专利名称：半导体发光芯片的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体发光芯片。
背景技术：
由于照明应用将是半导体发光技术市场化的主要方向，因此，如何提高半导体发光芯片的发光效率已成为业界亟待解决的技术问题。然而，现有半导体发光芯片的η型电极通常设置在作为发光面之一的η型半导体层的顶面上，从而会降低半导体发光芯片的发光效率
发明内容
鉴于此，有必要提供ー种具有高发光效率的半导体发光芯片。ー种半导体发光芯片，其包括基板、设置在该基板上的发光结构层及第ー电极。所述发光结构层包括依次排布的第一半导体层、发光层及第ニ半导体层，该发光结构层内还形成有至少ー离子注入区，该离子注入区由所述第二半导体层底面贯穿发光层并延伸至第一半导体层内部，各离子注入区内开设有由第二半导体层底面贯穿至第一半导体层内部的容置槽。所述第一电极包括设置在基板与发光结构层之间的基底及由基底延伸而出的至少ー连接部，该至少一连接部对应地设置于容置槽内并与第一半导体层电连接。所述半导体发光芯片通过将所述第一电极埋设在半导体发光芯片的内部以使得作为发光面之一的第一半导体顶面不会受到遮蔽，从而提高半导体发光芯片的出光效率。而且，埋设在内部的第一电极的接触面积可做得比较大，从而降低电流密度，可减缓因电流密度升高而使发光效率下降的现象，使得半导体发光芯片可以承受更高的操作电流。下面參照附图，结合具体实施例对本发明作进ー步的描述。
图I为本发明第一实施方式所提供的半导体发光芯片的结构示意图。图2为本发明第二实施方式所提供的半导体发光芯片的结构示意图。主要元件符号说明
半导体发光芯片 1、2 基板10
第一电极12
离子注入区13
容置槽13^
权利要求
1.ー种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，所述发光结构层包括依次排布的第一半导体层、发光层及第ニ半导体层，其特征在干该发光结构层内还形成有至少ー离子注入区，该离子注入区由所述第二半导体层底面贯穿发光层并延伸至第一半导体层内部，各离子注入区内开设有由第二半导体层底面贯穿至第一半导体层内的容置槽，所述半导体发光芯片还包括第一电极，所述第一电极包括设置在基板与发光结构层之间的基底及由基底延伸而出的至少ー个连接部，该至少一连接部对应地设置于容置槽内并与第一半导体层电连接。
2.如权利要求I所述的半导体发光芯片，其特征在于所述基底的形状选自环状、同心环状、条状、分散排布的点状。
3.如权利要求I所述的半导体发光芯片，其特征在于所述基板为导电的金属基板或半导体基板。
4.如权利要求I所述的半导体发光芯片，其特征在于所述离子注入区内所注入的离子选自 H+、He+、O+、Ar+、N+、Ne+。
5.如权利要求I所述的半导体发光芯片，其特征在于所述第二半导体层的底面通过一接触层与一透明导电层电连接。
6.如权利要求5所述的半导体发光芯片，其特征在于所述接触层选自高掺杂的P型氮化物、超晶格P型氮化物、P型掺杂反转层。
7.如权利要求5所述的半导体发光芯片，其特征在于所述透明导电层与第一电极之间间隔有ー绝缘反射层。
8.如权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于所述绝缘反射层为分布式布拉格反射镜。
9.如权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于所述绝缘反射层的反射主频宽为 440nm_470nm。
10.如权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于所述绝缘反射层的材料选自ニ氧化硅、ニ氧化钛、五氧化ニ钽、氮化硅、氮化钛、氮化钽。
11.如权利要求I所述的半导体发光芯片，其特征在于所述发光结构层的一侧被蚀刻去除后露出部分透明导电层，所述半导体发光芯片还包括设置于外露的透明导电层上的第ニ电极。
12.如权利要求I所述的半导体发光芯片，其特征在于所述发光结构层的一侧蚀刻至第一半导体内部以露出部分第一半导体，所述第一半导体外露的表面上开设有贯穿至透明导电层的导通孔，所述半导体发光芯片包括设置在第一半导体外露表面上并通过导通孔与透明导电层电连接的第二电极。
全文摘要
本发明提供一种半导体发光芯片，其包括基板、设置在该基板上的发光结构层及第一电极。所述发光结构层包括依次排布的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该发光结构层内还形成有至少一离子注入区，该离子注入区由所述第二半导体层底面贯穿发光层并延伸至第一半导体层内部，各离子注入区内开设有由第二半导体层底面贯穿至第一半导体层内部的容置槽。所述第一电极包括设置在基板与发光结构层之间的基底及由基底延伸而出的至少一连接部，该至少一连接部对应地设置于容置槽内并与第一半导体层电连接。
文档编号H01L33/36GK102694098SQ20111007353
公开日2012年9月26日 申请日期2011年3月25日 优先权日2011年3月25日
发明者曾坚信 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司