专利名称：封装的光电子器件及其制造方法
技术领域：
一般来说，本发明涉及封装结构和用于制造封装的结构的方法。更具体地说，本发明涉及封装的光电子器件和用于制造封装的光电子器件的方法。
背景技术：
光电子器件，例如有机发光器件(OLED)，一般包括在衬底(例如，玻璃或硅)上形成的多个薄膜层。发光有机固体的发光层，以及可选的邻近半导体层夹合在阴极与阳极之间。半导体层可以是空穴注入层或电子注入层。发光层可从任何大量荧光或磷光有机固体中选择并可包含多个子层或单个混和层。当在阳极与阴极之间施加电位差时，电子从阴极移到可选的电子注入层并最终进入有机材料的层(一个或多个)。同时，空穴从阳极移到可选的空穴注入层并最终进入相同的有机发光层(一个或多个)。当空穴和电子在有机材料的层(一个或多个)中相遇时，它们结合并产生光子。光子的波长取决于生成光子的有机材料的材料属性，并且从OLED发射的光的颜色可通过有机材料的选择、或通过掺杂剂的选择、或通过本领域已知的其它技术来控制。在典型OLED中，阳极或阴极是透明的，以允许发射的光穿过。如果期望允许光从 OLED的两侧发射，则阳极和阴极可以都是透明的。OLED具有许多有益特性，例如低激活电压、快速响应、高亮度、高可见性及不复杂的制造过程。因此，OLED代表着用于显示应用和一般照明的颇有前景的技术。但是，虽然迄今为止对OLED的开发已经取得了实足的进展，但仍存在额外难题。 例如，OLED仍面临与其长期稳定性相关联的难题。限制OLED的广泛使用的难题之一在于， 构成器件以及在某些情况下构成电极的有机聚合物或小分子材料是环境敏感的这一事实。 具体地说，众所周知，器件性能在有水分和/或氧存在时会降级。另外，可能需要在封装的光电子器件(例如，0LED)之间提供电连接。因此，需要光电子器件的新的和改进的封装结构和方法。
发明内容
在一个方面中，本发明涉及封装的光电子器件，其包括第一阻挡层；配置成耦合到第一阻挡层的电致发光器件，并且电致发光器件包括均定义侧面的衬底和电致发光元件，以及电致发光元件包括部署在衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在第一电极与第二电极之间的光电子活性层；配置成耦合到电致发光器件的第二阻挡层；和配置成位于第一阻挡层与第二阻挡层之间的粘合剂，其至少耦合到电致发光器件的侧面以将电致发光器件密封在第一阻挡层与第二阻挡层之间；部署在第一阻挡层上的第一导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第一电极并与第二电极和第二导电区域电绝缘；部署在第一阻挡层上的第二导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第二电极并与第一电极和第一导电区域电绝缘。在另一个方面中，本发明涉及制作封装的光电子器件的方法，包括提供第一阻挡层；提供配置成耦合到第一阻挡层的电致发光器件，电致发光器件包括都定义侧面的衬底和电致发光元件，并且电致发光元件包括部署在衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在第一电极与第二电极之间的光电子活性层；提供配置成耦合到电致发光器件的第二阻挡层；和提供配置成位于第一阻挡层与第二阻挡层之间的粘合剂，其至少耦合到电致发光器件的侧面以将电致发光器件密封在第一阻挡层与第二阻挡层之间；以及提供部署在第一阻挡层上的第一导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第一电极并与第二电极和第二导电区域电绝缘；部署在第一阻挡层上的第二导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第二电极并与第一电极和第一导电区域电绝缘。在另一个方面中，本发明涉及封装的光电子器件，其包括第一阻挡层；配置成耦合到第一阻挡层的电致发光器件，并且电致发光器件包括都定义侧面的衬底和电致发光元件，电致发光元件包括部署在衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在第一电极与第二电极之间的光电子活性层；配置成耦合到电致发光器件的第二阻挡层；和配置成位于第一阻挡层与第二阻挡层之间的粘合剂，其至少耦合到侧面以将电致发光器件密封在第一阻挡层与第二阻挡层之间；部署在第一阻挡层上的导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间，以及配置成电耦合到电致发光器件的第一电极和第二电极中的至少一个，并且与电致发光器件的第一电极和第二电极中的另一个电绝缘。
根据以下结合附图的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征、和优点将变得更为清楚，在附图中，相似附图标记表示相似部件，在附图中图1是根据本发明的第一实施例的封装的光电子器件的示意分解图；图2是图1的封装的光电子器件的示意装配图；图3是图2的封装的光电子器件的示意顶面图；图4是根据本发明的第二实施例的封装的光电子器件的示意装配图；图5是根据本发明的第三实施例的封装的光电子器件的示意装配图；图6是根据本发明的第四实施例的光电子器件的示意装配图；以及图7是根据本发明的第五实施例的光电子器件的示意装配图；图8是根据本发明的第六实施例的光电子器件的示意装配图；图9是根据本发明的第七实施例的两个光电子器件的示意装配图；以及图10是根据本发明的第八实施例的三个光电子器件的示意顶面图。
具体实施例方式此处将参照附图描述本公开的实施例，附图中相同附图标记表示相同部件。在以下描述中，没有详细描述众所周知的功能和结构，以避免不必要的细节影响对本公开的理解。单数形式“一”和“该”包括复数对象，除非上下文另加明确规定。图1-3分别示出根据本发明的第一实施例的封装的光电子器件10的示意分解图、 装配图及顶面图。如图1到3所示，光电子器件10包括第一阻挡层12 ；配置成耦合到第一阻挡层12的电致发光器件14，并且电致发光器件14包含都定义侧面144的衬底140和电致发光元件142。电致发光元件142包括部署在衬底140上的第一电极146、第二电极148， 以及部署在第一电极与第二电极146、148之间的光电子活性层141。第二阻挡层16配置成耦合到电致发光器件14。粘合剂18配置成位于第一阻挡层与第二阻挡层12、16之间，并且至少耦合到电致发光器件14的侧面144以将电致发光器件14密封在第一阻挡层与第二阻挡层12、16之间。第一导电区域11部署在第一阻挡层12上，位于第一阻挡层与第二阻挡层12、16之间，并且配置成电耦合到第一电极146并与第二电极148和第二导电区域13电绝缘。第二导电区域13部署在第一阻挡层12上，位于第一阻挡层与第二阻挡层12、16之间，并且配置成电耦合到第二电极148并与第一电极146和第一导电区域11电绝缘。在所示实施例中，两个导电元件15位于第一电极与第二电极146、148上，并且在导电元件15上部署导电材料22以将第一电极和第二电极146、148以面对面的方式分别与第一导电区域与第二导电区域11、13连接。划痕线21使第一电极和第二电极146、148电绝缘。划痕线21不导电并且是使用激光或机械方式或通过化学蚀刻划出的空隙，或备选地划痕线21可使用绝缘体来替代。在其它实施例中，定位层的边界以使得第一电极与第二电极146、148之间无电短路并且不需要空隙或绝缘体，例如，光电子活性层141可填充空隙。 在所示实施例中，第二粘合层17直接部署在第一阻挡层12上，并且第一导电区域和第二导电区域11、13直接部署在第二粘合层17上。第二粘合层17使第一导电区域和第二导电区域11、13与第一阻挡层12绝缘。第一保护层19部署在第二电极148上以使第二电极148 与第一导电区域和第二导电区域11、13绝缘。第三粘合层20部署在衬底140与第二阻挡层16之间。如图1到3所示，在一个非限制性示例中，第一阻挡层12和第二阻挡层16可互相平行地部署。粘合层18可位于第一阻挡层12与第二阻挡层16之间并连接它们以密封电致发光器件14。在所示实施例中，侧面144包括电致发光元件142的第一侧面1420和衬底 140的第二侧面1400。在非限制性示例中，粘合剂18可至少耦合到具有所需宽度的第一侧面和第二侧面1400和1420中的一个或多个以密封侧面1400和/或侧面1420。在一个示例中，粘合剂18可部署在第一侧面和第二侧面1400和1420两者上以与第三粘合层20及第一导电区域和第二导电区域11、13协作密封电致发光器件14以免于环境危险，例如氧和水分。在另一个方面，一种制造封装的光电子器件10的方法，包括提供第一阻挡层12 ； 提供配置成耦合到第一阻挡层12的电致发光器件14，电致发光器件14包括都定义侧面 144的衬底140和电致发光元件142，且电致发光元件142包括部署在衬底140上的第一电极146、第二电极148、以及部署在第一电极与第二电极146、148之间的光电子活性层141 ； 提供配置成耦合到电致发光器件14的第二阻挡层16 ；和提供位于第一阻挡层与第二阻挡层之间的粘合剂18，其至少耦合到电致发光器件14的侧面144以将电致发光器件14密封在第一阻挡层与第二阻挡层之间；以及提供部署在第一阻挡层12上的第一导电区域11，其位于第一阻挡层与第二阻挡层12、16之间，并且配置成电耦合到第一电极146并与第二电极148和第二导电区域13电绝缘；部署在第一阻挡层12上的第二导电区域13，其位于第一阻挡层与第二阻挡层12、16之间并且配置成电耦合到第二电极148并与第一电极146和第一导电区域11电绝缘。制造或装配可在层压过程中完成。导电区域11、13沉积在第一阻挡层12上。密封粘合剂20沉积在第二阻挡层16上。第一阻挡层、OLED器件及第二阻挡层均相对对齐地放置。通过在真空或受控气氛中提供适当热、压力和时间进行层压。该过程可采用批次配置或连续卷轮式过程。图3中的箭头沈指示卷轮式连续过程中的网移动方向。图4是根据本发明的第二实施例的封装的光电子器件100的示意装配图。图1-4 中的相同标号可指示相似元件。封装的光电子器件100与封装的光电子器件10相似，只是第一阻挡层12部署在衬底140上并且第一电极和第二电极146、148的导电元件15经由电线27而不是以面对面的方式与第一导电区域和第二导电区域11、13电连接。第一阻挡层 12是透明的。第四粘合层观部署于衬底140与第一导电区域和第二导电区域11、13之间。 第三保护层23部署在第二电极148上。第五粘合层四部署在第三保护层23上。图5是根据本发明的第三实施例的封装的光电子器件200的示意装配图。封装的光电子器件200与封装的光电子器件10相似，只是第二阻挡层16部署在衬底140与第一电极146之间。这样，第二阻挡层16是衬底140的整体部分并且光电子器件200的总厚度可减小以适合需要薄厚度封装的光电子器件的某些应用。图6是根据本发明的第四实施例的封装的光电子器件300的示意装配图。封装的光电子器件300与封装的光电子器件200相似，只是第二保护层M部署在第一保护层19 上。第二保护层M可以是使用适当粘合剂(未示出)接合到第一保护层19的铝箔。图7是根据本发明的第五实施例的封装的光电子器件400的示意装配图。封装的光电子器件400与封装的光电子器件300相似，只是第六粘合层25位于第二电极148与第二粘合层17之间。第六粘合层25可直接部署在第二电极148与第二粘合层17之间，或者， 在一些实施例中，直接部署在第二电极148与第一保护层和第二保护层19、24(未示出)的任何一个之间。图8示出本发明的第六实施例，其中封装的光电子器件500的第一阻挡层12是不透明金属膜并且经由导电材料22与第二电极148直接电连接。在这个实施例中，只有一个导电区域11经由导电材料22与第一电极146电连接。第二阻挡层16是透明的。在不背离本公开精神的情况下，可对封装的光电子器件500进行修改，例如，第一电极146取代第二电极148与第一阻挡层12直接电连接，而第二电极148取代第一电极146与导电区域13 电连接(图8中未示出)。虽然图1-7中在第一阻挡层与第二阻挡层12、16之间仅示出一个电致发光器件 14，但第一阻挡层与第二阻挡层12、16之间可以有多个电致发光器件14和相应结构(例如，第一导电区域和第二导电区域11、Π)。例如，可布置多个电致发光器件14以使得相邻电致发光器件分享第一导电区域和第二导电区域11、13中的一个或两个并且部分第一导电区域和第二导电区域11、13可从外部达到。图9是根据本发明的第七实施例的电串联连接的两个光电子器件600、700的示意装配图。光电子器件600的第一电极146和相邻光电子器件700的第三电极150与光电子器件600、700之间的公共内部导电区域Ila电连接。光电子器件600、700外侧的导电区域 11、13可从外部达到或者在其它实施例中，以内部导电区域Ila连接光电子器件600、700的相似方式与其它光电子器件(未示出)电连接。在一些实施例中，器件600的第一电极146 和器件700的第四电极152可具有相同的极性，例如，均为阳极。器件600的第二电极148 和器件700的第三电极150可具有相同的极性，例如，均为阴极。图10示出根据本发明的第八实施例的电并联连接的三个光电子器件800、900、 1000的示意顶面图。器件800、900、1000的第一电极(未标记)连接到公共导电区域11， 并且器件800、900、1000的第二电极(未标记)连接到公共导电区域13。在其它实施例中， 可以有两个或超过三个并联连接的光电子器件。在本发明的实施例中，电致发光器件14可以是“0LED”(有机发光二极管)或 “PLED”(聚合物发光二极管)。如本领域中已知，光电子活性层141可包括单层或两个或更多子层以与阳极和阴级协作发光。阳极和阴极将载荷子，即空穴和电子，注入光电子活性层 141，在其中它们重新结合以形成激励的分子或激子，在分子或激子衰变时发光。由分子发出的光的颜色取决于分子或激子的激励状态与基态之间的能量差。在非限制性示例中，光电子活性层可具有约50-500纳米的厚度，并且各电极可具有约100-1000纳米的厚度。在非限制性示例中，衬底140可包括玻璃、金属箔、塑料或聚合材料。塑料或聚合材料对制造弹性器件可能很有用。此类材料可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚砜 (PSO)、聚对苯醚砜(PES)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚(氯乙烯)(PVC)、聚苯乙烯(PS)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。另外，也可以采用能用作衬底的其它材料。在一些实施例中，第一电极146可用作阳极，而第二电极148可用作阴极。阳极包括涂敷在透明衬底140上的透明氧化铟锡(ITO)，而阴极包括可称作底部发光配置的铝。第二阻挡层16是透明的，而第一阻挡层12可以是透明的也可以是不透明的。在其它实施例中，电致发光器件可配置为顶部发射配置(未示出)，这可由本领域的技术人员轻松实现， 即，第一电极146可用作阴极，而第二电极148可用作阳极。这样，取决于不同应用，衬底 140和第一阻挡层与第二阻挡层12、16可以是不透明或透明的。在顶部发射配置和底部发射配置中，导电区域IlUla及13配置成不会阻挡从光电子活性层的发光。在本发明的实施例中，阴极一般可包括具有低功函数值的材料，以使得较小电压导致从阴极发射电子。在一些实施例中，除了铝之外，阴极可包括钙或诸如银、镁之类的金属或镁/银合金。备选地，阴极可由两层制成以增强电子注入。阴极的非限制性示例可包括LiF或NaF的薄内层加上铝或银的较厚外层，或钙的薄内层加上铝或银的较厚外层。阳极一般可包括具有高功函数值的材料。在一些实施例中，阳极可以是透明的，以使得在有机发光层生成的光可传出发光器件10。在非限制性示例中，除了 ITO之外，阳极可包括氧化锡、镍或金，并且可通过常规汽相沉积技术(例如，蒸发或溅射)形成。粘合剂可以是相同材料。可使用各种技术施加粘合剂，例如滴涂、丝网印刷和接触印刷。在本发明的实施例中，粘合剂可以是热塑或热固的，并且可以是薄的，例如，大约或小于50ums，大约或小于25微米(um)或薄至12微米(um)或更小。这样，封装结构的几何形状可创建长横向通道以防止水分和/或氧。在一个非限制性示例中，假定粘合剂的厚度可以是50um，并且第一侧面或第二侧面的密封宽度可以是10mm。可以看到，宽度和厚度的比较大，以使得水分进入的横向通道可能很困难。取决于不同的要求，封装结构的尺寸可相应地改变。例如，粘合剂是电绝缘的并可针对低成本、容易在大区域中处理以及透明度、低透湿性和良好的粘合性进行选择，并且可具有吸收水分和/或氧以防止水分和/或氧到达 OLED器件14的能力。在非限制性示例中，粘合剂可包括聚合材料，例如环氧树脂、丙烯酸清漆、硅酮、橡胶、乙烯基或聚烯烃。保护层可以是电绝缘的涂层并且可包括有机或无机材料。保护层中的保护材料的非限制性示例包括具有含热固树脂(例如，环氧树脂或聚氨酯橡胶)和热塑性塑料(例如， 石蜡、胺和丙烯酸树脂)的聚合物粘合层的有机物。这些材料可通过层压或涂敷来施加，并且可相继固化。在其它示例中，材料可包括第二相填充材料(有机或无机)，例如二氧化硅。在本发明的实施例中，第一阻挡层和第二阻挡层12、16可配置成防止水分和氧扩散到电致发光元件142的区域中。在非限制性示例中，第一阻挡层和第二阻挡层12、16是分别连续的层并且包括诸如有机材料、无机材料或金属箔之类的材料。有机材料可包括碳、 氢、氧、硫、氮和/或硅等。无机材料可包括氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、氧氮化物、碳氧化物或其组合。而金属箔可包括铝(Al)、银(Ag)或铬(Cr)等。备选地，第一阻挡层和第二阻挡层12、16可包括混合有机/无机材料等。有机材料可包括丙烯酸盐、环氧树脂、环氧胺、二甲苯、硅氧烷、硅酮等。在一个示例中，第二阻挡层 16可包括玻璃、塑料或聚合材料，类似于衬底140的材料，例如PET、PBT、PEN、PC、PI、PSO、 PES、PE、PP、PVC、PS及PMMA等。第一阻挡层12可包括反光材料，例如Al、Ag或Cr等。在其它实施例中，第一阻挡层12可包括具有反光材料涂层的材料，例如，可在玻璃、塑料或聚合材料上涂敷金属。具有反光涂层的第一阻挡层12可实现为反射从基本透明的弹性衬底 140发射出的任何辐射并且将此类辐射导向弹性衬底140，以使得在此方向发射的辐射总量增大。在某些实施例中，第一阻挡层12可有利地包括防止反应性环境元素(例如，氧和水分)扩散到电致发光元件142中的材料。在所示实施例中，第二阻挡层16是弹性的并且包括PET，而第一阻挡层12包括反光铝箔。第一导电区域和第二导电区域ll、lla、13是印刷在第一阻挡层12上并且在一些实施例中直接印刷在第二粘合层17上的电路的组成部分。在一些实施例中，第一阻挡层12 不导电，导电区域IlUla和13直接印刷在第一阻挡层12上，而省略第二粘合层17。第一导电区域和第二导电区域ll、lla、13互相电绝缘并且它们中的至少一些可从外部达到以便可从外部例如与另一个封装的光电子器件进行电连接。虽然在典型实施例中说明并描述了本公开，但无意于局限到所示细节，因为在不背离本公开精神的情况下可进行多种修改和替换。因此，本领域的技术人员仅通过常规试验即可想到本文中的公开的更多修改和等效方案，并且所有此类修改和等效方案均视作属于所附权利要求定义的本公开的精神和范围之内。
权利要求
1.一种封装的光电子器件，包括第一阻挡层；电致发光器件，其配置成耦合到所述第一阻挡层并包括都定义侧面的衬底和电致发光元件，并且所述电致发光元件包括部署在所述衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在所述第一电极与所述第二电极之间的光电子活性层；配置成耦合到所述电致发光器件的第二阻挡层；以及粘合剂，其配置成位于所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间，并且至少耦合到所述电致发光器件的侧面以将所述电致发光器件密封在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间；第一导电区域，其部署在所述第一阻挡层上，位于所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间，并且配置成电耦合到所述第一电极并与所述第二电极和第二导电区域电绝缘；部署在所述第一阻挡层上的所述第二导电区域，其位于所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间并且配置成电耦合到所述第二电极并与所述第一电极和所述第一导电区域电绝缘。
2.如权利要求1所述的封装的光电子器件，另外包括位于所述第一电极和所述第二电极上的两个导电元件。
3.如权利要求2所述的封装的光电子器件，其中，所述第一电极和所述第二电极分别以面对面的方式与所述相应的第一导电区域和第二导电区域电连接。
4.如权利要求3所述的封装的光电子器件，另外包括直接部署在所述第一阻挡层上的第二粘合层，其中，所述第一导电区域和第二导电区域直接部署在所述第二粘合层上。
5.如权利要求4所述的封装的光电子器件，另外包括部署在所述第二电极上的第一保护层，以使所述第二电极与所述第一导电区域和所述第二导电区域电绝缘。
6.如权利要求5所述的封装的光电子器件，还包括部署在所述第一保护层上的第二保护层。
7.如权利要求6所述的封装的光电子器件，其中，所述第二阻挡层是透明的。
8.如权利要求7所述的封装的光电子器件，包括部署在所述衬底和所述第二阻挡层之间的第三粘合层。
9.如权利要求7所述的封装的光电子器件，其中，所述第二阻挡层部署在所述衬底与所述第一电极之间。
10.如权利要求1所述的封装的光电子器件，其中，所述第一阻挡层部署在所述衬底上，并且所述电致发光器件包括两个导电元件以经由电线电连接所述第一导电区域和所述第二导电区域。
11.如权利要求10所述的封装的光电子器件，其中，所述第一阻挡层是透明的。
12.如权利要求11所述的封装的光电子器件，还包括直接部署在所述第二阻挡层上的第四粘合层以及部署在所述第四粘合层与所述第二电极之间的第三保护层。
13.如权利要求1所述的封装的光电子器件，其中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的每一个是连续的。
14.如权利要求1所述的封装的光电子器件，其中，所述粘合剂是电绝缘的。
15.如权利要求1所述的封装的光电子器件，其中，所述第一导电区域和所述第二导电区域是印刷在所述第一阻挡层上的电路的组成部分。
16.如权利要求1所述的封装的光电子器件，另外包括第二电致发光器件。
17.如权利要求1所述的封装的光电子器件，其中，所述第一导电区域和所述第二导电区域可从外部达到的。
18.一种制作封装的光电子器件的方法，包括提供第一阻挡层；提供配置成耦合到所述第一阻挡层的电致发光器件，所述电致发光器件包括都定义侧面的衬底和电致发光元件，并且所述电致发光元件包括部署在所述衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在所述第一电极与所述第二电极之间的光电子活性层；提供配置成耦合到所述电致发光器件的第二阻挡层；以及提供粘合剂，所述粘合剂配置成位于所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间并连接它们，并且至少耦合到所述电致发光器件的侧面以将所述电致发光器件密封在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间；以及提供第一导电区域，所述第一导电区域部署在所述第一阻挡层上，位于所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间，并且配置成电耦合到所述第一电极并与所述第二电极和第二导电区域电绝缘；部署在所述第一阻挡层上的所述第二导电区域，其位于所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间，并且配置成电耦合到所述第二电极并与所述第一电极和所述第一导电区域电绝缘。
19.如权利要求18所述的方法，包括在所述第一电极和所述第二电极上提供两个导电元件。
20.如权利要求18所述的方法，其中，所述第一导电区域和所述第二导电区域是印刷在所述第一阻挡层上的电路的组成部分。
21.一种封装的光电子器件，包括第一阻挡层；电致发光器件，其配置成耦合到所述第一阻挡层并包括都定义侧面的衬底和电致发光元件，所述电致发光元件包括部署在所述衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在所述第一电极与所述第二电极之间的光电子活性层；配置成耦合到所述电致发光器件的第二阻挡层；以及粘合剂，其配置成位于所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间，并且至少耦合到所述侧面以将所述电致发光器件密封在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间；部署在所述第一阻挡层上的导电区域，其位于所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间，并且配置成电耦合到所述电致发光器件的所述第一电极和所述第二电极中的一个并与所述电致发光器件的所述第一电极和所述第二电极中的另一个电绝缘。
22.如权利要求21所述的封装的光电子器件，其中，存在以与所述电致发光器件相邻配置进行配置的第二电致发光器件，并且包括与所述第一电极和所述第二电极中的一个相邻的第三电极，并且其中，所述第三电极与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连接到所述导电区域。
23.如权利要求22所述的封装的光电子器件，其中，所述第三电极与所述第一电极和所述第二电极中的一个的极性不同。
24.如权利要求22所述的封装的光电子器件，其中，所述第三电极与所述第一电极和所述第二电极中的一个的极性相同。
全文摘要
一种封装的光电子器件，包括第一阻挡层；配置成耦合到第一阻挡层的电致发光器件，并且电致发光器件包括都定义侧面的衬底和电致发光元件，以及电致发光元件包括部署在衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在第一电极与第二电极之间的光电子活性层；配置成耦合到电致发光器件的第二阻挡层；和配置成位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并连接它们的粘合剂，其至少耦合到电致发光器件的侧面以将电致发光器件密封在第一阻挡层与第二阻挡层之间；部署在第一阻挡层上的第一导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第一电极并与第二电极和第二导电区域电绝缘；部署在第一阻挡层上的第二导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第二电极并与第一电极和第一导电区域电绝缘。还呈现了一种制作封装的光电子器件的方法。
文档编号H01L51/52GK102576820SQ201080045746
公开日2012年7月11日 申请日期2010年6月28日 优先权日2009年7月28日
发明者C·M·A·赫勒, D·S·法库哈, M·S·赫尔措格 申请人:通用电气公司