专利名称：有机发光二极管的制作方法
有机发光二极管
提出了一种有机发光二极管。一个要解决的任务是，提出一种有机发光二极管(缩写0LED)，其中光可以有效地从金属电极的等离子模式中耦合输出。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，该有机发光二极管包括第一电极，其借助金属形成。例如，第一电极由银、铝、镉、钡、铟、镁、钙、锂和/或金构成。第一电极于是尤其是借助导电材料来构建，该材料在薄层的情况下也是不透光的。换而言之，第一电极优选借助如下材料构建在以可见光谱范围中的辐射的真空波长的至少四分之一的厚度存在时，该材料对于该辐射是不可透射的。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，其包括带有至少一个有源层的至少一个有机层序列。有源层在此设计用于产生电磁辐射。有源层例如基于有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小分子或者基于其组合。有机层序列可以具有其他的有机层序列，其例如构建为载流子注入层、载流子传输层和/或载流子停止层。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，其具有第二电极。优选的是，第二电极如第一电极那样平面和/或平坦地构建。平面可以意味着，电极将有机层序列的主面在彼此背离的侧上覆盖至少80%或者完全覆盖，或者电极的横向延伸与厚度的比例为至少 1000。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，有机层序列在第一电极和第二电极之间。有机层序列在此可以完全地或者部分地在电极之间。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，其包括辐射透射的折射层 (Indexschicht)。折射层于是至少在可见光谱范围的部分区域中半透明地或者优选透明地或者清澈地构建。此外优选地，折射层借助介电材料来构建。折射层在此可以借助均勻的、 例如晶体材料来形成，或者也通过至少一种超材料来形成。如果折射层具有晶体材料，则合适的材料例如是LiNb03、ZnS, ZnSe或者Te02。同样地，有机材料如具有大约2. 2的折射率的C60可以用于折射层或者使用在折射层中。合适的超材料例如是TiO2，其嵌入在基质材料中。合适的基质材料例如是聚合物，尤其是环氧化物、硅树脂和环氧化物-硅树脂-混合材料。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，折射层施加在第一电极的背离有机层序列的外侧上。换而言之，在折射层和有机层序列之间存在金属的第一电极。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，折射层的平均光学折射率大于或等于有机层序列的平均光学折射率。在此，平均折射率意味着，折射率在有机层序列的总的层厚度上或者折射层上求平均，其中折射层的靠近第一电极的层由于在离开第一电极的方向上的等离子模式的指数衰减而会被更强地加权。平均折射率也可以是相应层的有效折射率。 如果例如有机层序列的平均折射率和/或有效折射率为1. 8，则折射层的平均和/或有效折射率同样至少为1.8。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，其具有前侧和后侧。后侧在此朝向折射层或者通过折射层来形成，并且前侧朝向有机层序列。也就是说，折射层至少部分地在后侧和有机层序列之间存在，并且有机层序列至少部分地在前侧和折射层之间存在。在发光二极管中产生的辐射在前侧和/或后侧离开有机发光二极管。优选的是，辐射至少在前侧并且优选地附加地在后侧离开发光二极管。在发光二极管的横向于前侧的侧面上优选并不发射辐射部分或者并不发射主要的辐射部分。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，由有机发光二极管产生的电磁等离子辐射的至少一部分穿过折射层。等离子辐射在此是从至少第一电极的表面等离子生成的辐射。在有机发光二极管的至少一个实施形式中，其包括用金属形成的第一电极和第二电极。此外，有机发光二极管包含有机层序列，其带有至少一个有源层，其中有机层序列位于第一电极和第二电极之间。此外，有机发光二极管具有辐射可穿过的折射层，其位于第一电极的背离有机层序列的外侧。折射层的平均折射率在此大于或等于有机层序列的平均折射率。此外，有机发光二极管具有前侧和后侧，其中后侧朝向折射层，并且前侧朝向有机层序列，并且在发光二极管中产生的辐射在前侧和/或在后侧发射。由有机发光二极管产生的电磁等离子辐射的至少一部分穿过折射层。根据至少一个实施形式，第一电极与有机层序列以及与折射层直接物理接触。换而言之，第一电极在第一电极的横向于主延伸方向的方向上被折射层和有机层序列完全地或者部分地限制和包围。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，通过在有源层中产生的电磁辐射至少在第一电极和有机层序列之间的界面上激励表面等离子。通过这些表面等离子，等离子辐射弯曲地或者部分地产生。有机层序列的设计用于产生辐射的有源层在通常具有分子，其在电子激励的状态中近似表现出电偶极矩，其中在电子基本状态中分子无需表现出偶极矩。此外，在有机层序列和金属的第一电极之间的界面上存在电磁界面模式。通过近场效应和/或表面粗度，也称为表面等离子模式的界面模式可以耦合至有机层序列的分子或者反之亦然。在有源层上生成的总光量上测量，在表面等离子模式上耦合的大小的数量级可以为大约30%。换而言之，有机发光二极管的明显的功率部分过度到表面等离子中。在并不拥有如所描述地构建的折射层的有机发光二极管的情况下，在表面等离子上耦合的功率部分、尤其是通过在第一电极的金属中表面等离子模式衰减而损失并且并不可以转换为光。通过在第一电极的背离有机层序列的侧上的折射层，可以满足能量获得和脉冲获得，用于将表面等离子转换为电磁辐射。于是能够实现的是，表面等离子至少部分地在第一电极的外侧转换为电磁辐射。该辐射、由第一电极的表面等离子产生的等离子辐射于是至少部分地穿过折射层并且例如在有机发光二极管的后侧(其譬如通过折射层形成)从有机发光二极管出射。通过将在第一电极中的表面等离子转换回电磁辐射，可以提高有机发光二极管的效能和效率。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，折射层具有至少50nm、尤其是至少 IOOnm或者至少200nm的平均几何厚度。优选的是，折射层的平均几何厚度超过至少300nm、 尤其是至少500nm。折射层于是具有厚度，该厚度至少对应于在折射层内的电磁辐射的波长的数量级。
根据有机发光二极管的至少一个实施形式，第一金属电极具有在15nm到65nm之间(包括端值)的厚度，优选在25nm到50nm之间(包括端值)的厚度。在第一电极的厚度在所给出的范围中的情况下，第一电极在很大程度上是不可透射辐射的。也就是说，在有源层中产生的辐射并不重要的部分可以直接穿过第一电极而没有反射、吸收或者转换为表面等离子。另一方面，第一电极在所说明的范围中的厚度足够小，以便保证表面等离子从第一电极的朝向有机层序列的内侧有效地传输至第一电极的外侧。在第一电极的所说明的厚度范围中，于是等离子辐射的生成特别有效。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，在第一电极和有源层之间的平均距离在15nm到IOOnm之间(包括端值)，优选在25nm到50nm之间(包括端值)。为了减小至表面等离子的耦合，在没有如所说明那样构建的折射层的有机发光二极管中，在第一电极和有源层之间的距离在通常选择为尽可能大。在此，尽可能大意味着，该距离例如超过lOOnm。 因为通过折射层能够实现将表面等离子转换为等离子辐射，所以在有源层和第一电极之间的距离可以减小。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，在第一电极和有源层之间的平均距离最大为25nm，尤其是最大15nm。通过在有源层和第一电极之间的这种小的距离，可以保证在有源层中产生的辐射至第一电极的表面等离子模式的耦合特别有效。换而言之，有机发光二极管的功率吸收的特别大的部分被转换为至少第一电极中的表面等离子。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，有机层序列的平均几何总厚度小于或等于150nm，优选小于或等于90nm。有机层序列的这种小的总厚度能够通过将表面等离子恢复为等离子辐射来实现，使得由于激励表面等离子，发光二极管的总效率并不降低或者并不明显降低发光二极管的效能。通过有机层序列的小的层厚度，此外改进了有机发光二极管的电学特性。于是，在有机层序列上由于其小的厚度也仅仅降落小的电压。此外，对于产生有机层序列所需的材料使用也可以减少。此外，有机层序列不再或者比传统发光二极管情况下少得多地用作波导层。如果有机层序列不用作波导层或者减少地作为波导层，则可以提高所产生的辐射的耦合输出效率。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，由发光二极管产生的辐射在发光二极管的后侧的平均辐射强度为在发光二极管的前侧的平均辐射强度的至少5%，尤其是至少 15%。换而言之，由发光二极管发射的辐射功率的大部分在后侧发射，即在发光二极管的背离有机层序列的侧发射。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，在后侧的平均辐射强度在带有25个百分点的公差的情况下对应于在前侧的平均辐射强度。优选的是，公差最高为10个百分点，尤其是平均辐射强度在后侧和在前侧在制造公差的范围中相同。在前侧和后侧的发射强度的比例例如可以通过有源层和第一电极之间的距离来调节，即在至表面等离子模式上的耦合程度之间调节，以及通过金属的第一电极的厚度和/或透明度来调节。于是，可以实现具有尤其是恰好一个金属电极的有机发光二极管，其两侧地、即在前侧和后侧相同地发光。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，折射层的平均折射率为有机层序列的平均折射率的至少1.1倍。优选的是，折射层的平均折射率为有机层序列的平均折射率的至少1. 2倍、尤其是至少1. 3倍。通过比较大的折射率差，可以保证从表面等离子中有效地生成等离子辐射。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，折射层由交替地设置的层形成，其中交替地设置的层分别具有不同的材料组分。交替地设置的层例如可以交替地表现出比较高的折射率和比较低的折射率。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，交替设置的层的至少之一以透明的金属氧化物构建。例如，折射层由ZnO层和TiO层和/或31~1103层的交替的序列形成。这些层例如分别通过原子层沉积(英语atomic layer exposition，或者缩写ALD)来制造。这样构建的折射层具有高的折射率和高的透明度，并且此外适于将有机发光二极管相对于外部影响如酸和湿气进行封闭。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，其后侧通过折射层形成。也就是说，从有机发光二极管的光耦合输出在后侧直接从折射层出来。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，折射层具有结构化部，用于提高等离子辐射的辐射耦合输出。结构化部可以规则地或者无规则地构建。例如，结构化部可以通过借助刻蚀掩模的刻蚀或者通过统计上的粗化工艺、例如磨削或者喷砂来产生。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，折射层附加有扩散装置。扩散装置例如通过散射颗粒来形成。换而言之，等离子辐射或者等离子辐射的至少一部分并非直线地穿过折射层，而是通过扩散装置而经历至少一次方向改变，尤其是通过反射和/或散射引起。通过使用扩散装置，尤其是结合折射层的结构化部，可以实现关于等离子辐射的高的光耦合输出效率。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，折射层包括转换装置。在此，转换装置设计用于吸收等离子辐射的至少一部分，并且转换为具有更大波长的辐射。通过转换装置， 也可以改变在后侧上发光二极管的空间发射特性，尤其是均勻地构建。转换装置也可以结合散射装置以及结合折射层的结构化部来使用。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，第一电极以及第二电极都借助金属来形成。于是，两个电极都是金属电极。例如，有机发光二极管构建为所谓的微谐振器0LED。 通过第一电极和第二电极，于是例如形成一种谐振器。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，其中尤其是第一电极以及第二电极都借助金属来形成，两个电极具有最高30nm的厚度，尤其是最高15nm的厚度。换而言之，两个电极由于小的厚度而部分地对于有源层中产生的可见辐射是可穿透的。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，第二电极借助透明导电氧化物形成。 优选的是，第二电极的厚度于是超过lOOnm，尤其是200nm。优选的是，第二电极的厚度在 IOOnm到140nm之间，其中包括端值。例如，第二电极借助氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或者氧化锡来形成。同样地，可以使用Al掺杂的氧化锌(缩写ΑΖ0)作为第二电极的材料。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，至少第一电极沿着至少一个主延伸方向、优选沿着两个主延伸方向具有厚度变化。换而言之，第一电极的厚度例如周期性地或者统计分布地沿着两个正交的主延伸方向分布。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，发光二极管的支承体在主侧具有结构
7化。在支承体的该主侧上于是施加有第一电极和第二电极以及有机层序列和折射层，分别优选具有通过整个主侧在制造公差的范围内恒定的厚度。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，厚度变化和/或结构化部的长度范围在300nm到1. 5 μ m之间，优选在400nm到1. 0 μ m之间，其中包括端值。在此，厚度变化可以是均勻的或者周期性的变化，其例如正弦形地进行或者阶梯形地进行，并且周期性对应于长度范围地示出。同样可能的是，厚度变化以第一电极中的孔的形式来实施，这些孔以彼此之间规则的距离来设置。也可能的是，长度范围是平均的长度范围，并且厚度变化沿着主延伸方向不规则或者随机。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，在折射层的背离第一电极的侧上有镜，其构建用于将等离子辐射朝向有机层序列反射。通过使用这种镜，可能的是，将有机发光二极管产生的全部辐射通过前侧从有机发光二极管耦合输出。在使用这种镜的情况下， 折射层优选具有扩散装置和/或结构化部。根据有机发光二极管的至少一个实施形式，镜是折射层的一部分。例如，镜于是形成为布拉格镜并且镜层同时是折射层的部分层。由此，可以实现有机发光二极管的有效的封装和/或紧凑的结构。下面将参照附图借助实施例进一步阐述这里所描述的有机发光二极管。在此，各图中相同的元件设置有相同的参考标记。然而在此并未示出合乎比例的关系。更确切地说， 各元件可以为了更好的理解而被夸大地示出。其中
图1至12示出了这里所描述的有机发光二极管的实施例的示意性剖视图，图13示出了原理草图的示意性剖视图，并且图14示出了表面等离子的分散关系的示意图。在图1中示出了有机发光二极管10的一个实施例。发光二极管10具有有机层序列3，其带有有源层33。在发光二极管10的工作中，在有源层33中产生电磁辐射R。有机层序列33的总厚度H例如为最大300nm，尤其是最大90nm。在层序列3的朝向支承体7的侧上存在第二电极2。第二电极2例如用透明导电氧化物构建。通过第二电极2和支承体 7，在有源层33中产生的辐射R的至少一部分在发光二极管10的前侧6上发射。有机层序列3的背离支承体7的侧上存在第一电极1，其借助金属、例如借助银来形成。通过在有源层33中的辐射产生，在第一电极1和有源层序列3之间的界面上激励表面等离子+、-。这些表面等离子+、_可以到达第一电极1的背离有机层序列3的外侧11。 为了有效地实现这一点，第一电极11的厚度D优选在25nm到50nm之间，其中包括端值。在第一电极1的外侧11上，与第一电极1直接接触地施加折射层4。折射层4的平均折射率在此至少为有机层序列3的平均折射率或者优选大于平均折射率。通过折射层 4，也形成发光二极管10的后侧5。通过折射层4的平均折射率大于有机层序列3的平均折射率，能够实现的是，表面等离子+、-在第一电极1中被转换为等离子辐射PI、P2、P3。等离子辐射PI、P2、P3至少部分地穿过折射层4并且由发光二极管10在后侧5上发射。折射层4的厚度D在此优选为至少200nm。基于在表面等离子+、_至等离子辐射P1、P2、P3的转换中的脉冲获得和能量获得，等离子辐射P1、P2、P3的发射关于波长方面与角度相关地进行。等离子辐射Pl的波长于是小于等离子辐射P2的波长，其又小于等离子辐射P3的波长。等离子辐射P1、P2、P3的波长越小，则其中等离子辐射PI、P2、P3朝着第一电极1的主延伸方向穿过折射层4的角度越在根据图2的实施例中，折射层4在衬底7和第一电极1之间。后侧5通过衬底 7形成，并且前侧6通过第二电极2的背离有机层序列3的外侧12形成。等离子辐射Pl、 P2、P3穿过衬底7从发光二极管10发射。不同于图1或图2所示，衬底7可以具有粗化部用于改进耦合输出效率。根据图3，衬底7本身构建折射层4。衬底7于是借助如下材料构建其具有至少与有机层序列3的平均折射率相同大小的折射率。优选的是，在有机层序列3和衬底7之间的折射率差至少为0. 2或者至少为0. 3。例如，衬底7的折射率于是大约为2. 1，并且有机层序列3的平均折射率大约为1. 8，尤其是具有分别为0. 1或0. 05的公差。根据图4的有机发光二极管10实施为微谐振器发光二极管。第一电极1以及第二电极2分别由金属形成，例如分别由银形成。然而优选地，电极1、2具有彼此不同的金属或者由不同的金属构成。在第一电极1的外侧11上以及在第二电极2的外侧12上存在折射层^、4b。任选地可能的是，折射层如在第一电极1上同时是支承体7。第一电极1和第二电极2的厚度Dl、D2可以调节，使得产生表面等离子以及由此产生等离子辐射P1、P2、P3，并且直接在有源层3中产生的辐射R可以至少部分地穿过电极 1、2的至少之一。由此可以实现的是，如在根据图1至3的实施例中那样，在前侧6上以及在发光二极管10的后侧5上可以实现几乎相同大小的发射强度。根据图5的实施例，第一电极1沿着主延伸方向具有长度范围L的厚度变化。在此，长度范围L优选在所发射的等离子辐射PI、P2、P3的真空波长的数量级中。例如，厚度变化表现出周期性的、正弦形的曲线。任选地，折射层4也可以不同于图5中所示地表现出厚度变化。同样可能的是，不同于图5中的视图，第二电极2具有厚度变化并且从第二电极2出发来看背离衬底7的层 3-5以恒定的厚度存在。衬底7的朝向有机层序列3的侧也可以被结构化，其中于是优选的是，另外的层2-5具有恒定的厚度。通过在等离子辐射P1、P2、P3的波长的长度范围L上的厚度变化，可以在第一电极 1上产生一种光学格栅。由此可能的是，调节所发射的等离子辐射P1、P2、P3的角度相关性。例如，等离子辐射P2的强度超过等离子辐射P1、P3的强度。为了简化图形视图，在图5中以及在随后的图中并未示出直接在有源层33中产生的辐射R。根据图6，第一电极1具有孔9。孔9例如完全穿过第一电极1并且可以通过光刻工艺来产生。孔9的直径例如在IOOnm到200nm之间，其中包括端值。通过第一电极1中的孔9，同样可以产生一种光学格栅用于调节在后侧5上的发射特性。在图7中示出了，折射层4优选具有结构化部13用于提高等离子辐射P的耦合输出效率。根据图8，折射层4包括散射颗粒形式的扩散装置14。通过散射颗粒14，等离子辐射P至少部分地穿过折射层，并非直线地而是在散射颗粒上被偏转或者反射。由此，同样可以提高等离子辐射P从折射层4的耦合输出效率。在根据图9的实施例中，折射层4附加有转换装置15。通过转换装置15的颗粒， 将等离子辐射P的至少一部分吸收并且转换为具有更大波长的次级辐射S。通过使用转换装置15，可以将所发射的辐射P、S的发射特性均勻化，即更均勻地构建。转换装置15可以选择为使得例如仅仅将等离子辐射的蓝色和绿色光谱部分转换为次级辐射S，并且譬如等离子辐射P的红色部分未被转换地在后侧5上发射。根据图10，第一电极1表现出阶梯式的厚度变化。通过厚度变化可以实现的是， 在第一电极1的不同部位上对于等离子辐射P1、P2、P3的不同波长存在将表面等离子转换为等离子辐射P1、P2、P3的不同效率。通过第一电极1的厚度变化，之后也无需第一电极1 按照光学格栅方式结构化地实现在后侧5上发射特征的影响和构建。在根据图11的实施例中，第一电极1的厚度变化并非阶梯形地变化，如图10所示的那样，而是斜坡式地变化。如也在图10中那样，斜坡式构建的厚度变化的周期性优选大于等离子辐射pi、P2、P3的波长。在图12中示出了发光二极管10的一个实施例，其中在折射层4的背离有机层序列3的侧上施加有镜8。通过镜8，将等离子辐射P朝着衬底7反射，使得等离子辐射P以及直接在有源层33中产生的辐射R通过前侧6从发光二极管10发射。优选的是，折射层 4在此具有图12中并未示出的散射装置。此外可能的是，镜8形成为折射层4的一部分。在图13中示出了所谓的Kretschmarm配置。玻璃棱镜16施加在第一电极上。在第一电极1的背离玻璃棱镜16的侧上此外施加有有机层3。确定波长的辐射Q入射到玻璃棱镜16中。根据辐射Q的入射角、辐射Q的波长以及玻璃棱镜16以及有机层3的折射率，将辐射Q的确定的部分转换为表面等离子+、_。在此可能的是，全部辐射Q都转换为表面等离子+、-。相比于有机发光二极管10，譬如根据图1至图12，在Kretschmarm配置中， 于是存在相反的情况，于是辐射Q被转换为表面等离子+、_。在图14中示意性地示出了表面等离子+、-的分散关系。在此所示的是m-1为单位的波向量k相对于nm为单位的波长λ或者Hz为单位的频率f。辐射Q至表面等离子 +、_的转换关于分散关系仅仅从更右边的曲线到更左边的曲线是可能的。曲线a示意性地示出了空气中的分散关系，曲线b示出了在具有折射率为1. 5的介质中的分散关系，曲线c示出了在空气-银界面上的表面等离子的分散关系，并且曲线d 示出了在银-有机物界面上的表面等离子的分散关系，其中有机物具有大约30nm的厚度。相反的情况，即从表面等离子+、-转换为等离子辐射P在此后只有当其中将表面等离子转换为等离子辐射P的介质(在此即为折射层4)的折射率足够大时才可能。这里所描述的发明并未通过借助实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括任意新的特征和特征的任意组合，尤其是包含权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者特征的该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中说明。本专利申请要求德国专利申请的优先权10 2009 023 352. 0和10 2009 037 185. 0，其公开内容通过引用结合于此。
权利要求
1.一种有机发光二极管(10)，具有-第一电极(1)，其借助金属形成，以及第二电极O)；-带有至少一个有源层(3 的有机层序列(3)，其中有机层序列C3)位于第一电极(1) 和第二电极⑵之间；-辐射穿透的折射层G)，其位于第一电极⑴的背离有机层序列⑶的外侧(11)上， 并且折射层(4)的平均折射率大于或者等于有机层序列( 的平均折射率；以及-前侧(6)和后侧(5)，其中后侧(5)朝向折射层⑷并且前侧(6)朝向有机层序列 (3)，并且在发光二极管(10)中产生的辐射(P，R，S)在前侧(6)和/或在后侧(5)发射；其中由有机发光二极管(10)产生的电磁等离子辐射(P)的至少一部分穿过折射层⑷。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管(10)，其中通过在有源层(3 中产生的电磁辐射的至少一部分至少在第一电极(1)中激励表面等离子(+，_)，并且通过这些表面等离子(+，“)产生等离子辐射⑵。
3.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中折射层(4)具有至少 IOOnm的平均几何厚度(D)。
4.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中第一电极(1)具有在25nm 到65nm之间的厚度(T)，其中包括端值。
5.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中在第一电极(1)和有源层 (33)之间的平均距离(A)在15nm到SOnm之间，其中包括端值，和/或，其中有机层序列(3) 的平均几何总厚度(Z)最高为150nm。
6.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中由发光二极管(10)产生的辐射(P，R)在发光二极管(10)的后侧( 上的平均辐射强度为在发光二极管(10)的前侧(6)上的平均辐射强度的至少5%。
7.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中在25个百分点的公差情况下，在后侧( 上的平均辐射强度等于在前侧(6)上的平均辐射强度。
8.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中折射层(4)的平均折射率至少为有机层序列(3)的平均折射率的1. 1倍。
9.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中折射层(4)包括至少两种交替设置的层，其中至少一种类型的层借助透明金属氧化物构建。
10.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中后侧( 通过折射层(4) 来形成，并且其中折射层(4)具有结构化部(13)用于提高等离子辐射(P)的辐射耦合输出ο
11.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中折射层(4)包含扩散装置(14)和/或转换装置(15)。
12.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中第一电极(1)以及第二电极(2)借助金属形成。
13.根据权利要求1至11之一所述的有机发光二极管(10)，其中第二电极( 借助透明导电氧化物形成。
14.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中第一电极(1)沿着至少一个主延伸方向具有厚度变化，其中厚度变化的长度范围(L)至少为300nm并且最大为 L 5 μ m0
15.根据上述权利要求之一所述的有机发光二极管(10)，其中在折射层的背离第一电极(1)的侧上安置有镜(8)，其设计用于将等离子辐射(P)朝向有机层序列(3)反射。
全文摘要
在有机发光二极管(10)的至少一个实施形式中，其包括第一电极(1)，其借助金属形成，以及第二电极(2)。此外，有机发光二极管(10)包括有机层序列(3)，其位于第一电极(1)和第二电极(2)之间。此外，有机发光二极管(10)具有辐射穿透的折射层(4)，其位于第一电极(1)的背离有机层序列(3)的外侧(11)上。折射层(4)的平均折射率大于或者等于有机层序列(3)的平均折射率。由有机发光二极管(10)产生的电磁等离子辐射(P)的至少一部分穿过折射层(4)。
文档编号H01L51/52GK102449803SQ201080023423
公开日2012年5月9日 申请日期2010年5月27日 优先权日2009年5月29日
发明者斯特凡·诺维, 沃尔夫冈·布吕廷, 约尔格·弗里斯赫艾森 申请人:欧司朗光电半导体有限公司