专利名称：发光二极管封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体封装结构，特别是指一种发光二极管封装结构。
背景技术：
发光二极管做为第三代光源，具有体积小、节能环保、发光效率高等优点，得到越来越广泛的应用。常用的 发光二极管是通过蓝光芯片加黄光荧光粉来得到白光，但是这样得到的白光往往缺少较大波长的红光部分，使得其演色性较差，即不能获得高度物体真实颜色重现效果、而导致物体颜色失真。因此经常通过在封装体中同时封装补偿LED芯片来提高其演色性，但是这种发光二极管封装结构中的多个LED芯片混光的时候，由于各LED芯片发出不同波长的色光，各LED芯片的发光效率也不相同，一般来说，同样电流下，短波长芯片的出光效率较高，而对应长波长芯片的出光效率较低，因此，往往在出光面上会产生出射光强度不均匀的问题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种光强均匀的高演色性发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的短波发光二极管芯片和长波发光二极管芯片以及透镜。所述透镜在对应所述长波发光二极管芯片的光路上形成汇聚光线的汇聚部，在对应所述短波发光二极管芯片的光路上形成发散光线的发散部。该发光二极管封装结构，由于所述透镜在对应所述长波发光二极管芯片的光路上形成汇聚光线的汇聚部，在对应所述短波发光二极管芯片的光路上形成发散光线的发散部，使得所述长波发光二极管芯片出射的光线汇聚，增加其出射强度，而所述短波发光二极管芯片出射的光线发散，降低其出射强度，因此使其出光表面各处的光强更加均匀。
图1是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的出光示意图。图2是图1中发光二极管封装结构的出光强度与出光角度的关系图。主要元件符号说明
极管封装结构~[ Γ
基板_11
上表面_111
下表面_112
电极^ Ti"
_发光二极管芯片 长波发光二极管芯片 14
荧光粉_也
封装层_16_
透镜_17
汜聚部|l7权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的短波发光二极管芯片和长波发光二极管芯片以及透镜，其特征在于，所述透镜在对应所述长波发光二极管芯片的光路上形成汇聚光线的汇聚部，在对应所述短波发光二极管芯片的光路上形成发散光线的发散部。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述透镜包括一靠近基板的入光面和一远离基板的出光面，所述入光面为一平面，所述出光面对应所述长波发光二极管芯片的聚光部为一凸起，对应所述短波发光二极管芯片的发散部为一凹陷。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述短波发光二极管芯片和长波发光二极管芯片之间采用串联连接的方式。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述短波发光二极管芯片为蓝光LED芯片，其发出波长大于450nm且小于550nm的蓝绿光。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述长波发光二极管芯片为红光LED芯片，其发出波长大于570nm的红光。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括覆盖短波发光二极管芯片的黄色荧光粉。
7.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于:长波发光二极管芯片位于基板中部，短波发光二极管芯片位于长波发光二极管芯片附近。
8.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于:短波发光二极管芯片的数量为多个，且环绕长波发光二极管设置。
9.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括有反射杯，反射杯环绕所述短波发光二极管芯片和长波发光二极管芯片设置。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括设置于反射杯内的封装层，所述透镜设于所述封装层和所述反射杯的上表面。
11.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括设置于反射杯内的封装层，所述反射杯环绕所述封装层及所述透镜设置。
全文摘要
一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的短波发光二极管芯片和长波发光二极管芯片以及透镜。所述透镜在对应所述长波发光二极管芯片的光路上形成汇聚光线的汇聚部，在对应所述短波发光二极管芯片的光路上形成发散光线的发散部。
文档编号H01L25/075GK103187408SQ201110452980
公开日2013年7月3日 申请日期2011年12月30日 优先权日2011年12月30日
发明者林新强 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司