Dgs低通滤波器的制作方法

文档序号:7006069阅读:670来源:国知局
专利名称:Dgs低通滤波器的制作方法
技术领域
本发明涉及电子技术领域,特别是一种应用于微波通信领域的本振源接收机中的 DGS低通滤波器。
背景技术
对目前小型化宽带接收机,低通滤波器是小型化宽带接收机重要组成部分。当前市场上高频段的低通滤波器尺寸复杂,体积较大。在微带线背面周期地刻上图形,形成的 PBG(photonic bandgap)结构在某个频率上具有带阻效应。LC并联电路具有带阻特性,因此,单个DGS单元可用LC并联电路等效。

发明内容
本发明旨在解决传统低通滤波器尺寸复杂、体积较大等技术问题,以提供具有体积小、结构简单等优点的DGS低通滤波器。本发明的目的是通过以下技术方案实现的。本发明的DGS低通滤波器,由两个完全相同的哑铃状DGS结构和一根微带线构成, 两个DGS结构蚀刻于基片上,并平行排布在微带线背面,每个DGS结构中间连接部的中心线与另一个DGS结构中间连接部的中心线相互平行,并与微带线中心线垂直。本发明的DGS低通滤波器,其中所述的DGS结构为在微带线背面的绝缘基片上蚀刻出的哑铃状图形,哑铃状图形的两个头部为正方形,微带线的方向与该哑铃状图形中间连接部的中心线方向空间垂直。本发明的DGS低通滤波器,其中所述DGS结构头部边长为1. 3mnT4. 6mm, DGS结构哑铃状图形中间连接部宽度为0. 2mnT0. 6mm。本发明的DGS低通滤波器,其中所述的基片为RT/duroid 5880,基片厚度为 0. 254。本发明DGS低通滤波器的有益效果体积小、结构简单、性能稳定可靠。


图1本发明的电路原理2本发明的等效电路3 DSG结构的示意4 DGS的EM仿真结果示意5 DGS等效电路6巴特沃斯低通滤波器原型电路7 LC等效电路的ADS仿真示意8低通滤波器的EM仿真示意中标号说明 a DGS正方形头部边长 b DGS正方形头部边长 g DGS结构中间连接部宽度 w与两个DGS结构相接微带线的宽度 wl微带线左右两个端部的宽度
具体实施例方式本发明详细结构、应用原理、作用与功效,参照附图1 一 8,通过如下实施方式予以说明。本发明由两个完全相同的 铃状DGS结构和一根微带线构成,两个DGS结构蚀刻于基片上,并平行排布在微带线背面,每个DGS结构中间连接部的中心线与另一个DGS结构中间连接部的中心线相互平行,并与微带线中心线垂直。DGS结构为在微带线背面的绝缘基片上蚀刻出的 铃状图形, 铃状图形的两个头部为正方形,微带线的方向与该哑铃状图形中间连接部的中心线方向空间垂直。DGS结构头部边长a或b为1. 3mnT4. 6mm, DGS结构哑铃状图形中间连接部宽度g为0. 2mnT0. 6mm。 基片为RT/duroid 5880,基片厚度为0. 254。在微带线背面周期地刻上图形,形成的PBG(ph0t0niC bandgap)结构在某个频率上具有带阻效应。PBG的研究最初主要在光学领域,但实际的应用频率范围很宽,已在微波和毫米波电路中得到应用。Defected Ground Structure (DGS)就是在微带线背面蚀刻出哑铃状的图形,它已应用于定向耦合器、滤波器和功率放大器的设计。本发明用Ansoft Ensemble仿真软件分析DGS的频率特性,利用电磁场仿真结果和ADS2004的电路仿真结果提取其等效电路的参数值,只使用了两个DGS单元和一根微带线做宽带低通滤波器。DGS单元在HFSS里的电磁仿真结果如附图4所示,单元的频率特性曲线与单极点巴特沃斯低通滤波器的响应相似,都可由其3 dB截止频率和谐振频率决定。反映出了低通滤波器的特性。我们得到它的3dB截止频率为6GHz。众所周知,LC并联电路具有带阻特性。因此,单个DGS单元可用LC并联电路等效,如附图5示,巴特沃斯低通滤波器原型的电路原理图可见附图6。改变DGS的参数也必将改变其频率特性和等效的LC参数值。本发明提及的DGS单元微带滤波器的等效L,C值为0. 135nH和0. 835pF。其电路仿真结果与EM仿真结果相似,参见附图7所示。DGS低通滤波器截止频率与微带线背面蚀刻出 铃状的格子大小有关,被蚀刻的格子可以等效于串联电感。当被蚀刻的格子尺寸减小,截止频率将会升高。此外截止频率也与DGS蚀刻的间隙g有关,它们的尺寸改变都将影响等效LC并联电路的L,C值。下面用图表说明
表一 DGS微带线频率特性及其等效LC值与方格的关系
权利要求
1.DGS低通滤波器,其特征在于由两个完全相同的哑铃状DGS结构和一根微带线构成,两个DGS结构蚀刻于基片上,并平行排布在微带线背面,每个DGS结构中间连接部的中心线与另一个DGS结构中间连接部的中心线相互平行,并与微带线中心线垂直。
2.如权利要求1所述的DGS低通滤波器,其特征在于所述的DGS结构为在微带线背面的绝缘基片上蚀刻出的 铃状图形, 铃状图形的两个头部为正方形,微带线的方向与该哑铃状图形中间连接部的中心线方向空间垂直。
3.如权利要求1所述的DGS低通滤波器,其特征在于所述DGS结构头部边长为 1. 3mnT4. 6mm, DGS结构哑铃状图形中间连接部宽度为0. 2mnT0. 6_。
4.如权利要求1所述的DGS低通滤波器,其特征在于所述的基片为RT/duroid5880, 基片厚度为0. 254。
全文摘要
本发明的DGS低通滤波器,涉及电子技术领域,旨在解决低通滤波器尺寸复杂、体积较大等技术问题。本发明的DGS低通滤波器,由两个完全相同的哑铃状DGS结构和一根微带线构成,两个DGS结构蚀刻于基片上,并平行排布在微带线背面,每个DGS结构中间连接部的中心线与另一个DGS结构中间连接部的中心线相互平行,并与微带线中心线垂直。
文档编号H01P1/203GK102290621SQ20111020377
公开日2011年12月21日 申请日期2011年7月20日 优先权日2011年7月20日
发明者彭皞, 陈波 申请人:成都九洲迪飞科技有限责任公司
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