专利名称：基板处理装置及基板处理方法
技术领域：
本发明涉及基板处理装置，更详细说是涉及一种实施对基板进行蚀刻等基板处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术：
基板处理装置指的是如下的装置包括形成封闭的处理空间的处理室以及设置于处理室内并用于放置基板的基板支架，向处理空间注入处理气体的同时接入电源，实施对基板的表面进行蚀刻或蒸镀等的基板处理。通过上述基板处理装置处理的基板有半导体用晶片、IXD面板用玻璃基板、太阳能电池用基板等。作为上述基板处理装置的一例有实施如下的基板处理的基板处理装置使用托盘在基板支架上放置多个太阳能电池用基板后，在基板的上侧覆盖形成有多个开口部的盖部件，并在基板的表面形成微细的凹凸，形成凹凸的目的根据元件的特性而不同，特别是为了提高太阳能电池元件的效率，降低基于基板的光的反射率便是其中一个目的。如上所述地覆盖盖部件，使在基板的表面形成微细凹凸的基板处理装置，其经由如下的工序在基板的表面形成凹凸。根据现有的一例的基板处理装置，在向处理室内注入气体的同时接入电源时，在处理空间内形成等离子，等离子及气体的一部分将通过盖部件的开口部并对基板的表面进行蚀刻。此外，通过针对基板的蚀刻中形成的化合物中的一部分在盖部件的底面和基板之间的覆盖空间中悬浮并流动，其余化合物及悬浮的化合物的一部分附着于基板的表面，在针对基板的蚀刻过程中起到掩模的作用，促进基板表面上形成微细凹凸。在此，现有的基板处理装置的盖部件包括形成有多个开口部的盖板；支撑部，设置于盖板的边缘，使盖板与基板保持间隔地设置。此外，在使用盖部件形成微细凹凸的现有的基板处理方法中，在盖部件的中央部分及边缘部分，特别是顶点附近等处，将产生与托盘上的位置对应的化合物的密度差，与位置对应的化合物的密度差对基板表面上形成微细凹凸构成影响，存在有引起基板的色差的问题。图1是表示通过现有的基板处理装置进行基板处理的硅基板的概念图。如图1所示，特别是在通过现有技术的基板处理装置实施的基板处理方法中，在以四角形排列放置的多个基板中，在托盘上的边缘，特别是顶点附近，在进行基板处理后的基板表面上产生明显的色差。此外，基板表面的色差表示反射率的差异，存在有无法充分地实现基于基板的微细凹凸形成的反射率减小效果，导致降低太阳能电池元件的效率的问题。并且，有色差的基板在视觉上不好看，存在有在市场上被误认为是次品，降低对产品的信赖度，与没有色差的基板比较时，存在以更低的价格流通等的、在市场上很难销售的问题。
发明内容
为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，防止在以四角形排列放置于托盘的多个基板中，位于顶点的基板的表面上发生色差。本发明的另一目的在于提供一种基板处理装置、在该基板处理装置中使用的托盘及基板处理方法，防止在以四角形排列放置于托盘的多个基板中，位于边缘的基板的表面上发生色差。本发明是为了达到上述本发明的目的而提出的，本发明公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以nXm四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，其特征在于，在上述基板处理装置中，在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边角部分，放置包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的边角伪基板。上述边角伪基板以顶点为基准，以大于一个被处理基板的单边长度的方式放置。在上述托盘的上表面，形成有插入上述边角伪基板的至少一部分的边角收容槽。在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板。在上述托盘的上表面，形成有插入上述外廓伪基板的至少一部分的外廓收容槽。上述边角伪基板与相邻的上述外廓伪基板形成一体。上述外廓伪基板设置如下从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时，上述外廓伪基板与位于上述托盘的边缘的被处理基板的一部分重叠。优选的是，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。优选的是，假设上述外廓伪基板的宽度为WD，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为WD1，上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为 H 时，则 WD-WDl > H+5mm。本发明的基板处理装置，还具有盖部，该盖部包括盖板，形成有沿上下贯通形成的多个开口部，与上述被处理基板保持间隔并覆盖上述被处理基板；支撑部，支撑上述盖板，使其与上述被处理基板保持间隔地进行设置。上述支撑部的内表面从上述多个被处理基板中位于最外廓的被处理基板具有规定的间隔，上述各边角伪基板与相邻的边角伪基板保持间隔地设置。上述支撑部具有规定的厚度，在与上述边角伪基板对应的部分向外侧凸出形成。上述支撑部在朝向上述边角伪基板的表面中与上述边角伪基板对应的部分形成有伪基板收容槽，该伪基板收容槽凹陷地形成，以收容上述边角伪基板。本发明公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以nXm四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，其特征在于，在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板。上述外廓伪基板设置如下从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时，该外廓伪基板的一部分与位于上述托盘的边缘的被处理基板重叠。优选的是，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。优选的是，假设上述外廓伪基板的宽度为WD，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为WD1，上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为 H 时，则 WD-WDl > H+5mm。本发明的基板处理装置，还具有盖部，该盖部包括盖板，形成有沿上下贯通形成的多个开口部，与上述被处理基板保持间隔并覆盖上述被处理基板；支撑部，支撑上述盖板，使其与上述被处理基板保持间隔地进行设置。上述被处理基板及上述边角伪基板可使用结晶硅。本发明还公开了通过如上所述的基板处理装置来进行的基板处理方法。本发明公开了一种基板处理方法，其利用如下的基板处理装置进行基板处理该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以nXm四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，本发明的基板处理方法的特征在于，在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边缘部分，放置包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的边角伪基板并实施基板处理。在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板来实施基板处理。上述边角伪基板与相邻的上述外廓伪基板形成一体。上述外廓伪基板设置如下从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时，上述外廓伪基板与位于上述托盘的边缘的被处理基板的一部分重叠。优选的是，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。优选的是，假设上述外廓伪基板的宽度为WD，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为WD1，上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为 H 时，则 WD-WDl > H+5mm。本发明公开了一种基板处理方法，其利用如下的基板处理装置进行基板处理该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以nXm四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，本发明的基板处理方法的特征在于，在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板来实施基板处理。根据本发明中的基板处理装置及基板处理方法，在多个基板被配置而形成的四角形排列的顶点中的与至少某一个顶点对应的托盘的边角部分，放置边角伪部件的状态下实施基板处理，改善位于托盘的边角部分的基板的色差，具有极大地提高基板的质量、效率及生产率的优点。特别是，根据本发明中的基板处理装置及使用于该基板处理装置的盖部件，在构成盖部的支撑部中的与边角伪基板对应的部分，形成向外侧凹陷地形成的伪基板收容槽，在不变更基板支架或托盘的大小的情况下实现边角伪部件的安装，从而具有在不增加装置的制造费用的情况下，极大地提高基板的质量、效率及生产率的优点。并且，根据本发明中的基板处理装置、使用于该基板处理装置的托盘及基板处理方法，在与多个基板被配置而形成的四角形排列的边缘对应的托盘的边缘部分，设置外廓伪部件并使其与基板重叠一部分的状态下实施基板处理，改善位于托盘的边缘的基板的色差，从而具有极大地提高基板的质量、效率及生产率的优点。特别是，根据本发明中的基板处理装置、使用于该基板处理装置的托盘及基板处理方法，在使用与基板保持间隔并覆盖基板的盖部实施基板处理的情况下，能对位于边缘的基板进行均勻的基板处理，改善位于托盘的边缘的基板的色差，从而具有极大地提高基板的质量、效率及生产率的优点。
图1是表示通过现有的基板处理装置进行基板处理的硅基板的概念图。图2是表示根据本发明的基板处理装置的剖视图。图3是表示图2中的托盘、放置于托盘上的多个基板及盖部的支撑部的俯视图。图如及图4b分别是图3中的III-III方向的剖视图，表示外廓伪基板(dummysubstrate)的一部分与被处理基板的一部分重叠的状态的部分剖视图及部分俯视图。图如是表示图2及图3中的托盘、放置于托盘上的多个基板及盖部的支撑部的部分俯视图。图恥是表示图fe中的IV-IV方向的剖视图。图6是表示图2中的基板处理装置中变形了的另一盖部的情况的托盘、放置于托盘上的多个基板及盖部的支撑部的部分俯视图。图7是表示图2中的基板处理装置中变形了的又一盖部的情况的托盘、放置于托盘上的多个基板及盖部的支撑部的部分俯视图。图8是表示通过本发明中的基板处理装置进行基板处理的硅基板的概念图。附图标号的说明10 基板30 托盘100 处理室200 盖部210 盖板220 支撑部310 外廓伪基板320 边角伪基板
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的基板处理装置及基板处理方法进行详细的说明。附图是为了说明本发明而示出，为了便于说明，夸大实际大小及比率而示出的。
图2是表示根据本发明的基板处理装置的剖视图，图3是表示图2的托盘、放置于托盘上的基板的俯视图。
如图2所示，本发明的基板处理装置包括处理室100，形成用于基板处理的处理空间S ；基板支架130，配置于处理室100的内部，用于支撑放置有多个被处理基板10的托盘30。其中，基板处理可以是各种基板处理，特别是最优选为反应性离子蚀刻(Reactiveion etching)0作为基板处理的对象的被处理基板10只要是需要蚀刻等基板处理的基板，其可以是任何种类的基板，特别可以是通过蚀刻在其表面需要形成微细凹凸的单结晶硅、多结晶硅等太阳能电池用结晶硅基板。在上述被处理基板10为太阳能电池用硅基板的情况下，为了提高太阳能电池的效率，在被处理基板10上，形成多个微细凹凸，从而降低反射率。上述处理室100是形成用于基板处理的封闭的处理空间S，其根据基板处理工序可以是各种结构，如图2所示，包括相互可拆装地结合并形成处理空间的处理室本体120及顶盖110。其中，通过本发明的基板处理装置实施的处理工序有在真空状态下形成等离子，并对被处理基板10的表面进行蚀刻的蚀刻工序等。上述处理室本体120根据设计及外观设计可以为各种结构，并形成有通过门阀开闭的至少一个门170，以使放置有被处理基板10的托盘30进出。上述顶盖110与处理室本体120结合并形成封闭的处理空间S，其可以为各种结构，可以形成平板形状、盘形状等各种结构。此外，在上述处理室100设置有喷头140、基板支架130、排气管180等用于实施真空处理工序的装置，所述喷头140从设置于外部的气体供给装置(未图示)供给到处理气体并向处理空间S喷射，被处理基板10通过托盘30放置于所述基板支架130，所述排气管180与用于进行处理空间S内的压力调节及排气的排气系统(未图示)相连接。上述基板支架130支撑放置有多个被处理基板10的托盘30，并设置有为了在处理空间S中引起等离子形成等用于基板处理的反应而接入电源的下部电极(未图示)。
此外，如图2所示，本发明的基板处理装置还包括盖部200，该盖部200上形成有上下贯通形成的多个开口部211，并用于覆盖被处理基板10。上述盖部200根据其使用目的可以是各种结构，如图2、图3、图6及图7所示，包括盖板210，形成有多个开口部211 ；支撑部220，设置于盖板210的边缘，使盖板210从放置于托盘30的被处理基板10保持规定的间隔地设置，并用于支撑盖板210。此时，所例示的盖部200是为了如下的规定目的而使用的情况在放置有被处理基板10的托盘30之间形成覆盖空间，堵塞由通过开口部211流入的等离子形成的化合物，使化合物附着于被处理基板10的表面来形成微细凹凸。其中，在被处理基板10为硅基板的情况下，化合物包括硅化合物等。上述盖板210根据真空处理工序而可使用各种材质，优选地使用耐等离子特性较强的材质，可使用铝或其合金的材质。上述支撑部220用于在盖板210与放置有被处理基板10的托盘30保持一定的距离的同时划分处理空间S和覆盖空间，该支撑部220与盖板210形成一体，或是与盖板210分开构成。此时，上述支撑部220可以具有与盖板210不同的材质。此外，为了基板处理的效率，上述被处理基板10由多个基板按照nXm的排列被放置于托盘30上，其中，n、m为2以上的自然数。
上述托盘30为将放置多个被处理基板10并转移被处理基板10的结构，根据被处理基板10的种类及处理工序不同，其材质及形状各异。其中，上述托盘30使用Al2O3、石英(Quartz)、硼硅酸盐玻璃(pyrex)、各种树脂等耐等离子的材质，上述托盘30用于被处理基板10以放置状态转移的结构，当被处理基板10直接放置于基板支架130时，就不需要上述托盘30。在上述托盘30中，在放置被处理基板10的边缘的外侧，还设置有硅等与被处理基板10相同材质的一个以上的外廓伪基板310。特别是，对于位于中央部的被处理基板10，与之相邻的被处理基板10可用作外廓伪基板，在位于托盘30的边缘的没有相邻的基板的被处理基板10的外侧，还可设置外廓伪基板310。在此，在上述托盘30上表面，为了在托盘30移动时防止外廓伪基板310的位置移动，沿托盘30的深度方向形成外廓收容槽(未图示)，外廓伪基板310的至少一部分插入该外廓收容槽。上述被处理基板10及外廓伪基板310优选使用相同的材质，在被处理基板10为单结晶硅或多结晶硅的情况下，外廓伪基板310也优选使用作为相同材质的单结晶硅或多
结晶娃。此外，位于上述托盘30的边缘的被处理基板10在被装载于托盘30上时，将可能产生其装载误差，装载误差导致位于托盘30边缘的被处理基板10和外廓伪基板310之间的间隔不恒定。但是，在位于托盘30边缘的被处理基板10和外廓伪基板310之间的间隔不恒定的情况下，存在对位于边缘的被处理基板10的基板处理构成影响，引起基板处理不均勻的问题。因此，如图如及图4b所示，上述外廓伪基板310优选地设置如下从上侧观察装载有被处理基板10的托盘30的装载面时，优选该外廓伪基板310与位于托盘30边缘的被处理基板10部分重叠。其中，上述外廓伪基板310为，优选构成为其与被处理基板10重叠的部分位于被处理基板10的下侧。如上所述，当上述外廓伪基板310的一部分与被处理基板10重叠时，即使发生位于托盘30边缘的被处理基板10的装载误差，也不会对被处理基板10和外廓伪基板310之间的间隔构成影响，从而能够实施更加均勻的基板处理。此外，更优选地，上述外廓伪基板310和被处理基板10重叠的部分的宽度WDl大于被处理基板10的底面和外廓伪基板310的上表面之间的距离H。这是因为，如果上述重叠的宽度WDl小于距离H，则外廓伪基板310和被处理基板10之间的距离变大，导致外廓伪基板310及被处理基板10的重叠效果将消失。并且，假设上述外廓伪基板310的宽度为WD，外廓伪基板310和被处理基板10重叠的部分的宽度为WD1，被处理基板10的底面和外廓伪基板310的上表面之间的距离为H时，优选为 WD-WDl > H+5mm。这是因为，如果上述外廓伪基板310中除去重叠部分的宽度WDl的其余宽度WD2小于5mm时，外廓伪基板310的设置效果将消失。在此，本实施例中说明了除上述外廓伪基板310与被处理基板10的一部分重叠的结构，还设置边角伪基板320的结构的实施例，但是，只有外廓伪基板310与被处理基板10重叠一部分的结构，也能够实现针对位于边缘的被处理基板10的基板处理的改善效果。此外，如前所述，通过盖部200的覆盖而形成于被处理基板10表面的微细凹凸，根据中央部及外廓部等位置而不均勻地形成，特别是，在以矩形等四角形的托盘30的上表面或基板支架130的上表面为基准，位于顶点附近的被处理基板10的表面，根据实验存在产生如图1所示的色差的问题。因此，如图3、图fe及图恥所示，在本发明的基板处理装置中，优选地，在与多个被处理基板10被配置形成的四角形排列的顶点中的至少一个顶点对应的托盘30的边角部分，放置包含有与被处理基板10的主要成分相同的成分的一个以上的边角伪基板320，即，在将边角伪基板320在托盘30的边角部分，形成多个被处理基板10的四角形排列的顶点中的至少一个顶点的两边放置于托盘30的状态下，实施基板处理。上述边角伪基板320是用于改善位于四角形排列的顶点，即托盘30的顶点附近的被处理基板10中形成的色差的部件，优选地，与外廓伪基板310那样包含被处理基板10的主要成分，或是使用与被处理基板10相同的材质。其中，上述边角伪基板320与相邻的外廓伪基板310可设置为一体。为了充分地达到色差改善效果，上述边角伪基板320优选地以托盘30的顶点为基准，以大于一个被处理基板10的单边长度的方式放置。当然，上述边角伪基板320作为改善针对位于托盘30的顶点的被处理基板10的色差的效果，以大于矩形的被处理基板10单边长度的1/2以上的方式放置。其中，不增加在上述多个被处理基板10的四角形排列的边缘设置的一个以上的外廓伪基板310的宽度，而是使用边角伪基板320的原因在于，相比于色差改善效果，使用高价的外廓伪基板310存在增加基板的制造费用的问题。对此，通过使用边角伪基板320，使伪基板的使用最小化，达到针对位于顶点的被处理基板10的最佳的色差改善效果。此外，上述被处理基板10具有矩形等四角形形状，优选地，外廓伪基板310的宽度Wl为被处理基板10的一边(单边)长度WO的5 15%，边角伪基板320的宽度W2为被处理基板10的单边的长度WO的10 80%，此时，更优选地，边角伪基板320的宽度W2为单边的长度WO的15 30%。并且，上述外廓伪基板的宽度Wl及边角伪基板W2的宽度根据设计及外观来进行选择。S卩，上述外廓伪基板的宽度Wl可以是基板的单边长度WO的5 20%。此外，上述边角伪基板的宽度W2可以是被处理基板10的单边长度WO的10 80%。并且，上述外廓伪基板的宽度Wl及边角伪基板的宽度W2可以由其和来决定。S卩，外廓伪基板的宽度Wl及边角伪基板的宽度W2之和优选为基板的单边长度WO的15 100%，更优选为基板的单边长度WO的15 35%。其中，上述外廓伪基板310及边角伪基板320的宽度Wl、W2的数值只是例示出优选的例，而并非必须限定于此。但是，如上所述限制外廓伪基板310及边角伪基板320的宽度W1、W2的原因在于，如果该宽度太小，将无法达到设置伪基板的效果。
此外，从形成凹凸的角度考虑，上述外廓伪基板310及边角伪基板320的宽度W1、W2优选为尽可能地大，但是如果该宽度太大，由于伪基板的过多使用，将导致增加制造费用的问题。此外，上述外廓伪基板310及边角伪基板320相互贴紧，为了达到均勻的处理环境，外廓伪基板310与被处理基板10形成的间隔小于相邻的被处理基板10之间形成的间隔，或是具有实际上相同的间隔。此外，上述被处理基板10 —般放置于托盘30并转移，放置于托盘30上的边角伪基板320根据转移过程、盖部200的覆盖及解除覆盖，将产生其位置变动并妨碍被处理基板10的放置等问题。为此，如图恥所示，为了防止边角伪基板320的位置移动，在上述托盘30的上表面沿托盘30的深度方向形成有边角收容槽31，边角伪基板320的至少一部分插入该边角收容槽31。此外，在追加设置上述边角伪基板320的情况下，需要按照边角伪基板320的宽度大小来增大基板支架130、托盘30、盖部200，或是减小被处理基板10被放置的部分。但是，如果为了设置上述边角伪基板320而加大基板支架130、托盘30、盖部200的大小，则导致增加装置的制造费用，如果减小被处理基板10被放置的部分，则导致降低被处理基板10的生产率的问题。因此，如图3至图恥所示，优选地，上述支撑部220与多个被处理基板10的四角形排列对应地，在内表面中与边角伪基板320对应的部分从被处理基板10凹陷地形成。特别是，如图3及图fe所示，上述支撑部220在与边角伪基板320对应的部分，形成有从被处理基板10凹陷地形成的伪基板收容槽221。此外，如图6所示，代替为了与边角伪基板320对应而形成伪基板收容槽221，上述支撑部220也可以由平板部件构成，构成为具有与由四角形排列的多个被处理基板10、外廓伪基板310及边角伪基板320形成的外廓线对应的形状。并且，如图7所示，上述支撑部220的内表面构成的形状实际上具有与多个被处理基板10的四角形排列对应的矩形等四角形形状，并构成为支撑部220的内表面从外廓伪基板310的边缘具有相同的间隔。此时，各边角伪基板320是与相邻的边角伪基板320保持间隔GA地设置。此外，当如上所述在上述多个被处理基板10的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点，在形成顶点的两边，通过托盘30将边角伪基板320放置于基板支架130的状态下实施基板处理时，按照图3中图示出的实施例那样进行实验的结果，与图8中图示出的概念图相同，确认位于顶点的被处理基板10的表面形成的色差得到明显的改善。此外，通过具有如上结构的基板处理装置实施的基板处理方法将按照如下实施。S卩，根据本发明的基板处理方法，其特征在于，在基板支架130上通过托盘30以nXm排列的多个被处理基板10上，覆盖盖部200的状态下实施基板处理，其中，n、m为2以上的自然数。其中，上述盖部200在被导入到处理室100内之前，覆盖放置于托盘30的多个被处理基板10，或是在处理室100内，通过另外的覆盖装置(未图示)覆盖多个被处理基板10。
并且，上述基板处理可以使包含与被处理基板10的主要成分相同的成分的一个以上的边角伪基板320，在多个被处理基板10的四角形排列的顶点中的至少某一个的顶点，在形成顶点的两边，通过托盘30放置于基板支架130的状态下实施基板处理。并且，上述基板处理可以在向放置于托盘30的被处理基板10边缘的外侧追加设置硅等与被处理基板10相同材质的一个以上的外廓伪基板310来实施。此外，上述基板处理可以由各种工序实现，如前所述，可以是通过反应性离子蚀刻，在作为太阳能电池使用的结晶硅基板，特别是多结晶硅基板的表面形成多个微细凹凸的工序。此外，关于如上所述的外廓伪基板及边角伪基板的设置条件，以包括盖部的实施例为例进行了说明，但是同样地适用于不包括盖部的实施例。以上只是对由本发明可以实现的优选实施例的一部分进行的说明，众所周知，本发明的范围不应被解释为由如上的实施例进行限定，将如上所述的本发明的技术思想作为其根本的所有技术思想应当被涵盖于本发明的范围。
权利要求
1.一种基板处理装置，该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以nXm四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，其特征在于，在上述基板处理装置中，在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边角部分，放置包含与上述被处理基板的主要成分相同成分的一个以上的边角伪基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述边角伪基板以顶点为基准，以大于一个被处理基板的单边长度的方式放置。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述托盘的上表面，形成有插入上述边角伪基板的至少一部分的边角收容槽。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，在上述托盘的上表面，形成有插入上述外廓伪基板的至少一部分的外廓收容槽。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述边角伪基板与相邻的上述外廓伪基板形成一体。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述外廓伪基板设置如下从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时，上述外廓伪基板与位于上述托盘边缘的被处理基板的一部分重叠。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距1 O
9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，假设上述外廓伪基板的宽度为(WD)，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为(WDl)，上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为(H)时，则(WD)-(WDl) > (H)+5mm。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有盖部，该盖部包括盖板，形成有沿上下贯通形成的多个开口部，与上述被处理基板保持间隔并覆盖上述被处理基板；支撑部，支撑上述盖板，使其与上述被处理基板保持间隔地进行设置。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述支撑部的内表面从上述多个被处理基板中位于最外廓的被处理基板具有规定的间隔，上述各边角伪基板与相邻的边角伪基板保持间隔地设置。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述支撑部具有规定的厚度，在与上述边角伪基板对应的部分向外侧凸出形成。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，上述支撑部在朝向上述边角伪基板的表面中与上述边角伪基板对应的部分形成有伪基板收容槽，该伪基板收容槽凹陷地形成，以收容上述边角伪基板。
14.一种基板处理装置，该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以nXm四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，其特征在于，在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的外廓伪基板。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，上述外廓伪基板设置如下从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时，该外廓伪基板的一部分与位于上述托盘的边缘的被处理基板重叠。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，假设上述外廓伪基板的宽度为(WD)，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为(WDl)，上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为(H)时，则(WD)-(WDl) > (H)+5mm。
18.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，还具有盖部，该盖部包括盖板，形成有沿上下贯通形成的多个开口部，与上述被处理基板保持间隔并覆盖上述被处理基板；支撑部，支撑上述盖板，使其与上述被处理基板保持间隔地进行设置。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述被处理基板及上述边角伪基板是结晶硅。
20.—种基板处理方法，其利用如下的基板处理装置进行基板处理该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以nXm四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，其特征在于，在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边缘部分，放置包含与上述被处理基板的主要成分相同的成分的一个以上的边角伪基板并实施基板处理。
21.根据权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置包含与上述被处理基板的主要成分相同成分的一个以上的外廓伪基板来实施基板处理。
22.根据权利要求21所述的基板处理方法，其特征在于，上述边角伪基板与相邻的上述外廓伪基板形成一体。
23.根据权利要求21所述的基板处理方法，其特征在于，上述外廓伪基板设置如下从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时，上述外廓伪基板与位于上述托盘的边缘的被处理基板的一部分重叠。
24.根据权利要求23所述的基板处理方法，其特征在于，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。
25.根据权利要求23所述的基板处理方法，其特征在于，假设上述外廓伪基板的宽度为(WD)，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为(WDl)，上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为(H)时，则(WD)-(WDl) > (H)+5mm。
26.—种基板处理方法，其利用如下的基板处理装置进行基板处理该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以nXm四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，其特征在于，在上述托盘的上表面，在上述多个被处理基板的四角形排列的边缘的外侧，还设置有包含与上述被处理基板的主要成分相同成分的一个以上的外廓伪基板来实施基板处理。
27.根据权利要求沈所述的基板处理方法，其特征在于，上述外廓伪基板设置如下从上侧观察装载被处理基板的上述托盘的装载面时，该外廓伪基板的一部分与位于上述托盘的边缘的被处理基板重叠。
28.根据权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度大于上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离。
29.根据权利要求27所述的基板处理方法，其特征在于，假设上述外廓伪基板的宽度为(WD)，上述外廓伪基板和上述被处理基板重叠的部分的宽度为(WDl)，上述被处理基板的底面和上述外廓伪基板的上表面之间的距离为(H)时，则(WD)-(WDl) > (H)+5mm。
全文摘要
本发明涉及基板处理装置，详言之，涉及实施对基板进行蚀刻等基板处理的基板处理装置及基板处理方法。本发明公开了一种基板处理装置，该基板处理装置包括处理室，形成用于基板处理的处理空间；基板支架，设在上述处理室的内部，用于支撑多个被处理基板以n×m四角形排列放置的托盘，其中，n、m为2以上的自然数，在上述基板处理装置中，在与多个被处理基板被配置而形成的四角形排列的多个顶点中的至少某一个顶点对应的托盘的边角部分，放置包含与上述被处理基板的主要成分相同成分的一个以上的边角伪基板。
文档编号H01L21/67GK102569125SQ201110317379
公开日2012年7月11日 申请日期2011年10月18日 优先权日2010年11月4日
发明者金炳埈 申请人:金炳埈