专利名称：降低非晶硅太阳能电池衰减率的方法
技术领域：
本发明涉及非晶硅薄膜太阳能电池制作工艺，具体的说是在对太阳能电池的基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积的过程中，采取的防止后期衰减的方法。
背景技术：
从材料结构上说非晶硅与同质晶体有相同的配位数，但键长和键角略有改变，描述非晶硅结构的连续无规网络模型认为，非晶硅就是由这样一些稍被扭曲的单元随即连接而成。单元与单元之间不存在固定的位形关系，其有序范围约在广2个原子范围内，由于无序的原因，在非晶硅中存在着一定的悬挂键、应力和微空洞这样的结构缺陷，并在能隙中产生了带尾，带尾与结构缺陷作为复合中心影响了载流子的输运，使得非晶硅电池效率降低。 刚制作完毕的非晶硅薄膜太阳能电池在长时间光照情况下，会产生光生亚稳态，这种光生亚稳态会导致硅-硅弱键断裂后出现两个悬挂键，导致非晶硅电池效率降低，从而出现所谓“非晶硅太阳能电池的早期衰退”。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止非晶硅太阳能电池早期衰退的方法，该方法可有效的防止非晶硅太阳能电池的早期衰退。为实现上述目的，本发明采用以下方案降低非晶硅太阳能电池衰减率的方法，在对太阳能电池的基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积的过程中，用接近太阳光光谱的光源对基板上的导电膜进行照射，在气相沉积的过程完成后，结束照射。由上述方案可见，由于在对基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积过程中一直用接近太阳光光谱的光源对其照射，光源照射到膜面后，产生光生亚稳态，出现硅-硅弱键断裂现象，由于气相沉积在进行，所以新的原子再次形成，断裂情况被重新连接，如此，可在基板衰减完成后，再完成气相沉积。这样，基板在用于加工太阳能电池后，再接受日光照射时，基本不会再有衰减、或衰减的程度很小。本发明的优点是将使用原设备及工艺方法制造出的非晶硅薄膜太阳能电池的衰减期限降低，等于将整片电池的功率提高。
附图为实现本发明一实施例所用照射箱体的结构示意图。
具体实施例方式以下结合实施例及附图进一步说明本发明。为达到在基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积的过程中，用接近太阳光光谱的光源对基板上的导电膜进行照射的目的，本实施例采用的手段是，在对太阳能电池的基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积的过程中，基板及光源共处在一开有若干通孔的箱体中，光源为氙灯。参见附图
为实现上述手段，所采用的照射装置具有一箱体1，箱体1的顶壁上开有一条以上的缝隙la，箱体1的侧壁内侧上设有接近太阳光光谱的光源2，光源2为氙灯，在光源外部罩有灯罩3。箱体1的侧壁上开有若干通孔lb。结合附图可见，将非晶硅太阳能电池基板4插入箱体1上的缝隙Ia中，然后将箱体连同基板共同放置在对太阳能电池的基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积的空腔中，通过箱体上的通孔lb，可对基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积。在对太阳能电池的基板进行气相沉积的同时，由箱体侧壁内侧上的光源对基板上的导电膜进行照射，在气相沉积的过程完成后，结束照射。
权利要求
1.降低非晶硅太阳能电池衰减率的方法，其特征在于在对太阳能电池的基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积的过程中，用接近太阳光光谱的光源对基板上的导电膜进行照射，在气相沉积的过程完成后，结束照射。
2.根据权利要求1所述的降低非晶硅太阳能电池衰减率的方法，其特征在于在对太阳能电池的基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积的过程中，基板及光源共处在一开有若干通孔的箱体中，光源为氙灯。
全文摘要
降低非晶硅太阳能电池衰减率的方法，在对太阳能电池的基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积的过程中，用接近太阳光光谱的光源对基板上的导电膜进行照射，在气相沉积的过程完成后，结束照射。由于在对基板进行等离子体增强化学气相沉积法气相沉积过程中一直用接近太阳光光谱的光源对其照射，光源照射到膜面后，产生光生亚稳态，出现硅-硅弱键断裂现象，由于气相沉积在进行，所以新的原子再次形成，断裂情况被重新连接，如此，可在基板衰减完成后，再完成气相沉积。这样，基板在用于加工太阳能电池后，再接受日光照射时，基本不会再有衰减、或衰减的程度很小。
文档编号H01L31/20GK102496663SQ20111045317
公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月29日 优先权日2011年12月29日
发明者庞海燕, 张立刚, 罗毅, 龚瑞 申请人:普乐新能源(蚌埠)有限公司