专利名称：光电转换装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池，特别是涉及使用硅作为发电层的薄膜型太阳能电池。
背景技术：
作为接收光并将其转换为电力的光电转换装置，公知的有在发电层(光电转换层)层叠薄膜硅系层的薄膜型太阳能电池。薄膜型太阳能电池通常在基板上依次层叠透明电极层、硅系半导体层(光电转换层)、及背面电极层而构成。透明电极层通常由主成分为氧化锌(SiO)、氧化锡(Sn02)、氧化铟锡(ITO)等金属氧化物的透明导电膜构成。光电转换层由非晶质硅或结晶质硅构成，具有由P型硅系半导体(P层)、i型硅系半导体(i层)及η型硅系半导体(η层)形成的Pin结，其作为能量转换部，将太阳光的光能转换为电能。在专利文献1中公开有具备使用等离子体CVD法的低温工序形成的结晶质硅系光电转换层的光电转换装置。专利文献1 日本特开平11-87742号公报(权利要求项1、段落W008]、
)通常，在使用了微晶硅的太阳能电池中，在透明电极层上层叠微晶硅ρ层作为光电转换层。因此，包含于透明电极层的氧发生扩散，从而混入到微晶硅P层。可以说当在微晶硅层中混入氧时，就会形成与氧关联的施主能级。例如，在本征微晶硅的情况下，就成为 η型化的原因。该施主能级的形成对于微晶硅P层形成弱化P型的作用，因此目前，通过过量地增厚掺杂质来维持P型。但是，在该方法中，由于微晶硅P层的能带隙变窄，会产生光的吸收损失，所以使短路电流降低。另一方面，当为了不使短路电流降低而减少掺杂剂的含量时，因微晶硅P层的掺杂质不足，从而导致开放电压及形状因子的降低。由此，使光电转换装置的发电效率降低。在专利文献1的硅系薄膜光电转换装置中，公开了通过在结晶质硅光电转换层的 P层和i层之间实际地导入i型极薄的非晶质硅系薄膜，从而适当地抑制成为结晶质硅系光电转换层的结晶核产生要因的小粒径结晶硅的密度，得到结晶粒界及粒内缺陷少且沿一个方向较强地结晶定向的优质光电转换层。专利文献ι中记载的发明是以使包含低温工序的结晶质的硅系薄膜光电转换层的结晶性提高为目的，从而以非晶质硅系薄膜光电转换层作为基底层插入。然而，这种构成依旧不能解决如上所述的透明导电膜中所含的氧在微晶硅 P层扩散造成的短路电流降低、或发电效率及形状因子降低这样的课题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而开发的，其目的在于提供一种维持结晶质硅P层的P型且具有较高发电效率的光电转换装置。为了解决上述课题，本发明提供一种光电转换装置，其中，在基板上具备透明电极层和至少一个的光电转换层，至少一个的所述光电转换层包含P型结晶质硅层、i型结晶质硅层、以及η型硅层，在所述透明电极层与所述P型结晶质硅层之间邻接配置有非晶质硅层。在本发明中，通过在透明电极层与P型结晶质硅层之间邻接配置非晶质(非结晶) 硅层，可以防止透明电极层所含的氧在P型结晶质硅层扩散。由此，抑制了P型结晶质硅层的η型化，能够抑制作为光电转换装置时的发电效率降低。另外，在透明电极层中包含由以金属氧化物为主成分的透明导电膜构成的层，例如，中间接触层。与在透明电极层上制膜结晶质硅ρ层相比，在非晶质硅层上制膜结晶质硅ρ层能够抑制透明电极层还原造成的光损失，提高成为发电层的结晶质硅层的光吸收量，提高发电效率。因此，只要是同样的效率就可以使结晶质硅层薄膜化，能够提高生产性。本发明一方面中，也可以是，具备两个以上的所述光电转换层，所述透明电极层为配置于两个以上的所述光电转换层之间的中间接触层，所述光电转换层中，相对于所述中间接触层位于和基板相反侧的光电转换层包含以结晶质硅为主的P型结晶质硅层、i型结晶质硅层、以及η型硅层，在所述中间接触层和所述P型结晶质硅层之间邻接配置有非晶质硅层。通过在中间接触层与ρ型结晶质硅层之间邻接配置非晶质(非结晶)硅层，能够防止中间接触层所含的氧在P型结晶质硅层扩散。由此，可抑制P型结晶质硅层的η型化， 能够抑制作为光电转换装置时的发电效率的降低。本发明的一方面中，优选所述非晶质硅层为ρ型非晶质硅层或i型非晶质硅层。非晶质硅层具有防止氧从透明电极层向P型结晶质硅层扩散的效果。由于非晶质硅层与P型结晶质硅层接触配置，所以特别优选电特性与P型结晶质硅层类似的P型非晶质硅层。另外，以非晶质硅层为i型的情况下，作为光电转换装置时，会发生杂质(掺杂剂等)从层叠于i型非晶质硅层上的P型结晶质硅层产生扩散，难以识别i型和P型的情况。在本发明的一方面中，优选所述非晶质硅层的膜厚为Inm以上且30nm以下，更优选在5nm以上且20nm以下。由于非晶质硅层比结晶质硅层导电率更低，所以当将膜厚做成比30nm更厚时，会使非结晶质硅层和结晶质硅层的界面的接触电阻增大。另一方面为了得到抑制氧扩散的效果，需要Inm以上的膜厚。根据本发明，通过在透明电极层和ρ型结晶质硅层之间插入非晶质硅层，能够防止氧从透明电极层向P型结晶质硅层扩散，从而能够提高光电转换装置的发电效率。
图1是简略表示本发明实施方式的光电转换装置构成的剖面图；图2是说明作为本发明的实施方式的光电转换装置、制造太阳能电池面板的一个实施方式的概略图；图3是说明作为本发明的实施方式的光电转换装置、制造太阳能电池面板的一个实施方式的概略图；图4是说明作为本发明的实施方式的光电转换装置、制造太阳能电池面板的一个实施方式的概略图；图5是说明作为本发明的实施方式的光电转换装置、制造太阳能电池面板的一实施方式的概略图6是简略表示实施例1的单型结晶质硅太阳能电池单电池构成的剖面图；图7是表示实施例1的非晶质硅P层的膜厚和发电效率关系的图形；图8是表示实施例2的非晶质硅i层的膜厚和发电效率关系的图形。符号说明1 基板2透明电极层3光电转换层4背面电极层5中间接触层6太阳能电池模块7第二非晶质硅层10、12 槽11连接槽14周围膜去除区域15绝缘槽23端子箱M后片材31第一非晶质硅ρ层32第一非晶质硅i层33第一非晶质硅η层41结晶质硅ρ层42结晶质硅i层43结晶质硅η层44 氧50太阳能电池面板91第一电池层92第二电池层100光电转换装置(串联型)
具体实施例方式图1是表示本发明的光电转换装置构成的概略图。光电转换装置100为串联型硅系太阳能电池，具备基板1、透明电极层2、作为太阳能电池光电转换层3的第一电池层 (第一光电转换层)91(非晶质硅系)及第二电池层(第二光电转换层)92(结晶质硅系)、 中间接触层5、及背面电极层4。另外，在此，硅系是指包含硅(Si)或碳化硅(SiC)或锗化硅(SiGe)的总称。另外，结晶质硅系是指除非晶质硅系以外的硅系，也包含微晶硅及多晶娃。以制造太阳能电池面板的工序为例来说明本实施方式的光电转换装置的制造方法。图2 图5是表示本实施方式的太阳能电池面板的制造方法的概略图。(1)图2(&)
作为基板1，使用面积Im2以上的钠钙浮法玻璃基板(例如1. 4mX 1. ImX板厚 3. 5mm 4. 5mm)。为了防止热应力及冲击等造成的破损基板端面优选进行拐角倒角及倒R 倒角加工。(2)图 2 (b)作为透明电极层2，用热CVD装置在约500°C下制膜以氧化锡(SnO2)为主成分的膜厚约500nm以上SOOnm以下的透明导电膜。这时，在透明导电膜的表面形成具有适当凹凸的网纹。作为透明电极层2不仅形成透明导电膜，而且也可以在基板1和透明导电膜之间形成碱绝缘膜(未图示)。碱绝缘膜利用热CVD装置在约500°C下制膜处理氧化硅膜 (SiO2) 50nm 150nmoSnO2膜的耐等离子体性较低，在使用了氢的较大的等离子体密度下的光电转换层的堆积环境中，SnO2膜会被还原。当SnO2膜被还原时，就成为导致发电效率降低的原因。因此，作为等离子体耐性保护层(未图示)，利用溅射装置，使用靶材掺杂了 Ga2O3的ZnO烧结体在透明电极层2上制膜膜厚100nm以上450nm以下的GZ0(fei掺杂SiO)膜。另外，也有不设置等离子体耐性保护层的情况。(3)图 2 (c)之后，在X-Y工作台上设置基板1，如图中箭头所示，从透明导电膜的膜面侧照射 YAG激光器的第一高谐波(1064nm)。调整激光功率以获得适合的加工速度，将透明电极膜向与发电单电池的串联连接方向垂直的方向，将基板1和激光相对进行移动，激光蚀刻宽度约6mm 15mm的规定宽度的长条状以形成槽10。(4)图 2 (d)作为第一电池层91，利用等离子体CVD装置制膜由非晶质硅薄膜形成的ρ层、i层及η层。以SiH4气体及H2气体为主原料，设定减压环境30Pa以上1000 以下，基板温度 约200°C，在透明电极层2上从太阳光入射侧按第一非晶质硅ρ层31、第一非晶质硅i层 32、第一非晶质硅η层33的顺序进行制膜。第一非晶质硅ρ层31以非晶质的B掺杂硅为主，膜厚为IOnm以上30nm以下。第一非晶质硅i层32的膜厚为200nm以上350nm以下。 第一非晶质硅η层33以在非晶质硅中含有微晶硅的P掺杂硅为主，膜厚为30nm以上50nm 以下。为了提高界面特性，在第一非晶质硅P层31和第一非晶质硅i层32之间也可以设置缓冲层。为了改善接触性并且获得电流匹配性，在第一电池层91之上设有成为半反射膜的中间接触层5。作为中间接触层5，利用溅射装置，使用靶材( 掺杂ZnO烧结体制膜膜厚20nm以上IOOnm以下的GZO (( 掺杂SiO)膜。在中间接触层5上利用等离子体CVD装置制膜ρ型的第二非晶质硅层7。以SiH4 气体、H2气体及IH6气作为主原料，设定减压环境30Pa以上1000 以下、基板温度约 200°C。第二非晶质硅ρ层以非晶质B掺杂硅为主，膜厚为Inm以上30nm以下。若将膜厚设为5nm以上20nm以下时，则可进一步提高作为太阳能电池模块时的发电效率。另外，对于非晶质硅也可以使用非结晶型SiC、非结晶型SiO。另外，ρ型第二非晶质硅层7也可以为i型第二非晶质硅层。该情况下，第二非晶质硅i层利用等离子体CVD装置制膜。以SiH4气体及吐气体为主原料，设定减压环境301 以上1000 以下、基板温度约200°C。第二非晶质硅i层以非晶质硅为主，膜厚为Inm以上20nm以下。若将膜厚设为5nm以上IOnm以下时，则可进一步提高作为太阳能电池模块时的发电效率。另外，对于非晶质硅也可以使用非结晶型SiC、非结晶型SiO。作为第二电池层92，利用等离子体CVD装置制膜由结晶质硅薄膜构成的ρ层、i层及η层。以SiH4气体及H2气体为主原料，设定减压环境30001 以下，基板温度约200°C， 等离子体产生频率40MHz以上IOOMHz以下，在第二非晶质硅层7上从太阳光入射侧依次制膜作为第二电池层92的结晶质硅ρ层41、结晶质硅i层42、及结晶质硅η层43。结晶质硅P层41以掺杂了 B的微晶硅为主，膜厚为IOnm以上50nm以下。结晶质硅i层42以微晶硅为主，膜厚为1. 2 μ m以上3. 0 μ m以下。结晶质硅η层43以掺杂了 P的微晶硅为主， 膜厚为20nm以上50nm以下。另外，结晶质硅η层也可以是以非晶质硅为主的非晶质硅η层、或者是非晶质硅η 层和结晶质硅η层的层叠构造。η层43也可以以掺杂了 P的硅为主，膜厚设为20nm以上 50nm以下。该情况下，在η层43的制膜中，氢稀释率H2/SiH4*0倍以上10倍以下。η层的制膜速度为0. 2nm/sec以上，优选为0. 25nm/sec以上。在设定η层43为两层构成的情况下，形成于结晶质硅i层42上的第一 η层以氢稀释率0倍以上10倍以下的条件进行制膜。在第一 η层的制膜中，也可以使用包含上述的碳及氮至少一种元素的气体进行制膜。第二 η层以与第一 η层不同的氢稀释率进行制膜。 这时，如果在制膜速度高，且在制膜非晶质硅的氢稀释率条件(例如20倍)下制膜第二 η 层，则考虑到不仅生产率提高，而且有效区域也得以改善，所以有利。用等离子体CVD法形成以微晶硅为主的i层膜时，等离子体放电电极和基板1表面的距离d优选为3mm以上IOmm以下。当比3mm小时，根据与大型基板对应的制膜室内的各构成设备精度，难以将距离d保持一定，并且，过近而可能会造成放电不稳定。当比IOmm 大时，则难以得到充分的制膜速度(lnm/s以上)，同时，等离子体的均一性降低，由于离子冲击而导致膜质降低。(5)图 2(e)在X-Y工作台上设置基板1，如图中箭头所示，从光电转换层3的膜面侧照射激光二极管激励YAG激光器第二高谐波(532nm)。设置脉冲振荡IOkHz 20kHz，调整激光功率以获得适合的加工速度，将透明电极层2的激光蚀刻线的约IOOym 150μπι处的横向侧进行激光蚀刻以形成槽11。另外，该激光器也可以从基板1侧进行照射，该情况下，因为可以利用通过由光电转换层3的非晶质硅系第一电池层91吸收的能量产生的高蒸汽压对光电转换层3进行蚀刻，所以可进行更稳定的激光蚀刻加工。激光蚀刻线的位置以与在前一工序的蚀刻线不交差的方式考虑定位公差进行选定。(6)图 3 (a)作为背面电极层4，利用溅射装置在减压环境、制膜温度150°C 200°C制膜Ag膜 /Ti膜。在本实施方式中按顺序层叠Ag膜150nm以上500nm以下，以及作为保护该Ag膜的防腐蚀效果高的Ti膜10nm以上20nm以下。或，也可以将背面电极层4做成具有25nm IOOnm膜厚的Ag膜、和具有15nm 500nm膜厚的Al膜的层叠构造。为了结晶质硅η层43 和背面电极层4的接触电阻降低和光反射提高的目的，在光电转换层3和背面电极层4之间利用溅射装置制膜并设置膜厚50nm以上IOOnm以下的GZ0(fei掺杂SiO)膜。
(7)图 3 (b)在X-Y工作台设置基板1，如图中箭头所示，从基板1侧照射激光二极管激励YAG 激光器第二高谐波(532nm)。由光电转换层3吸收激光，利用此时发生的高的气体蒸汽压爆裂除去背面电极层4。设置脉冲振荡1kHz以上IOkHz以下，调整激光功率以获得适合的加工速度，激光蚀刻透明电极层2的激光蚀刻线250μπι 400μπι处的横向侧以形成槽12。(8)图 3(c)和图 4(a)划分发电区域，对基板端周边的膜端部进行激光蚀刻，以去除在串联连接部分易于短路的影响。将基板1设置于X-Y工作台，从基板1侧照射激光二极管激励YAG激光器第二高谐波(532nm)。激光被透明电极层2和光电转换层3吸收，利用此时发生的高的气体蒸汽压将背面电极层4爆裂，从而除去背面电极层4/光电转换层3/透明电极层2。设置脉冲振荡1kHz以上IOkHz以下，调整激光功率以获得适宜的加工速度，如图3(c)所示，对相距基板1的端部5mm 20mm的位置进行激光蚀刻以形成X方向绝缘槽15。另外，图3 (c) 中，为沿串联连接光电转换层3的方向切断的X方向断面图，因此，原本应该表示在绝缘槽 15位置具有进行了背面电极层4/光电转换层3/透明电极层2的膜研磨除去的周围膜去除区域14的状态(参照图4 (a))，为了便于说明对基板1端部的加工，将在该位置表示Y方向断面形成的绝缘槽作为X方向绝缘槽15进行说明。此时，由于在后工序中进行基板1周围膜去除区域的膜面研磨去除处理，所以没有必要设置Y方向绝缘槽。通过在距基板1的端部5mm 15mm的位置完成对绝缘槽15的蚀刻，对抑制外部湿气从太阳能电池面板端部向太阳能电池模块6内部浸入呈现出有效的效果，故而优选。另外，到以上为止的工序的激光来自YAG激光器，有时也同样可以使用YV04激光器或光纤维激光器等。(9)图4(a 从太阳能电池膜面侧观察的图，b 从受光面的基板侧观察的图)为了确保后续工序的经由EVA等的与后片材M完整粘接·密封面，基板1周边 (周围膜去除区域14)的层叠膜因为存在台阶并且易于剥离，所以，除去该膜形成周围膜去除区域14。对于在相距基板1的端部5 20mm处遍及基板1的整个周围除去膜的过程，在 X方向上比在上述图3(c)工序设置的绝缘槽15更靠近基板端部一侧、Y方向上比基板端侧部附近的槽10更靠近基板端部一侧，利用磨具研磨或喷沙研磨等除去背面电极层4/光电转换层3/透明电极层2。对基板1进行清洗处理以除去研磨屑或磨粒。(10)图 5(a) (b)端子箱23的安装部分在后片材M设置开口贯通窗取出集电板。在该开口贯通窗部分设置多层绝缘材料以抑制外部的湿气等浸入。以从由串联排列的一端的太阳能电池发电单电池和另一端部的太阳能电池发电单电池使用铜箔进行集电，并从太阳能电池面板背侧的端子箱23的部分输出电力的方式进行处理。为了防止与各部的短路，对铜箔配置比铜箔宽度宽的绝缘薄膜。集电用铜箔等被配置在规定的位置后，覆盖太阳能电池模块6的整体，并配置 EVA (乙烯-醋酸乙烯共聚物)等的粘接充填材料薄膜以使其不会从基板1露出。在EVA之上设置防水效果高的后片材M。后片材M在本实施方式中由PET薄膜 /Al箔/PET薄膜的3层构造形成以获得较高的防水防湿效果。
将到后片材M为止配置于规定位置的薄膜通过层压机在减压环境下进行内部除气，一边以约150 160°C下进行挤压一边使EVA交联使其密封。(11)图 5 (a)在太阳能电池模块6的背侧用粘接剂安装端子箱23。(12)图 5(b)将铜箔和端子箱23的输出电缆用锡焊等连接，将端子箱23的内部用密封剂(浇注剂)充填密闭。至此，完成太阳能电池面板50。(13)图 5(c)对到图5(b)的工序所形成的太阳能电池面板50进行发电检查以及规定的性能试验。发电检查使用AMI. 5、全天日射基准太阳光(1000W/m2)的日光模拟装置进行。(14)图 5(d)在发电检查(图5(c))前后进行如外观检查这样的规定的性能检查。实施例(实施例1)制作如图6所示构成的单型结晶质硅太阳能电池单电池。使用等离子体CVD装置，在玻璃基板(42cmX57cmX板厚4mm) 1上依次制膜透明电极层(包含等离子体耐性保护层)2、第二非晶质硅ρ层(a-Si(p))7a、结晶质硅ρ层(μ c_Si (p)) 41、结晶质硅i层 (μ c-Si⑴)42、结晶质硅η层(μ c-Si (η)) 43、及背面电极层4。作为透明电极层2，形成膜厚SOOnm的氧化锡膜、以及膜厚300nm的GZO膜(等离子体耐性保护层)。作为背面电极层4，形成膜厚SOnm的GZO膜、及膜厚300nm的Ag膜。对于第二非晶质硅ρ层7a，在原料气体使用H2、SiH4及，氢稀释率40倍、压力40Pa、加热温度180°C、等离子体发生频率13. 56MHz、投入电力50W的条件下，制膜掺杂了 B的非晶质硅膜。通过改变制膜时间，形成各种膜厚的非晶质硅ρ层。对于结晶质硅ρ层41，在原料气体使用H2、SiH4及化礼，氢稀释率167倍、压力 532Pa、加热温度190°C、等离子体发生频率60MHz、投入电力1000W的条件下，制膜膜厚 20nm的掺杂了 B的微晶硅膜。对于结晶质硅i层42，在原料气体使用H2及SiH4,氢稀释率41倍、压力798Pa、 加热温度185°C、等离子体发生频率60MHz、投入电力2440W的条件下，制膜膜厚2000nm 的微晶硅膜。对于结晶质硅η层43，在原料气体使用H2、SiH4及PH3,氢稀释率45倍、压力 80Pa、加热温度206°C、等离子体发生频率60MHz、投入电力500W的条件下，制膜膜厚 35nm的掺杂了 P的微晶硅膜。图7表示在透明电极层2和结晶质硅ρ层41之间插入第二非晶质硅P层7a时的、第二非晶质硅P层7a的膜厚和发电效率的关系。在该图中，横轴表示第二非晶质硅P 层7a的膜厚，纵轴表示发电效率(以第二非晶质硅ρ层7a的膜厚为Onm时的值为基准的规格值)。与未插入第二非晶质硅P层7a的情况相比，当插入膜厚比30nm厚的第二非晶质硅ρ层7a时，则发电效率降低。另一方面，当插入膜厚30nm以下的第二非晶质硅ρ层7a 时，维持或提高发电效率，在膜厚为5nm以上20nm以下时，发电效率提高2%左右。上述结果认为，通过在透明电极层2和结晶质硅ρ层41之间插入具有所需膜厚的第二非晶质硅ρ
9层7a，能够防止透明电极层2所含的氧44向结晶质硅ρ层41扩散。(实施例2)代替如图6所示构成的单型结晶质硅太阳能电池单电池的第二非晶质硅ρ层7a， 制膜以非晶质硅为主的第二非晶质硅i层。第二非晶质硅i层的制膜工序以外的工序与实施例1同样，制作了单型结晶质硅太阳能电池单电池。对于第二非晶质硅i层，在原料气体使用H2及SiH4,氢稀释率6倍、压力60Pa、加热温度237°C、等离子体发生频率60MHz、投入电力150W的条件下，制膜非晶质硅膜。通过改变制膜时间，形成各种膜厚的i层。图8表示在透明电极层和结晶质硅P层之间插入第二非晶质硅i层时的、第二非晶质硅i层的膜厚和发电效率的关系。在该图中，横轴表示第二非晶质硅i层的膜厚，纵轴表示发电效率(第二非晶质硅i层的膜厚为Onm时的值为基准的标准值)。与不插入第二非晶质硅i层的情况相比，当插入膜厚比20nm厚的第二非晶质硅i层时，则发电效率降低。 另一方面，当插入膜厚为20nm以下的第二非晶质硅i层时，维持或提高发电效率，膜厚为 5nm以上IOnm以下时，发电效率提高左右。根据以上的结果认为，插入透明电极层和结晶质硅P层之间的第二非晶质硅层无论是P型还是i型均可维持或提高发电效率。另外，P型比i型发电效率更高。这是因为， P型比i型电阻更低，所以在透明电极层和非晶质硅层的界面的接触电阻降低。在上述的实施方式中，作为太阳能电池，对单型太阳能电池、及串联型太阳能电池进行了说明，但本发明不限定于该例。例如，同样可以适用于在硅锗太阳能电池或三重型太阳能电池等各种类的薄膜太阳能电池。
权利要求
1.一种光电转换装置，其特征在于，在基板上具备透明电极层、和至少一个的光电转换层，至少一个的所述光电转换层包含P型结晶质硅层、i型结晶质硅层、以及η型硅层， 在所述透明电极层与所述P型结晶质硅层之间邻接配置有非晶质硅层。
2.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于， 具有两个以上的所述光电转换层，所述透明电极层为配置于两个以上的所述光电转换层之间的中间接触层， 所述光电转换层中，相对于所述中间接触层位于与基板相反侧的光电转换层包含以结晶质硅为主的P型结晶质硅层、i型结晶质硅层、以及η型硅层，在所述中间接触层与所述P型结晶质硅层之间邻接配置有非晶质硅层。
3.如权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于， 所述非晶质硅层为P型非晶质硅层或i型非晶质硅层。
4.如权利要求1 3中任意一项所述的光电转换装置，其特征在于， 所述非晶质硅层的膜厚为Inm以上且30nm以下。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种光电转换装置(100)，通过抑制氧从透明电极层向微晶硅p层的扩散，从而具有较高的发电效率。该光电转换装置(100)，在基板(1)上具备透明电极层(2)、和至少一个光电转换层(3)，至少一个的所述光电转换层(3)包含p型结晶质硅层(41)、i型结晶质硅层(42)、以及n型硅层(43)，在所述透明电极层(2)和所述p型结晶质硅层(41)之间邻接配置有非晶质硅层(7)。
文档编号H01L31/0352GK102414841SQ20108001850
公开日2012年4月11日 申请日期2010年8月10日 优先权日2009年9月17日
发明者西宫立享 申请人:三菱重工业株式会社