14，称为有机元件。然后，如图1 (e)所示，以第2导电性电极14作为掩模，蚀刻空穴注入输送层11、发光层12、电子注入层13。之后，如图1(f)所示，清洁有机元件和玻璃基板G(第1导电性电极10)的露出部分，除去吸附于有机元件的物质(例如有机物等)(预清洁)。然后，如图1 (g)所示，形成SiNx膜(氮化硅膜)的密封膜15。密封膜15通过微波等离子体CVD形成。具体而言，通过微波的功率激发含有硅烷或氮的气体而产生等离子体，使用产生的等离子体，在100°C以下的低温形成优质的SiNx膜。由于有机EL元件达到 IOO0C以上的高温则会受到损害，因此SiNx膜需要以100°C以下的低温工艺形成。在本实施方式中，有机EL元件如以上所说明地形成。此外，a_CN:Hx膜的发光层12 由于难以单层发光，因此在发光层12的下部形成空穴注入输送层11，在上部形成电子注入层13。a-CN:Hx膜具有含有C-H键和C-N键的聚合物状结构。这里，报道了 a_CN:Hx膜在室温观测到强PL (光致发光，Photo Luminescence)。在该a_CN:Hx膜的成膜中，在使用甲烷和氮，使用平行平板装置中的等离子体(CCP)或电感耦合等离子体(ICP)时，等离子体的电子温度高的状态进行成膜时，在成膜过程中，a_CN:Hx膜中的C-H键和C-N键由于施加的高频率电力，该键有可能被切断，导致膜中悬空键等的缺陷多发，因此存在发光特性等的劣化的可能。因此，上述说明的图1(b)的发光层12的成膜中，使用含有C-N键的碳氢化合物气体、氮或氨，通过低电子温度的高密度等离子体RLSA方式形成发光层12。由于产生的等离子体为低电子温度，材料气体所含的C-H键、C-N键不过剩地解离。结果，作为发光层12形成缺陷少而具有稳定的C-H键、C-N键的a-CN:Hx膜。使用这样形成的发光层12的有机器件(例如有机EL元件)的发光特性优良。此外，使用上述CCP时的等离子体的电子温度一般而言在基板表面为1 5eV左右，相对而言，在使用ICP时为2 10eV，而RLSA方式为 1 &V，低于其它的等离子体源的电子温度。另外，上述CCP的等离子体密度为IOiciCnT3以下，ICP的等离子体密度为IO12CnT3以下，相对于此，在RLSA方式为1012cm_3左右，与其它的等离子体源的密度相比在同等以上。作为上述的含有C-N键的碳氢化合物气体，可以列举甲胺(CH3NH2)、二甲胺 ((CH3)2NH)、三甲胺((CH3)3N)、吡啶(C5H5N)等。这些材料气体中也有含有C-H键或C-N键的情况，若使用电子温度高的等离子体进行成膜则这些键有切断的可能。因此，可知在使用这些材料气体时优选低电子温度的高密度等离子体RLSA方式。(基板处理系统)然后，参照图2说明用于实施图1所示的一系列工艺的基板处理系统。本实施方式相关的基板处理系统Sys包括具有多个处理装置的组合型基板处理装置1和控制基板处理装置1的控制装置20。(基板处理装置1)基板处理装置1包括加载互锁真空室LLM、搬运室TM(Transfer Module)、清洁室 CM (Cleaning Module)和 6 个工艺模块 PM (Process Module) 1 6。加载互锁真空室LLM是用于将从大气体系搬运来的玻璃基板G搬运至处于减压状态的搬运室TM的能够将内部形成为规定的减压状态的真空搬运室。搬运室TM中设置有在其内部能够伸缩和旋转的多关节状的搬运臂Arm。最开始，使用搬运臂Arm将玻璃基板G从加载互锁真空室LLM搬运至清洁室CM，清洁ITO表面。之后，搬运至工艺模块PMl，再搬运至其它工艺模块PM2 PM6。在清洁室CM中，通过光照射等除去形成于玻璃基板G的ITO (阳极层)的表面上附着的污染物(主要是有机物)。在6个工艺模块PMl 6中，首先，在PMl通过蒸镀在玻璃基板G的ITO表面形成空穴注入输送层11。然后，玻璃基板G被搬运至PM2，通过RLSA方式等离子体CVD形成与空穴注入输送层11邻接的发光层12(a-CN:Hx膜)。然后，玻璃基板G被搬运至PM3，在PM3通过蒸镀形成发光层12邻接的电子注入层 13。然后，玻璃基板G被搬运至PM4，在PM4通过溅射处理在电子注入层13上形成第2导电性电极14。接着，玻璃基板G被搬运至PM5，以第2导电性电极14作为掩模进行蚀刻处理。 接着，玻璃基板G被搬运至清洁室CM，除去在工艺中附着于空穴注入输送层11、发光层12、 电子注入层13的露出部分的有机物等杂质。 之后，玻璃基板G被搬运至PM6，通过微波等离子体CVD形成例如由SiNx构成的密封膜16。(控制装置20)控制装置20是控制基板处理系统Sys的整体的电子计算机。具体而言，控制装置 20控制基板处理系统Sys内的玻璃基板G的搬运和基板处理装置10内部的实际工艺。控制装置20具有肌11223、肌112213、0 似4、信息转移通路沈、外部界面(外部I/F)28a和内部界面(内部I/F08b。在R0M2M中，存储有在控制装置20执行的基本程序、异常时启动的程序和表示各PM的工艺顺序的方案等。在RAM22b中，存储有表示各PM的工艺条件的数据和用于执行工艺的控制程序。R0M2h和RAM22b是存储介质的一例，可以是EEPR0M、光盘、光磁盘等。CPU24通过根据各种方案执行控制程序，控制在玻璃基板G上制造有机电子器件的工艺。信息转移通路26是各器件间交换数据的通路。在内部界面28a输入数据，向没有图示的监视器或扬声器等输出必要的数据。外部界面28b通过网络与基板处理装置1之间发送接收数据。例如，若从控制装置20发送驱动信号，则在基板处理装置1，搬运受到指示的玻璃基板G，驱动受到指示的PM，控制必要的工艺，并且在控制装置20告知控制结果(应答信号)。这样操作，控制装置20 (电子计算机)通过执行存储于R0M2M或RAM22b的控制程序，控制基板处理系统Sys，使其完成图1所示的有机EL元件(器件)的制造工艺。然后，说明各PM的内部结构和在各PM执行的具体处理。此外，对执行蚀刻和溅射的各处理的PM4和PM5，可以使用一般的装置，省略其内部结构的说明。(PMl 空穴注入输送层11的蒸镀处理)图3是PMl的蒸镀处理装置30的概略的说明图。图3中表示的蒸镀处理装置30 通过蒸镀形成图1(a)所示的空穴注入输送层11。此外，空穴注入输送层11可以是重合空穴注入层和空穴输送层成膜形成的层，也能够分别设置空穴注入层和空穴输送层。蒸镀处理装置30具有密闭的处理容器31。另外，在处理容器31的前面，设置有用于玻璃基板G的搬入搬出的闸阀32。在处理容器31的底面，连接具有真空泵(没有图示)的排气管33，处理容器31的内部形成减压状态。在处理容器31的内部，具有水平地保持玻璃基板G的保持台35。玻璃基板G以使蒸镀有空穴注入输送层11的面向上的面朝上的状态，载置于保持台35。保持台 35在导轨36上行进，搬运玻璃基板G。在处理容器31里的顶面，配置蒸镀头37。在蒸镀头37经过配管39连接供给形成空穴注入输送层11的CuPe (酞菁铜，Copper (II) Phthalocyanine)等的成膜材料的蒸气的蒸气供给源38。通过从蒸镀头37喷出从蒸气供给源38供给的成膜材料的蒸气，同时搬运保持于保持台35的玻璃基板G，在玻璃基板G的上面形成空穴注入输送层11。(PM2 发光层12 (a-CN:Hx膜)的成膜处理)然后，玻璃基板G根据控制装置20的控制被搬运至微波等离子体处理装置PM2，如图1(b)所示，在空穴注入输送层11的上面形成a-CN:Hx膜。图4中示意地表示执行成膜处理的微波等离子体处理装置PM2的纵剖面。微波等离子体处理装置PM4具有顶部开口有底立方体状的处理容器60。处理容器 60例如由铝合金形成并接地。在处理容器60的底部中央设置有载置玻璃基板G的载置台 61。在载置台61经过耦合器62连接高频电源63，通过从高频电源63输出的高频电力在处理容器60的内部施加规定的偏置电压。另外，在载置台61经过线圈64连接高压直流电源 65，通过从高压直流电源65输出的直流电压静电吸附玻璃基板G。此外，在载置台61的内部埋设有加热器66。加热器66与交流电源67连接，将玻璃基板G保持在规定的温度。处理容器60的顶部的开口由石英等形成的电介质板68封闭，而且通过在处理容器60和电介质板68之间设置的0形环69保持处理室内的气密性。在电介质板68的上部配设径向线缝隙天线70 (RLSA =Radial Line SlotAntenna)。RLSA70具有下面开口的天线主体70a，在该天线主体70a的下面开口隔着由低损耗电介质材料形成的电介质板70b设置形成有大量缝隙的缝隙板70c。RLSA70经过同轴导波管71连接外部的微波发生器72。由微波发生器72输出的、 例如2. 45GHz的微波经过同轴导波管71传送至RLSA70的天线主体70a，以电介质板70b短波长化后，通过缝隙板70c的各个缝隙，形成圆偏振波并向处理容器60内部供给。在处理容器60的上部侧壁形成有大量用于供给气体的气体供给口 73，各气体供给口 73经过气体管道74连通氩气供给源75。在处理室的大致中央设置有大致平板状的气体喷淋板76。气体喷淋板76以与气体管道互相正交的方式形成为格子状。在各气体管道在载置台61侧等间隔地设置大量气孔76a。从与气体喷淋板76连通的供给含有C-N键的碳氢化合物气体CxHyNz的气体供给源77a、供给队的气体供给源77b、供给Ar的气体供给源77c供给的气体从气体喷淋板76的气孔76a均勻地向玻璃基板G排出。这里，作为从 77a供给的碳氢化合物气体，例示甲胺(CH3NH2)、二甲胺((CH3)2NH)、三甲胺((CH3)3N)、卩比唆 (C5H5N),从77b供给的气体除了 N2以外也可以是NH4。另外，在处理容器60内部，气体喷淋板76的上部空间称为等离子体激发区域Al，气体喷淋板76的下部空间称为扩散等离子体区域A2。在等离子体激发区域Al，产生具有比较高的电子温度的等离子体，向扩散等离子体区域A2扩散。在处理容器60，经过气体排出管78安装排气装置79，通过排出处理容器60内的气体，能够将处理室减压至所需的真空度。在这样构成的微波等离子体处理装置PM2中，基于控制装置20的控制，通过排气装置79将处理室内的压力控制在例如20mTorr以下，从微波发生器72供给处理室内的微波的功率控制在3. Off/cm2以上，载置于同处理室内的玻璃基板G附近的温度(例如，基板表面温度)控制在100°C以下，优选70°C以下，以该状态从处理室上方的气体供给口 73供给 50sCCm氩气(不活泼气体)作为等离子体激发用气体。从处理室中央的气体喷淋板76供给50SCCm含C-N键的碳氢化合物气体(CxHyNz气体)、200sCCm氩气和氮。由此，通过微波的功率产生激发用气体的氩的等离子体，由该等离子体使混合气体活化。在100°C以下(70°C 以下)的低温形成发光层12(a-CN:Hx膜)。(PM3 电子注入层13的蒸镀处理)然后，玻璃基板G基于控制装置20的控制搬运至蒸镀装置PM3，如图1(c)所示， 通过蒸镀在发光层12上形成电子注入层13。由于作为蒸镀处理装置PM3使用与图3表示 PMl的蒸镀处理装置30相同的装置，因此省略其内部结构的说明。(PM4 第2导电性电极14的溅射处理)然后，玻璃基板G被搬运至PM4，基于控制装置20的控制，激发向处理容器内供给的气体，产生等离子体，使产生的等离子体中的离子冲击靶材(溅射)，从靶材飞出的靶原子沉积在电子注入层13上，由此形成图1 (d)所示的第2导电性电极14 (阴极)。(PM5 蚀刻处理)然后，玻璃基板G被搬运至PM5，利用通过基于控制装置20的控制激发蚀刻气体而产生的等离子体，以第2导电性电极14为掩模，对空穴注入输送层11、发光层12、电子注入层13进行干蚀刻。由此，形成如图1(e)所示的空穴注入输送层11、发光层12、电子注入层 13。
(CM:预清洁)然后，玻璃基板G给予控制装置20的控制被搬运至CM，使用激发氩气而产生的等离子体除去附着于空穴注入输送层11、发光层12、电子注入层13的界面或露出部分的有机物等杂质。(PM6 密封膜15的成膜处理) 然后，玻璃基板G基于控制装置20的控制被搬运至微波等离子体处理装置PM6，如图1 (g)所示，以密封有机元件的露出部分的方式形成作为SiNx膜(氮化硅膜)的密封膜 15。此外，由于微波等离子体处理装置PM6的内部构造与图4表示的微波等离子体处理装置PM2相同，因此这里省略说明。在微波等离子体处理装置PM6，给予控制装置20的控制，通过真空装置79将处理室内的压力控制在例如IOmTorr以下，从微波发生器72向处理室内供给的微波的功率控制在4.0W/cm2以上，载置于同处理室内的玻璃基板G附近温度(例如基板表面温度)控制在 IOO0C以下，以该状态从上部供给5 500SCCm氩气，从气体喷淋板76供给0. 1 lOOsccm 的硅烷(SiH4)气体，相对地，以硅烷气体和氮气的流量比为1 100进行供给。由此，通过微波的功率激发上述混合气体，产生等离子体，使用产生的等离子体在低温形成SiNx膜(氮化硅膜的密封膜15)。此外，考虑到对有机元件的影响，更优选玻璃基板G的表面温度控制在70°C以下。SiNx膜(密封膜15)在有机元件的保护膜中作为密封膜叠层。为了保持密封膜的耐透湿性、耐氧化性与密封膜中的内在应力平衡，SiNx膜(密封膜1 需要薄到一定程度， 例如，优选其膜厚在1OOOA以下。在根据以上说明的本实施方式相关的有机器件的制造方法而制造的有机器件中， 通过使用产生的等离子体的电子温度低、高密度等离子体的RLSA方式的CVD等离子体处理形成发光层12(『^扎膜)。RLSA方式的CVD等离子体处理装置的处理空间如图4所示， 分成产生等离子体的等离子体激发区域Al和扩散等离子体区域A2，处理基板的扩散等离子体区域A2中的等离子体的电子温度低至1 2eV左右。因此，成膜中使用的气体的C-N 键切断的可能性低。这样，由于作为材料气体能够使用含有C-N键的碳氢化合物气体，因此能够高效地形成a-CN膜。由于以等离子体的电子温度低的状态形成发光层12(a-CN:Hx膜)，因此材料气体中所含的C-N键不会切断，可以维持发光层12(&-^扎膜)内的C-N键。另外，也可以稳定地维持发光层12(『^扎膜)内的其它的C-H键等。在发光层12(『^扎膜)内，由于基于这些C-N键、C-H键而发光，因此稳定地含有这些C-N键、C-H键的发光层12(a-CN:Hx 膜)作为发光器件的稳定性非常优异，例如，作为有机EL元件等的有机器件中使用的发光层可以非常有效地使用。另外，a_CN:Hx膜能够根据C-N键的量控制发光颜色。在本发明中，通过控制作为材料气体使用的碳氢化合物、氮或氨的供给量，能够控制C-N键的量。以上，说明了本发明的实施方式的一例，但本发明并不局限于图示的方式。只要是本领域技术人员，在权利要求书所记载的思想范畴内，可以想到各种变更例或修正例，这些当然也属于本发明的技术范围。图5是本发明的其它实施方式相关的RLSA方式的微波等离子体处理装置PM2丨的纵剖图。其它实施方式相关的微波等离子体处理装置PM2'的结构中，在发光层12的成膜处理时供给队的气体供给源77b经过气体管道74与气体供给口 73连接的点上与上述实施方式不同。此外，由于其它的结构与上述实施方式相关的微波等离子体处理装置PM2相同， 因此省略说明。根据图5中表示的其它实施方式相关的微波等离子体处理装置PM2'，由于在处理容器60的内部上方的等离子体激发区域Al供给队气体，因此能够使用具有高于处理容器60内部下方的扩散等离子体区域A2的电子温度的等离子体激发队气体。激发的氮原子从等离子体激发区域Al向扩散等离子体区域A2扩散。在扩散等离子体区域A2中，以含有 C-N键的状态而直接解离的碳氢化合物气体和氮原子沉积在玻璃基板G上，进行成膜。因此，能够不对成膜的发光层12内带来大的损害而添加更多的氮原子。另外，在上述实施方式中，说明了从元件下面获得光的底部发射型的有机器件，但本发明并不局限于此，也可以使用从元件上面获得光的顶部发射型的有机器件。此外，此时，第2导电性电极14必须为透明电极。工业上的可利用性本发明能够适用于例如作为有机EL器件的发光层使用的非晶碳氢氮化物 (a-CN:Hx)膜的成膜方法、使用该非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜的有机EL器件及其制造方法。
权利要求
1.一种非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜的成膜方法，该膜作为有机器件的发光层使用，该成膜方法的特征在于，包括作为材料气体向处理容器内供给等离子体激发用气体、含有C-N键的碳氢化合物气体和氮或氨的工序；和通过微波产生所述等离子体激发用气体的等离子体，通过该等离子体使所述材料气体活化的工序。
2.如权利要求1所述的非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜的成膜方法，其特征在于所述含有C-N键的碳氢化合物气体为甲胺(CH3NH2)、二甲胺((CH3)2NH)、三甲胺 ((CH3)3N)、吡啶(C5H5N)中的任一种。
3.如权利要求1所述的非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜的成膜方法，其特征在于 在等离子体的产生中使用RLSA方式。
4.一种有机器件的制造方法，其特征在于在形成有第1导电性电极的被处理体上形成空穴注入输送层， 在所述空穴注入输送层上叠层作为发光层的非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜， 在所述非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜上叠层电子注入层， 在所述电子注入层上叠层第2导电性电极，叠层以覆盖所述被处理体、第1导电性电极、所述空穴注入输送层、所述非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜、所述电子注入层、所述第2导电性电极的方式密封的密封膜。
5.如权利要求4所述的有机器件的制造方法，其特征在于所述非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜，使用含有C-N键的碳氢化合物气体和氮或氨作为材料气体，通过微波的功率激发材料气体而产生等离子体，使用所产生的等离子体进行成膜。
6.如权利要求5所述的有机器件的制造方法，其特征在于所述含有C-N键的碳氢化合物气体为甲胺(CH3NH2)、二甲胺((CH3)2NH)、三甲胺 ((CH3)3N)、吡啶(C5H5N)中的任一种。
7.如权利要求5所述的有机器件的制造方法，其特征在于 在等离子体的产生中使用RLSA方式。
8.如权利要求7所述的有机器件的制造方法，其特征在于在处理容器内设置激发等离子体的等离子体激发区域和对基板进行处理的扩散等离子体区域，向所述等离子体激发区域中导入氮或氨，向所述扩散等离子体区域导入含C-N 键的碳氢化合物气体。
9.一种有机器件，其特征在于，具备在形成有第1导电性电极的被处理体上形成的空穴注入输送层， 在所述空穴注入输送层上叠层的作为发光层的非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜， 在所述非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜上叠层的电子注入层， 在所述电子注入层上叠层的第2导电性电极，和以覆盖所述被处理体、所述第1导电性电极、所述空穴注入输送层、所述非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜、所述电子注入层、所述第2导电性电极的方式密封的密封膜。
10.如权利要求9所述的有机器件，其特征在于所述非晶碳氢氮化物(a_CN:Hx)膜，使用含有C-N键的碳氢化合物气体作为材料气体， 通过微波的功率激发等离子体激发用气体产生的等离子体激发材料气体，进行成膜。
11.如权利要求10所述的有机器件，其特征在于所述含有C-N键的碳氢化合物气体为甲胺(CH3NH2)、二甲胺((CH3)2NH)、三甲胺 ((CH3)3N)、吡啶(C5H5N)中的任一种。
12.如权利要求10所述的有机器件，其特征在于 在等离子体的产生中使用RLSA方式。
全文摘要
通过使用电子温度比较低的高密度等离子体的方法，以含有碳-氮(C-N)键的碳氢化合物作为材料气体，形成稳定地含有(C-N)键、缺陷少、特性良好的a-CN:Hx膜，提供使用了a-CN:Hx膜的有机器件。使用含有C-N键的碳氢化合物和氮或氨作为材料气体进行发光层的成膜，在发光层的下部形成空穴注入输送层，在发光层的上部形成电子注入层，可以得到以非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜作为发光层的有机器件。
文档编号H01L51/50GK102348777SQ20108001182
公开日2012年2月8日 申请日期2010年3月11日 优先权日2009年3月13日
发明者石川拓 申请人:东京毅力科创株式会社